JP4698123B2 - レジスト除去剤組成物 - Google Patents
レジスト除去剤組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4698123B2 JP4698123B2 JP2002591913A JP2002591913A JP4698123B2 JP 4698123 B2 JP4698123 B2 JP 4698123B2 JP 2002591913 A JP2002591913 A JP 2002591913A JP 2002591913 A JP2002591913 A JP 2002591913A JP 4698123 B2 JP4698123 B2 JP 4698123B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- remover composition
- group
- chemical formula
- resist remover
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/426—Stripping or agents therefor using liquids only containing organic halogen compounds; containing organic sulfonic acids or salts thereof; containing sulfoxides
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/906—Cleaning of wafer as interim step
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
前記(d)水酸基を2または3個含有する有機フェノール系化合物は下記の化学式1によって示される化合物である: <化学式1>:
<化学式2>:RfCOO−M+、RfSO3 −M+、RfSO 4 − M + 、RfOP(O)O2 2−M2 +
ここで、Rfはフッ素化あるいは部分フッ素化された疎水性基であり、例えば、次の通りである。
および次の化学式4で示される基
ここで、mは1〜30の整数、nは1〜30の整数を各々示す。
前記(f)ポリオキシエチレンアルキルアミンエーテル系界面活性剤は下記の化学式3によって示される化合物より選択される。<化学式3>:
サンプルAの製造
下部にタングステン膜及び窒化チタン膜が下から各々順次に1000Å及び700Å蒸着されている8インチシリコンウエハーの表面に汎用的に用いられるポジ型レジスト組成物(三菱社製品、商品名:IS401)をスピンコーティングして最終膜の厚さが1.01μmになるように塗布した。次に、ホットプレートで前記シリコンウエハーを100℃で90秒間プレベーク(pre-bake)した。引続き、前記レジスト膜上に所定パターンのマスクを位置させた後、紫外線を照射してテトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)現像液(ドウジンケミカル工業社、商品名DPD−100S)で21℃で60秒間現像した後、ホットプレートで前記レジストパターンが形成されたサンプルを120℃で100秒間ハードベークした。前記サンプルAに形成されたレジストパターンをマスクとして利用して乾式エッチング装置(日立社、モデル名:M318)でSF6/Cl2混合ガスをエッチングガスとして使用して35秒間レジストパターンによって覆われていない下部のタングステン及び窒化チタン膜をエッチングして金属配線パターンを形成した。
前記サンプルAを温度65℃レジスト除去剤組成物に浸漬した。引き続き、前記サンプルをレジスト除去剤組成物から取り出した後、純水で水洗して窒素ガスで乾燥した後、パターンの側壁周囲とラインパターン表面にレジスト残留物が付着有無を走査電子顕微鏡(SEM)で検査してレジスト除去性能を次のような基準に基づいて評価し、その結果を下記表2に示した。
サンプルBの用意
半導体パッケージ工程中に使用する銅材質のリードフレームを用意した。
前記サンプルBを温度65℃レジスト除去剤組成物に浸漬した。引き続き、前記サンプルをレジスト除去剤組成物から取り出した後、純水で水洗して窒素ガスで乾燥した後、前記銅サンプルの表面を走査型電子顕微鏡で検査して腐蝕程度を次のような基準に基づいて評価し、その結果を下記表3に示した。
△:銅表面に腐蝕が一部ある場合
×:銅表面に腐蝕が全体的に激しく示された場合
実施例1〜5及び比較例1〜3
本発明の成分(a)〜(f)を各々下記表1に示した比率で混合して各々実施例1〜5及び比較例1〜3のレジスト除去剤組成物を調製した。このようにして得たレジスト除去剤組成物に対して前述した(1)レジスト除去性能、(2)銅腐食性試験を実施してその結果を下記の表2〜3に示した。
MEA:モノエタノールアミン
DMSO:ジメチルスルホキシド
DMF:ジメチルホルムアミド
NMP:N-メチルピロリドン
DMAc:ジメチルアセトアミド
FPA-91:フルオロアルキル基が含まれているアニオン系化合物(DIC社商品)
FPA-91P:フルオロアルキル基が含まれているアニオン系化合物(DIC社商品)
KONION LM-10:ポリオキシエチレンアルキルアミンエーテル(韓国ポリオル社商品)
KONION SM-15:ポリオキシエチレンアルキルアミンエーテル(韓国ポリオル社商品)
KONIOM SM-10:ポリオキシエチレンアルキルアミンエーテル(韓国ポリオル社商品)
SA:サリチリックアルデヒド(Salycylic aldehyde)
Claims (6)
- (a)水溶性有機アミン化合物10〜40重量%、(b)ジメチルスルホキシド(DMSO)、N−メチルピロリドン(NMP)、ジメチルアセトアミド(DMAc)及びジメチルホルムアミド(DMF)からなる群より選択された一つ以上の水溶性有機溶剤40〜70重量%、(c)水10〜30重量%、(d)水酸基を2または3個含有する有機フェノール系化合物5〜15重量%、(e)ペルフルオロアルキル基が含まれているアニオン系化合物0.5〜5重量%、及び(f)ポリオキシエチレンアルキルアミンエーテル系界面活性剤0.01〜1重量%を含有することを特徴とするレジスト除去剤組成物。
- 前記水溶性有機アミン化合物はアミノアルコール化合物であることを特徴とする、請求項1に記載のレジスト除去剤組成物。
- 前記アミノアルコール化合物は2−アミノ−1−エタノール、1−アミノ−2−プロパノール、2−アミノ−1−プロパノール、3−アミノ−1−プロパノールからなる群から選択された一つ以上の化合物であることを特徴とする、請求項2に記載のレジスト除去剤組成物。
- 前記ペルフルオロアルキル基が含まれているアニオン系化合物は下記の化学式2で示される化合物からなる群から選択される化合物であることを特徴とする、請求項1に記載のレジスト除去剤組成物。
<化学式2>:RfCOO−M+、RfSO3 −M+、RfSO 4 − M + 、RfOP(O)O2 2−M2 +
ここで、Rfはフッ素化あるいは部分フッ素化された疎水性基であり、M+は無機あるいは有機カウンターイオンであり、Rfは次の化学式で示される群から選択される一つの基であり、
CnF(2n+1)−、CnF(2n+1)CmH(2m+1)−、CnF(2n+1)OCF2CF2−、CnF(2n+1)OC6H4−、CnF(2n+1)CH2CH2Si(CH3)2−
および次の化学式4で示される基
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/KR2001/000839 WO2002095502A1 (en) | 2001-05-21 | 2001-05-21 | Resist remover composition |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004533010A JP2004533010A (ja) | 2004-10-28 |
JP4698123B2 true JP4698123B2 (ja) | 2011-06-08 |
Family
ID=19198383
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002591913A Expired - Fee Related JP4698123B2 (ja) | 2001-05-21 | 2001-05-21 | レジスト除去剤組成物 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7015183B2 (ja) |
JP (1) | JP4698123B2 (ja) |
WO (1) | WO2002095502A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4577474B2 (ja) * | 2001-06-29 | 2010-11-10 | 三菱瓦斯化学株式会社 | レジスト剥離剤組成物 |
KR100581279B1 (ko) * | 2003-06-02 | 2006-05-17 | 삼성전자주식회사 | 포토레지스트 제거용 조성물 및 이를 이용한 반도체소자의 범프 형성방법 |
JP4493393B2 (ja) * | 2004-04-23 | 2010-06-30 | 東京応化工業株式会社 | リソグラフィー用リンス液 |
JP2007219009A (ja) * | 2006-02-14 | 2007-08-30 | Az Electronic Materials Kk | レジスト基板用処理液とそれを用いたレジスト基板の処理方法 |
JP5094079B2 (ja) * | 2006-09-14 | 2012-12-12 | 富士フイルム株式会社 | レジストの剥離方法 |
KR101487853B1 (ko) * | 2009-02-03 | 2015-01-29 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 레지스트 박리제 조성물 및 그것을 이용한 레지스트 박리 방법 |
CN101538515B (zh) * | 2009-04-14 | 2011-04-06 | 苏州优诺电子材料科技有限公司 | 水基元件超声清洗剂 |
US8058221B2 (en) * | 2010-04-06 | 2011-11-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Composition for removing a photoresist and method of manufacturing semiconductor device using the composition |
US20140046923A1 (en) | 2012-08-10 | 2014-02-13 | Microsoft Corporation | Generating queries based upon data points in a spreadsheet application |
JP6562789B2 (ja) * | 2015-09-10 | 2019-08-21 | キヤノン株式会社 | 除去対象物の除去方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09152721A (ja) * | 1995-11-30 | 1997-06-10 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト用剥離液組成物 |
JPH11305453A (ja) * | 1998-04-23 | 1999-11-05 | Tokuyama Corp | フォトレジストアッシング残滓洗浄除去剤 |
US6140027A (en) * | 1998-12-31 | 2000-10-31 | Dongjin Semichem Co., Ltd. | Photoresist remover composition |
JP2001523356A (ja) * | 1997-05-05 | 2001-11-20 | アーチ・スペシャルティ・ケミカルズ・インク | レジスト剥離および洗浄用の非腐食性組成物 |
JP2003507772A (ja) * | 1999-08-19 | 2003-02-25 | 東進セミケム株式会社 | フォトレジスト除去用組成物 |
JP2003532143A (ja) * | 2000-04-26 | 2003-10-28 | ドウジン セミケム カンパニー リミテッド | レジスト剥離剤組成物 |
JP2004501404A (ja) * | 2000-06-19 | 2004-01-15 | ドウジン セミケム カンパニー リミテッド | フッ化アンモニウムを含有するフォトレジスト除去剤組成物 |
US20040152022A1 (en) * | 2001-05-21 | 2004-08-05 | Ji-Hum Baik | Resist remover composition |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4617251A (en) * | 1985-04-11 | 1986-10-14 | Olin Hunt Specialty Products, Inc. | Stripping composition and method of using the same |
JPH0612455B2 (ja) * | 1985-08-10 | 1994-02-16 | 長瀬産業株式会社 | 剥離剤組成物 |
JPS6250831A (ja) * | 1985-08-30 | 1987-03-05 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | レジスト用剥離液組成物 |
US4770713A (en) * | 1986-12-10 | 1988-09-13 | Advanced Chemical Technologies, Inc. | Stripping compositions containing an alkylamide and an alkanolamine and use thereof |
JPS63208043A (ja) | 1987-02-25 | 1988-08-29 | Kanto Kagaku Kk | ポジ型フオトレジスト用水溶性剥離液 |
JPS63231343A (ja) | 1987-03-20 | 1988-09-27 | Hitachi Ltd | レジストパタ−ンの剥離液 |
JP2578821B2 (ja) | 1987-08-10 | 1997-02-05 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型ホトレジスト用剥離液 |
DE3828513A1 (de) | 1988-08-23 | 1990-03-01 | Merck Patent Gmbh | Abloesemittel fuer fotoresists |
JP2527268B2 (ja) | 1990-09-17 | 1996-08-21 | 東京応化工業株式会社 | レジスト用剥離剤組成物 |
US5279771A (en) | 1990-11-05 | 1994-01-18 | Ekc Technology, Inc. | Stripping compositions comprising hydroxylamine and alkanolamine |
JPH04350660A (ja) | 1991-05-28 | 1992-12-04 | Texas Instr Japan Ltd | 半導体装置製造用ポジ型フォトレジスト用剥離液および半導体装置の製造方法 |
JP2980772B2 (ja) | 1992-04-02 | 1999-11-22 | ナガセ電子化学株式会社 | 剥離剤組成物 |
DE69333877T2 (de) | 1992-07-09 | 2006-06-14 | Ekc Technology Inc | Reinigungsmittelzusammensetzung, das einem Redox Aminverbindung enthält |
JPH06249355A (ja) | 1993-02-25 | 1994-09-06 | Toto Ltd | 流体弁の駆動装置 |
JPH085664B2 (ja) | 1994-02-07 | 1996-01-24 | 住友特殊金属株式会社 | 希土類・鉄・ボロン系正方晶化合物 |
JPH08123043A (ja) | 1994-10-27 | 1996-05-17 | Sumitomo Chem Co Ltd | フォトレジスト用剥離液 |
JPH08262746A (ja) | 1995-03-28 | 1996-10-11 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | フォトレジスト剥離剤組成物および剥離方法 |
JP2911792B2 (ja) | 1995-09-29 | 1999-06-23 | 東京応化工業株式会社 | レジスト用剥離液組成物 |
JPH11323394A (ja) * | 1998-05-14 | 1999-11-26 | Texas Instr Japan Ltd | 半導体素子製造用洗浄剤及びそれを用いた半導体素子の製造方法 |
EP1122610B1 (en) * | 2000-01-31 | 2005-06-08 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method for replenishing replenisher for developer for automatic developing apparatuses |
JP2002113431A (ja) * | 2000-10-10 | 2002-04-16 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄方法 |
-
2001
- 2001-05-21 WO PCT/KR2001/000839 patent/WO2002095502A1/en active Application Filing
- 2001-05-21 JP JP2002591913A patent/JP4698123B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-05-21 US US10/478,113 patent/US7015183B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09152721A (ja) * | 1995-11-30 | 1997-06-10 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト用剥離液組成物 |
JP2001523356A (ja) * | 1997-05-05 | 2001-11-20 | アーチ・スペシャルティ・ケミカルズ・インク | レジスト剥離および洗浄用の非腐食性組成物 |
JPH11305453A (ja) * | 1998-04-23 | 1999-11-05 | Tokuyama Corp | フォトレジストアッシング残滓洗浄除去剤 |
US6140027A (en) * | 1998-12-31 | 2000-10-31 | Dongjin Semichem Co., Ltd. | Photoresist remover composition |
JP2003507772A (ja) * | 1999-08-19 | 2003-02-25 | 東進セミケム株式会社 | フォトレジスト除去用組成物 |
JP2003532143A (ja) * | 2000-04-26 | 2003-10-28 | ドウジン セミケム カンパニー リミテッド | レジスト剥離剤組成物 |
JP2004501404A (ja) * | 2000-06-19 | 2004-01-15 | ドウジン セミケム カンパニー リミテッド | フッ化アンモニウムを含有するフォトレジスト除去剤組成物 |
US20040152022A1 (en) * | 2001-05-21 | 2004-08-05 | Ji-Hum Baik | Resist remover composition |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20050101500A1 (en) | 2005-05-12 |
JP2004533010A (ja) | 2004-10-28 |
US7015183B2 (en) | 2006-03-21 |
WO2002095502A1 (en) | 2002-11-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100286860B1 (ko) | 포토레지스트 리무버 조성물 | |
JP4473277B2 (ja) | フォトレジスト残渣を除去するためのpHバッファー水性クリーニング組成物およびその方法 | |
JP3679753B2 (ja) | レジスト剥離剤組成物 | |
KR101221560B1 (ko) | 변성된 포토레지스트 제거를 위한 반도체 소자용 박리액조성물 | |
JP2005528660A (ja) | 半導体プロセス残留物除去組成物および方法 | |
JP2013527992A (ja) | フォトレジスト剥離液組成物 | |
JP4698123B2 (ja) | レジスト除去剤組成物 | |
KR100544889B1 (ko) | 포토레지스트용 스트리퍼 조성물 | |
KR101304723B1 (ko) | 아미드계 화합물을 포함하는 포토레지스트 박리액 및 이를이용한 박리 방법 | |
JP3833176B2 (ja) | フォトレジスト除去剤組成物 | |
KR100378552B1 (ko) | 레지스트 리무버 조성물 | |
US20040185370A1 (en) | Resist remover composition | |
JP3742624B2 (ja) | フッ化アンモニウムを含有するフォトレジスト除去剤組成物 | |
KR100862988B1 (ko) | 포토레지스트 리무버 조성물 | |
KR100742119B1 (ko) | 포토레지스트 리무버 조성물 | |
KR100378551B1 (ko) | 레지스트 리무버 조성물 | |
US6861210B2 (en) | Resist remover composition | |
KR100348434B1 (ko) | 레지스트 리무버 조성물 | |
KR20080017848A (ko) | 포토레지스트 박리액 및 이를 이용한 박리 방법 | |
KR20040083157A (ko) | 포토레지스트용 스트리퍼 조성물 | |
KR20110019052A (ko) | 포토레지스트 또는 포토레지스트의 에싱 잔류물 박리액 조성물 및 이를 이용한 박리 방법 | |
KR20020019813A (ko) | 암모늄 플로라이드를 함유하는 포토레지스트 리무버조성물 | |
JP2015068845A (ja) | レジスト剥離剤及びそれを用いたレジスト剥離方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071114 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100326 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100628 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101102 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110117 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110210 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110301 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4698123 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |