CN103586229A - 一种提高纳米印章抗粘性能的方法 - Google Patents
一种提高纳米印章抗粘性能的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103586229A CN103586229A CN201310553840.6A CN201310553840A CN103586229A CN 103586229 A CN103586229 A CN 103586229A CN 201310553840 A CN201310553840 A CN 201310553840A CN 103586229 A CN103586229 A CN 103586229A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- nanometer
- stamper
- seal
- minutes
- nanometer seal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
- B08B3/12—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration by sonic or ultrasonic vibrations
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Abstract
本发明公开了一种提高纳米印章抗粘性能的方法,包括如下步骤:(1)将纳米印章放入清洗溶液中清洁,然后吹干,转移到干燥环境中;(2)用异丙醇冲洗纳米印章5~10分钟;(3)将纳米印章放入无水异辛烷中5~10分钟;(4)在步骤(3)得到的纳米印章旋涂上抗粘层;(5)清洗纳米印章,然后用氮气吹干。本发明提供的提高纳米印章抗粘性能的方法操作步骤简单,能大大降低模板的自由能,缩短脱模时间,延长纳米印章的使用寿命。
Description
技术领域
本发明涉及微加工领域,具体涉及一种提高纳米印章抗粘性能的方法。
背景技术
纳米印章表面凸起或凹陷结构越多,意味着与聚合物接触的表面越多,越容易引起聚合物和印章间的粘连。这些表面对印章的寿命有着非常重要的影响,直接决定了压印技术能否在工业界大量应用。
发明内容
发明目的:为了克服现有技术中存在的不足,本发明提供的提高纳米印章抗粘性能的方法,工艺简单、效率高,适合推广应用。
技术方案:为解决上述技术问题,本发明的采用的技术方案为:一种提高纳米印章抗粘性能的方法,包括如下步骤:
(1)将纳米印章放入清洗溶液中清洁,然后吹干,转移到干燥环境中;
(2)用异丙醇冲洗纳米印章5~10分钟;
(3)将纳米印章放入无水异辛烷中5~10分钟;
(4)在步骤(3)得到的纳米印章旋涂上抗粘层;
(5)清洗纳米印章,然后用氮气吹干。
优选地,所述步骤(1)中采用的清洗溶液为混合比例为1:1:4的NH4OH:H2O2:H2O。
优选地,所述的抗粘层为道康宁DC系列。
优选地,所述步骤(4)旋涂时匀胶机转速设为2500~3000转,旋转时间为1~1.5分钟。
优选地,所述步骤(5)中清洗印章包括丙醇超声4~5分钟,去离子水超声2~3分钟。
有益效果:本发明提供的提高纳米印章抗粘性能的方法操作步骤简单,能大大降低模板的自由能,缩短脱模时间,延长纳米印章的使用寿命。
具体实施方式
实施例1:
一种提高纳米印章抗粘性能的方法,包括如下步骤:
(1)将纳米印章放入清洗溶液中清洁,然后吹干,转移到干燥环境中,;
(2)用异丙醇冲洗纳米印章5分钟;
(3)将纳米印章放入无水异辛烷中5分钟;
(4)在步骤(3)得到的纳米印章旋涂上道康宁的DC20抗粘层,旋涂时匀胶机转速设为2500转,旋转时间为1.5分钟;
(5)通过丙醇超声4分钟,去离子水超声2分钟清洗纳米印章,然后用氮气吹干。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出:对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (5)
1.一种提高纳米印章抗粘性能的方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)将纳米印章放入清洗溶液中清洁,然后吹干,转移到干燥环境中,;
(2)用异丙醇冲洗纳米印章5~10分钟;
(3)将纳米印章放入无水异辛烷中5~10分钟;
(4)在步骤(3)得到的纳米印章旋涂上抗粘层;
(5)清洗纳米印章,然后用氮气吹干。
2.根据权利要求1所述的提高纳米印章抗粘性能的方法,其特征在于:所述步骤(1)中采用的清洗溶液为混合比例为1:1:4的NH4OH:H2O2:H2O。
3.根据权利要求1所述的提高纳米印章抗粘性能的方法,其特征在于:优选地,所述的抗粘层为道康宁DC系列。
4.根据权利要求1所述的提高纳米印章抗粘性能的方法,其特征在于:所述步骤(4)旋涂时匀胶机转速设为2500~3000转,旋转时间为1~1.5分钟。
5.根据权利要求1所述的提高纳米印章抗粘性能的方法,其特征在于:所述步骤(5)中清洗印章包括丙醇超声4~5分钟,去离子水超声2~3分钟。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310553840.6A CN103586229A (zh) | 2013-11-08 | 2013-11-08 | 一种提高纳米印章抗粘性能的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310553840.6A CN103586229A (zh) | 2013-11-08 | 2013-11-08 | 一种提高纳米印章抗粘性能的方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103586229A true CN103586229A (zh) | 2014-02-19 |
Family
ID=50076665
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201310553840.6A Pending CN103586229A (zh) | 2013-11-08 | 2013-11-08 | 一种提高纳米印章抗粘性能的方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN103586229A (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104317163A (zh) * | 2014-11-14 | 2015-01-28 | 无锡英普林纳米科技有限公司 | 一种二氧化硅模板表面抗粘连的修饰方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7223721B2 (en) * | 2001-08-17 | 2007-05-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Resist and etching by-product removing composition and resist removing method using the same |
CN101152651A (zh) * | 2006-09-28 | 2008-04-02 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种陶瓷零件表面的清洗方法 |
US7503333B2 (en) * | 2006-02-22 | 2009-03-17 | Basf Corporation | Method of washing a surface with a surfactant composition |
CN102253027A (zh) * | 2011-05-09 | 2011-11-23 | 东南大学 | 基于金纳米星的表面增强拉曼散射活性基底及其制备方法 |
CN102649625A (zh) * | 2012-05-03 | 2012-08-29 | 北京鼎臣超导科技有限公司 | 一种镀膜用玻璃衬底的清洗方法 |
CN102815700A (zh) * | 2012-09-18 | 2012-12-12 | 复旦大学 | 一种回收硅切削废料制备纳米碳化硅的方法 |
CN103111434A (zh) * | 2013-01-15 | 2013-05-22 | 安徽康蓝光电股份有限公司 | 一种蓝宝石加工最终清洗工艺 |
CN103351019A (zh) * | 2013-07-08 | 2013-10-16 | 陕西科技大学 | 一种溶剂热法制备SmS纳米阵列的方法 |
-
2013
- 2013-11-08 CN CN201310553840.6A patent/CN103586229A/zh active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7223721B2 (en) * | 2001-08-17 | 2007-05-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Resist and etching by-product removing composition and resist removing method using the same |
US7503333B2 (en) * | 2006-02-22 | 2009-03-17 | Basf Corporation | Method of washing a surface with a surfactant composition |
CN101152651A (zh) * | 2006-09-28 | 2008-04-02 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种陶瓷零件表面的清洗方法 |
CN102253027A (zh) * | 2011-05-09 | 2011-11-23 | 东南大学 | 基于金纳米星的表面增强拉曼散射活性基底及其制备方法 |
CN102649625A (zh) * | 2012-05-03 | 2012-08-29 | 北京鼎臣超导科技有限公司 | 一种镀膜用玻璃衬底的清洗方法 |
CN102815700A (zh) * | 2012-09-18 | 2012-12-12 | 复旦大学 | 一种回收硅切削废料制备纳米碳化硅的方法 |
CN103111434A (zh) * | 2013-01-15 | 2013-05-22 | 安徽康蓝光电股份有限公司 | 一种蓝宝石加工最终清洗工艺 |
CN103351019A (zh) * | 2013-07-08 | 2013-10-16 | 陕西科技大学 | 一种溶剂热法制备SmS纳米阵列的方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104317163A (zh) * | 2014-11-14 | 2015-01-28 | 无锡英普林纳米科技有限公司 | 一种二氧化硅模板表面抗粘连的修饰方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN104148348A (zh) | 一种薄膜太阳能电池生产中对tco基板玻璃的预清洗工艺 | |
CN204953492U (zh) | 一种白玻璃清洗装置 | |
CN103586229A (zh) | 一种提高纳米印章抗粘性能的方法 | |
CN201482749U (zh) | 一种多晶硅太阳能硅片喷淋装置 | |
CN107309233A (zh) | 具备毛刷辊自清洗功能的清洗机盖板 | |
CN205732081U (zh) | 一种高效的玻璃清洗机 | |
CN201702129U (zh) | 铅酸蓄电池板栅极耳冲洗装置 | |
CN204803785U (zh) | 一种全自动升降路障 | |
CN104162527A (zh) | 一种薄膜太阳能电池生产中对背板玻璃的清洗工艺 | |
CN103924306B (zh) | 一种硅异质结太阳电池的制绒方法 | |
CN102489468B (zh) | 一种石墨材质基板表层氮化硅的清洗方法 | |
CN103923759A (zh) | 一种新型汽车清洗液 | |
CN104051574B (zh) | 一种受潮石墨舟去潮工艺 | |
CN204134993U (zh) | 一种太阳能电池板水气混合清洗设备 | |
CN204102920U (zh) | 一种湿式刻蚀机的喷淋装置 | |
CN204764050U (zh) | 一种光伏组件涂抹肥皂水专用刷子 | |
CN206661782U (zh) | 具有清洗装置的包装材料板复合机 | |
CN110299429A (zh) | 一种新型硅-有机杂化太阳能电池及其制备方法 | |
CN104900493A (zh) | 一种晶圆表面大深宽比tsv盲孔的清洗方法 | |
CN204620513U (zh) | 一种太阳能阵列清洗装置 | |
CN103122458A (zh) | 45#钢表面具有缓蚀性能的自组装膜的制备方法 | |
CN103839799A (zh) | 单片半导体衬底湿法刻蚀装置 | |
CN205496232U (zh) | 一种节能型中空玻璃清洗机 | |
CN103801532A (zh) | 一种氧化铟锡薄膜的处理工艺 | |
CN201890722U (zh) | 一种行车受电器装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20140219 |