CN201482749U - 一种多晶硅太阳能硅片喷淋装置 - Google Patents

一种多晶硅太阳能硅片喷淋装置 Download PDF

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Abstract

一种硅片多晶硅太阳能硅片喷淋装置，喷管上排列着若干喷头，喷管连接在摆动装置上，喷管管路上有阀门。阀门与摆动装置联动，即喷头向下转动时，喷淋管路才接通，喷嘴喷出水流对硅片进行清洗；喷管向上转动时，喷淋管路不能接通，避免了水流将砂浆再次带回到硅片表面，提高喷淋清除砂浆的效果，同时，大大降低了水耗，节约了水资源。

Description

一种多晶硅太阳能硅片喷淋装置
技术领域
本实用新型涉及一种多晶硅太阳能硅片生产装置，特别是硅片预清洗的摇摆式喷淋装置。
背景技术
在多晶硅太阳能硅片生产过程中，预清洗是其中一个工序，通常采用摇摆式喷淋、喷淋、超声、脱胶的方式进行处理。现在使用的摇摆式喷淋，是通过喷头上下摆动来清洗硅片表面，不管喷头是向上摆动还是向下摆动，喷嘴里都有水流喷出，这使得原本在喷头向下摆动时从硅片表面冲下的砂浆，在喷头向上摆动时又随着向上的水流重新回到了硅片表面，在很大程度上降低了喷淋清除砂浆的效果。
实用新型内容
本实用新型提供一种多晶硅太阳能硅片喷淋装置，只在喷头向下转动时，喷嘴才有水流对太阳能硅片进行喷淋，提高喷淋清除砂浆的效果。
一种多晶硅太阳能硅片喷淋装置，喷管上排列着若干喷头，喷管连接在摆动机构上，喷管管路上有阀门。
所述阀门与所述摆动机构联动，摆动机构驱动喷头向下转动时，喷管管路才接通。
所述阀门为电磁阀。
所述摆动机构的摆动幅度为120°。
所述喷管摆动装置为行程开关控制的液压机构。
所述喷管摆动机构为行程开关控制的电动机构。
本实用新型只在喷管摆动机构向下转动时，即喷头向下转动时，喷淋管路才接通，喷嘴喷出水流对硅片进行清洗；喷管向上转动时，喷淋管路不能接通，避免了水流将砂浆再次带回到硅片表面，提高喷淋清除砂浆的效果，同时，大大降低了水耗，节约了水资源。
附图说明
图1为本实用新型示意图。
图2为本实用新型使用示意图。
图中：1-喷管，2-喷头，3-摆动机构，4-阀门，5-管路。
具体实施方式
如图1、2所示，喷淋室壁上安装有喷管1，喷管1上排列着若干喷头2，喷管1一端连接在摆动机构3上。摆动机构3可以为液压缸，通过行程开关控制进出液口，从而控制摆动方向和幅度；摆动装置3也可以由电机驱动，同样由行程开关控制电动机构的转动方向，实现控制摆动机构的摆动方向和幅度。摆动幅度优选为120°。喷管管路5上安装有阀门4，阀门4与摆动机构3联动，即摆动机构3驱动喷头2向下转动时，阀门4接通管路，喷嘴喷出水流对硅片进行清洗；摆动机构3驱动喷头2向上转动时，阀门4关闭，管路5不能接通。优选的，阀门4为电磁阀，控制方便。进一步的，喷头2向下时缓慢摆动，向上时快速摆动，缩短空程运转时间，可进一步提高工作效率。
当然，本实用新型还可有其它多种实施例，在不背离本实用新型精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本实用新型作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本实用新型所附的权利要求的保护范围。

Claims (6)

1.一种多晶硅太阳能硅片喷淋装置，其特征在于：喷管(1)上排列着若干喷头(2)，喷管(1)连接在摆动机构(3)上，喷管管路(5)上有阀门(4)。
2.根据权利要求1所述的多晶硅太阳能硅片喷淋装置，其特征在于：所述摆动机构(3)驱动喷头(2)向下转动时，喷管管路(5)才接通。
3.根据权利要求1或2所述的多晶硅太阳能硅片喷淋装置，其特征在于：所述阀门(4)为电磁阀。
4.根据权利要求1所述的多晶硅太阳能硅片喷淋装置，其特征在于：所述摆动机构(3)的摆动幅度为120°。
5.根据权利要求4所述的多晶硅太阳能硅片喷淋装置，其特征在于：所述喷管摆动机构(3)为行程开关控制的液压机构。
6.根据权利要求4所述的多晶硅太阳能硅片喷淋装置，其特征在于：所述喷管摆动机构(3)为行程开关控制的电动机构。
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TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20111102

Address after: 610200, Print-Rite Road, Southwest Economic Development Zone, Shuangliu County, Sichuan, Chengdu 1, China

Patentee after: Tianwei New Energy Holdings Co., Ltd.

Address before: 610200, Print-Rite Road, Southwest Economic Development Zone, Shuangliu County, Sichuan, Chengdu 1, China

Patentee before: Tianwei New Energy (Chengdu) Silicon Wafer Co., Ltd.

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CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20100526

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