CN1256629C - 抗蚀剂和蚀刻副产品除去组合物及使用该组合物除去抗蚀剂的方法 - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 130
- 238000005530 etching Methods 0.000 title abstract description 30
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 title abstract description 6
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 title abstract 2
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims abstract description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 37
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 claims description 24
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims description 21
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims description 16
- 150000002443 hydroxylamines Chemical class 0.000 claims description 16
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- -1 hydroxy amine hydrochloric acid salt Chemical class 0.000 claims description 13
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 11
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N gallic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N succinic acid Chemical compound OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- PCHPORCSPXIHLZ-UHFFFAOYSA-N diphenhydramine hydrochloride Chemical compound [Cl-].C=1C=CC=CC=1C(OCC[NH+](C)C)C1=CC=CC=C1 PCHPORCSPXIHLZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 claims description 8
- ZNBNBTIDJSKEAM-UHFFFAOYSA-N 4-[7-hydroxy-2-[5-[5-[6-hydroxy-6-(hydroxymethyl)-3,5-dimethyloxan-2-yl]-3-methyloxolan-2-yl]-5-methyloxolan-2-yl]-2,8-dimethyl-1,10-dioxaspiro[4.5]decan-9-yl]-2-methyl-3-propanoyloxypentanoic acid Chemical compound C1C(O)C(C)C(C(C)C(OC(=O)CC)C(C)C(O)=O)OC11OC(C)(C2OC(C)(CC2)C2C(CC(O2)C2C(CC(C)C(O)(CO)O2)C)C)CC1 ZNBNBTIDJSKEAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910000378 hydroxylammonium sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 7
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 5
- 229940074391 gallic acid Drugs 0.000 claims description 5
- 235000004515 gallic acid Nutrition 0.000 claims description 5
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 claims description 5
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 claims description 5
- 239000001384 succinic acid Substances 0.000 claims description 5
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-K Citrate Chemical compound [O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 4
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- LVWBCSKGNSTMNO-UHFFFAOYSA-N hydroxylamine;oxalic acid Chemical compound ON.OC(=O)C(O)=O LVWBCSKGNSTMNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- HYYHQASRTSDPOD-UHFFFAOYSA-N hydroxylamine;phosphoric acid Chemical compound ON.OP(O)(O)=O HYYHQASRTSDPOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims 6
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims 6
- 125000003354 benzotriazolyl group Chemical group N1N=NC2=C1C=CC=C2* 0.000 claims 2
- 229920001795 coordination polymer Polymers 0.000 abstract description 15
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 abstract description 11
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 abstract description 5
- 230000008961 swelling Effects 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 27
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 17
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 11
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 7
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 3
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 3
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000001603 reducing effect Effects 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N [B].[P] Chemical compound [B].[P] GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 229920006037 cross link polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000002242 deionisation method Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N dimethylmethane Natural products CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011194 food seasoning agent Nutrition 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000002262 irrigation Effects 0.000 description 1
- 238000003973 irrigation Methods 0.000 description 1
- 230000002101 lytic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 150000001455 metallic ions Chemical class 0.000 description 1
- GRVDJDISBSALJP-UHFFFAOYSA-N methyloxidanyl Chemical group [O]C GRVDJDISBSALJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 1
- 238000011112 process operation Methods 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000002522 swelling effect Effects 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
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- C11D1/00—Detergent compositions based essentially on surface-active compounds; Use of these compounds as a detergent
- C11D1/38—Cationic compounds
- C11D1/52—Carboxylic amides, alkylolamides or imides or their condensation products with alkylene oxides
- C11D1/526—Carboxylic amides (R1-CO-NR2R3), where R1, R2 or R3 are polyalkoxylated
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
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- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
- C11D2111/10—Objects to be cleaned
- C11D2111/14—Hard surfaces
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- Detergent Compositions (AREA)
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Abstract
一种抗蚀剂除去组合物，具有除去抗蚀剂、聚合物、有机金属聚合物和蚀刻副产品如金属氧化物的优异性能，该抗蚀剂除去组合物不侵蚀暴露于组合物中的下层并且在清洗后不留下残余物，该抗蚀剂除去组合物含烷氧基N-羟烷基链烷酰胺和溶胀剂。
Description
本发明领域
本发明涉及抗蚀剂(resist)或蚀刻副产品除去组合物和使用该组合物除去抗蚀剂的方法。
相关技术的描述
半导体器件通过一组精密的不连续和顺序工艺制造。经制造半导体器件的某些工艺(例如干燥蚀刻工艺或离子注入工艺)后，必须除去用作掩蔽的抗蚀剂图案。当抗蚀剂图案未对准时，必须除去以形成新的且完全对准的抗蚀剂图案。
抗蚀剂除去工艺的一个重要标准是尽可能快地从基材表面上完全除去抗蚀剂和/或蚀刻副产品，同时不侵蚀下层。通常，一种典型的抗蚀剂除去工艺是将干燥脱漆步骤(如灰化步骤)与使用有机脱漆剂的湿脱漆步骤相结合，由此从集成电路基材表面除去不纯物。这些不纯物可以是在灰化步骤期间未完全除去的残留抗蚀剂。其它不纯物可包括在形成各种图案，如由钨、铝、铜、钛或氮化钛形成的单一或多个相互连接的图案的蚀刻期间产生的蚀刻副产品。不纯物还可在形成暴露互连图案的接触(通路)孔的蚀刻步骤期间生成。
要除去的蚀刻副产品在等离子体蚀刻或活性离子蚀刻(RIE)期间，通过等离子的反应生成的有机聚合物和包括抗蚀剂图案本身的那些组分如碳(C)、氢(H)或氧(O)。当将这些互连材料背面溅射至抗蚀剂图案的侧壁上并在蚀刻或灰化(ashing)步骤期间形成接触孔时，蚀刻副产品还可包括此时产生的有机金属聚合物。当在互连图案下的绝缘层进行过度蚀刻然后进行背面溅射时，该蚀刻副产品还包括此时形成的绝缘材料或金属氧化物。
除去抗蚀剂或蚀刻副产品的某些组合物公开于US 6,242,400和6,221,818中。这些公开的组合物包括碱性胺还原剂如羟基胺或单乙醇胺，极性溶剂，和有机酸如儿茶酚，作为其基本组分。然而，由于这些常规组合物的碱性胺的还原性能相当弱，因此它不能完全除去在形成新的互连或接触孔时产生的蚀刻残余物，如金属氧化物或有机金属聚合物。因此，在进行灰化步骤之前，必须进行硝酸预处理步骤。
由于常规组合物主要由有机组分组成并具有高粘度，因此当仅用去离子水冲洗时不能完全除去蚀刻副产品，由此在基材上留下造成有机污染的残余物。
此外，由于常规组合物容易腐蚀暴露于组合物中的下层，如中间互连层，因此互连层图案的形状会例如因底切变形。因此，在灰化步骤后必须进行使用基于醇的冲洗剂如异丙醇(IPA)的另外的冲洗步骤。
因此，由于必须在灰化步骤前进行硝酸处理预除去步骤并且必须在灰化步骤后进行异丙醇后处理步骤，因此抗蚀剂除去方法变得更复杂且处理时间延长，如此降低了生产率。
此外，由于还需要预处理物质如硝酸，和后除去物质如异丙醇以及抗蚀剂除去物质，因此制造成本增加。此外，由于需要预除去步骤和后除去步骤的分离浴，因此抗蚀剂除去装置本身变复杂且占据更大的地面空间。
本发明概述
考虑到现有技术的问题和缺点，本发明的一个目的是提供一种组合物，它具有除去抗蚀剂、聚合物、有机聚合物和/或蚀刻副产品如金属氧化物的优异性能，与此同时该组合物不侵蚀暴露于组合物中的下层并且在冲洗步骤后不留下残余物。
本发明的另一目的是提供用具有上述性能的组合物除去抗蚀剂或蚀刻副产品的方法。
为实现本发明的第一个目的，提供一种包括烷氧基N-羟烷基链烷酰胺和溶胀剂的抗蚀剂除去组合物。
抗蚀剂除去组合物优选含至少10wt％的烷氧基N-羟烷基链烷酰胺和至少0.01wt％的溶胀剂。优选将羟基胺盐用作溶胀剂。合适的羟基胺盐包括羟基胺硫酸盐、羟基胺盐酸盐、羟基胺硝酸盐、羟基胺磷酸盐、羟基胺草酸盐、羟基胺柠檬酸盐和其混合物。
蚀刻除去组合物还可包括选自具有3或更大的偶极矩的极性物质、侵蚀抑制剂和链烷醇胺的至少一种化合物。
当互连层暴露于抗蚀剂除去组合物中时，侵蚀抑制剂有效抑制对存在的互连层的损害。链烷醇胺或具有3或更大的偶极矩的极性物质改进了抗蚀剂或聚合物除去性能。
为实现本发明另一目的，提供一种除去抗蚀剂的方法，包括以下步骤：提供一种具有其上形成的抗蚀剂层的基材，将该基材与包括烷氧基N-羟烷基链烷酰胺和溶胀剂的抗蚀剂除去组合物接触，由此从基材上除去抗蚀剂层。
本发明的组合物具有优异的除去抗蚀剂性能，并且可有效除去聚合物、有机金属聚合物和蚀刻副产品如金属氧化物。此外，该组合物在冲洗步骤后不留下残余物，且不侵蚀暴露于该组合物中的下层。
附图的简要描述
本发明的上述目的和优点将通过参考附图更详细描述其优选实施方案变得显而易见，其中：
图1为说明根据本发明除去抗蚀剂或蚀刻副产品方法的流程图；
图2为刚进行灰化步骤后通孔顶视图的扫描电子显微镜(SEM)照片，其中通孔通过光刻法形成；
图3A和3B分别为在用本发明的组合物除去抗蚀剂和聚合物后通孔的顶视图和剖视图的SEM照片；
图4A和4B分别为在用常规组合物除去抗蚀剂和聚合物后通孔的顶视图和剖视图的SEM照片；和
图5为在用另一常规组合物除去抗蚀剂和聚合物后通孔的剖视图的SEM照片。
优选实施方案的详细描述
下面详细描述本发明除去抗蚀剂或蚀刻副产品的组合物和使用该组合物的除去方法。然而，本发明不限于下面的实施方案并可以各种替换形式实施。除非另有说明，在整个说明书中使用的重量百分比(wt％)基于假定各组分的比重为1计算。
应理解在整个说明书和所附权利要求中使用的术语“抗蚀剂”不仅包括光刻胶、而且包括蚀刻副产品和其它聚合物。此外，为简单和容易讨论起见，以下将除去抗蚀剂、蚀刻副产品和其它聚合物的组合物称为抗蚀剂除去组合物。
本发明的抗蚀剂除去组合物包括烷氧基N-羟烷基链烷酰胺和溶胀剂。本发明的抗蚀剂除去组合物优选包括至少10wt％的烷氧基N-羟烷基链烷酰胺和至少0.01wt％的溶胀剂。更优选包括0.01至30wt％的溶胀剂。
烷氧基N-羟烷基链烷酰胺由如下通式1表示：
(通式1)
R4-O-R3-CO-N-R1R2OH
其中R1为氢原子或C1至C5烃，R2、R3和R4各自独立地为C1至C5烃。
在优选的实施方案中，R1为氢原子，R2为-CH2CH2-，R3为-CH2CH2-和R4为-CH3-。
合适的溶胀剂包括羟基胺盐。羟基胺盐的例子包括羟基胺硫酸盐、羟基胺盐酸盐、羟基胺硝酸盐、羟基胺磷酸盐、羟基胺草酸盐、羟基胺柠檬酸盐和其混合物。此外，可使用其中具有取代的C1至C5烷基的羟基胺盐。
本发明抗蚀剂除去组合物的功能通过如下反应机理清楚地进行。
烷氧基N-羟烷基链烷酰胺含羟基(-OH)、烷氧基(-OR4)和羰基(C＝O)。因此，本发明的抗蚀剂除去组合物对于剥落和溶解抗蚀剂和聚合物非常有效。
此外，如下面的反应式1所示，烷氧基N-羟烷基链烷酰胺与有机金属聚合物反应，从而容易地从基材表面上除去有机金属聚合物：
(反应式1)
其中Mp表示有机金属聚合物。
羟基胺盐通过其溶胀和还原作用改进除去聚合物的性能。羟基胺盐的溶液使抗蚀剂除去组合物的粘度处于足以容易用去离子水除去抗蚀剂除去组合物的范围内。该羟基胺盐的溶液优选使抗蚀剂除去组合物的粘度为20cp或更低。
本发明的组合物还可包括选自具有3或更大的偶极矩的极性物质、侵蚀抑制剂和链烷醇胺的至少一种化合物。在此情况下，在本发明组合物中优选包括0.01至30wt％的侵蚀抑制剂、0.01至60wt％的具有3或更大的偶极矩的极性物质和0.01至30wt％的链烷醇胺。
对于具有3或更大的偶极矩的极性物质，可使用水、甲醇或二甲亚砜。
合适的侵蚀抑制剂包括芳族化合物如苯并三唑，儿茶酚，五倍子酸，或选自乙酸、柠檬酸、乳酸和丁二酸的脂族羧酸化合物。
合适的链烷醇胺包括单链烷醇胺、二链烷醇胺和三链烷醇胺。由如下通式2表示的C1至C10单链烷醇胺也是合适的链烷醇胺：
通式(2)
R5-NH-R6OH
其中R5为氢原子或C1至C5烃，和R6为C1至C5烃。
在优选的实施方案中，优选将其中R5为氢原子和R6为-CH2CH2-的单乙醇胺用作链烷醇胺。
具有3或更大的偶极矩的极性物质呈现对交联聚合物和抗蚀剂的高溶解度。换言之，该极性物质可有效除去被牢固粘结在抗蚀剂图案侧壁和暴露的下层表面上的任何聚合物。此外，该极性物质有助于除去抗蚀剂本身。
侵蚀抑制剂起到有机金属聚合物溶解剂的作用并防止暴露于集成电路基材表面的互连部分被腐蚀或侵蚀。在很多情况下，金属氧化物层在暴露于集成电路基材表面上的互连图案表面上形成。若金属氧化物层与还原剂反应转化为金属离子，则该侵蚀抑制剂导致与金属离子螯合在一起形成螯合化合物。结果，暴露的金属互连图案的表面被稳定的螯合化合物覆盖，如此可有效抑制腐蚀或侵蚀互连图案。
链烷醇胺赋予本发明抗蚀剂除去组合物有效除去聚合物或有机金属聚合物的改进性能。
因此，本发明的抗蚀剂除去组合物具有优异的除去抗蚀剂的性能并可有效除去聚合物、有机金属聚合物和金属氧化物。此外，该抗蚀剂除去组合物具有适宜的粘度，这样足以用去离子水冲洗而不侵蚀暴露于组合物中的下层，由此消除所有有机残余物。
表1中给出本发明范围内的示例性抗蚀剂除去组合物和各组分的相应wt％。
表1：示例性抗蚀剂除去组合物
| 抗蚀剂除去组合物 | 烷氧基N-羟烷基链烷酰胺(wt％) | 溶胀剂(wt％) | 极性物质(wt％) | 侵蚀抑制剂(wt％) | 链烷醇胺(wt％) |
| 1 | 10-70 | 0.01-30 | |||
| 2 | 10-70 | 0.01-30 | 0.01-60 | ||
| 3 | 10-70 | 0.01-30 | 0.01-30 | ||
| 4 | 10-70 | 0.01-30 | 0.01-30 | ||
| 5 | 10-70 | 0.01-30 | 0.01-60 | 0.01-30 | |
| 6 | 10-70 | 0.01-30 | 0.01-60 | 0.01-30 | |
| 7 | 10-70 | 0.01-30 | 0.01-30 | 0.01-30 | |
| 8 | 10-70(35-50) | 0.01-30(6-13) | 0.01-60(25-45) | 0.01-30(1-15) | 0.01-30(1-10) |
注：表1中的括号中提供更优选的范围。
将上述抗蚀剂除去组合物的成份优化，这样可有效除去抗蚀剂和聚合物，并且暴露于抗蚀剂除去组合物的下层受这些组合物侵蚀的程度降至最小，同时该组合物具有足够的粘度，由此容易用去离子水清洗，而不会留下残余物。
当通常被抗蚀剂除去组合物侵蚀的材料(如互连部分)未暴露到抗蚀剂除去组合物下时，不包括侵蚀抑制剂的组合物1、2、4和6也达到与其它组合物相同的效果。此外，当要除去的聚合物的量非常小或已进行预除去步骤时，不包括具有3或更大的偶极矩的极性物质的组合物1、3、4和7也可达到与其它组合物相同的效果。类似地，当要除去的有机金属聚合物的量非常小时，不包括链烷醇胺的组合物1、2、3和5也可达到与其它组合物相同的效果。
如上所述，抗蚀剂除去组合物呈现除去抗蚀剂和聚合物、有机金属聚合物和金属氧化物(其为蚀刻副产品)的优异性能。此外，它们不侵蚀暴露的下层(例如互连层)，并用去离子水完全除去，这样它们不在基材上残留。此外，上述物质比常规抗蚀剂除去组合物的组分更低廉。
由于本发明的组合物具有除去聚合物的优异性能，因此，除了用于制造半导体器件或平板型显示器件的光刻胶外，它可有利地用于除去有机聚合物材料如聚酰亚胺的方法中。
除去抗蚀剂的方法
用本发明的抗蚀剂除去组合物除去抗蚀剂的步骤将参考图1描述。
首先，通过常规的光刻法工序形成抗蚀剂图案。然后，用该抗蚀剂图案作为掩蔽进行完成半导体器件的各种方法，如蚀刻(干燥或润湿)法或离子注入法。
接着，对其中形成抗蚀剂图案的基材进行灰化步骤(干燥脱漆步骤)(步骤100)。然后，进行湿脱漆步骤(步骤110)。在湿蚀刻步骤中，使其中进行灰化步骤的基材与例如表1中列出的那些抗蚀剂除去组合物接触，以除去抗蚀剂、聚合物或有机金属聚合物。这可通过将抗蚀剂除去组合物放入浴中，然后将基材浸入浴中完成。此外，可将抗蚀剂除去组合物喷涂于基材上。
当使用本发明的抗蚀剂除去组合物时，抗蚀剂除去步骤在等于或低于70℃的低温下，特别是在室温至70℃，优选45℃至70℃下进行。接触时间优选为约10至约30分钟。
通过本发明抗蚀剂除去组合物除去的抗蚀剂可包括适合短波长曝光的抗蚀剂，如适合ArF受激准分子激光(193nm)的抗蚀剂或适合F2受激准分子激光(157nm)的抗蚀剂，以及适合常规i-线(365nm)的抗蚀剂或适合KrF受激准分子激光(248nm)的抗蚀剂。
在抗蚀剂完全除去后，用去离子水冲洗掉残留在基材上的抗蚀剂除去组合物和溶解的抗蚀剂(步骤120)。若必要，再次进行冲洗步骤。最后，将该基材通过旋转干燥法或使用异丙醇的干燥法干燥，以除去残留在基材上的去离子水(步骤130)。
在干燥步骤130后，将该基材输送去进行后续加工。当在后续步骤中再次使用抗蚀剂时，在后续步骤完成后再次将其通过图1中所示的步骤除去。
由于本发明的抗蚀剂除去组合物具有除去抗蚀剂、聚合物、有机金属聚合物或金属氧化物的优异性能，因此它适合用于其中常规有机脱漆剂未能除去蚀刻工艺的副产品的那些情况中。因此，与常规技术不同，不必进行预除去步骤(在灰化工艺前)。此外，由于防止了抗蚀剂下面的层免受侵蚀且残余物或有机残余层不会残留到表面上，因此与常规技术不同，后除去步骤(在灰化步骤后)也可省略。因此，与常规抗蚀剂除去方法相比，根据本发明，可通过简单且合理的方法完全除去抗蚀剂。此外，根据本发明，抗蚀剂除去装置不需要进行预除去步骤和后除去步骤所需的分离浴。这样，抗蚀剂除去装置可以简化，因此占据较少的地面空间。此外，由于不需要用于预除去步骤和后除去步骤的物质，如硝酸或IPA，因此生产成本降低，同时可显著增强半导体制造工艺的生产率。
本发明的进一步细节参考下面的实施例进行描述。
实施例1
本实施例说明具有不同组成比的各种组合物的聚合物除去性能。首先按照如下方式制备用于本发明组合物处理的晶片。分别在多种基材上形成厚度为5000埃的硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)层。然后分别形成厚度200埃的钛层和氮化钛层并退火。使铝层的沉积厚度为6000埃，并流动。接着，在铝层上形成起到覆盖层作用的氮化钛层，然后形成厚度10000埃的中间层介电薄膜。接着，将厚度约0.3微米的光刻胶层涂于中间层介电薄膜上。然后，将用适合ArF受激准分子激光的抗蚀剂组合物涂布的晶片在130℃下温和烘烤90秒，用ArF受激准分子激光分档器(由ISI Co.制造并具有数值孔径(NA)0.6和焦点深度(σ)0.7)曝光、在120℃下后曝光烘烤90秒和用2.38wt％TMAH溶液显影，由此形成限定通孔或接触孔的抗蚀剂图案。将中间层介电薄膜用缓冲的氧化物蚀刻剂蚀刻(使用光刻胶图案作为蚀刻掩蔽)，由此提供400-500微米宽的通孔。
在形成通孔后，将相应的基材浸入含表2中给出的组合物的7个浴中。将浴温保持在60℃下。浸没约20分钟后，将基材用去离子水冲洗约5分钟并干燥，然后将所得材料用扫描电镜(SEM)确认。在表2中，HAS表示羟基胺硫酸盐，MHPA表示甲氧基N-羟乙基丙烷酰胺，BTA表示苯并三唑和MEA表示单乙醇胺。
表2：抗蚀剂和聚合物除去性能
| 组合物 | HAS(wt％) | MHPA(wt％) | H2O(wt％) | BTA(wt％) | MEA(wt％) | 抗蚀剂和聚合物除去性能 |
| 1 | 7 | 59 | 34 | × | × | ⊙ |
| 2 | 13 | 46 | 41 | × | × | ⊙ |
| 3 | 12 | 44 | 40 | 4 | × | □ |
| 4 | 8 | 38 | 51 | 4 | × | 0 |
| 5 | 8 | 47 | 39 | 6 | × | 0 |
| 6 | 7 | 57 | 33 | 3 | × | □ |
| 7 | 6 | 46 | 43 | 4 | × | 0 |
| 8 | 6 | 41 | 47 | 6 | × | 0 |
| 9 | 7 | 41 | 37 | 3 | 7 | □ |
| 10 | 7 | 34 | 46 | 4 | 9 | 0 |
| 11 | 6 | 41 | 34 | 5 | 12 | 0 |
| 12 | 6 | 34 | 30 | 3 | 9 | ⊙ |
| 13 | 6 | 39 | 37 | 4 | 15 | 0 |
| 14 | 5 | 33 | 37 | 5 | 20 | 0 |
| 15 | 7 | 53 | 31 | × | 9 | ⊙ |
| 16 | 12 | 43 | 38 | × | 7 | ⊙ |
(0：良好；□：更好；⊙：最佳)
这些结果基于通过SEM观察的剩余聚合物和抗蚀剂的相对量。由“0”表示的良好状态与使用常规有机脱漆剂(称为脱漆剂A)的情况类似，由“□”表示的更好状态为与常规情况对比的改进状态，和由“⊙”表示的最佳状态为与常规情况相比的显著改进状态。
正如表2中证明的，本发明组合物的抗蚀剂或聚合物除去性能至少与脱漆剂A的性能相同，并且在大多数情况下基本上比脱漆剂A的性能好。
实施例2
本实施例辨别本发明的组合物是否具有被侵蚀或未被侵蚀的互连层。在本实施例中，按与实施例1相同的方式制备具有通孔的晶片并使用表3中列出的组合物。然后，检测互连层的侵蚀状态，例如底切(undercutting)。
表3：出现底切
| 组合物 | HAS(wt％) | MHPA(wt％) | H2O(wt％) | BTA(wt％) | MEA(wt％) | 出现底切 |
| 1 | 7 | 59 | 34 | × | × | × |
| 2 | 13 | 46 | 41 | × | × | × |
| 3 | 12 | 44 | 40 | 4 | × | × |
| 4 | 8 | 38 | 51 | 4 | × | × |
| 5 | 8 | 47 | 39 | 6 | × | × |
| 6 | 7 | 57 | 33 | 3 | × | × |
| 7 | 6 | 46 | 43 | 4 | × | × |
| 8 | 6 | 41 | 47 | 6 | × | × |
| 9 | 11 | 41 | 37 | 3 | 7 | Δ |
| 10 | 7 | 34 | 46 | 4 | 9 | Δ |
| 11 | 7 | 41 | 34 | 5 | 12 | Δ |
| 12 | 6 | 52 | 30 | 3 | 9 | Δ |
| 13 | 6 | 39 | 37 | 4 | 15 | Δ |
| 14 | 5 | 33 | 37 | 5 | 20 | Δ |
| 15 | 7 | 53 | 31 | × | 9 | 0 |
| 16 | 12 | 43 | 38 | × | 7 | 0 |
(“0”表示出现底切，“Δ”表示出现轻微底切，“×”表示未出现底切)。
如表3所示，当使用本发明的组合物时，仅很少的互连层被侵蚀(通过底切程度证实)。尽管可出现轻微底切，但与使用常规脱漆剂的情况相比认为可以忽略。此外，已证实当在组合物中含MEA时，除了MEA外通过进一步包括BTA可更有效地防止出现底切。
实施例3
本实施例说明本发明组合物、常规脱漆剂A和另一常规有机脱漆剂之间(称作脱漆剂B)的性能对比。
按与实施例1相同的方式形成具有宽度400-500微米的通孔，然后进行灰化步骤。用SEM观察所得通孔的俯视图并将观察的结果在图2中给出，其中看到大量的聚合物残留在通孔圆周周围。
将进行灰化步骤后的晶片在65℃下浸入本发明组合物中20分钟，用去离子水冲洗然后干燥。然后，用SEM观察通孔的俯视图和剖面图，并将观察到的结果在图3A和3B中给出。
将进行灰化步骤后的晶片在65℃下浸入脱漆剂A中20分钟，用去离子水冲洗然后干燥。接着，用SEM观察用脱漆剂A处理的通孔的俯视图和剖面图，并将观察到的结果在图4A和4B中给出。用SEM观察用脱漆剂B处理的通孔的剖面图，并将观察到的结果在图5中给出。
如图3A和3B所示，当使用本发明的组合物时，聚合物被完全除去并且未出现铝互连层底切。相反，如图4A和4B所示，当使用脱漆剂A时，一些聚合物残留到铝互连层上并出现严重的底切。这同样出现在使用脱漆剂B的情况下，如图5所示。
实施例4
本实施例说明本发明具有不同组分的组合物如何影响金属层。制备通过分别将钛层和氮化钛层沉积到支撑晶片上至厚度200埃形成的样品，和将钨层沉积到支撑晶片上至厚度2000埃形成的样品。将这些样品用具有与表2中列出的组合物5的那些相同的组分并含有儿茶酚代替BTA的组合物处理，并用脱漆剂B在65℃下处理20分钟。然后，测量相应层的蚀刻程度。根据测量结果，当使用本发明的组合物时，将钛/氮化钛层蚀刻至厚度约1.12埃并将钨层蚀刻至厚度约18.61埃。相反，当使用脱漆剂B时，将钛/氮化钛层蚀刻至厚度约11.82埃并将钨层蚀刻至厚度约27.44埃。因此，这说明本发明的组合物可显著降低对金属层的侵蚀。
总之，本发明的抗蚀剂除去组合物具有除去抗蚀剂的优异性能并可有效除去蚀刻副产品如聚合物、有机金属聚合物或金属氧化物。此外，本发明的抗蚀剂除去组合物不侵蚀暴露其中的下层。因此，当使用本发明的组合物时，不需要除去残余物如聚合物的预除去步骤和防止下层被侵蚀的后除去步骤。因此，该抗蚀剂除去方法变得简单并且处理时间缩短。此外，对本发明组合物使用的抗蚀剂除去装置变得简单和轻便。同时，由于本发明的抗蚀剂除去组合物具有足以用去离子水清洗的粘度，因此在用于抗蚀剂除去后可用去离子彻底清洗，而不会留下残余物。
尽管本发明已参考其优选的实施方案进行了特别说明和描述，但本领域熟练技术人员将理解，在不离开所附权利要求定义的本发明精神和范围下可对这些实施方案进行形式和细节的各种变化。
Claims (34)
1.一种抗蚀剂除去组合物，包括：
烷氧基N-羟烷基链烷酰胺；和
溶胀剂，其中所述溶胀剂为羟基胺盐。
2.权利要求1的抗蚀剂除去组合物，其中烷氧基N-羟烷基链烷酰胺由如下通式表示：
R4-O-R3-CO-N-R1R2OH其中R1为氢原子或C1-C5烃中的一种，R2、R3和R4各自独立地为C1-C5烃。
3.权利要求1的抗蚀剂除去组合物，其中烷氧基N-羟烷基链烷酰胺占抗蚀剂除去组合物总重量的10-70wt％。
4.权利要求1的抗蚀剂除去组合物，其中羟基胺盐是选自羟基胺硫酸盐、羟基胺盐酸盐、羟基胺硝酸盐、羟基胺磷酸盐、羟基胺草酸盐、羟基胺柠檬酸盐和其混合物中的一种。
5.权利要求1的抗蚀剂除去组合物，其中羟基胺盐为羟基胺硫酸盐。
6.权利要求1的抗蚀剂除去组合物，其中溶胀剂占抗蚀剂除去组合物总重量的0.01-30wt％。
7.权利要求3的抗蚀剂除去组合物，其中溶胀剂占抗蚀剂除去组合物总重量的0.01-30wt％。
8.权利要求5的抗蚀剂除去组合物，其中溶胀剂占抗蚀剂除去组合物总重量的0.01-30wt％。
9.权利要求1的抗蚀剂除去组合物，还包括具有3或更大的偶极矩的极性物质，该极性物质为选自水、甲醇和二甲亚砜中的一种。
10.权利要求9的抗蚀剂除去组合物，其中极性物质占抗蚀剂除去组合物总重量的0.01-60wt％。
11.权利要求1的抗蚀剂除去组合物，还包括一种侵蚀抑制剂，该侵蚀抑制剂为选自苯并三唑、儿茶酚、五倍子酸和脂族羧酸化合物中的一种，其中脂族羧酸化合物为选自乙酸、柠檬酸、乳酸和丁二酸中的一种。
12.权利要求11的抗蚀剂除去组合物，其中侵蚀抑制剂为苯并三唑。
13.权利要求11的抗蚀剂除去组合物，其中侵蚀抑制剂占抗蚀剂除去组合物总重量的0.01-30wt％。
14.权利要求1的抗蚀剂除去组合物，还包括如下通式表示的链烷醇胺：
R5-NH-R6OH其中R5为氢原子或C1-C5烃中的一种，R6为C1-C5烃。
15.权利要求14的抗蚀剂除去组合物，其中链烷醇胺占抗蚀剂除去组合物总重量的0.01-30wt％。
16.权利要求1的抗蚀剂除去组合物，包括10-70wt％的烷氧基N-羟烷基链烷酰胺和0.01-30wt％的作为溶胀剂的羟基胺盐，还包括0.01-60wt％的具有3或更大的偶极矩的极性物质，该极性物质为选自水、甲醇和二甲亚砜中的一种。
17.权利要求16的抗蚀剂除去组合物，还包括0.01-30wt％的侵蚀抑制剂，该侵蚀抑制剂为选自苯并三唑、儿茶酚、五倍子酸和脂族羧酸化合物中的一种，其中脂族羧酸化合物为选自乙酸、柠檬酸、乳酸和丁二酸中的一种。
18.权利要求16的抗蚀剂除去组合物，还包括0.01-30wt％的如下通式表示的链烷醇胺：
R5-NH-R6OH
其中R5为氢原子或C1-C5烃中的一种，R6为C1-C5烃。
19.一种除去抗蚀剂的方法，包括：
提供具有其上形成的抗蚀剂层的基材；和
通过将基材浸入抗蚀剂除去组合物中或将抗蚀剂除去组合物喷涂于基材上而使基材与包括烷氧基N-羟烷基链烷酰胺和溶胀剂的抗蚀剂除去组合物接触，以从基材上除去抗蚀剂层，其中所述溶胀剂为羟基胺盐。
20.权利要求19的方法，其中在接触期间，烷氧基N-羟烷基链烷酰胺由如下通式表示：
R4-O-R3-CO-N-R1R2OH其中R1为氢原子或C1-C5烃中的一种，R2、R3和R4各自独立地为C1-C5烃。
21.权利要求19的方法，其中烷氧基N-羟烷基链烷酰胺占抗蚀剂除去组合物总重量的10-70wt％。
22.权利要求19的方法，其中羟基胺盐是选自羟基胺硫酸盐、羟基胺盐酸盐、羟基胺硝酸盐、羟基胺磷酸盐、羟基胺草酸盐、羟基胺柠檬酸盐和其混合物中的一种。
23.权利要求19的方法，其中羟基胺盐为羟基胺硫酸盐。
24.权利要求21的方法，其中溶胀剂占抗蚀剂除去组合物总重量的0.01-30wt％。
25.权利要求19的方法，还包括具有3或更大的偶极矩的极性物质，该极性物质为选自水、甲醇和二甲亚砜中的一种。
26.权利要求25的方法，其中极性物质占抗蚀剂除去组合物总重量的0.01-60wt％。
27.权利要求19的方法，还包括一种侵蚀抑制剂，该侵蚀抑制剂为选自苯并三唑、儿茶酚、五倍子酸和脂族羧酸化合物中的一种，其中脂族羧酸化合物为选自乙酸、柠檬酸、乳酸和丁二酸中的一种。
28.权利要求27的方法，其中侵蚀抑制剂为苯并三唑。
29.权利要求27的方法，其中侵蚀抑制剂占抗蚀剂除去组合物总重量的0.01-30wt％。
30.权利要求19的方法，还包括如下通式表示的链烷醇胺：
R5-NH-R6OH其中R5为氢原子或C1-C5烃中的一种，R6为C1-C5烃。
31.权利要求30的方法，其中链烷醇胺占抗蚀剂除去组合物总重量的0.01-30wt％。
32.权利要求19的方法，包括10-70wt％的烷氧基N-羟烷基链烷酰胺和0.01-30wt％的作为溶胀剂的羟基胺盐，还包括0.01-60wt％的具有3或更大的偶极矩的极性物质，该极性物质为选自水、甲醇和二甲亚砜中的一种。
33.权利要求32的方法，还包括0.01-30wt％的侵蚀抑制剂，该侵蚀抑制剂为选自苯并三唑、儿茶酚、五倍子酸和脂族羧酸化合物中的一种，其中脂族羧酸化合物为选自乙酸、柠檬酸、乳酸和丁二酸中的一种。
34.权利要求32的方法，还包括0.01-30wt％的如下通式表示的链烷醇胺：
R5-NH-R6OH
其中R5为氢原子或C1-C5烃中的一种，R6为C1-C5烃。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR49601/2001 | 2001-08-17 | ||
| KR10-2001-0049601A KR100434491B1 (ko) | 2001-08-17 | 2001-08-17 | 레지스트 또는 식각 부산물 제거용 조성물 및 이를 이용한레지스트 제거 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1407409A CN1407409A (zh) | 2003-04-02 |
| CN1256629C true CN1256629C (zh) | 2006-05-17 |
Family
ID=19713293
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB021083037A Expired - Fee Related CN1256629C (zh) | 2001-08-17 | 2002-03-28 | 抗蚀剂和蚀刻副产品除去组合物及使用该组合物除去抗蚀剂的方法 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6713440B2 (zh) |
| JP (1) | JP3940634B2 (zh) |
| KR (1) | KR100434491B1 (zh) |
| CN (1) | CN1256629C (zh) |
| DE (1) | DE10237042B4 (zh) |
| FR (1) | FR2828746B1 (zh) |
| GB (1) | GB2381532B (zh) |
| SG (1) | SG128421A1 (zh) |
| TW (1) | TWI247976B (zh) |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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2001
- 2001-08-17 KR KR10-2001-0049601A patent/KR100434491B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2002
- 2002-01-31 US US10/059,150 patent/US6713440B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-02-27 TW TW091103677A patent/TWI247976B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-03-21 SG SG200201673A patent/SG128421A1/en unknown
- 2002-03-28 CN CNB021083037A patent/CN1256629C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-06-06 JP JP2002165960A patent/JP3940634B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-08-07 DE DE10237042A patent/DE10237042B4/de not_active Expired - Fee Related
- 2002-08-07 GB GB0218357A patent/GB2381532B/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-08-14 FR FR0210330A patent/FR2828746B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-12-19 US US10/739,203 patent/US7223721B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI247976B (en) | 2006-01-21 |
| JP2003098691A (ja) | 2003-04-04 |
| US6713440B2 (en) | 2004-03-30 |
| US7223721B2 (en) | 2007-05-29 |
| GB2381532B (en) | 2004-02-18 |
| GB0218357D0 (en) | 2002-09-18 |
| JP3940634B2 (ja) | 2007-07-04 |
| DE10237042A1 (de) | 2003-03-13 |
| SG128421A1 (en) | 2007-01-30 |
| KR20030015716A (ko) | 2003-02-25 |
| FR2828746B1 (fr) | 2005-02-04 |
| CN1407409A (zh) | 2003-04-02 |
| FR2828746A1 (fr) | 2003-02-21 |
| DE10237042B4 (de) | 2007-02-01 |
| US20040142836A1 (en) | 2004-07-22 |
| GB2381532A (en) | 2003-05-07 |
| KR100434491B1 (ko) | 2004-06-05 |
| US20030078174A1 (en) | 2003-04-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20060517 Termination date: 20150328 |
|
| EXPY | Termination of patent right or utility model |