TWI465866B - 使用含金屬鹽之剝除溶液使金屬蝕刻速率降低 - Google Patents

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Description

使用含金屬鹽之剝除溶液使金屬蝕刻速率降低
本申請案請求2007年8月3日申請之美國臨時申請案第60/953，804號之權益及對2007年10月30日申請之美國申請案第11/928，754號之優先權，該二申請案以參考方式併入本文。
本發明之揭示內容係關於一種抗蝕剝離劑，其包含金屬鹽，其係用於在供半導體積體電路或液晶顯示器使用之半導體元件上製造電路板或形成電極，以及進一步關於一種製造半導體元件之方法，其係使用抗蝕剝離劑，該抗蝕剝離劑在剝離期間提供降低的蝕刻，以及進一步關於一種製造半導體元件之方法，其係使用抗蝕剝離劑以製造半導體元件，而不會損失來自金屬成份之實質金屬數量。
製備半導體積體電路的技術在關於在單一積體電路晶片上所能製備之電晶體，電容器和其他電子裝置的數目已有長足進步。此種積體(整合)水平的提高大部分係肇始於積體電路特徵尺寸最小化的減少和組成積體電路層數的提高。目前設計特徵，一般被稱為”次微米”，已降至0.25微米以下。具有此降低尺寸的積體電路元件之製備對包括以化學剝離溶液除去抗蝕劑的製造的所有面向有新的要求。
用於半導體積體電路或液晶顯示器的半導體裝置一般的製造方法係包括以下步驟：以聚合抗蝕劑組成物塗覆基 材；藉曝光使抗蝕膜具圖案以及接著進行顯影；使用具圖案之抗蝕膜作為光罩而蝕刻經曝光部份而形成微小電路；以及自無機基材除去抗蝕膜。或者，在形成微小電路之後，抗蝕膜可被灰化而殘留的抗蝕殘留物被自基材上除去。優良的剝離溶液應該在中到低溫下快速地除去抗蝕殘留物和材料，對所有經曝光成份具有可接受的效應，對經溶解的抗蝕劑及/或後蝕刻殘留物具有實質容量以阻止固體沉澱和剝離溶液的早期處置。優良的剝離溶液也應該快速地在再製方法中除去抗蝕殘留物而不會損害基材。最後，優良的剝離溶液應該表現最小的毒性。
已經有多種剝離溶液被開發出，其對早期半導體裝置製造的表現上令人滿意。數量極多的早期剝離溶液係為強鹼性溶液。使用鹼性溶液製造含金屬(特別是鎢或銅以及其與鋁之合金)之微電路，會導致金屬的損耗。在使用此等鹼性剝離劑期間觀察到各種形式的金屬損耗，例如腐蝕晶鬚，點蝕和金屬線缺口。若為鎢和銅，在具有提供陰極反應的受熱乾燥有機剝離組成物混合物中會產生腐蝕。雖然此種金屬損耗在早期半導體裝置的製造係可接受的，具有次微米元件的裝置是無法容此種金屬損耗。
已經有藉由使用包含多種腐蝕抑制劑之剝離溶液而作出減少製造半導體裝置期間之金屬損耗之努力。美國專利第6，276，372；6，221，818；以及6，187，730教示使用多種在剝離溶液中作為腐蝕抑制劑的gallic化合物。美國專利第6，156，661以及5，981，454教示使用有機酸作 為在剝離溶液中之腐蝕抑制劑。美國專利第6，140，287；6，000，411；以及6，110，881教示使用螯合劑作為在剝離溶液中之腐蝕抑制劑。美國專利第5，902，780；5，672，577；以及5，482，566教示使用二羥基苯螯合劑作為在剝離溶液中之腐蝕抑制劑。美國專利第5，997，658教示使用苯并三唑作為在剝離溶液中之腐蝕抑制劑。美國專利第5，928，430教示使用沒食子酸作為在剝離溶液中之腐蝕抑制劑。美國專利第5，419，779教示使用鄰苯二酚，鄰苯三酚，鄰胺基苯甲酸，沒食子酸和沒食子酸酯作為在剝離溶液中之腐蝕抑制劑。
目前所使用的腐蝕抑制劑通常具有許多缺點，其包括以下所列者：(a)其係為有機化合物，其不易被水潤洗所移除；(b)需要大量的抑制劑且可影響溶液之剝離能力；(c)具有螯合性質之抑制劑可黏附至金屬和其他元件表面及干擾性能；以及(d)元件的毒性和缺少生物降解性可能使曝露至溶液成為不欲而處理廢棄剝離溶液更形困難。
所需要的剝離溶液所包含之成份為：(a)在低含量之下，可防止用於製造半導體裝置之金屬及其合金(包含銅與其他金屬)的溶解；(b)可與剝離溶液相容且不會干擾其作業；(c)可被水及/或水溶性醇自半導體裝置洗除，不會留下殘留物；及(d)不具毒性且不會對廢棄的剝離溶液的生物降解性有負面影響。本發明揭示內容提出且解決此等需求。
本發明的一般目的係提供一種用於自包含金屬成份(例如銅)之基材除去光阻之組成物。如本文中所用者，抗蝕劑(resist)用語指的是光阻(photoresist)或抗蝕(resist)材料、蝕刻後殘留物、或其組合。組成物包括剝離溶液以及銅鹽，該組成物具有>0且1之金屬保留因子MCF，其中MCF係定義為：
其中“a”係由不含銅鹽之剝離溶液所測量之蝕刻率，及“b”係由含銅鹽之實質上相同之剝離溶液所測量之蝕刻率。其他金屬鹽例如，鈷鹽也可以被加入剝離溶液，以類似方式減少銅蝕刻率。單一金屬鹽或金屬鹽之組合也可以類似方式被用於減少銅或其他金屬之蝕刻率。
較佳之銅鹽係溶於所選定之剝離溶液。如果銅鹽之溶解度可被忽略或達臨界，此鹽在剝離溶液中之溶解度可經由添加單體或聚合胺而被提高。此類胺溶解銅鹽類似減少銅蝕刻水平。可以使用具有a+1以及+2價之銅鹽。具有此價數之銅鹽之實例包括CuCl以及Cu(NO3)2。一般而言，銅鹽含量較佳為自每100克溶液為0.001克銅鹽至每100克溶液為0.1克銅鹽，更佳為自每100克溶液為0.005克銅鹽至每100克溶液為0.075克銅鹽，最佳之含量為每100克溶液為0.025克銅鹽。
在添加銅鹽至各種剝離溶液(包括商業用剝離溶液) 時，觀察到減少的蝕刻率，其係由範圍自大於0及小於或等於1的金屬保留因子(MCF)所證明。受益於添加銅鹽之較佳剝離溶液為該等包括二甲基亞碸，四級氫氧化銨，烷醇胺，含或不含二級溶劑例如二醇醚者。
包括剝離溶液及併用銅鹽之更佳之組成物為該等包括二甲基亞碸，四級氫氧化銨(鹼)，烷醇胺，含或不含二級溶劑例如二醇醚以及具有乾燥係數(DC)為至少1及更佳者為至少約1.8者，其中乾燥係數係由以下方程式所定義：
本發明揭示內容之另一目的為提供一種自包含銅金屬之基材除去光阻之方法，該組成物包括剝離溶液，銅鹽以及胺，該組成物提供比不包含銅鹽之剝離溶液更低之蝕刻率。適合用於供併入剝離溶液之胺可為單體胺及/或聚合胺。所有具有加入銅鹽/胺之組合且經試驗之剝離溶液經顯示減少銅蝕刻率。當銅鹽無法被提供而具有在剝離溶液中之足夠溶解度時，銅鹽/胺之組合就特別適合。
本發明揭示內容之另一目的是提供一種自包含金屬銅之基材除去光阻之方法。該方法包含以下步驟：提供具有光阻以及在抗蝕劑上之金屬銅以及使該基材與包含剝離溶液以及銅鹽之組成物接觸，該剝離劑/鹽之組合具有大於0及小於或等於1之MCF值以進行抗蝕劑之移除。使基材與組成物接觸涉及包含以上所討論銅鹽之組成物(包含以上 所述之數量)，含或不含添加之胺。可以使用單體或聚合胺。該接觸步驟所使用之較佳剝離溶液含以上所述者。其他商業用剝離溶液亦可以有利地與銅鹽併用以提供如以上所述之減少金屬蝕刻率。
接觸步驟可涉及將基材浸漬於剝離溶液，或者使用噴塗工具使剝離溶液噴塗於基材上。接續於接觸之後，進一步之步驟可涉及自與剝離溶液接觸而移除基材及/或以適當溶劑潤洗基材。在該接觸步驟期間，剝離溶液較佳係經維持於至少約50℃之溫度，以及更佳維持在自約50℃至約85℃範圍之溫度。
本發明揭示內容之另一目的為提供一種電子內聯結構，其係部分製備於根據以上所述方法自包含金屬成份之基材除去抗蝕殘留物，而製備具有完整金屬水平增加之內聯結構。圖2例示具有位於被阻擋層4分隔之二電子層5及6中而經由通孔3內聯之溝渠1及2之典型電子內聯結構。溝渠1及2以及通孔3典型係填充著金屬例如銅。
本發明揭示內容之另一目的為提供一種積體電路裝置，其係可部分得自於根據以上可降低金屬蝕刻之所述方法加工包含金屬成份之晶圓而除去抗蝕殘留物。圖3係例示具有複數個電腦晶片之典型積體電路裝置(由1所例示)，其係經由2所例示之晶片路徑內聯。
本發明揭示內容之又另一目的為提供一種製備可降低金屬蝕刻之剝離溶液的方法，其係藉由提供容器；提供剝離溶液之成份；提供銅或鈷鹽；以及添加該成份及金屬鹽 至容器以提供容器內含物。提供成份可包含提供個別成份，包含各別成份之組成物或其組合。再者，添加剝離溶液之成份可涉及添加個別成份，預混合的成份，及/或包含以實質上任何順序提供之預成型的剝離溶液。容器可包含實質上任何能夠容納剝離溶液之容積器且包含用於船運或運輸液態產品的典型容器，用於容納用於加工基材以除去光阻及/或蝕刻殘留物之設備。如本文中所用者，容積器包含用於在基材加工期間容納及/或運輸剝離溶液且包含，但不限定於，容納及運輸包含任何用於運輸剝離溶液之管路系統的容積器。
為了促進理解本發明揭示之目的，即將參考所例示之具體實例以及使用特定用語加以敘述。然而，理應理解的是，不欲藉此對所請求範圍加以限制，此類改變和進一步改良以及其中所例示原則之此類進一步應用，應被視為為本發明所屬技術領域中具有通常知識者而言係習知者。
根據本發明揭示之組成物包含剝離溶液，該剝離溶液包含銅鹽，其包含或不包含胺。此類組成物具有大於0且小於或等於1之銅保留因子，例示來自與組成物接觸之包含銅之基材之金屬銅之蝕刻率之減少。較佳之剝離溶液包含該等包含二甲基亞碸，四級氫氧化銨，烷醇胺，包含或不包含二級溶劑例如二醇醚。較佳之烷醇胺具有至少二個碳原子，至少一個胺基取代基和至少一個羥基取代基，其胺基和羥基取代基係連接於不同碳原子上。較佳之四級氫 氧化銨為四甲基氫氧化銨。以實施例1之數據為基礎之圖1例示不同銅鹽濃度對包含二甲基亞碸、單乙醇胺、四甲基氫氧化銨、3-甲基-3-甲氧基丁醇以及少量水之剝離溶液對金屬銅之蝕刻率之影響。此試驗係在來自於二個來源之包含金屬銅之基材之上進行的。對較佳之剝離溶液而言，銅蝕刻率在對每100克剝離溶液約0.025克的Cu(NO3 )2 為最低。對包含不同數量之銅鹽之不同溶液之銅保留因子為自0.26至0.93之範圍。
金屬蝕刻率之降低可藉由減少較佳剝離溶液之水含量以及藉由添加銅鹽而達成。乾燥剝離溶液以及添加銅鹽之組合可提供如實施例2所例示之添加劑優點。剝離溶液C及剝離溶液D差異僅在水量之不同。如同可在表II中可見者，如每一個溶液之乾燥係數所反應之降低水含量，減少銅蝕刻率。添加0.025重量%Cu(NO3 )2 或者維持非常低銅蝕刻率或進一步減少銅蝕刻率，以提供有利的金屬保留因子(MCF)。
在實施例3中，銅蝕刻率和金屬保留因子(MCF)係以各種較佳剝離溶液以及基於其他商業上可取得之剝離溶液，添加以及不添加0.025重量%Cu(NO3 )2 而測定。對基於式5，6以及7之組成物而言，銅鹽係無法溶解且無法測定其效應。所有能夠溶解銅鹽之剝離溶液表現減少銅蝕刻率以及展現介於0.18和1.00範圍間之MCF值。
在實施例4中，提供一種方法克服銅鹽在無法溶解充足數量鹽之剝離溶液中之溶解度之問題。銅鹽隨著單體或 聚合胺被加入被命名為式7之剝離溶液而提供均質溶液。使用實施例1所敘述用於包含銅鹽和胺之剝離溶液之方法來測量銅蝕刻率。結果提供於表IV中。每一個胺/銅鹽組合減少銅蝕刻率以及提供自0.11至0.99範圍之銅保留因子。乙醇胺和線性聚-4-乙烯基吡啶係最有效之胺(合併Cu(NO3 )2 )。
在實施例5中，添加以及不添加Cu(I)鹽之剝離溶液之銅蝕刻率係使用以上所述技術加以測定。未添加Cu(I)鹽，銅蝕刻率為3.5Å/min，隨著添加0.025重量% CuCl，銅蝕刻率降至0.84Å/min且提供0.76之MCF值。
在實施例6中，銅鹽對銅蝕刻率之效應係以二種剝離溶液作研究。對第一溶液而言，含0.025重量%之Co(NO3 )2 之銅蝕刻率自3.5Å/min降至0.87Å/min，提供0.75之MCF。對第二溶液而言，含0.025重量%之Co_NO3 )2 之銅蝕刻率自4.0Å/min降至1.69Å/min，提供0.58之MCF。
在實施例7中，包含TiW合金之基材經各種添加以及不添加銅鹽(硝酸銅)之剝離溶液處理。如同在先前實施例中所述，金屬蝕刻率係對每一種添加以及不添加硝酸銅之剝離溶液加以測定。除了式7以外，其在添加或不添加銅鹽之下不會造成蝕刻，所有包含添加銅鹽之剝離溶液提供減少之金屬蝕刻率，如由大於0之MCF值所證明。
截至目前為止所進行之研究已顯示金屬鹽例如Cu(I)以及(II)，鈷和類似者，對包含各種金屬之半導體基材提供實質上減少之金屬蝕刻率。金屬例如銅和合金如TiW經 除去抗蝕材料之剝離溶液處理而使金屬蝕刻減少，特別有利。對金屬鹽/剝離溶液組合(其中金屬鹽不充分溶解)而言，添加胺已證實鹽以及金屬/胺鹽組合已提供減少之金屬蝕刻率。金屬鹽，含或不含胺，與一些剝離溶液相容，不會干擾剝離溶液之操作，可以容易地被水或醇自半導體裝置或元件潤洗，不會留下會干擾裝置操作之殘留物，以及在最後，所使用非常低濃度之金屬鹽不會負面地干擾廢棄之剝離溶液的生物降解性。
雖然申請人之揭示內容係參考上述特定具體實例而提供，應理解的是熟習此技藝人士可在不偏離本發明精神及範圍之下對所揭示之具體實例進行改良和變化。所有此類改良和變化均為所欲涵蓋者。
實施例 實施例1-蝕刻率為銅濃度之涵數
對蝕刻率研究製備具有以下調配物之剝離溶液A以及剝離溶液B：溶液-81.9%二甲基亞碸，3.0%單乙醇胺，2.55%四甲基氫氧化銨，10%3-甲基-3-甲氧基丁醇，以及2.55%水以及溶液B-81.5%二甲基亞碸，4.5%單乙醇胺，2.0%四甲基氫氧化銨，10% 3-甲基-3-甲氧基丁醇，以及2.0%水。製備Cu(NO3 )2 之33%水溶液。部分剝離溶液A以及剝離溶液B與足量銅溶液混合，提供銅濃度為0.005%，0.01%，0.025%，0.05%，以及0.075%之剝離溶液。對照溶液在未添加銅鹽之下被用於以下蝕刻率研究。
具有毯電漿氣相沉積之薄銅膜之矽晶圓之商業來源被 分為約2公分x2公分之試片供研究之用。每一試片之銅膜厚度在使用四點探針被測量三次，取平均膜厚度作為起始銅膜厚度。對每一測試之溶液而言，將三試片浸入剝離溶液達60分鐘，潤洗，再度測量每一試片之銅膜厚度。取每一試片的平均銅膜厚度作為最終銅膜厚度。銅膜厚度損失係由起始銅膜厚度減掉最終銅膜厚度而測定。在60分鐘時觀察到的銅膜厚度損失(angstroms)除去60而得到單位為埃/分鐘之蝕刻率。以下表I簡述包含不同水平銅鹽之剝離溶液A以及剝離溶液B所測量之蝕刻率。圖1以圖式例示此等結果。銅鹽可被直接加入剝離溶液A以及剝離溶液B，但是溶解緩慢且似乎不會對以水溶液添加鹽提供任何優點，只要水含量被減少。類似地，在添加剩下成份之前，銅鹽也可溶於剝離溶液的相容成份。
實施例2-不同來源銅晶圓在具有不同乾燥係數及添加以及不添加銅鹽之剝離調配物中之銅蝕刻率
製備具有以下成份之二種剝離溶液：溶液C-85.5克二甲 基亞碸，6.0克二乙醇單甲醚，2.7克胺基乙基乙醇胺，2.75克四甲基氫氧化銨，以及2.75克水；溶液D-85.5克二甲基亞碸，6.0克二乙二醇單甲醚，2.7克胺基乙基乙醇胺，2.75克四甲基氫氧化銨，以及0.45克水。溶液C具有乾燥係數為1而溶液D之乾燥係數為11.9。使用實施例1所述方法，測量添加0.025%銅鹽和未添鹽(對照組)之此等溶液之蝕刻率。對得自於不同來源之衍生自具有藉物理氣相沉積所施用銅膜的晶圓之試片進行平行試驗。表II提供所得蝕刻率之簡述。雖然得自於不同來源之晶圓有著些微之差異，具有較高乾燥係數之溶液以及包含0.025%硝酸銅之溶液被觀察到蝕刻率減少，無論晶圓來源為何。
實施例3-銅晶圓在各種添加以及不添加銅鹽之剝離溶液調配物之銅蝕刻率
以下表III所提供之各種剝離溶液調配物與實施例I中所 述試驗帶接觸。每一種調配物在添加以及不添加銅鹽之下進行試驗，測定銅蝕刻率。調配物包含包括0.025% Cu(NO3 )2 之添加銅鹽。如Table III所示，銅鹽不溶於一些調配物中。
對一些剝離溶液而言，因為所得剝離溶液不包含四級氫氧化銨，故乾燥係數不適用。
實施例4-藉單體或聚合胺提供銅鹽安定性以及所得減少之銅蝕刻率
如同在實施例3所見，硝酸銅不溶於多種經試驗之剝離劑調配物。銅鹽在剝離劑調配物中之溶解度可藉由添加單體或聚合胺及伴隨著銅鹽而增加。多種胺/銅鹽組合經調查關於在實施例3之式7中之溶解度以及關於該組合對銅蝕刻率之效應。如實施例1中所述進行蝕刻研究。使用兩種方案將胺/銅鹽組合併入剝離溶液。第一方案涉及製備33.3重量%之Cu(NO3 )2 水溶液以及在攪拌之下添加合適數量的包含胺之剝離溶液。第二方案係涉及製備50重量%之Cu(NO3 )2 水溶液，添加合適數量的該溶液至合適數量的胺，以及在攪拌之下添加胺/硝酸鹽水溶液至剝離溶液。其他可能的添加方法可為此技藝人士所預見，因此，此揭示內容不欲被其中特殊方法所限制。
如同在表IV所提供之結果所見，添加單體或聚合胺可提高銅鹽在剝離溶液中之溶解度以及減少所觀察到包含胺/銅鹽之剝離溶液之銅蝕刻率。在此等實施例中，DMSO在式中之數量藉由添加胺之數量而減少。
實施例5-以Cu(I)鹽減少蝕刻率
使用於本實施例之剝離溶液包含81.9%二甲基亞碸，3.0%單乙醇胺，2.55%四甲基氫氧化銨，10.0% 3-甲基-3-甲氧基丁醇，以及，2.55%水。此調配物之乾燥係數為 1.2。此調配物之銅蝕刻率係以如上所述加以測定，測定為3.5Å/分鐘。將CuCl_0.025份溶於100份剝離溶液，以所述方式測定銅蝕刻率。包含CuCl之溶液經測定銅蝕刻率為0.84Å/分鐘，而MCF經測定為0.76。
實施例6-以鈷鹽減少蝕刻率
來自實施例5之剝離溶液包含81.9%二甲基亞碸，3.0%單乙醇胺，2.55%四甲基氫氧化銨，10.0% 3-甲基-3-甲氧基丁醇，以及2.55%水，其被用於本實施例以研究添加以及不添加鈷鹽之剝離溶液之銅蝕刻率。未添加任何鹽的剝離溶液具有1.2之乾燥係數且提供3.5Å/分鐘之銅蝕刻率，其係根據以上所述之方法加以測定。以對於剝離溶液為25%重量水溶液形式的Co_NO3 )2 (0.025份)加入剝離溶液(100份)，再度測定銅蝕刻率為0.87Å/分鐘。包含鈷鹽之剝離溶液具有MCF為0.75。
對包含81.5%二甲基亞碸，4.5%單乙醇胺，2.0%四甲基氫氧化銨，10.0% 3-甲基-3-甲氧基丁醇，以及2.0%水且乾燥係數為1.0之第二剝離溶液經測定其銅蝕刻率為4.0Å/分鐘。以對於剝離溶液為25%重量水溶液形式的Co_NO3 )2 (0.025份)加入剝離溶液(100份)，再度測定銅蝕刻率為1.69Å/分鐘。包含鈷鹽之第二剝離溶液具有MCF為0.58。
實施例7-鈦鵭(TiW)晶圓在各種添加及未添加銅鹽之剝離溶液調配物(TiW)蝕刻率
以下表V所提供之各種剝離溶液調配物與試驗帶接觸。 自具經毯電漿氣相沉積之薄TiW膜之矽晶圓之商業來源分離出試驗帶，成為約2公分x2公分尺寸。使用四點探針測量每個試片的TiW膜厚度，平均膜厚度被計算為起始TiW膜厚度。對每一個經試驗的溶液而言，三種樣品被浸入剝離溶液達30鐘，潤洗，再度測量每個試驗樣品之膜厚度。取每一個試驗樣品之平均TiW膜厚度作為最終TiW膜厚度。TiW膜厚度損失係由起始膜厚度減掉最終TiW膜厚度而測定。在30分鐘時觀察到的銅膜厚度損失(angstroms)除去30而得到單位為埃/分鐘之蝕刻率。每一個調配物在添加以及未添加銅鹽之下經試驗，測定TiW蝕刻率。包含添加之銅鹽之調配物包含0.025% Cu(NO3 )2 。
雖然申請人之發明已詳細敘述如上之特定具體實例，應理解的是熟習此技藝人士對所揭示之具體實例可進行改良以及改變而不會偏離本發明之精神及範圍。本發明欲涵蓋所有此等改良以及改變。此外，所有本文中所引用之公開文件係指示此技藝人士之水平且其全文以引用方式併入本文，如同每一者已個別及全文併入本文。
1‧‧‧溝渠
2‧‧‧溝渠
3‧‧‧通孔
4‧‧‧阻擋層
5‧‧‧介電層
6‧‧‧介電層
圖1以圖式例示剝離溶液之銅鹽含量與將溶液外曝至具有外曝銅金屬之基材所發生銅蝕刻率之關係。
圖2例示電子內聯結構。
圖3例示包含複數個電子內聯結構之電子裝置。

Claims (25)

  1. 一種自基材上移除抗蝕劑之方法，其包含以下步驟：(a)提供上面具有抗蝕劑以及金屬的基材；及(b)藉由使該基材與包含剝離溶液之組成物接觸而移除抗蝕劑，該組成物係經調配以包含選自由銅鹽和鈷鹽所組成之群組之金屬。
  2. 如請求項1之方法，該接觸包含使該基材與調配成具有銅鹽之組成物接觸。
  3. 如請求項1之方法，該接觸包含使該基材與調配成具有鈷鹽之組成物接觸。
  4. 如請求項1之方法，其中該接觸包含使該基材與具有金屬保留因子(MCF)為>0且<1數值之組成物接觸，該MCF係定義為MCF=(a-b)/a，其中“a”係由不含該金屬鹽之剝離溶液所測得之蝕刻率，及“b”係由含該金屬鹽之剝離溶液所測得之蝕刻率。
  5. 如請求項2之方法，其中該接觸包含使該基材與包含自約0.001重量%至0.10重量%銅鹽之組成物接觸。
  6. 如請求項1之方法，其中該接觸包含使該基材與包含二甲基亞碸(DMSO)、四級氫氧化銨和烷醇胺之組成物接觸。
  7. 如請求項5之方法，其中該接觸包含使該基材與進一步包含二級溶劑之組成物接觸。
  8. 如請求項1之方法，其中該提供基材包含提供其中該抗 蝕劑為光阻之基材。
  9. 如請求項1之方法，其中該提供基材包含提供其中該抗蝕劑為蝕刻殘留物之基材。
  10. 一種積體電路裝置，其包含經由如請求項1之方法處理之基材。
  11. 一種電子內聯結構，其包含經由如請求項1之方法處理之基材。
  12. 一種自包含金屬之基材移除抗蝕劑之組成物，該組成物包含剝離溶液和選自由銅鹽、鈷鹽和其組合所組成之群組之金屬鹽。
  13. 如請求項12之組成物，其包含銅鹽。
  14. 如請求項12之組成物，其包含鈷鹽。
  15. 如請求項13之組成物，其中該銅鹽經添加胺而成為可溶性。
  16. 如請求項13之組成物，其中該組成物包含自約0.001重量%至約0.10重量%之銅鹽。
  17. 如請求項12之組成物，其具有金屬保留因子(MCF)為>0且<1，該MCF係定義為MCF=(a-b)/a，其中“a”係為不含該金屬鹽之剝離溶液所測得之蝕刻率以及“b”為含該金屬鹽之剝離溶液所測得之蝕刻率。
  18. 如請求項12之組成物，其中該組成物包含二甲基亞碸(DMSO)、四級氫氧化銨和烷醇胺。
  19. 如請求項18之組成物，其中該組成物進一步包含二級溶 劑。
  20. 一種製備可提供降低的金屬蝕刻率之剝離溶液之方法，其係包含以下步驟：(a)提供容器；(b)提供剝離溶液調配物之成份；(c)提供選自由銅鹽及鈷鹽所組成之群組之金屬鹽；及(d)添加該剝離溶液之成份及該金屬鹽至該容器中以提供容器內含物。
  21. 如請求項20之方法，其中該提供和添加包括提供和添加銅鹽。
  22. 如請求項21之方法，其中該提供和添加銅鹽包括提供和添加硝酸銅。
  23. 如請求項22之方法，其中該提供和添加硝酸銅包括提供自約0.001重量%至約0.10重量%的該硝酸銅。
  24. 如請求項20之方法，其中該提供該剝離溶液之該成份包括提供二甲基亞碸(DMSO)、四級氫氧化銨和烷醇胺。
  25. 如請求項24之方法，其中該提供該剝離溶液之該成份包括進一步提供二級溶劑。
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