JPH09311458A - レジストパターンの形成方法及びプリント基板の製造方法 - Google Patents
レジストパターンの形成方法及びプリント基板の製造方法Info
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- JPH09311458A JPH09311458A JP8128876A JP12887696A JPH09311458A JP H09311458 A JPH09311458 A JP H09311458A JP 8128876 A JP8128876 A JP 8128876A JP 12887696 A JP12887696 A JP 12887696A JP H09311458 A JPH09311458 A JP H09311458A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 可視光レーザーにて直接描画する方法におい
て、現像工程での現像液、水洗水によるレジストパター
ンの物理的ダメージを防止する。 【解決手段】 基板上の可視光レーザー感光型レジスト
層に、パターン状に可視光レーザーを照射し、ついで現
像、水洗を行ってレジストパターンを基板上に形成する
方法において、２５℃の水１００ｇに１ｇ溶解させてな
る水溶液のｐＨが３〜８である金属塩を、現像に使用す
る現像液及び／又は水洗水中に、該金属塩に基づく金属
イオン量が重量基準で１ｐｐｍ〜１％となる濃度にて混
合、溶解させてなる現像液及び／又は水洗水を用いて、
現像、水洗を行うことを特徴とするレジストパターンの
形成方法、及びこの方法によって得られたレジストパタ
ーンを有する基板からのプリント基板の製造方法。
て、現像工程での現像液、水洗水によるレジストパター
ンの物理的ダメージを防止する。 【解決手段】 基板上の可視光レーザー感光型レジスト
層に、パターン状に可視光レーザーを照射し、ついで現
像、水洗を行ってレジストパターンを基板上に形成する
方法において、２５℃の水１００ｇに１ｇ溶解させてな
る水溶液のｐＨが３〜８である金属塩を、現像に使用す
る現像液及び／又は水洗水中に、該金属塩に基づく金属
イオン量が重量基準で１ｐｐｍ〜１％となる濃度にて混
合、溶解させてなる現像液及び／又は水洗水を用いて、
現像、水洗を行うことを特徴とするレジストパターンの
形成方法、及びこの方法によって得られたレジストパタ
ーンを有する基板からのプリント基板の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、可視光レーザー感
光型レジスト層の現像、水洗方法を改良したレジストパ
ターンの形成方法及びこの形成方法を用いたプリント基
板の製造方法に関する。
光型レジスト層の現像、水洗方法を改良したレジストパ
ターンの形成方法及びこの形成方法を用いたプリント基
板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及びその課題】従来、フォトリソグラフィ
ーによるレジストパターンの形成方法としては、液状レ
ジストを塗布し塗膜形成したレジスト層又はドライフィ
ルムレジストに、フォトマスクを介して、紫外線などの
活性光線をパターン状に露光し、現像する方法が多く用
いられてきた。
ーによるレジストパターンの形成方法としては、液状レ
ジストを塗布し塗膜形成したレジスト層又はドライフィ
ルムレジストに、フォトマスクを介して、紫外線などの
活性光線をパターン状に露光し、現像する方法が多く用
いられてきた。
【０００３】しかしながら、上記方法は、露光前のフォ
トマスクの位置合わせに多くの時間を要すること、また
精細なレジストパターンの形成には十分に対応すること
が困難であることから、近年、可視光レーザー感光型レ
ジストを使用して、このレジストから形成されるレジス
ト層に、フォトマスクを介さずに、可視光レーザーを直
接描画する方法が提案され、実用化されている。
トマスクの位置合わせに多くの時間を要すること、また
精細なレジストパターンの形成には十分に対応すること
が困難であることから、近年、可視光レーザー感光型レ
ジストを使用して、このレジストから形成されるレジス
ト層に、フォトマスクを介さずに、可視光レーザーを直
接描画する方法が提案され、実用化されている。
【０００４】可視光レーザー感光型レジストは、高感度
を達成するため、得られるレジスト層のガラス転移点が
低いことが一般的であり、このため、現像工程での現像
液、水洗水によりレジストパターンが膨潤し物理的ダメ
ージを受けやすく、得られるレジストパターンの不良率
が大きくなるといった問題があった。
を達成するため、得られるレジスト層のガラス転移点が
低いことが一般的であり、このため、現像工程での現像
液、水洗水によりレジストパターンが膨潤し物理的ダメ
ージを受けやすく、得られるレジストパターンの不良率
が大きくなるといった問題があった。
【０００５】そこで本発明者は、可視光レーザー感光型
レジストを可視光レーザーにて直接描画する方法によっ
てレジストパターンを形成する方法において、レジスト
の感度を低下させずに、現像工程での現像液、水洗水に
よりレジストパターンが膨潤し物理的ダメージを受ける
のを防止するために鋭意研究の結果、現像液及び／又は
水洗水に特定の金属塩を混合することによって上記目的
を達成できることを見出し本発明を完成するに至った。
レジストを可視光レーザーにて直接描画する方法によっ
てレジストパターンを形成する方法において、レジスト
の感度を低下させずに、現像工程での現像液、水洗水に
よりレジストパターンが膨潤し物理的ダメージを受ける
のを防止するために鋭意研究の結果、現像液及び／又は
水洗水に特定の金属塩を混合することによって上記目的
を達成できることを見出し本発明を完成するに至った。
【０００６】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、１．
基板上の可視光レーザー感光型レジスト層に、パターン
状に可視光レーザーを照射し、ついで現像、水洗を行っ
てレジストパターンを基板上に形成する方法において、
２５℃の水１００ｇに１ｇ溶解させてなる水溶液のｐＨ
が３〜８の範囲となる金属塩を、現像に使用する現像液
及び／又は水洗水中に、該金属塩に基づく金属イオン量
が重量基準で１ｐｐｍ〜１％となる濃度にて混合、溶解
させてなる現像液及び／又は水洗水を用いて、現像、水
洗を行うことを特徴とするレジストパターンの形成方法
を提供するものである。
基板上の可視光レーザー感光型レジスト層に、パターン
状に可視光レーザーを照射し、ついで現像、水洗を行っ
てレジストパターンを基板上に形成する方法において、
２５℃の水１００ｇに１ｇ溶解させてなる水溶液のｐＨ
が３〜８の範囲となる金属塩を、現像に使用する現像液
及び／又は水洗水中に、該金属塩に基づく金属イオン量
が重量基準で１ｐｐｍ〜１％となる濃度にて混合、溶解
させてなる現像液及び／又は水洗水を用いて、現像、水
洗を行うことを特徴とするレジストパターンの形成方法
を提供するものである。
【０００７】また本発明は、２．（１）上記項１記載の
方法により、基板上にレジストパターンを形成する工
程、（２）基板上のレジストパターンが形成されていな
い露出部をエッチングすることにより回路パターンを形
成する工程及び（３）残存するレジスト層を除去する工
程、を順次行うことを特徴とするプリント基板の製造方
法を提供するものである。
方法により、基板上にレジストパターンを形成する工
程、（２）基板上のレジストパターンが形成されていな
い露出部をエッチングすることにより回路パターンを形
成する工程及び（３）残存するレジスト層を除去する工
程、を順次行うことを特徴とするプリント基板の製造方
法を提供するものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明方法において使用する基板
としては、電気絶縁性のガラス−エポキシ板などのプラ
スチック板やプラスチックフィルム等の表面に、銅、ア
ルミニウムなどの金属箔を接着することによって、ある
いは銅などの金属又は酸化インジウム−錫（ＩＴＯ）に
代表される導電性酸化物などの化合物を真空蒸着や化学
蒸着などの方法で導電性皮膜を形成することによって、
表面を導電性とした基板を挙げることができる。基板
は、スルーホールが設けられたものであってもよい。
としては、電気絶縁性のガラス−エポキシ板などのプラ
スチック板やプラスチックフィルム等の表面に、銅、ア
ルミニウムなどの金属箔を接着することによって、ある
いは銅などの金属又は酸化インジウム−錫（ＩＴＯ）に
代表される導電性酸化物などの化合物を真空蒸着や化学
蒸着などの方法で導電性皮膜を形成することによって、
表面を導電性とした基板を挙げることができる。基板
は、スルーホールが設けられたものであってもよい。
【０００９】上記基板上に可視光レーザー感光型レジス
ト層を形成するには、基板上に可視光レーザー感光型レ
ジストをスプレー塗装、静電塗装、ロール塗装、カーテ
ンフロー塗装、スピンコート法、シルクスクリーン印
刷、ディッピング塗装又は電着塗装などの方法で塗装
し、乾燥する方法などを挙げることができる。レジスト
層の膜厚は、特に限定されるものではなく用途に応じて
適宜設定すればよいが、通常、乾燥膜厚で０．５〜５０
μｍ、特に３〜３０μｍの範囲であることが好ましい。
ト層を形成するには、基板上に可視光レーザー感光型レ
ジストをスプレー塗装、静電塗装、ロール塗装、カーテ
ンフロー塗装、スピンコート法、シルクスクリーン印
刷、ディッピング塗装又は電着塗装などの方法で塗装
し、乾燥する方法などを挙げることができる。レジスト
層の膜厚は、特に限定されるものではなく用途に応じて
適宜設定すればよいが、通常、乾燥膜厚で０．５〜５０
μｍ、特に３〜３０μｍの範囲であることが好ましい。
【００１０】可視光レーザー感光型レジストとしては、
可視光レーザーの照射により照射部と非照射部とで、後
工程の現像工程における溶解性に差を生じパターンを形
成できるプリント基板用の液状レジストであれば特に制
限なく使用することができる。
可視光レーザーの照射により照射部と非照射部とで、後
工程の現像工程における溶解性に差を生じパターンを形
成できるプリント基板用の液状レジストであれば特に制
限なく使用することができる。
【００１１】可視光レーザー感光型レジストの代表例と
しては、光照射により架橋又は重合しうる感光性基を含
有する光硬化性樹脂と可視光線に対し有効な光重合開始
剤系とを組合わせたものを挙げることができる。
しては、光照射により架橋又は重合しうる感光性基を含
有する光硬化性樹脂と可視光線に対し有効な光重合開始
剤系とを組合わせたものを挙げることができる。
【００１２】上記光硬化性樹脂の感光性基としては、例
えば、アクリロイル基、メタクリロイル基、シンナモイ
ル基、アリル基、アジド基、シンナミリデン基などを挙
げることができる。光硬化性樹脂は、一般に１，０００
〜１００，０００、好ましくは３，０００〜５０，００
０の範囲の数平均分子量を有することが好ましく、また
感光性基を０．２〜５モル／ｋｇ樹脂の量有することが
好ましい。
えば、アクリロイル基、メタクリロイル基、シンナモイ
ル基、アリル基、アジド基、シンナミリデン基などを挙
げることができる。光硬化性樹脂は、一般に１，０００
〜１００，０００、好ましくは３，０００〜５０，００
０の範囲の数平均分子量を有することが好ましく、また
感光性基を０．２〜５モル／ｋｇ樹脂の量有することが
好ましい。
【００１３】上記光硬化性樹脂は、例えば、カルボキシ
ル基を有する酸価６０〜５００程度の高酸価アクリル樹
脂に、グリシジルメタクリレートやグリシジルアクリレ
ートなどのグリシジル基含有重合性不飽和化合物を付加
させることによって得ることができる。
ル基を有する酸価６０〜５００程度の高酸価アクリル樹
脂に、グリシジルメタクリレートやグリシジルアクリレ
ートなどのグリシジル基含有重合性不飽和化合物を付加
させることによって得ることができる。
【００１４】前記可視光線に対し有効な光重合開始剤系
としては、例えば、ヘキサアリールビスイミダゾールと
ｐ−ジアルキルアミノベンジリデンケトンまたはジアル
キルアミノカルコンとを組合せた系（特開昭54-155292
号公報参照）、カンファーキノンと染料とを組合せた系
（特開昭48-84183号公報参照）、ジフェニルヨードニウ
ム塩とミヒラーケトンとを組合せた系（GB2020297A号公
報参照）、Ｓ−トリアジン系化合物とメロシアニン色素
とを組合せた系（特開昭54-151024 号公報参照）、Ｓ−
トリアジン系化合物とチアピリリウム塩とを組合せた系
（特開昭58-40302号公報参照）、ジアルキルアミノクマ
リン系増感剤と鉄−アレン錯体又はチタノセン化合物と
を組合せた系（特開平3-223759号公報参照）などを挙げ
ることができる。
としては、例えば、ヘキサアリールビスイミダゾールと
ｐ−ジアルキルアミノベンジリデンケトンまたはジアル
キルアミノカルコンとを組合せた系（特開昭54-155292
号公報参照）、カンファーキノンと染料とを組合せた系
（特開昭48-84183号公報参照）、ジフェニルヨードニウ
ム塩とミヒラーケトンとを組合せた系（GB2020297A号公
報参照）、Ｓ−トリアジン系化合物とメロシアニン色素
とを組合せた系（特開昭54-151024 号公報参照）、Ｓ−
トリアジン系化合物とチアピリリウム塩とを組合せた系
（特開昭58-40302号公報参照）、ジアルキルアミノクマ
リン系増感剤と鉄−アレン錯体又はチタノセン化合物と
を組合せた系（特開平3-223759号公報参照）などを挙げ
ることができる。
【００１５】可視光レーザー感光型レジストの市販品と
しては、関西ペイント社製の、ゾンネＬＤＳ、ゾンネＬ
ＤＤなどを挙げることができる。
しては、関西ペイント社製の、ゾンネＬＤＳ、ゾンネＬ
ＤＤなどを挙げることができる。
【００１６】本発明方法においては、上記のようにして
形成された基板上の可視光レーザー感光型レジスト層
に、パターン状に可視光レーザーを照射し、ついで現
像、水洗を行ってレジストパターンを基板上に形成す
る。
形成された基板上の可視光レーザー感光型レジスト層
に、パターン状に可視光レーザーを照射し、ついで現
像、水洗を行ってレジストパターンを基板上に形成す
る。
【００１７】可視光レーザー照射によるパターン状の露
光は、例えば可視光レーザーをＣＡＤデータに基づいて
レーザー走査する方法などの、可視光レーザーによる直
接描画法によって行うことができる。可視光レーザーの
照射源としては、アルゴンレーザー、エキシマレーザ
ー、炭酸ガスレーザーなどが挙げられる。照射量は通
常、０．１〜５０ｍｊ／ｃｍ2 、好ましくは０．５〜１
０ｍｊ／ｃｍ2 の範囲内が適当である。上記露光によっ
て、レジスト層がネガ型である場合には露光部が硬化さ
れ、未露光部が現像によって除去され、一方、レジスト
層がポジ型である場合には露光部が分解、イオン形成な
どにより現像液に溶解されやすくなり、露光部が現像に
よって除去される。
光は、例えば可視光レーザーをＣＡＤデータに基づいて
レーザー走査する方法などの、可視光レーザーによる直
接描画法によって行うことができる。可視光レーザーの
照射源としては、アルゴンレーザー、エキシマレーザ
ー、炭酸ガスレーザーなどが挙げられる。照射量は通
常、０．１〜５０ｍｊ／ｃｍ2 、好ましくは０．５〜１
０ｍｊ／ｃｍ2 の範囲内が適当である。上記露光によっ
て、レジスト層がネガ型である場合には露光部が硬化さ
れ、未露光部が現像によって除去され、一方、レジスト
層がポジ型である場合には露光部が分解、イオン形成な
どにより現像液に溶解されやすくなり、露光部が現像に
よって除去される。
【００１８】本発明方法においては、露光後の現像工程
における、現像液及び／又は水洗水に特徴がある。すな
わち、現像に使用する現像液及び／又は水洗水中に、特
定の金属塩が、金属イオン量として、重量基準で１ｐｐ
ｍ〜１％、好ましくは１０ｐｐｍ〜０．５％となる濃度
にて混合、溶解されてなるものである。
における、現像液及び／又は水洗水に特徴がある。すな
わち、現像に使用する現像液及び／又は水洗水中に、特
定の金属塩が、金属イオン量として、重量基準で１ｐｐ
ｍ〜１％、好ましくは１０ｐｐｍ〜０．５％となる濃度
にて混合、溶解されてなるものである。
【００１９】上記特定の金属塩が混合、溶解されること
ができる現像液としては、レジストに応じた現像液、例
えば、酸現像液、アルカリ現像液、水もしくは有機溶剤
が挙げられる。
ができる現像液としては、レジストに応じた現像液、例
えば、酸現像液、アルカリ現像液、水もしくは有機溶剤
が挙げられる。
【００２０】上記特定の金属塩は、２５℃の水１００ｇ
に１ｇ溶解させてなる水溶液のｐＨが３〜８である金属
塩であればよく、代表例として、硫酸マグネシウム、塩
化マグネシウム、塩化ナトリウム、塩化カリウム、硫酸
ナトリウム、硫酸カリウム、水酸化マグネシウム、塩化
カルシウム、硫酸カルシウム、硫酸鉄、炭酸銅などを挙
げることができる。これらのうち、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｃｕ、
Ｃａなどの多価金属イオンとなる金属の金属塩が好まし
い。金属塩における上記ｐＨが、３未満になると現像液
中に溶解した樹脂分が析出するという問題があり、一
方、上記ｐＨが、８を超えると硬化レジスト層の付着性
が低下し、現像性が劣化するという問題がある。
に１ｇ溶解させてなる水溶液のｐＨが３〜８である金属
塩であればよく、代表例として、硫酸マグネシウム、塩
化マグネシウム、塩化ナトリウム、塩化カリウム、硫酸
ナトリウム、硫酸カリウム、水酸化マグネシウム、塩化
カルシウム、硫酸カルシウム、硫酸鉄、炭酸銅などを挙
げることができる。これらのうち、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｃｕ、
Ｃａなどの多価金属イオンとなる金属の金属塩が好まし
い。金属塩における上記ｐＨが、３未満になると現像液
中に溶解した樹脂分が析出するという問題があり、一
方、上記ｐＨが、８を超えると硬化レジスト層の付着性
が低下し、現像性が劣化するという問題がある。
【００２１】上記金属塩を現像液中に混合、溶解するこ
とにより現像時の、レジストパターンの膨潤を抑えるこ
とができる。これは、金属イオンによる塩析効果、浸透
圧低下効果などによるものと考えられる。
とにより現像時の、レジストパターンの膨潤を抑えるこ
とができる。これは、金属イオンによる塩析効果、浸透
圧低下効果などによるものと考えられる。
【００２２】また上記金属塩を水洗水中に混合、溶解す
ることにより、水洗時において、現像液の場合と同様
に、レジストパターンの膨潤を抑えることができる。
ることにより、水洗時において、現像液の場合と同様
に、レジストパターンの膨潤を抑えることができる。
【００２３】金属塩の混合、溶解は、現像液、水洗水の
どちらか一方のみであってもよいし、両者に行ってもよ
い。両者に行うことがより確実に膨潤を抑えることがで
きることから好ましい。
どちらか一方のみであってもよいし、両者に行ってもよ
い。両者に行うことがより確実に膨潤を抑えることがで
きることから好ましい。
【００２４】現像時において、現像液は、浸漬法、スプ
レー法などによってレジストと接触し、現像を行う。現
像条件は特に限定されるものではないが、通常、１５〜
４０℃で１５秒〜５分の範囲で行うことが好ましい。現
像後の水洗において、水洗水は、浸漬法、スプレー法な
どによってレジストパターンと接触し、レジストパター
ン、基板の水洗を行う。水洗条件は特に限定されるもの
ではないが、通常、１５〜４０℃で１５秒〜５分の範囲
で行うことが好ましい。
レー法などによってレジストと接触し、現像を行う。現
像条件は特に限定されるものではないが、通常、１５〜
４０℃で１５秒〜５分の範囲で行うことが好ましい。現
像後の水洗において、水洗水は、浸漬法、スプレー法な
どによってレジストパターンと接触し、レジストパター
ン、基板の水洗を行う。水洗条件は特に限定されるもの
ではないが、通常、１５〜４０℃で１５秒〜５分の範囲
で行うことが好ましい。
【００２５】上記現像、水洗を経て得られるレジストパ
ターンが形成された基板は、レジストパターンが形成さ
れていない露出部の導電性皮膜をエッチングすることに
より回路パターンを形成することができる。
ターンが形成された基板は、レジストパターンが形成さ
れていない露出部の導電性皮膜をエッチングすることに
より回路パターンを形成することができる。
【００２６】このエッチングは、基板上の導電性皮膜の
種類などに応じて選択されたエッチング剤を用いて行う
ことができる。例えば導電性皮膜が銅である場合には、
塩化第二銅などの酸性エッチング液、アンモニア系エッ
チング液などを用いて行うことができる。このエッチン
グによって現像工程により露出した部分の導電性皮膜を
除去することができる。
種類などに応じて選択されたエッチング剤を用いて行う
ことができる。例えば導電性皮膜が銅である場合には、
塩化第二銅などの酸性エッチング液、アンモニア系エッ
チング液などを用いて行うことができる。このエッチン
グによって現像工程により露出した部分の導電性皮膜を
除去することができる。
【００２７】上記エッチング工程後、残存するレジスト
層を除去することができる。これによって目的とするプ
リント基板を得ることができる。残存するレジスト層の
除去は、レジスト層を溶解、剥離するが、基板及び基板
表面の回路パターンである導電性皮膜を実質的に侵すこ
とのない溶剤を用いて行うことができ、例えば、苛性ソ
ーダなどのアルカリ又は酸の水溶液や各種の有機溶剤を
使用することができる。
層を除去することができる。これによって目的とするプ
リント基板を得ることができる。残存するレジスト層の
除去は、レジスト層を溶解、剥離するが、基板及び基板
表面の回路パターンである導電性皮膜を実質的に侵すこ
とのない溶剤を用いて行うことができ、例えば、苛性ソ
ーダなどのアルカリ又は酸の水溶液や各種の有機溶剤を
使用することができる。
【００２８】
【実施例】本発明を実施例によりさらに具体的に説明す
る。
る。
【００２９】以下、「部」及び「％」は、いずれも重量
基準によるものとする。
基準によるものとする。
【００３０】実施例１ ゾンネＬＤＤ（関西ペイント（株）製、可視光直描型レ
ジスト）を浸漬塗装により銅張り積層板表面に平均乾燥
膜厚が５μｍとなるように塗装し、６０℃で１０分間プ
レヒートした。ついで得られた銅張り積層板表面のレジ
スト層に、直接描画法により波長４８８ｎｍのアルゴン
イオンレーザーを回路パターン状に照射した。
ジスト）を浸漬塗装により銅張り積層板表面に平均乾燥
膜厚が５μｍとなるように塗装し、６０℃で１０分間プ
レヒートした。ついで得られた銅張り積層板表面のレジ
スト層に、直接描画法により波長４８８ｎｍのアルゴン
イオンレーザーを回路パターン状に照射した。
【００３１】照射終了時から６０分間経過した後に、
０．２５ｇ／ｋｇとなる量の硫酸マグネシウム（マグネ
シウムイオンとして５０ｐｐｍとなる量）を０．５％炭
酸ソーダ水溶液に混合、溶解してなる２５℃の現像液を
用いて、露光された銅張り積層板表面のレジスト層にス
プレー現像を行った。スプレー現像後、さらに０．２５
ｇ／ｋｇとなる量の硫酸マグネシウム（マグネシウムイ
オンとして５０ｐｐｍとなる量）を純水に混合、溶解し
てなる２５℃の水洗水を用いてスプレー水洗を行って回
路パターンを得た。
０．２５ｇ／ｋｇとなる量の硫酸マグネシウム（マグネ
シウムイオンとして５０ｐｐｍとなる量）を０．５％炭
酸ソーダ水溶液に混合、溶解してなる２５℃の現像液を
用いて、露光された銅張り積層板表面のレジスト層にス
プレー現像を行った。スプレー現像後、さらに０．２５
ｇ／ｋｇとなる量の硫酸マグネシウム（マグネシウムイ
オンとして５０ｐｐｍとなる量）を純水に混合、溶解し
てなる２５℃の水洗水を用いてスプレー水洗を行って回
路パターンを得た。
【００３２】実施例２〜８ 実施例１において、現像液及び水洗水として、後記表１
に示す、それぞれ２５℃の現像液及び水洗水としての純
水又は純水に金属塩を溶解した２５℃の水洗水を使用す
る以外は、実施例１と同様にして回路パターンを得た。
に示す、それぞれ２５℃の現像液及び水洗水としての純
水又は純水に金属塩を溶解した２５℃の水洗水を使用す
る以外は、実施例１と同様にして回路パターンを得た。
【００３３】比較例１ 実施例１において、現像液として２５℃の０．５％炭酸
ソーダ水溶液、水洗水として２５℃の純水を使用する以
外は、実施例１と同様にして回路パターンを得た。
ソーダ水溶液、水洗水として２５℃の純水を使用する以
外は、実施例１と同様にして回路パターンを得た。
【００３４】得られた回路パターンの歩留まりを下記表
１に示す。ここで、「歩留まり」は、３４０ｍｍ×４０
５ｍｍの基板上に、ライン／スペース＝７５μｍ／７５
μｍのパターンを全面に形成した場合の、基板１００枚
のうちの良品の割合（％）をいうものとする。
１に示す。ここで、「歩留まり」は、３４０ｍｍ×４０
５ｍｍの基板上に、ライン／スペース＝７５μｍ／７５
μｍのパターンを全面に形成した場合の、基板１００枚
のうちの良品の割合（％）をいうものとする。
【００３５】
【表１】
【００３６】
【発明の効果】可視光レーザー感光型レジストを可視光
レーザーにて直接描画する方法によってレジストパター
ンを形成する方法において、現像液及び／又は水洗水に
特定の金属塩を混合する本発明方法によって、レジスト
の感度を低下させずに、現像工程での現像液、水洗水に
よりレジストパターンが膨潤し物理的ダメージを受ける
のを防止することができるので、不良率を低下特に精細
なレジストパターンの形成に適しており、不良率を低下
させることができる。
レーザーにて直接描画する方法によってレジストパター
ンを形成する方法において、現像液及び／又は水洗水に
特定の金属塩を混合する本発明方法によって、レジスト
の感度を低下させずに、現像工程での現像液、水洗水に
よりレジストパターンが膨潤し物理的ダメージを受ける
のを防止することができるので、不良率を低下特に精細
なレジストパターンの形成に適しており、不良率を低下
させることができる。
【００３７】本発明であるレジストパターンの形成方法
によって形成したレジストパターンを有する基板から得
られるプリント基板は、精細な回路を有することがで
き、かつ不良率を低下させることができる。
によって形成したレジストパターンを有する基板から得
られるプリント基板は、精細な回路を有することがで
き、かつ不良率を低下させることができる。
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上の可視光レーザー感光型レジスト
層に、パターン状に可視光レーザーを照射し、ついで現
像、水洗を行ってレジストパターンを基板上に形成する
方法において、２５℃の水１００ｇに１ｇ溶解させてな
る水溶液のｐＨが３〜８である金属塩を、現像に使用す
る現像液及び／又は水洗水中に、該金属塩に基づく金属
イオン量が重量基準で１ｐｐｍ〜１％となる濃度にて混
合、溶解させてなる現像液及び／又は水洗水を用いて、
現像、水洗を行うことを特徴とするレジストパターンの
形成方法。 - 【請求項２】 現像液が、アルカリ現像液である請求項
１記載のレジストパターンの形成方法。 - 【請求項３】 ２５℃の水１００ｇに１ｇ溶解させてな
る水溶液のｐＨが３〜８である金属塩の金属が、Ｍｇ、
Ｆｅ、Ｃｕ、Ｃａから選ばれる金属である請求項１又は
２に記載のレジストパターンの形成方法。 - 【請求項４】 （１）請求項１記載の方法により、基板
上にレジストパターンを形成する工程、（２）基板上の
レジストパターンが形成されていない露出部をエッチン
グすることにより回路パターンを形成する工程及び
（３）残存するレジスト層を除去する工程、を順次行う
ことを特徴とするプリント基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8128876A JPH09311458A (ja) | 1996-05-24 | 1996-05-24 | レジストパターンの形成方法及びプリント基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8128876A JPH09311458A (ja) | 1996-05-24 | 1996-05-24 | レジストパターンの形成方法及びプリント基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09311458A true JPH09311458A (ja) | 1997-12-02 |
Family
ID=14995549
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8128876A Pending JPH09311458A (ja) | 1996-05-24 | 1996-05-24 | レジストパターンの形成方法及びプリント基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09311458A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004252485A (ja) * | 2004-05-12 | 2004-09-09 | Hitachi Chem Co Ltd | 永久マスクレジスト及び感光性樹脂組成物の使用 |
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| JP2009283985A (ja) * | 2009-09-01 | 2009-12-03 | Hitachi Chem Co Ltd | 回路板装置の製造法 |
| JP2010536065A (ja) * | 2007-08-03 | 2010-11-25 | ダイナロイ・エルエルシー | 金属塩を含有する剥離液を用いる金属エッチレートの低減 |
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-
1996
- 1996-05-24 JP JP8128876A patent/JPH09311458A/ja active Pending
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