JPH06164104A

JPH06164104A - プリント配線基板の製造方法

Info

Publication number: JPH06164104A
Application number: JP5211401A
Authority: JP
Inventors: Masashi Miyazaki; 政志宮崎; Haruo Akaboshi; 晴夫赤星; Yuuichi Satsuu; 祐一佐通; Akihiro Kawabe; 明博川辺; Kenji Kikuta; 謙次菊田; Hiroshi Yukiyanagi; 博司幸柳; Shozo Nohara; 省三野原; Ryuichi Kataoka; 隆一片岡; Toshiaki Ishimaru; 敏明石丸
Original assignee: Hitachi Chemical Co Ltd; Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd; Showa Denko Materials Co Ltd
Priority date: 1992-08-28
Filing date: 1993-08-26
Publication date: 1994-06-10

Abstract

(57)【要約】【目的】特に大面積のプリント配線基板への微細パタ
ーンの形成において、現像液として1,1,1 −トリクロロ
エタンなどの塩素系有機溶剤を全く使用せず、めっきレ
ジストを容易に剥離できるプリント配線基板の製造方法
を提供する。【構成】セミアディティブプロセスにおけるパターン
銅めっき工法により、基板に貼合わされた銅箔上にパタ
ーン銅めっきが形成されるプリント配線基板であって、
この製造フローは、銅箔上にフォトレジストをラミネー
トし（１０１）、フォトマスクを介して紫外線を照射し
てイメージ露光を行う（１０２）。さらに、塩素系有機
溶剤以外の有機溶剤とアルカリ水溶液とからなる現像液
を噴出して現像を行い（１０３）、パターン銅めっき、
半田めっき皮膜を形成する（１０４）。そして、不要と
なっためっきレジストを除去し（１０５）、銅箔をエッ
チングした後に、最後に不要となった半田めっき皮膜を
除去する（１０６）。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、プリント配線基板上に
微細パターンを形成するプリント配線基板の製造方法に
関し、特にパターンめっき工法によるパターン加工にお
いて、塩素系有機溶剤以外の現像液を用い、めっきレジ
ストの容易な剥離が可能とされるプリント配線基板の製
造方法に適用して有効な技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、プリント配線基板において、微細
パターン形成のためのパターンめっき工法に用いられる
めっきレジスト材料としては、たとえば1,1,1 −トリク
ロロエタンで現像するのに適したレジスト材料が用いら
れている。

【０００３】このようなプリント配線基板の製造方法に
ついては、フルアディティブ法などが挙げられるが、た
とえば“RESIST FOR PHOTO-ADDITIVE PRINTED WIRING B
OARDS,Katsue Masui他 PRINTED CIRCUIT WORLD CONVENT
ION IV,TECHNICAL PAPER WC1V-68 June 2 〜5 (1987)”
において記載されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところが、前記のよう
な従来技術において、たとえばパターン銅めっきが化学
銅めっきである場合、アルカリ可溶性のめっきレジスト
を用いたのでは、化学銅めっき液が強アルカリ（ｐＨ１
２〜１３）であるため、めっき液に対する耐性、すなわ
ちめっき耐浴性に乏しいという問題が発生する。

【０００５】このような問題は、レジストパターン形成
後に膜の硬化処理を施すことにより大幅に低減できる
が、セミアディティブプロセスでは、めっきレジストに
硬化処理を施すと、パターン銅めっき上にエッチングレ
ジストを形成した後に行うめっきレジストの剥離が非常
に困難となる。

【０００６】また、1,1,1 −トリクロロエタンで現像を
行うのに適しためっきレジストを用いた場合、めっき耐
浴性とレジスト剥離性の問題は解決できるが、1,1,1 −
トリクロロエタンはオゾン層破壊のために使用が問題と
なっている。

【０００７】そこで、本発明の目的は、このような問題
点を改善し、大面積のプリント配線基板の微細パターン
形成のためのパターンめっき工法により、現像液として
1,1,1 −トリクロロエタンなどの塩素系有機溶剤を全く
使用せず、さらにめっきレジストを容易に剥離できるプ
リント配線基板の製造方法を提供することにある。

【０００８】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。

【００１０】すなわち、本発明において、請求項１記載
のプリント配線基板の製造方法は、絶縁基板上にフォト
レジスト膜を形成し、さらにこのフォトレジスト膜に紫
外線を照射した後に現像してレジストパターンを形成
し、続いてこのレジストパターンをめっきレジストとし
て銅めっきを行って配線パターンを形成するプリント配
線基板の製造方法であって、前記めっきレジストとし
て、少なくとも塩素系有機溶剤以外の有機溶剤とアルカ
リ水溶液とからなる現像液で現像可能なレジスト材料を
用いるものである。

【００１１】また、請求項２記載のプリント配線基板の
製造方法は、前記めっきレジストを、永久レジストとし
て使用するようにしたものである。

【００１２】さらに、請求項３記載のプリント配線基板
の製造方法は、前記レジストパターンを、絶縁基板の片
面または両面に貼合わされた銅箔上に形成し、そしてめ
っきレジストを剥離して絶縁基板上の銅箔をエッチング
する処理を含むようにしたものである。

【００１３】この場合に、請求項４記載のプリント配線
基板の製造方法は、前記銅めっきを、化学銅めっきとす
るようにしたものである。

【００１４】また、請求項５記載のプリント配線基板の
製造方法は、請求項３記載の銅めっきを、電気銅めっき
とするようにしたものである。

【００１５】さらに、請求項６記載のプリント配線基板
の製造方法は、前記めっきレジストとして、メチルメタ
クリレートとメタクリル酸とを共重合させたものを主成
分とするものを用いるようにしたものである。

【００１６】このとき、請求項７記載のプリント配線基
板の製造方法は、前記銅めっきを化学銅めっきとする場
合に、メタクリル酸の共重合量を1.５〜１０重量部の範
囲内とするようにしたものである。

【００１７】また、請求項８記載のプリント配線基板の
製造方法は、前記めっきレジストを非水溶媒で剥離する
場合に、メタクリル酸の共重合量を1.５〜６重量部の範
囲内とするようにしたものである。

【００１８】さらに、請求項９記載のプリント配線基板
の製造方法は、前記めっきレジストをアルカリ水溶液と
非塩素系有機溶剤の混合溶媒で剥離する場合に、メタク
リル酸の共重合量を６〜１０重量部の範囲内とするよう
にしたものである。

【００１９】また、請求項１０記載のプリント配線基板
の製造方法は、前記現像液として、アルカリ水溶液にエ
チレン系グリコールエーテルまたはプロピレン系グリコ
ールエーテルを溶解したものを用いるようにしたもので
ある。

【００２０】さらに、請求項１１記載のプリント配線基
板の製造方法は、前記アルカリ水溶液と非塩素系有機溶
剤の混合溶媒の剥離液として、アルカリ水溶液にエチレ
ン系グリコールエーテルまたはプロピレン系グリコール
エーテルとアミン化合物とを溶解したものを用いるよう
にしたものである。

【００２１】

【作用】前記した請求項１〜１１記載のプリント配線基
板の製造方法によれば、めっきレジストとして、塩素系
有機溶剤以外の有機溶剤とアルカリ水溶液とからなる現
像液、いわゆる非塩素準水系現像液で現像可能なレジス
ト材料が用いられることにより、たとえばパターン銅め
っきを化学銅めっきで行う場合でも、アルカリ可溶性タ
イプのめっきレジストを用いたときのようなレジスト皮
膜の硬化処理を不要とすることができる。

【００２２】これにより、製造工程の簡略化と、エッチ
ングレジストをパターン銅めっき上に形成した後に行う
レジスト除去が容易となる。また、従来のように現像液
に1,1,1 −トリクロロエタンを用いていないため、その
使用によるオゾン層の破壊防止が可能となる。

【００２３】たとえば、請求項１記載のプリント配線基
板の製造方法において、前記めっきレジストとしてのフ
ォトレジスト膜を形成するレジスト材料としては、ネガ
型で塩素フリーの有機溶剤とアルカリ水溶液からなる現
像液で現像可能であること、配線パターンを形成するた
めの銅めっき液に溶解せず、銅めっき液およびめっき反
応の安定性を阻害しないものであること、配線パターン
の寸法精度の信頼性を確保するために熱膨張係数が１×
１０^-4以下でめっき液による膨潤が１０％以下のもので
あることなどが必要である。

【００２４】具体的に、レジスト材料としては、前記共
重合体を主成分として含み、感光性モノマー、たとえば
アリル化シクロヘキシルジアクリレート、アクリル化イ
ソシアヌレート、ビス（アクリロキシネオベンチルグリ
コール）アジペート、ＥＯ変性ビスフェノールＡジアク
リレート、ＥＯ変性ビスフェノールＳジアクリレート、
ビスフェノールＡジメタクリレート、ＥＯ変性ビスフェ
ノールＡジメタクリレート、ＥＯ変性ビスフェノールＦ
ジアクリレート、1,4 −ブタンジオールジアクリレー
ト、1,4 −ブタンジオールジメタクリレート、1,3 −ブ
チレングリコールジアクリレート、1,3 −ブチレングリ
コールジメタクリレート、ジシクロペンタニルジアクリ
レート、ジエチレングリコールジアクリレート、ジエチ
レングリコールジメタクリレート、ＥＣＨ変性ジエチレ
ングリコールジメタクリレート、ジペンタエリスリトー
ルヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒ
ドロキシペンタアクリレートなどを例示することができ
る。

【００２５】また、レジスト材料は、活性光により遊離
ラジカルを生成する増感剤を必須成分として含有し、た
とえば2 −エチルアントラキノン、2-ｔ−ブチルアント
ラキノン、オクタメチルアントラキノン、1,2 −ベンズ
アントラキノン、2,3 −ジフェニルアントラキノンな
ど、ジアセチルおよびベンジルなどのケトアルドニル化
合物、ベンゾイン、ビバロンなどのα−ケタルドニルア
ルコール類およびエーテル類、α−炭化水素置換芳香族
アシロイン類、たとえばα−フェニル−ベンゾイン、
α, α−ジエトキシアセトフェノンなど、ベンゾフェノ
ン、4,4 ´−ビスジアルキルアミノベンゾフェノンなど
の芳香族ケトン類を例示することもできる。

【００２６】さらに、レジスト材料には、密着促進剤、
たとえばベンゾトリアゾール、ビピリジル、メルカプト
ベンゾチアゾール、イミダゾール系化合物、チオール系
化合物などを通常において効果が発揮できる量を含んで
いてもよい。

【００２７】このような請求項１〜１１記載のプリント
配線基板の製造方法は、アディティブ法により達成さ
れ、フルアディティブ法にでもセミアディティブ法にで
も適用可能であり、たとえばフルアディティブ法の場合
は、請求項２記載のプリント配線基板の製造方法のよう
に、前記めっきレジストは、たとえば絶縁膜などの永久
レジストとして使用することができる。

【００２８】また、セミアディティブ法に適用される場
合は、請求項３記載のプリント配線基板の製造方法のよ
うに、前記レジストパターンを絶縁基板に貼合わされた
銅箔上に形成し、続いてこのレジストパターンをめっき
レジストとして銅めっきを行った後にエッチングレジス
トを銅めっき上に形成し、そしてめっきレジストを剥離
して絶縁基板上の銅箔をエッチングすることによりプリ
ント配線基板を製造することができる。

【００２９】さらに、請求項４または５記載のプリント
配線基板の製造方法のように、前記銅めっきは、化学銅
めっきにより行うこともできるし、電気めっきにより行
うこともできる。

【００３０】また、このようなレジスト材料としては、
請求項６記載のプリント配線基板の製造方法のように、
メチルメタクリレートとメタクリル酸との共重合体を主
成分とするものを用いることが好ましく、メチルメタク
リレートとメタクリル酸との共重合体は、メタクリル酸
を共重合体１００重量部に対し、好ましくは1.０〜１１
重量部、さらに好ましくは1.５〜１０重量部を含むこと
が望ましい。

【００３１】さらに、請求項７記載のプリント配線基板
の製造方法のように、前記銅めっきを化学銅めっきで行
う場合、メタクリル酸の量が１０重量部より多過ぎると
めっきレジストのめっき液に対する耐性、すなわちめっ
き耐欲性が低下する傾向にあり、また1.５重量部より少
な過ぎては、塩素系有機溶剤以外の有機溶剤とアルカリ
水溶液とからなる現像液で現像できなくなる傾向があ
る。

【００３２】また、請求項８記載のプリント配線基板の
製造方法のように、前記めっきレジストを塩化メチレン
などの非水溶媒で剥離する場合、メタクリル酸の共重合
量は、メタクリル酸が親水性であるために非水溶媒との
相溶性が悪いことから６部以下に抑えることが必要であ
り、1.５〜６重量部の範囲内であることが好ましい。

【００３３】さらに、請求項９記載のプリント配線基板
の製造方法のように、前記めっきレジストをアクリル水
溶液と非塩素系有機溶剤の混合溶媒で剥離する場合、メ
タクリル酸の共重合量は、レジスト中で親水基がメタク
リル酸のみであるためにメタクリル酸が４重量部以上含
有していないと、アルカリ水溶液のレジスト中への浸透
が難しくなることから４〜１０重量部、好ましくは６〜
１０重量部の範囲内であることが望ましい。

【００３４】また、請求項１０記載のプリント配線基板
の製造方法のように、前記のレジスト材料を用いて作成
されためっきレジスト用の現像液としては、塩素フリー
の有機溶剤とアルカリ水溶液とからなる現像液が用いら
れ、塩素フリーの有機溶剤としては、水に可溶なエチレ
ン系グリコールエーテル、たとえばエチレングリコール
モノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチル
エーテルなど、またはプロピレン系グリコールエーテ
ル、たとえばピロピレングリコールメチルエーテル、ジ
プロピレングリコールメチルエーテル、トリプロピレン
グリコールメチルエーテルなどを用いることができる。

【００３５】また、アルカリ水溶液としては、Ｎａ₂Ｂ
₄Ｏ₇、Ｋ₂Ｂ₄Ｏ₇，ＮａＯＨ、Ｎａ₂ＣＯ₃、Ｋ₂
ＣＯ₃、Ｎａ₂ＳｉＯ₃、Ｎａ₃ＰＯ₄などのアルカリ
成分をイオン交換水の如き水に溶解したものを用いるこ
とができる。

【００３６】たとえば、前記現像液として、イオン交換
水にＮａ₂Ｂ₄Ｏ₇・１０Ｈ₂Ｏとエチレン系グリコー
ルエーテルまたはプロピレン系グリコールエーテルを溶
解したものを用いることができ、そのような場合、Ｎａ₂Ｂ₄Ｏ₇・１０Ｈ₂Ｏなどのアルカリ水溶液３〜１５ｇ／ｌエチレン系またはプロピレン系グリコールエーテル７０〜９００ｍｌ／ｌ水全体量を１ｌにする量のような混合割合で現像液を作成することができる。

【００３７】さらに、請求項１１記載のプリント配線基
板の製造方法のように、前記アルカリ水溶液と非塩素系
有機溶剤の混合溶媒の剥離液としては、アルカリ水溶液
にエチレン系グリコールエーテルまたはプロピレン系グ
リコールエーテルとアミン化合物とを溶解したものを用
いることができる。

【００３８】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。

【００３９】（実施例１）図１は本発明のプリント配線
基板の製造方法の一実施例であるプリント配線基板の主
要な製造段階を示すフロー図、図２は図１のフローに対
応するプリント配線基板の要部を示す断面図である。

【００４０】まず、図２(a) 〜(f) により本実施例のプ
リント配線基板の構成を説明する。

【００４１】本実施例のプリント配線基板は、たとえば
セミアディティブプロセスにおけるパターン銅めっき工
法によるプリント配線基板とされ、絶縁基板１に貼合わ
された銅箔２上に、フォトマスクを用いた紫外線照射、
パターン銅めっき処理、さらにエッチング処理により、
パターン銅めっき３による銅配線が形成される構造とな
っている。

【００４２】次に、本実施例の作用について、プリント
配線基板の製造方法を図１の製造フローに対応する図２
の断面図に基づいて説明する。

【００４３】まず、図２(a) に示すように、絶縁基板
（ガラスエポキシ）１の銅箔２上にフォトレジスト４、
たとえばメチルメタクリレートにメタクリル酸を1.５〜
６部共重合させたポリマー（全重量１００部）を主成分
とするドライフィルムレジストをラミネートする（ステ
ップ１０１）。

【００４４】続いて、図２(b) に示すように、フォトマ
スク５を介して紫外線（波長３６５ｎｍ）６をフォトレ
ジスト４に照射（１００〜３００ｍＪ／ｃｍ²）してイ
メージ露光を行う。そして、８０℃、６分のベーキング
を行うと、フォトレジスト４の紫外線照射部４ａでは、
重合反応が進行して硬化する（ステップ１０２）。

【００４５】さらに、紫外線照射後、フォトレジスト４
の紫外線照射部４ａが安定な状態（３０分以上）となっ
てから、図２(c) に示すように、スプレーノズル７から
非塩素準水系現像液、すなわち塩素系有機溶剤以外の有
機溶剤とアルカリ水溶液とからなる現像液８として、た
とえばＮａ₂Ｂ₄Ｏ₇・１０Ｈ₂Ｏ（８ｇ／ｌ）と、ジ
エチレングリコールモノブチルエーテル（７０〜９００
ｍｌ／ｌ）とをイオン交換水（全体を１ｌにするのに必
要な量）に溶解した液をフォトレジスト４に噴出して現
像を行い、めっきレジスト４ｂを形成する（ステップ１
０３）。

【００４６】続いて、図２(d) に示すように、たとえば
通常の無電解銅めっき（ｐＨ１２〜１３、７２℃）によ
りパターン銅めっき３を形成し、このパターン銅めっき
３上にエッチングレジストとなる半田めっき皮膜９を通
常の電気めっきなどにより形成する（ステップ１０
４）。

【００４７】さらに、半田めっき皮膜９を形成した後、
めっきレジスト４ｂは不要となるので、図２(e) に示す
ように、非水溶媒、たとえば塩化メチレンによりめっき
レジスト４ｂを剥離する。または、たとえばＨ₂ＳＯ₄
（９０％）、Ｏ₂ガスなどのプラズマ処理によりめっき
レジスト４ｂを除去することもできる（ステップ１０
５）。

【００４８】続いて、図２(f) に示すように、銅箔２
を、たとえばＨ₃ＰＯ₄（1.８〜2.２％）、Ｈ₂Ｏ
₂（5.６〜6.０％）、Ｈ₂ＳＯ₄（2.０〜4.０％）を成
分とするエッチング液によりエッチングを行い、最後に
エッチングレジストとした半田めっき皮膜９は不要とな
るので、たとえばメルテックス社製半田除去液Ｓ−６５
１ＡおよびＳ−６５１Ｂにより除去することにより、絶
縁基板１の銅箔２上にパターン銅めっき３による銅配線
が形成されたプリント配線基板が完成する（ステップ１
０６）。

【００４９】また、ステップ１０１において、フォトレ
ジスト４として、メチルメタクリレートにメタクリル酸
を６〜１０部共重合させたポリマー（全重量１００部）
を主成分とするドライフィルムレジストを用いた場合に
は、ステップ１０２からステップ１０４までは上記実施
例と同様の操作を行うことができる。

【００５０】そして、ステップ１０５におけるレジスト
除去では、アルカリ水溶液と非塩素系有機溶剤の混合溶
媒、たとえばＮａＯＨ（５ｇ／ｌ）、ジエチレングリコ
ールモノブチルエーテル（１４０〜１５０ｍｌ／ｌ）、
モノエタノールアミン（５０〜６０ｍｌ／ｌ）とをイオ
ン交換水（全体を１ｌにするのに必要な量）に溶解した
液によりめっきレジスト４ｂを剥離する。

【００５１】続いて、ステップ１０６において上記実施
例と同様の操作を行うことにより、絶縁基板１の銅箔２
上にパターン銅めっき３による銅配線が形成されたプリ
ント配線基板を完成させることができる。

【００５２】従って、本実施例のプリント配線基板の製
造方法によれば、スプレーノズル７からの現像液８とし
て、Ｎａ₂Ｂ₄Ｏ₇・１０Ｈ₂Ｏと、ジエチレングリコ
ールモノブチルエーテルとをイオン交換水に溶解した液
を用いることにより、従来のようにオゾン層の破壊の原
因となる1,1,1 −トリクロロエタンの使用を廃止するこ
とができる。

【００５３】また、エッチングレジストとしての半田め
っき皮膜９を、パターン銅めっき３上に形成した後に行
うめっきレジスト４ｂの除去が容易に可能となる。

【００５４】（実施例２）図３は本発明のプリント配線
基板の製造方法の他の実施例であるプリント配線基板の
主要な製造段階を示すフローに対応するプリント配線基
板の要部を示す断面図である。

【００５５】本実施例のプリント配線基板は、実施例１
のセミアディティブプロセスと異なり、フルアディティ
ブプロセスにおけるパターン銅めっき工法によるプリン
ト配線基板とされ、図３(a) 〜(d) に示すように、絶縁
基板１の上に実施例１の銅箔に代えて接着剤１０が貼合
わされ、フォトマスクを用いた紫外線照射、パターン銅
めっき処理が行われる構造となっている。

【００５６】次に、本実施例の作用について、フルアデ
ィティブ法によるプリント配線基板の製造方法を図３の
断面図に基づいて説明する。

【００５７】まず、絶縁基板（ガラスエポキシ）１の上
に接着剤１０、たとえば日立化成工業（株）製ＡＰ−１
５３０を貼合わせ、紫外線（波長３６５ｎｍ、光量1.０
〜1.２Ｊ／ｃｍ²）を照射後、１５０℃、３０分でベー
キングし、接着剤１０を硬化させる。

【００５８】そして、接着剤１０の上にＰｂなどのめっ
きの触媒付与を行った後に、ドライフィルム（メチルメ
タクリレートにメタクリル酸を共重合させたポリマー、
メタクリル酸共重合量1.５〜６部）のフォトレジスト４
をラミネートする（図３(a)）。

【００５９】続いて、図３(b) に示すように、フォトマ
スク５を介して紫外線（波長３６５ｎｍ）６をフォトレ
ジスト４に照射し（１００〜３００ｍＪ／ｃｍ²）、イ
メージ露光を行う。そして、８０℃、６分のベーキング
を行うと、フォトレジスト４の紫外線照射部４ａでは、
重合反応が進行して硬化する。

【００６０】さらに、紫外線照射後、フォトレジスト４
の紫外線照射部４ａが安定な状態（３０分以上）となっ
てから、スプレーノズル７から現像液（実施例１と同
じ）８を噴出して現像を行い、めっきレジスト４ｂを形
成する（図３(c) ）。

【００６１】続いて、図３(d) に示すように、通常の無
電解銅めっき（条件は実施例１と同じ）によりパターン
銅めっき３を形成する。

【００６２】その後に図示しないが、めっきレジスト４
ｂを剥離する場合、本実施例で示したメタクリル酸の共
重合量（1.５〜６部）では、非水溶媒、たとえば塩化メ
チレンにより容易に剥離することができる。

【００６３】また、フォトレジスト４として、メチルメ
タクリレートにメタクリル酸を６〜１０部共重合させた
ポリマー（全重量１００部）を主成分とするドライフィ
ルムレジストを用いて上記実施例と同様な操作を行い、
パターン銅めっき３を形成した後にめっきレジスト４ｂ
を剥離する場合には、アルカリ水溶液と非塩素系有機溶
剤の混合溶媒、たとえばＮａＯＨ（５ｇ／ｌ）、ジエチ
レングリコールモノブチルエーテル（１４０〜１５０ｍ
ｌ／ｌ）、モノエタノールアミン（５０〜６０ｍｌ／
ｌ）とをイオン交換水（全体を１ｌにするのに必要な
量）に溶解した液によりめっきレジスト４ｂは容易に剥
離できる。

【００６４】さらに、本実施例で示したプリント配線基
板の製造方法では、上記めっきレジスト４ｂを剥離せず
に、絶縁膜または層間絶縁膜などの永久レジストとして
もよい。

【００６５】従って、本実施例のプリント配線基板の製
造方法によれば、実施例１と同様にオゾン層の破壊の原
因となる1,1,1 −トリクロロエタンの使用を廃止するこ
とができる上、めっきレジスト４ｂを剥離する場合には
容易に除去することができ、逆にめっきレジスト４ｂを
永久レジストとして使用することも可能となる。

【００６６】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例１および２に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱
しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもな
い。

【００６７】たとえば、前記実施例のプリント配線基板
の製造方法については、非塩素準水系の現像液８の成分
としてジエチレングリコールモノブチルエーテルを用い
た場合について説明したが、本発明は前記実施例に限定
されるものではなく、水に溶解可能なエチレン系グリコ
ールエーテルまたはプロピレン系グリコールエーテルを
使用する場合、さらには塩素系有機溶剤以外の有機溶剤
とアルカリ水溶液とからなる現像液を使用する場合など
についても広く適用可能である。具体的には、作用欄に
例示した種々の現像液を使用することができる。

【００６８】また、めっきレジスト４ｂについては、メ
チルメタクリレートとメタクリル酸とを共重合させたも
のを主成分とするものに限られるものではなく、塩素系
有機溶剤以外の有機溶剤とアルカリ水溶液とからなる現
像液で現像可能なレジスト材料であれば適用可能であ
る。

【００６９】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。

【００７０】(1).めっきレジストに、少なくとも塩素系
有機溶剤以外の有機溶剤とアルカリ水溶液とからなる現
像液で現像可能なレジスト材料を用いることにより、め
っきレジストに対して、現像後にめっき耐浴性を向上さ
せるための特別な硬化処理を施さなくてよいので、パタ
ーンを形成する工程の簡略化が可能となる。

【００７１】(2).前記(1) により、めっきレジストに対
して硬化処理が不要となるので、エッチングレジストと
する半田めっき皮膜をパターン銅めっき上に形成した後
の、めっきレジストの剥離が容易に可能となる。

【００７２】(3).前記(1) により、現像液に塩素系有機
溶剤以外の有機溶剤とアルカリ水溶液とからなる現像液
を使用し、従来のようにオゾン層の破壊の原因となる1,
1,1 −トリクロロエタンの使用を廃止することができる
ので、現像液の使用規制の問題が解決可能となる。

【００７３】(4).前記(1) 〜(3) により、特に大面積の
プリント配線基板の微細パターン形成のためのパターン
銅めっき工法において、1,1,1 −トリクロロエタンの全
廃への対処に加え、工程の簡略化とめっきレジストの容
易な剥離が可能とされるプリント配線基板の製造方法を
得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のプリント配線基板の製造方法の実施例
１であるプリント配線基板の主要な製造段階を示すフロ
ー図である。

【図２】本実施例において、図１のフローに対応するプ
リント配線基板の要部を示す断面図である。

【図３】本発明のプリント配線基板の製造方法の実施例
２であるプリント配線基板の主要な製造段階を示すフロ
ーに対応するプリント配線基板の要部を示す断面図であ
る。

【符号の説明】

１絶縁基板２銅箔３パターン銅めっき４フォトレジスト４ａ紫外線照射部４ｂめっきレジスト５フォトマスク６紫外線７スプレーノズル８現像液９半田めっき皮膜１０接着剤

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者佐通祐一茨城県日立市久慈町4026番地株式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者川辺明博神奈川県秦野市堀山下１番地株式会社日立製作所汎用コンピュータ事業部内 (72)発明者菊田謙次神奈川県秦野市堀山下１番地株式会社日立製作所汎用コンピュータ事業部内 (72)発明者幸柳博司神奈川県秦野市堀山下１番地株式会社日立製作所汎用コンピュータ事業部内 (72)発明者野原省三神奈川県秦野市堀山下１番地株式会社日立製作所汎用コンピュータ事業部内 (72)発明者片岡隆一神奈川県秦野市堀山下１番地株式会社日立コンピュータエレクトロニクス内 (72)発明者石丸敏明茨城県日立市東町４丁目13番地１号日立化成工業株式会社山崎工場内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁基板上にフォトレジスト膜を形成
し、さらに該フォトレジスト膜に紫外線を照射した後に
現像してレジストパターンを形成し、続いて該レジスト
パターンをめっきレジストとして銅めっきを行って配線
パターンを形成するプリント配線基板の製造方法であっ
て、前記めっきレジストとして、少なくとも塩素系有機
溶剤以外の有機溶剤とアルカリ水溶液とからなる現像液
で現像可能なレジスト材料を用いることを特徴とするプ
リント配線基板の製造方法。
【請求項２】前記めっきレジストを、永久レジストと
して使用することを特徴とする請求項１記載のプリント
配線基板の製造方法。
【請求項３】前記レジストパターンを、前記絶縁基板
の片面または両面に貼合わされた銅箔上に形成し、そし
て前記めっきレジストを剥離して前記絶縁基板上の前記
銅箔をエッチングする処理を含むことを特徴とする請求
項１記載のプリント配線基板の製造方法。
【請求項４】前記銅めっきを、化学銅めっきとするこ
とを特徴とする請求項１、２または３記載のプリント配
線基板の製造方法。
【請求項５】前記銅めっきを、電気銅めっきとするこ
とを特徴とする請求項３記載のプリント配線基板の製造
方法。
【請求項６】前記めっきレジストとして、メチルメタ
クリレートとメタクリル酸とを共重合させたものを主成
分とするものを用いることを特徴とする請求項１、２ま
たは３記載のプリント配線基板の製造方法。
【請求項７】前記銅めっきを化学銅めっきとする場合
に、前記メタクリル酸の共重合量を1.５〜１０重量部の
範囲内とすることを特徴とする請求項６記載のプリント
配線基板の製造方法。
【請求項８】前記めっきレジストを非水溶媒で剥離す
る場合に、前記メタクリル酸の共重合量を1.５〜６重量
部の範囲内とすることを特徴とする請求項６記載のプリ
ント配線基板の製造方法。
【請求項９】前記めっきレジストをアルカリ水溶液と
非塩素系有機溶剤の混合溶媒で剥離する場合に、前記メ
タクリル酸の共重合量を６〜１０重量部の範囲内とする
ことを特徴とする請求項６記載のプリント配線基板の製
造方法。
【請求項１０】前記現像液として、アルカリ水溶液に
エチレン系グリコールエーテルまたはプロピレン系グリ
コールエーテルを溶解したものを用いることを特徴とす
る請求項１、２または３記載のプリント配線基板の製造
方法。
【請求項１１】前記アルカリ水溶液と非塩素系有機溶
剤の混合溶媒の剥離液として、アルカリ水溶液にエチレ
ン系グリコールエーテルまたはプロピレン系グリコール
エーテルとアミン化合物とを溶解したものを用いること
を特徴とする請求項９記載のプリント配線基板の製造方
法。