JPH09106080A - レーザー光線硬化型レジストを使用したパターン形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 レジストを直接描画する方法において、レジ
ストの硬化に伴う収縮応力が緩和でき、露光後短時間の
うちにレジストの露光部の硬化度を一定とでき、現像性
をバラツキなく優れたものとできる方法を開発する。 【解決手段】 （１）レジスト層及び該レジスト層上に
必要に応じてカバーコート層を形成した基板のレジスト
層にレーザー光線を直接描画法によりパターン状に照射
してレジスト層をパターン状に硬化させる工程、（２）
硬化したレジスト層を有する基板を５０〜１６０℃の温
度で１０秒間〜３０分間加熱する工程、及び（３）加熱
処理したレジスト層を現像してレジストパターンを形成
する工程、を順次行うレジストパターン形成方法、及び
このレジストパターンを形成した基板に、エッチング及
び残存レジスト層の除去を行う回路パターン形成方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、レーザー光線硬化
型レジストを使用した、レジストパターン形成方法及び
導電性皮膜パターン形成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術及びその課題】従来、導電性皮膜パターン
（導体回路）を形成するためには、感光性レジストを塗
布した基板に、パターン状に露光して硬化し、ついで現
像により未露光部の除去を行ってレジストパターンを形
成した後、エッチングにて露出した不要部分の導電性皮
膜を除去し、さらに残存レジストを除去している。

【０００３】感光性レジストをパターン状に硬化させる
方法としては、フォトマスクを介して紫外線などの活性
光線を露光する方法、レーザー光線によりレジストをパ
ターン状に直接描画する方法が挙げられる。

【０００４】フォトマスクを介して露光する方法におい
ては、一般に数十〜数百ｍｊ／ｃｍ² の照射量であるた
め高出力の光源を必要とし、しかもエネルギー変換効率
が悪いという問題があった。またパターンに合せてフォ
トマスクの作成、レジスト上へのフォトマスクの設置が
必要であり作業に多くの工数を要するという問題があっ
た。

【０００５】直接描画する方法においては、照射量が少
なく高出力の光源を必要としない、ＣＡＤデータにより
直接描画するのでフォトマスクの作成、レジスト上への
フォトマスクの設置が不要であり工数を削減できるとい
う長所があるが、直接描画のためにレーザー光線硬化型
レジストを使用して、レーザー光線照射により露光する
場合、露光時間が短時間であり、硬化に伴う収縮応力が
大きく、その応力緩和が十分でないため、現像性を低下
させるという問題があった。また露光により発生したラ
ジカルによる暗反応が露光後一定時間持続し光遮断後も
硬化反応が継続するため露光後の経過時間により硬化度
が異なり経過時間により現像性にバラツキを生じるとい
う問題があり、硬化度をある程度一定とするためには少
なくとも３０分以上放置する必要があった。

【０００６】そこで本発明者らは、直接描画する方法に
おいて、硬化に伴う収縮応力が緩和でき、露光後短時間
のうちにレジストの露光部の硬化度を一定とでき、現像
性をバラツキなく優れたものとできる方法について鋭意
研究の結果、露光後、特定条件でレジストを加熱処理す
ることによって上記目的を達成できることを見出し本発
明を完成するに至った。

【０００７】

【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、１．
（１）レーザー光線の照射によって硬化するレジスト
層及び該レジスト層上に必要に応じてカバーコート層を
形成してなる基板のレジスト層にレーザー光線を直接描
画法によりパターン状に照射してレジスト層をパターン
状に硬化させる工程、（２）パターン状に硬化したレジ
スト層を有する基板を、５０〜１６０℃の温度で１０秒
間〜３０分間加熱処理する工程、及び（３）加熱処理し
たレジスト層を現像してレジストパターンを形成する工
程、を順次行うことを特徴とするレジストパターン形成
方法に関する。

【０００８】また本発明は、２． 基板が表面に導電性
皮膜を有する基板であって、上記項１の工程（１）〜
（３）を経て得られたレジストパターンを形成した基板
に、（４）基板上のレジストパターンが形成されていな
い露出部をエッチングすることにより導電性皮膜パター
ンを形成する工程、及び（５）残存するレジスト層を除
去する工程、を順次行うことを特徴とする導電性皮膜パ
ターン形成方法に関する。

【０００９】

【発明の実施の形態】本発明方法において、基板として
は、電気絶縁性のガラス−エポキシ板、ポリエチレンテ
レフタレート（ＰＥＴ）フィルム、ポリイミドフィルム
などのプラスチック板やプラスチックフィルム；これら
のプラスチック板やプラスチックフィルムの表面に、
銅、アルミニウムなどの金属箔を接着することによっ
て、あるいは銅、ニッケル、銀などの金属又は酸化イン
ジウム−錫（ＩＴＯ）に代表される導電性酸化物などの
化合物を真空蒸着、化学蒸着、メッキなどの方法で導電
性皮膜を形成したもの；スルーホール部を設けたプラス
チック板やプラスチックフィルムの表面及びスルーホー
ル部に、導電性皮膜を形成したもの；銅板などの金属板
を挙げることができる。

【００１０】本発明方法の工程（１）において、上記基
板上にレーザー光線の照射によって硬化するネガ型レジ
スト層を形成する。このレジスト層は、例えば、レーザ
ー光線硬化型液状レジストを塗布、乾燥することにより
形成することができる。上記液状レジストは、可視光レ
ーザー又は紫外線レーザーの照射によって硬化できるも
のであれば特に制限なく使用することができる。

【００１１】上記液状レジストとしては、例えば、光照
射により架橋又は重合しうる感光性基、例えばアクリロ
イル基、メタクリロイル基、シンナモイル基、アリル
基、アジド基、シンナミリデン基などを含有する光硬化
性樹脂及び／又は化合物、重合開始剤及び光増感剤を必
須成分とし、必要に応じて、改質樹脂、溶剤、表面調整
剤などを含有していてもよい。

【００１２】上記光硬化性樹脂としては、例えば、酸価
４０〜６５０の高酸価アクリル樹脂にグリシジルアクリ
レート又はグリシジルメタクリレートをエステル化反応
させてアクリロイル基又はメタクリロイル基を導入して
なる樹脂；水酸基を含有するアクリル樹脂と置換又は未
置換のケイ皮酸ハライド、例えばケイ皮酸クロライドと
を塩基の存在下、例えばピリジン溶液中で反応せしめた
シンナモイル基を導入してなる樹脂；酸価４０〜６５０
の高酸価アクリル樹脂にアリルグリシジルエーテルを付
加させてなるか、又は水酸基を含有するアクリル樹脂に
アリルアルコールとジイソシアネート化合物との等モル
付加物を付加してなるアリル基を導入してなる樹脂など
を挙げることができる。

【００１３】上記光硬化性樹脂は、一般に１，０００〜
１００，０００の数平均分子量を有し、ガラス転移温度
が０〜７０℃の範囲にあることがレジストの物性及びレ
ジストの非粘着性の観点から好ましい。また感光性基は
０．２〜７．０当量／ｋｇ樹脂の量含まれているのが硬
化性及びレジストの物性の点から適当である。樹脂中に
アニオン性基やカチオン性基であるイオン性基を含有さ
せておき、中和することによってレジストを水系とする
ことも可能である。イオン性基を含有させることによっ
て、アルカリ現像液、酸現像液、水などに対する現像性
を向上させることができる。イオン性基を含有させる場
合には、０．２〜３．５当量／ｋｇ樹脂の量含まれてい
ることが適当である。

【００１４】前記光硬化性化合物としては、エチレン性
不飽和二重結合を少なくとも１個有する化合物であり、
露光した際に付加重合することにより露光部の不溶化を
もたらす単量体、２量体、３量体及びその他のオリゴマ
ーが挙げられる。この化合物の具体例としては、例えば
アクリル酸、メタクリル酸、エチレングリコールジ（メ
タ）アクリレート、ジエチレングリコールジ（メタ）ア
クリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリ
レート、テトラ以上のポリ（４〜１６）エチレングリコ
ールジ（メタ）アクリレート、プロピレングリコールジ
（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ
（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ
（メタ）アクリレート、エチレングリコールジイタコネ
ート、エチレングリコールジマレエート、ハイドロキノ
ンジ（メタ）アクリレート、レゾルシノールジ（メタ）
アクリレート、ピロガロール（メタ）アクリレート、オ
リゴウレタンアクリレート、オリゴエポキシアクリレー
ト、ジビニルベンゼンなどを挙げることができる。本発
明において、「……（メタ）アクリレート」は、「……
アクリレート又は……メタアクリレート」を意味する。

【００１５】前記重合開始剤としては、例えばベンゾイ
ン、ベンゾインアルキルエーテル類、２−メチルベンゾ
イン、ベンゾフェノン、ミヒラーケトン、ベンジル、ベ
ンジルジメチルケタール、アントラキノン、メチルアン
トラキノン、ジアセチル、アセトフェノン、ジフェニル
スルフィド、アントラセン、２−メチル−１−［４−
（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノープロパ
ノン−１、チオキサントン、チタノセン化合物などが挙
げられる。

【００１６】前記光増感剤は、可視光を吸収することに
より励起され、光硬化性樹脂又は化合物や重合開始剤と
相互作用をする化合物である。ここで「相互作用」に
は、励起された光増感剤から光硬化性樹脂又は化合物や
重合開始剤へのエネルギー移動や電子移動が包含され
る。光増感剤の具体例としては、チオキサンテン系、キ
サンテン系、ケトン系、チオピリリウム塩系、ベースス
チリル系、メロシアニン系、３−置換クマリン系、３，
４−置換クマリン系、シアニン系、アクリジン系、チア
ジン系などの色素類が挙げられる。

【００１７】液状レジストは、スプレー塗装、静電塗
装、ロール塗装、カーテンフロー塗装、スピンコート
法、シルクスクリーン印刷、ディッピング塗装又は電着
塗装などの方法で塗布することができる。レジスト層の
膜厚は、特に限定されるものではなく用途に応じて適宜
設定すればよいが、通常、乾燥膜厚で０．５〜５０μ
ｍ、特に３〜３０μｍの範囲であることが好ましい。乾
燥によってレジスト中の溶剤などを蒸発させる。レジス
ト層上にカバーコート層が形成されない場合には、乾燥
はレジスト表面を非粘着性にするように行うことが好ま
しい。

【００１８】このレジスト層上には、必要に応じてカバ
ーコート層が形成されていてもよい。カバーコート層を
形成することによって酸素を遮断し、露光によるレジス
ト層の硬化の阻害を防止するために行われる。酸素を除
去した室内で露光を行う場合にはこの工程は必要なくな
る。

【００１９】上記カバーコート層は、非感光性であって
常温で実質的に粘着性がなく酸素遮断能力のある材料で
形成される。このため、そのガラス転移温度は２０℃以
上、さらには３０〜８０℃、特に４０〜７０℃の範囲内
にあることが好ましい。

【００２０】カバーコート層の酸素遮断性は、膜の酸素
ガス透過率として５×１０^-12 ｃｃ・ｃｍ／ｃｍ² ・ｓ
ｅｃ・ｃｍＨｇ以下、特に１×１０^-12 ｃｃ・ｃｍ／ｃ
ｍ²・ｓｅｃ・ｃｍＨｇ以下であることが好ましい。こ
こで酸素ガス透過率は、ＡＳＴＭｓｔａｎｄａｒｄｓＤ
−１４３４−８２（１９８６）記載の方法に準拠して測
定した値である。

【００２１】さらにカバーコート層は現像液に実質的に
溶解するものであることが望ましい。現像液に可溶でな
いと、現像前にカバーコートを剥離せねばならず生産性
の点で不利である。このような条件を満たすカバーコー
トを形成するための被膜形成性樹脂としては、例えば、
ポリビニルアルコール、部分ケン化ポリ酢酸ビニル又は
これらの混合物、或いはポリビニルアルコールと酢酸ビ
ニルポリマーとの混合物等が挙げられる。これらは被膜
形成性に優れ、水、希アルカリ水、希酸水などの水性現
像液に対する溶解性が良好であり好ましい。

【００２２】このカバーコート層は、カバーコート液を
レジスト層上に塗布し乾燥させて形成してもよいし、プ
ラスチックフィルム上にカバーコート層を形成し、この
ものをカバーコート転写フィルムとして、レジスト層上
にカバーコート層を転写して形成してもよい。

【００２３】またプラスチックフィルム上にカバーコー
ト層を形成し、さらにこの上にレジスト層を形成したも
のを転写フィルムとして基板に転写し、基板上にレジス
ト層とカバーコート層とを同時に形成してもよい。転写
によってカバーコート層又はカバーコート層とレジスト
層との両層を形成する場合には、接着面となるレジスト
層表面は粘着性を有することが好ましい。

【００２４】次いで、形成したレジスト層に可視光レー
ザー又は紫外線レーザーであるレーザー光線を直接描画
法によりパターン状に照射して露光部のレジスト層をパ
ターン状に選択的に硬化させる。レジスト層上にカバー
コート層がない場合には、露光は酸素を遮断した雰囲気
下、例えば窒素雰囲気下で行うことが好ましい。

【００２５】可視光レーザーを照射するための光源とし
ては、超高圧、高圧、中圧、低圧の各水銀灯、ケミカル
ランプ、カーボンアーク灯、キセノン灯、メタルハライ
ド灯、蛍光灯、タングステン灯、太陽光等を挙げること
ができ、これらの光源のうち、紫外線を紫外カットフィ
ルタによりカットした可視領域の光線や可視領域に発振
線をもつ各種レーザーなどが使用できる。なかでも４８
８ｎｍ又は５１４．５ｎｍに発振線をもつアルゴンレー
ザーが好ましい。また紫外線レーザーの光源としては、
アルゴンレーザー、ヘリウム−カドミウムレーザーやア
ルゴン−フッ素レーザーなどのエキシマレーザーなどを
挙げることができる。レーザー光線の露光量は、レジス
トの種類などによって適宜選定すればよく、通常、０．
０１〜５ｍｊ／ｃｍ² の範囲である。照射時間は、通
常、１ナノ秒（１０^-9秒）〜１秒程度である。

【００２６】ついで本発明の工程（２）により、パター
ン状に硬化したレジスト層を有する基板が加熱される。
レーザー光線の露光によって硬化された露光部のレジス
トは、露光時間が短いため、そのまま放置すると、露光
により発生したラジカルが残存して露光終了後において
もラジカルによる暗反応が進み、経時によって硬化程度
が異なることになり、また硬化が急激に起こるので硬化
による応力歪みが大きくなりレジストの基材への密着性
低下などを引き起こす。本発明の工程（２）により上記
暗反応及び応力歪みの問題を解決することができる。

【００２７】工程（２）における加熱は、基板の最高到
達温度が、５０〜１６０℃、好ましくは５０〜１２０℃
となる条件で１０秒間〜３０分間、好ましくは２０秒間
〜２分間行われる。この加熱により残存ラジカルによる
硬化反応を早く進行させ一定の硬化度まで到達させて、
その後の経時による硬化程度の変化をなくすことがで
き、また硬化による応力を緩和することができレジスト
の基材への密着性を良好なものとすることができる。基
板の最高到達温度が、５０℃未満では硬化の進行に長時
間を要するため実用的ではなく、一方、１６０℃を超え
ると熱により未露光部においても硬化が進行してしまっ
て現像性の低下を引き起こしたり、レジストが熱分解を
起こしたりする。加熱時間が、１０秒未満では硬化の進
行が十分でなかったり、応力緩和が十分でなかったり
し、一方、３０分以上では時間がかかり過ぎ実用的では
ない。

【００２８】この加熱は、上記条件で加熱できる装置で
あれば制限なく使用して行うことができ、例えばホット
プレート、電磁誘導加熱装置、遠赤外線加熱装置、ホッ
トプレス、熱風乾燥機などを使用して行うことができ
る。ホットプレート、電磁誘導加熱装置、遠赤外線加熱
装置、ホットプレスなどを使用することによって、急速
に加熱、例えば昇温速度５０℃／分〜２４０℃／分の速
度で加熱することができ、加熱工程の短縮化を行うこと
ができる。

【００２９】ついで本発明の工程（３）により、レジス
ト層を現像してレジストパターンを形成する。現像は、
露光されたレジストを、レジストに応じた現像液、例え
ば、酸現像液、アルカリ現像液、水もしくは有機溶剤に
浸漬する方法、又はレジストにこれらの現像液をスプレ
ーする方法などによってレジストを洗浄することによっ
て行うことができる。現像条件は特に限定されるもので
はないが、通常、１５〜４０℃で１５秒〜５分の範囲で
行うことが好ましい。これにより目的とするレジストパ
ターンを得ることができる。カバーコート層がある場合
には、現像前にカバーコート層を除去してもよいが、こ
の現像工程においてカバーコート層も同時に除去するこ
とが好ましい。、上記のようにして得られるレジストパ
ターンが形成された基板は、装飾用として、またソルダ
ーレジスト基板、エッチングレジスト基板として使用す
ることができる。

【００３０】エッチングレジスト基板として使用する場
合には、本発明の工程（４）において、上記のようにし
て得られるレジストパターンが形成された基板につい
て、レジストパターンが形成されていない露出部の導電
性皮膜をエッチングすることにより導電性皮膜パターン
が形成される。

【００３１】このエッチングは、基板上の導電性皮膜の
種類などに応じて選択されたエッチング剤を用いて行う
ことができる。例えば導電性皮膜が銅である場合には、
塩化第二銅などの酸性エッチング液、アンモニア系エッ
チング液などを用いて行うことができる。このエッチン
グによって現像工程により露出した部分の導電性皮膜を
除去することができる。

【００３２】上記エッチング工程後、次いで本発明の工
程（５）により残存するレジスト層が除去される。これ
によって目的とするプリント基板を得ることができる。
レジスト膜の除去は、レジスト膜を溶解するが、基板及
び基板表面の回路パターンである導電性皮膜を実質的に
侵すことのない溶剤を用いて行うことができ、例えば、
アルカリ又は酸の水溶液や各種の有機溶剤を使用するこ
とができる。

【００３３】

【実施例】以下、実施例により本発明をさらに具体的に
説明する。

【００３４】実施例１ 銅厚１８μｍ、板厚２ｍｍ、大きさ３５０ｍｍ×４６０
ｍｍ角の、銅メッキしたガラス繊維強化エポキシ基板
に、関西ペイント（株）製、可視光レーザー硬化型ネガ
型液状レジスト「ゾンネＬＤＩ」（商品名、アクリル樹
脂系）をバーコータにより乾燥膜厚が１０μｍとなるよ
うに塗装し、６０℃で１０分間乾燥させた後、ポリビニ
ルアルコール（重合度１，７００、Ｔｇ点６５℃、酸素
透過率２×１０^-14 ｃｃ・ｃｍ／ｃｍ² ・ｓｅｃ・ｃｍ
Ｈｇ）の１２％水溶液を乾燥膜厚３μｍになるようにバ
ーコータにてレジスト上に塗布し、６０℃で１０分間乾
燥してカバーコート層を形成した。このレジスト層に可
視光レーザーである、波長４８８ｎｍのＡｒイオンレー
ザーを照射量３ｍｊ／ｃｍ² となる条件でスキャン方式
にて照射し、直接描画によりパターン状に硬化させた。

【００３５】ついで、光照射後のレジスト塗布基板を、
ホットプレートを用いて基板の最高昇温速度１２０℃／
分で２０℃から８０℃まで昇温した。加熱時間は３０秒
間とした。その後、１％炭酸ナトリウム水溶液を現像液
として３０℃で１分間浸漬することにより未露光部分の
レジストを除去し水洗した。ついで塩化第二銅と過酸化
水素を主成分とするエッチング液に５０℃で３分間浸漬
することによって露出した銅メッキ部分を除去して回路
である導電性皮膜パターンを形成した。さらに回路上の
残存レジスト層を４０℃の３％水酸化ナトリウム水溶液
で除去して回路基板を得た。

【００３６】実施例２ 実施例１において、光照射後のレジスト塗布基板の加熱
を、電磁誘導加熱装置を用いて基板の最高昇温速度２４
０℃／分で２０℃から１００℃まで昇温し、加熱時間を
１分間とする以外は、実施例１と同様に行って回路基板
を得た。

【００３７】実施例３ 実施例１において、光照射後のレジスト塗布基板の加熱
を、遠赤外線加熱装置を用いて基板の最高昇温速度８０
℃／分で２０℃から８０℃まで昇温し、加熱時間を３分
間とする以外は、実施例１と同様に行って回路基板を得
た。

【００３８】実施例４ 実施例１において、光照射後のレジスト塗布基板の加熱
を、熱風乾燥機により基板の最高昇温速度４０℃／分で
２０℃から６０℃まで昇温し、加熱時間を１０分間とす
る以外は、実施例１と同様に行って回路基板を得た。

【００３９】実施例５ 実施例１において、光照射後のレジスト塗布基板の加熱
を、ホットプレートにより基板の最高昇温速度１２０℃
／分の速度で２０℃から６０℃まで昇温し、加熱時間を
１分間とする以外は、実施例１と同様に行って回路基板
を得た。

【００４０】実施例６ 実施例１において、カバーコート層を形成せず、かつ露
光を窒素雰囲気下で行う以外は、実施例１と同様に行い
回路基板を得た。

【００４１】実施例７ 実施例１において、可視光レーザー硬化型ネガ型液状レ
ジスト「ゾンネＬＤＩ」を用いてレジスト層を形成する
かわりに、関西ペイント（株）製、紫外線硬化型ネガ型
液状アニオン電着レジスト「ゾンネＥＤＵＶ３７６」
（商品名、アクリル樹脂系）を使用し、銅メッキしたガ
ラス繊維強化エポキシ基板を陽極として、該基板の銅メ
ッキ上に乾燥膜厚が５μｍとなるように電着塗装を行っ
てレジスト層を形成すること、及び可視光レーザーであ
る、波長４８８ｎｍのＡｒイオンレーザーのかわりに、
紫外線レーザーである、波長３２５ｎｍのヘリウム−カ
ドミウムレーザーを使用すること以外は、実施例１と同
様に行い回路基板を得た。

【００４２】実施例８ 銅厚１８μｍ、板厚２ｍｍ、大きさ３５０ｍｍ×４６０
ｍｍ角の、銅メッキしたガラス繊維強化エポキシ基板の
銅メッキ層上に、三菱レーヨン（株）製、可視光レーザ
ー硬化型ドライフィルム「ドライフィルムＦＭＡ−１０
５」（支持フィルム、レジスト層及びカバーコート層か
らなり、厚さ２５μｍ）を用い、支持フィルムを剥し
て、レジスト層及びカバーコート層を形成した。ついで
実施例１と同様にして露光及び加熱処理を行った。つい
でカバーコート層を剥離した後、実施例１と同様にして
現像、エッチング、及び残存レジスト層の除去を行っ
た。

【００４３】実施例１〜８において、現像後のレジスト
パターンを目視にて観察した結果、いずれの回路基板に
おいてもライン／スペース＝１０μｍ／１０μｍまで良
好なレジストパターンが得られた。

【００４４】また実施例１〜７で得られた各回路基板を
走査型電子顕微鏡にて観察した結果、いずれの回路基板
においてもライン／スペース＝１０μｍ／１０μｍの回
路まで形成することが可能であった。

【００４５】比較例１ 実施例１において、光照射後のレジスト塗布基板の加熱
を行わない以外は、実施例１と同様に行って回路基板を
得た。

【００４６】比較例２ 実施例７において、光照射後のレジスト塗布基板の加熱
を行わない以外は、実施例７と同様に行って回路基板を
得た。

【００４７】比較例１及び比較例２において、現像後の
レジストパターンを目視にて観察した結果、いずれもラ
イン／スペース＝１５０μｍ／１５０μｍまで良好なレ
ジストパターンが得られたが、これより細かいレジスト
パターンは現像中に膨潤又は剥離し、安定な形成画像が
得られなかった。また得られた回路基板を走査型電子顕
微鏡にて観察した結果、いずれもライン／スペース＝１
５０μｍ／１５０μｍの回路まで形成することが可能で
あったが、これより細かい回路の形成は不可能であっ
た。

【００４８】

【発明の効果】レーザー光線をネガ型レジストに直接描
画する方法において、本発明方法を用いることによって
露光による硬化に伴う収縮応力が緩和でき、露光後短時
間のうちにレジストの露光部の硬化度を経時による変化
のない一定のものとでき、現像性をバラツキなく優れた
ものとできる。また得られたレジストパターンをエッチ
ングレジストとして使用することにより良好な回路パタ
ーンを有する回路基板を得ることができる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｆ 7/42 Ｇ０３Ｆ 7/42 Ｈ０５Ｋ 3/06 Ｈ０５Ｋ 3/06 Ｅ

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （１）レーザー光線の照射によって硬化
   するレジスト層及び該レジスト層上に必要に応じてカバ
   ーコート層を形成してなる基板のレジスト層にレーザー
   光線を直接描画法によりパターン状に照射してレジスト
   層をパターン状に硬化させる工程、（２）パターン状に
   硬化したレジスト層を有する基板を、５０〜１６０℃の
   温度で１０秒間〜３０分間加熱処理する工程、及び
   （３）加熱処理したレジスト層を現像してレジストパタ
   ーンを形成する工程、を順次行うことを特徴とするレジ
   ストパターン形成方法。
2. 【請求項２】 工程（２）における加熱における最高昇
   温速度が、５０℃／分〜２４０℃／分の範囲である請求
   項１記載のパターン形成方法。
3. 【請求項３】 工程（１）において照射するレーザー光
   線が、可視光レーザーである請求項１又は２記載のパタ
   ーン形成方法。
4. 【請求項４】 基板が表面に導電性皮膜を有する基板で
   あって、請求項１の工程（１）〜（３）を経て得られた
   レジストパターンを形成した基板に、（４）基板上のレ
   ジストパターンが形成されていない露出部をエッチング
   することにより導電性皮膜パターンを形成する工程、及
   び（５）残存するレジスト層を除去する工程、を順次行
   うことを特徴とする導電性皮膜パターン形成方法。