TW201931029A - 用於移除乾膜光阻的剝離組成物及使用所述組成物的剝離方法 - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 108
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 17
- HSNJERRVXUNQLS-UHFFFAOYSA-N 1-(4-tert-butylphenyl)propan-2-one Chemical compound CC(=O)CC1=CC=C(C(C)(C)C)C=C1 HSNJERRVXUNQLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 229940073455 tetraethylammonium hydroxide Drugs 0.000 claims abstract description 15
- LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 14
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 103
- -1 amine compound Chemical class 0.000 claims description 34
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 20
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical group OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 claims description 10
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical group O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- CMGDVUCDZOBDNL-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-2h-benzotriazole Chemical compound CC1=CC=CC2=NNN=C12 CMGDVUCDZOBDNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 3
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract description 34
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-O triethylammonium ion Chemical compound CC[NH+](CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-O 0.000 abstract 1
- 206010040844 Skin exfoliation Diseases 0.000 description 86
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 23
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 22
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 18
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 6
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 5
- 239000006259 organic additive Substances 0.000 description 5
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ULRPISSMEBPJLN-UHFFFAOYSA-N 2h-tetrazol-5-amine Chemical compound NC1=NN=NN1 ULRPISSMEBPJLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 2
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- RHUYHJGZWVXEHW-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dimethyhydrazine Chemical compound CN(C)N RHUYHJGZWVXEHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ASOKPJOREAFHNY-UHFFFAOYSA-N 1-Hydroxybenzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N(O)N=NC2=C1 ASOKPJOREAFHNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXKKHQJGJAFBHI-UHFFFAOYSA-N 1-aminopropan-2-ol Chemical compound CC(O)CN HXKKHQJGJAFBHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GIAFURWZWWWBQT-UHFFFAOYSA-N 2-(2-aminoethoxy)ethanol Chemical compound NCCOCCO GIAFURWZWWWBQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LJDSTRZHPWMDPG-UHFFFAOYSA-N 2-(butylamino)ethanol Chemical compound CCCCNCCO LJDSTRZHPWMDPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MIJDSYMOBYNHOT-UHFFFAOYSA-N 2-(ethylamino)ethanol Chemical compound CCNCCO MIJDSYMOBYNHOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFSVOASYOCHEOV-UHFFFAOYSA-N 2-diethylaminoethanol Chemical compound CCN(CC)CCO BFSVOASYOCHEOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KFJDQPJLANOOOB-UHFFFAOYSA-N 2h-benzotriazole-4-carboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC2=NNN=C12 KFJDQPJLANOOOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCFUJBVZSWTHEG-UHFFFAOYSA-N 4-(2-methylphenyl)-2h-triazole Chemical compound CC1=CC=CC=C1C1=CNN=N1 UCFUJBVZSWTHEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XQHCBHNLRWLGQS-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methylphenyl)-2h-triazole Chemical compound CC1=CC=CC(C2=NNN=C2)=C1 XQHCBHNLRWLGQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZPCIKQLLQORQCV-UHFFFAOYSA-N 4-(4-methylphenyl)-2h-triazole Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1C1=NNN=C1 ZPCIKQLLQORQCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHZGKXUYDGKKIU-UHFFFAOYSA-N Decylamine Chemical class CCCCCCCCCCN MHZGKXUYDGKKIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N N-dimethylaminoethanol Chemical compound CN(C)CCO UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OPKOKAMJFNKNAS-UHFFFAOYSA-N N-methylethanolamine Chemical compound CNCCO OPKOKAMJFNKNAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLINHMUFWFWBMU-UHFFFAOYSA-N Triisopropanolamine Chemical compound CC(O)CN(CC(C)O)CC(C)O SLINHMUFWFWBMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVTYICIALWPMFW-UHFFFAOYSA-N diisopropanolamine Chemical compound CC(O)CNCC(C)O LVTYICIALWPMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940043276 diisopropanolamine Drugs 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 description 1
- 150000002334 glycols Chemical class 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 239000003456 ion exchange resin Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 229920003303 ion-exchange polymer Polymers 0.000 description 1
- 229940102253 isopropanolamine Drugs 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 150000002596 lactones Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- JEUXZUSUYIHGNL-UHFFFAOYSA-N n,n-diethylethanamine;hydrate Chemical compound O.CCN(CC)CC JEUXZUSUYIHGNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000001782 photodegradation Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 235000000346 sugar Nutrition 0.000 description 1
- 150000005846 sugar alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000008163 sugars Chemical class 0.000 description 1
- 150000003464 sulfur compounds Chemical class 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
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- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
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- C11D7/3209—Amines or imines with one to four nitrogen atoms; Quaternized amines
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/50—Solvents
- C11D7/5004—Organic solvents
- C11D7/5022—Organic solvents containing oxygen
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0035—Multiple processes, e.g. applying a further resist layer on an already in a previously step, processed pattern or textured surface
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
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- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
- C11D2111/10—Objects to be cleaned
- C11D2111/14—Hard surfaces
- C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
本發明是有關於一種可藉由在用於移除乾膜光阻的剝離組成物中添加三乙基甲基氫氧化銨（TEMAH）、四乙基氫氧化銨（TEAH）或其混合物而縮短剝離時間、改善剝離強度及置換作為環境違禁物質的四甲基氫氧化銨（TMAH）的技術。
Description
本發明是有關於一種用於移除乾膜光阻的剝離組成物及一種使用所述組成物的剝離方法。
感光性樹脂依據利用光的反應機制而被分類成負型及正型。在負型感光性樹脂的情形中，在被曝光的部分中發生光交聯反應，藉由鹼將未曝光的部分洗滌掉，且留下光阻圖案。在正型感光性樹脂的情形中，在鹼中欲被顯影的被曝光的部分處發生光降解反應，且未曝光的部分剩下以形成光阻圖案。
負型光阻已廣泛地應用於例如液晶面板裝置及大型積體電路（large scale integrated circuit，LSI）等半導體裝置領域。隨著半導體、面板及模組的大小變得越來越細小，對高解析度負型光阻的需求增加了。
在L/S變得越來越窄以達成高解析度的同時，在顯影時造成例如剝離失敗及懸垂（overhang）等問題。現有的無機乾膜光阻（dry film resist，DFR）剝離溶液（例如，KOH及NaOH溶液）在移除乾膜光阻方面具有限制。已使用四甲基氫氧化銨（tetramethyl ammonium hydroxide，TMAH）來改善剝離。
韓國專利公開案第2000-0046480號闡述了光阻移除劑組成物的實例。
本發明的目的是藉由在用於移除乾膜光阻的剝離組成物中包含三乙基甲基氫氧化銨（triethylmethylammonium hydroxide，TEMAH）、四乙基氫氧化銨（tetraethylammonium hydroxide，TEAH）或其混合物而縮短剝離時間、改善剝離強度及置換作為環境違禁物質的TMAH。
根據本發明的態樣，提供一種用於移除乾膜光阻的剝離組成物，所述組成物包含：1重量份至7重量份的三乙基甲基氫氧化銨（TEMAH）、四乙基氫氧化銨（TEAH）或其混合物；1重量份至10重量份的鏈胺化合物；以及1重量份至10重量份的有機溶劑。
根據本發明的實施例，可包含三乙基甲基氫氧化銨化合物。
根據本發明的實施例，可包含1重量份至5重量份的三乙基甲基氫氧化銨或四乙基氫氧化銨化合物。
根據本發明的實施例，鏈胺化合物可為單乙醇胺。
根據本發明的實施例，有機溶劑可為二醇醚。
根據本發明的實施例，二醇醚可為選自二乙二醇單丁醚（diethylene glycol monobutyl ether，DEGBE）及乙二醇單丁醚（ethylene glycol monobutyl ether，EGBE）中的至少一者。
根據本發明的實施例，所述用於移除乾膜光阻的剝離組成物可更包含0.1重量份至0.5重量份的三唑（triazole）化合物或四唑（tetrazole）化合物。
根據本發明的實施例，三唑化合物可為甲苯基三唑。
根據本發明的實施例，用於移除乾膜光阻的剝離組成物中的有機溶劑的濃度可利用動態表面張力（dynamic surface tension，DST）來分析。
根據本發明的另一態樣，提供一種用於剝離乾膜光阻的方法，所述方法包括：層壓乾膜於上面形成有預定電路圖案的基板上；將經層壓的所述乾膜局部地曝光以形成乾膜被曝光部分及乾膜未曝光部分；對所述乾膜未曝光部分進行顯影並移除以形成開口；以及使所述乾膜被曝光部分接觸用於移除乾膜光阻的剝離組成物。
根據本發明的實施例，所述剝離方法可更包括在所述接觸步驟之後對乾膜光阻殘留物進行洗滌。
根據本發明的實施例，所述使所述乾膜被曝光部分接觸用於移除乾膜光阻的剝離組成物可進行3小時或少於3小時。
根據本發明的實施例，用於移除乾膜光阻的剝離組成物可包含三乙基甲基氫氧化銨（TEMAH）、四乙基氫氧化銨（TEAH）或其混合物，以縮短剝離時間並改善剝離強度。
另外，用於移除乾膜光阻的剝離組成物中的TMAH可被替換為環境友好型的並防止蝕刻鍍覆位點及基板表面，所述蝕刻為與TMAH相關聯的副作用。
因此，藉由使用根據本發明的用於移除乾膜光阻的剝離組成物，可在將接觸剝離溶液的金屬層的腐蝕最小化的同時在短時間內完全移除乾膜光阻。
在更詳細地闡述本發明之前，應理解說明書及申請專利範圍中所使用的用詞或用語不應在傳統意義或字典意義上理解，而是應根據符合本發明的技術理念的意義及概念且基於用語的概念可被恰當地定義為將所述用語闡述為本發明的最佳方式的原理來進行解釋。
儘管已參照特定實施例闡述了本揭露，然而應理解在不背離由隨附申請專利範圍及其等效範圍界定的本揭露的精神及範圍的條件下熟習此項技術者可作出各種改變及修改。
藉由參照附圖在本揭露的詳細示例性實施例中進行闡述，本揭露的以上及其他目的、特徵及優點將對此項技術中具有通常知識者變得更顯而易見。本揭露的說明通篇中，當闡述某一技術被確定為回避本揭露的要點時，將省略相關的詳細說明。
根據本發明示例性實施例的一種用於移除乾膜光阻的剝離組成物包含1重量份至7重量份的四烷基氫氧化銨化合物、1重量份至10重量份的鏈胺化合物及1重量份至10重量份的有機溶劑。四烷基氫氧化銨化合物
根據本發明示例性實施例的用於移除乾膜光阻的剝離組成物中的四烷基氫氧化銨化合物是三乙基甲基氫氧化銨（TEMAH）、四乙基氫氧化銨（TEAH）化合物或其混合物。
根據本發明的三乙基甲基氫氧化銨（TEMAH）及四乙基氫氧化銨（TEAH）化合物的剝離強度堪比四甲基氫氧化銨（TMAH）的剝離強度（圖1）。
具體而言，三乙基甲基氫氧化銨（TEMAH）的剝離強度在低濃度下優於四甲基氫氧化銨（TMAH）的剝離強度。
另外，三乙基甲基氫氧化銨（TEMAH）的剝離速度優於四甲基氫氧化銨（TMAH）的剝離速度。具體而言，當使用包含四甲基氫氧化銨（TMAH）的用於移除乾膜光阻的傳統剝離組成物來剝離乾膜光阻時，在24小時之後不會發生剝離，而使用本發明的包含三乙基甲基氫氧化銨（TEMAH）的用於移除乾膜光阻的剝離組成物來剝離乾膜光阻時，可自30分鐘發生剝離且在2小時至3小時內完成剝離（圖4）。
剝離組成物中的四烷基氫氧化銨化合物的量無特別限制，但可為1重量份至7重量份、較佳為1重量份至6重量份、更佳為1重量份至5重量份、更佳為1重量份至4重量份以及最佳為1重量份至2重量份。若氫氧化物化合物的量少於1重量份，則可能由於滲入構成乾膜光阻的聚合物中的能力劣化而難以完全移除乾膜光阻。若氫氧化物化合物的量超過7重量份，則金屬膜可能受到腐蝕。鏈胺化合物
根據本發明示例性實施例的用於移除乾膜光阻的剝離組成物中的鏈胺化合物可為選自由以下組成的群組中的至少一者：單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、丙醇胺、二丙醇胺、三丙醇胺、異丙醇胺、二異丙醇胺、三異丙醇胺、2-(2-胺基乙氧基)乙醇、2-(2-胺基乙基胺基)乙醇、N,N-二甲基乙醇胺、N,N-二乙基乙醇胺、N-甲基乙醇胺、N-乙基乙醇胺及N-丁基乙醇胺，且最佳為單乙醇胺。
剝離組成物中的鏈胺化合物的量無特別限制，但是可為1重量份至10重量份、較佳為1重量份至8重量份。若鏈胺化合物的量少於1重量份，則可能難以完全移除乾膜光阻。若所述量超過10重量份，則剝離組成物中所包含的其他組分的量可能減少，因而使得移除乾膜光阻的時間可能延長，可能產生氣泡，且可能腐蝕金屬膜。有機溶劑
根據本發明實施例的用於移除乾膜光阻的剝離組成物中的有機溶劑可為水溶性有機溶劑，其選自由醇、二醇、二醇醚、內酯、內醯胺、酮及酯、以及二或更多者的混合物組成的群組，且最佳為二醇醚。
二醇醚滲入剝離組成物的有機聚合物中以提高溶解度且增大在後清潔中的清潔能力。
二醇醚可為選自二乙二醇單丁醚（DEGBE）及乙二醇單丁醚（EGBE）中的至少一者，但並非僅限於此（圖2）。
剝離組成物中的有機溶劑的量無特別限制，但是可為1重量份至10重量份、較佳為2重量份至7重量份或更佳為2重量份至6重量份。若所使用的有機溶劑的量少於1重量份，則可能難以完全移除乾膜光阻。若所述量超過10重量份，則剝離組成物中所包含的其他組分的量可能減少，因而使得移除乾膜光阻的時間可能延長，可能產生氣泡，且可能腐蝕金屬膜。
另外，根據本發明的剝離組成物可更包含以下組分中的至少一者。蝕刻抑制劑
根據本發明示例性實施例的用於移除乾膜光阻剝離組成物可包含蝕刻抑制劑。
蝕刻抑制劑防止損壞下部膜且防止蝕刻接觸剝離組成物的金屬材料。
蝕刻抑制劑可選自由醣類、糖醇、芳香族羥基化合物、炔醇（acetylenic alcohol）、羧酸及其酸酐、5-胺基四唑（5-aminotetrazole，5-AT）、聚乙二醇（polyethylene glycol，PEG）及三唑化合物組成的群組。
蝕刻抑制劑可為三唑化合物。三唑化合物可選自由甲苯基三唑、苯並三唑、鄰甲苯基三唑、間甲苯基三唑、對甲苯基三唑、羧基苯並三唑、1-羥基苯並三唑、丙基苯並三唑等組成的群組。
就蝕刻抑制而言，可適宜地使用甲苯基三唑（tolyltriazole，TTA）作為所述三唑化合物。
剝離組成物中的三唑化合物的量無特別限制，但是可為0.1重量份至0.5重量份。當三唑化合物的量少於0.1重量份時，可能無法恰當地發揮蝕刻抑制劑在包含胺化合物的用於移除乾膜光阻的剝離組成物中的作用。若所述量超過0.5重量份，則剝離組成物中所包含的其他組分的量可能減少，因而使得無法完全移除乾膜光阻且可能降低經濟效率。純水（ H2
O ）
根據本發明示例性實施例的用於移除乾膜光阻的剝離組成物中的純水可為藉由離子交換樹脂而過濾的且電阻率為18（百萬歐姆，MΩ）或更高的純水。
在剝離組成物中所使用的純水的量無特別限制，但是可為不受以上所述的其他組分的組成比影響的量。若所述量太低，則剝離組成物的黏度可增大，從而造成剝離組成物的滲透性及釋放能力降低。若所述量太高，則剝離組成物可能被過度稀釋，且剝離能力可能被劣化。極性溶劑
在本發明中所使用的極性溶劑可為例如二甲基亞碸等硫化合物或例如n-甲基吡咯啶酮等烷基吡咯啶酮。
以下，將闡述根據本發明的一種剝離方法。
一種用於使用根據本發明代表性實施例的剝離組成物來剝離乾膜光阻的方法藉由圖9的圖來示出。
將乾膜20層壓於上面形成有預定電路圖案10的基板100上，且將經層壓的乾膜20局部地曝光以形成乾膜被曝光部分22及乾膜未曝光部分21。
利用顯影溶液來移除乾膜未曝光部分21以形成開口，且在開口的電路圖案10上形成焊球30。
接著，利用本發明的用於移除乾膜光阻的剝離組成物來移除乾膜被曝光部分22。
藉由使用本發明的剝離組成物，可將乾膜被曝光部分22的下部層上存在的電路圖案10以及電路圖案10上的焊球30的腐蝕最小化並完全移除乾膜被曝光部分22。
此外，用於剝離乾膜光阻的方法可更包括在移除乾膜被曝光部分22之後對乾膜光阻殘留物進行洗滌。
由於乾膜被曝光部分22的殘留物在移除乾膜被曝光部分22的製程期間未溶解於剝離組成物中，因此可重覆使用剝離組成物。
此外，使乾膜被曝光部分接觸用於移除乾膜光阻的剝離組成物可執行少於5小時、少於3小時或少於2小時。
圖4是示出藉由根據本發明實施例的用於移除乾膜光阻的剝離組成物而提高的剝離速度的圖表。
參照圖4，當使用包含四甲基氫氧化銨（TMAH）的用於移除乾膜光阻的傳統剝離組成物（比較例）來剝離乾膜光阻時，在24小時之後不發生剝離。另一方面，當使用本發明的包含三乙基甲基氫氧化銨（TEMAH）的用於移除乾膜光阻的剝離組成物來剝離乾膜光阻時，可自30分鐘發生剝離且在2小時至3小時內完成。
用於移除乾膜光阻的傳統剝離組成物（比較例）是產品NRS-J（NR G&C公司），其包括TMAH、單乙醇胺（monoethanolamine，MEA）及N-甲基吡咯啶酮（N-methylpyrrolidone，NMP）。
以下，將參照實例及比較例更詳細地闡述本發明。然而，本發明的範圍不受以下示例性實施例限制。實例 1 至實例 12
藉由使用下表1中的組分及量在室溫（25℃）下攪拌約2小時而製備了實例1至實例12的用於移除乾膜光阻的剝離組成物。
為了量測實例1至實例12的用於移除乾膜光阻的剝離組成物的剝離強度，將乾膜光阻的圖案達成為線（L）/空間（S）=1微米/3微米，且接著執行了電解鍍銅以形成銅配線。將所得物在50℃下在剝離組成物中浸沒了2分鐘以剝離乾膜光阻。藉由螢光顯微鏡確定出被剝離/未剝離的網目（stripped/unstrapped mesh）。將剝離強度與圖案總數中未剝離的剩餘圖案的數目進行了比較，且結果示於表1及圖1中。
圖1是示出藉由根據本發明實施例的用於移除乾膜光阻的剝離組成物而得到改善的剝離強度的曲線圖。比較例 1 至比較例 12
藉由使用下表1中的組分及量在室溫（25℃）下攪拌約2小時而製備了比較例1至比較例12的用於移除乾膜光阻的剝離組成物。
為了量測比較例1至比較例12的用於移除乾膜光阻的剝離組成物的剝離強度，將乾膜光阻的圖案達成為線（L）/空間（S）=1微米/3微米，且接著執行了電解鍍銅以形成銅配線。將所得物在50℃下在剝離組成物中浸沒了2分鐘以剝離乾膜光阻。藉由螢光顯微鏡確定出被剝離/未剝離的網目。將剝離強度與圖案總數中未剝離的剩餘圖案的數目進行了比較，且結果示於表1及圖1中。
表1 實例 13 至實例 24
將4重量%的TEMAH、4重量%的MEA及表2所示量的有機溶劑在室溫（25℃）下攪拌了約2小時以提供實例13至實例24的用於移除乾膜光阻的剝離組成物。
為了量測實例13至實例24的用於移除乾膜光阻的剝離組成物的剝離強度，將乾膜光阻的圖案達成為線（L）/空間（S）=1微米/3微米，且接著執行了電解鍍銅以形成銅配線。將所得物在50℃下在剝離組成物中浸沒了2分鐘以剝離乾膜光阻。藉由螢光顯微鏡確定出被剝離/未剝離的網目。將剝離強度與圖案總數中未剝離的剩餘圖案的數目進行了比較，且結果示於表2及圖2中。
圖2是示出基於根據本發明實施例的用於移除乾膜光阻的剝離組成物中的有機溶劑的剝離強度的曲線圖。比較例 13 至比較例 24
將4重量%的TEMAH、4重量%的MEA及表2所示量的有機溶劑在室溫（25℃）下攪拌了約2小時以提供比較例13至比較例24的用於移除乾膜光阻的剝離組成物。
為了量測比較例13至比較例24的用於移除乾膜光阻的剝離組成物的剝離強度，將乾膜光阻的圖案達成為線（L）/空間（S）=1微米/3微米，且接著執行了電解鍍銅以形成銅配線。將所得物在50℃下在剝離組成物中浸沒了2分鐘以剝離乾膜光阻。藉由螢光顯微鏡確定出被剝離/未剝離的網目。將剝離強度與圖案總數中未剝離的剩餘圖案的數目進行了比較，且結果示於表2及圖2中。
表2 實例 25 至實例 56
藉由使用下表3中的組分及量在室溫（25℃）下攪拌約2小時而製備了實例25至實例56的用於移除乾膜光阻的剝離組成物。
為了量測實例25至實例56的用於移除乾膜光阻的剝離組成物的剝離強度，將乾膜光阻的圖案達成為線（L）/空間（S）=1微米/3微米，且接著執行了電解鍍銅以形成銅配線。將所得物在50℃下在剝離組成物中浸沒了2分鐘以剝離乾膜光阻。藉由螢光顯微鏡確定出被剝離/未剝離的網目。將剝離強度與圖案總數中未剝離的剩餘圖案的數目進行了比較，且結果示於表3及圖3中。
圖3是示出基於根據本發明實施例的用於移除乾膜光阻的剝離組成物中的組分濃度的剝離強度的曲線圖。
表3： 實例 57 至實例 74
將4重量%的TEMAH、7重量%的MEA、7重量%的DEGBE及表4所示量的有機溶劑在室溫（25℃）下攪拌了約2小時以提供實例57至實例74的用於移除乾膜光阻的剝離組成物。
對使用實例57至實例74的用於移除乾膜光阻的剝離組成物發生的蝕刻率（微米）進行了比較並示於表4中。比較例 25 至比較例 34
將4重量%的TEMAH、7重量%的MEA、7重量%的DEGBE及表4所示量的有機溶劑在室溫（25℃）下攪拌了約2小時以提供比較例25至比較例34的用於移除乾膜光阻的剝離組成物。
對使用比較例25至比較例34的用於移除乾膜光阻的剝離組成物發生的蝕刻率（微米）進行了比較並示於表4中。
表4 量測具有蝕刻抑制劑的剝離強度及不具有蝕刻抑制劑的剝離強度
確定向包含4重量%的TEMAH、7重量%的MEA及7重量%的DEGBE的用於移除乾膜光阻的剝離組成物中添加蝕刻抑制劑對乾膜光阻的剝離強度的影響。
在55℃下向用於移除乾膜光阻的剝離組成物中添加了蝕刻抑制劑，且藉由浸漬確定出剝離時間。將此剝離時間與當不添加蝕刻抑制劑時確定的剝離時間進行了比較。結果示於圖5中。
如圖5所示，當向用於移除乾膜光阻的剝離組成物（實例）中添加蝕刻抑制劑時，會抑制蝕刻，但剝離強度與不添加蝕刻抑制劑時的剝離強度相似。亦即，應注意，剝離時間小於10分鐘且蝕刻率為0.04微米。
另一方面，如圖5所示，應注意，用於移除乾膜光阻的傳統剝離組成物（比較例）即使在10分鐘之後亦不會被剝離。根據剝離次數而進行的蝕刻效果分析
進行聚焦離子束（focused ion beam，FIB）分析以判斷蝕刻效果是否根據剝離次數（1次、3次、5次）變化，且結果示於圖6中。
如圖6所示，在使用包含4重量%的TEMAH、7重量%的MEA及7重量%的DEGBE的用於移除乾膜光阻的剝離組成物（實例）的情形中，隨著剝離次數增加蝕刻效果並不存在顯著的差異。然而，在使用用於移除乾膜光阻的傳統剝離組成物（比較例）的情形中，隨著剝離次數增加，頂部寬度減小，且剝離的次數影響蝕刻效果。有機添加劑的濃度分析
沒有分析方法來分析作為用於剝離光阻層的剝離組成物中的有機添加劑的二醇醚的濃度。
利用動態表面張力（dynamic surface tension，DST）方法對二醇醚的表面張力進行了量測。發現了表面張力與二醇醚的濃度成比例變化（圖7）。藉此，確認到可對用於移除乾膜光阻的剝離組成物中的有機添加劑的濃度進行監測。
亦判斷在向用於移除乾膜光阻的剝離組成物中添加蝕刻抑制劑（TTA或5-AT）的情況下是否可藉由DST方法對有機添加劑的濃度進行監測。
確定出在向用於移除乾膜光阻的剝離組成物中添加蝕刻抑制劑之前及之後，表面張力恆定不變。因此，確認到即使當其中包含蝕刻抑制劑時亦可藉由DST方法對有機添加劑的濃度進行監測（圖8A及圖8B）。
儘管已參照特定實施例闡述了本發明，然而應理解在不背離由隨附申請專利範圍及其等效範圍界定的本文中的實施例的精神及範圍的條件下，熟習此項技術者可作出各種改變及修改。因此，本文所述的實例僅用於闡釋，且並不旨在限制本揭露。本揭露的範圍應藉由以下申請專利範圍來解釋，且應理解，與以下申請專利範圍等效的全部精神皆落在本揭露的範圍內。
10‧‧‧電路圖案
20‧‧‧乾膜
21‧‧‧乾膜未曝光部分
22‧‧‧乾膜被曝光部分
30‧‧‧焊球
100‧‧‧基板
圖1是示出藉由根據本發明實施例的用於移除乾膜光阻的剝離組成物而得到改善的剝離強度的曲線圖。 圖2是示出基於根據本發明實施例的用於移除乾膜光阻的剝離組成物中的有機溶劑的剝離強度的曲線圖。 圖3是示出基於根據本發明實施例的用於移除乾膜光阻的剝離組成物中的組分濃度的剝離強度的曲線圖。 圖4是示出藉由根據本發明實施例的用於移除乾膜光阻的剝離組成物而提高的剝離速度的圖表。 圖5是示出即使當向根據本發明實施例的用於移除乾膜光阻的剝離組成物中添加蝕刻抑制劑時，剝離強度亦不會受到影響的圖表。 圖6是示出藉由使用根據本發明實施例的用於移除乾膜光阻的剝離組成物，即使當增加剝離次數時蝕刻效果亦不存在顯著差異的圖表。 圖7是示出對根據本發明實施例的用於移除乾膜光阻的剝離組成物中的有機溶劑的濃度進行分析的結果的圖。 圖8A及圖8B是示出即使當向根據本發明實施例的用於移除乾膜光阻的剝離組成物中添加蝕刻抑制劑時，亦可對所述剝離組成物中的有機溶劑的濃度進行分析的圖。 圖9是示出一種使用根據本發明實施例的用於移除乾膜光阻的剝離組成物來剝離乾膜光阻的方法的圖。
Claims (12)
- 一種用於移除乾膜光阻的剝離組成物，包含： 1重量份至7重量份的三乙基甲基氫氧化銨（TEMAH）、四乙基氫氧化銨（TEAH）或其混合物； 1重量份至10重量份的鏈胺化合物；以及 1重量份至10重量份的有機溶劑。
- 如申請專利範圍第1項所述的用於移除乾膜光阻的剝離組成物，包含三乙基甲基氫氧化銨化合物。
- 如申請專利範圍第1項所述的用於移除乾膜光阻的剝離組成物，包含1重量份至5重量份的三乙基甲基氫氧化銨或四乙基氫氧化銨化合物。
- 如申請專利範圍第1項所述的用於移除乾膜光阻的剝離組成物，其中所述鏈胺化合物是單乙醇胺。
- 如申請專利範圍第1項所述的用於移除乾膜光阻的剝離組成物，其中所述有機溶劑是二醇醚。
- 如申請專利範圍第5項所述的用於移除乾膜光阻的剝離組成物，其中所述二醇醚是二乙二醇單丁醚（DEGBE）及乙二醇單丁醚（EGBE）中的至少一者。
- 如申請專利範圍第1項所述的用於移除乾膜光阻的剝離組成物，更包含0.1重量份至0.5重量份的三唑化合物或四唑化合物。
- 如申請專利範圍第7項所述的用於移除乾膜光阻的剝離組成物，其中所述三唑化合物是甲苯基三唑。
- 如申請專利範圍第1項所述的用於移除乾膜光阻的剝離組成物，其中所述有機溶劑的濃度是利用動態表面張力（DST）來分析。
- 一種用於剝離乾膜光阻的方法，包括： 層壓乾膜於上面形成有預定電路圖案的基板上； 將經層壓的所述乾膜局部地曝光以形成乾膜被曝光部分及乾膜未曝光部分； 對所述乾膜未曝光部分進行顯影並移除以形成開口；以及 使所述乾膜被曝光部分接觸如申請專利範圍第1項至第9項中任一項所述的用於移除乾膜光阻的剝離組成物。
- 如申請專利範圍第10項所述的用於剝離乾膜光阻的方法，更包括在所述接觸之後對乾膜光阻殘留物進行洗滌。
- 如申請專利範圍第10項所述的用於剝離乾膜光阻的方法，其中使所述乾膜被曝光部分接觸用於移除乾膜光阻的剝離組成物進行3小時或少於3小時。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180001327A KR102029442B1 (ko) | 2018-01-04 | 2018-01-04 | 드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물 및 이를 이용한 드라이필름 레지스트의 박리방법 |
| KR10-2018-0001327 | 2018-01-04 | ||
| ??10-2018-0001327 | 2018-01-04 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201931029A true TW201931029A (zh) | 2019-08-01 |
| TWI795433B TWI795433B (zh) | 2023-03-11 |
Family
ID=67254264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW107130778A TWI795433B (zh) | 2018-01-04 | 2018-09-03 | 用於移除乾膜光阻的剝離組成物及使用所述組成物的剝離方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7160238B2 (zh) |
| KR (1) | KR102029442B1 (zh) |
| TW (1) | TWI795433B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7042503B2 (ja) * | 2019-06-28 | 2022-03-28 | 京楽産業．株式会社 | 遊技機 |
| JP7042504B2 (ja) * | 2019-06-28 | 2022-03-28 | 京楽産業．株式会社 | 遊技機 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101488265B1 (ko) * | 2007-09-28 | 2015-02-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박리 조성물 및 박리 방법 |
| WO2009078123A1 (ja) * | 2007-12-17 | 2009-06-25 | Sanyo Chemical Industries, Ltd. | 電子材料用洗浄剤及び洗浄方法 |
| CN103869635A (zh) * | 2012-12-10 | 2014-06-18 | 安集微电子科技(上海)有限公司 | 一种去除光刻胶的清洗液 |
| KR101420571B1 (ko) * | 2013-07-05 | 2014-07-16 | 주식회사 동진쎄미켐 | 드라이필름 레지스트 박리제 조성물 및 이를 이용한 드라이필름 레지스트의 제거방법 |
| JP6464578B2 (ja) * | 2013-08-01 | 2019-02-06 | 三菱瓦斯化学株式会社 | プリント配線板の製造方法 |
| US20150219996A1 (en) * | 2014-02-06 | 2015-08-06 | Dynaloy, Llc | Composition for removing substances from substrates |
| KR20170097256A (ko) * | 2016-02-17 | 2017-08-28 | 삼성전기주식회사 | 드라이필름 레지스트 박리제 조성물 및 이를 이용한 드라이필름 레지스트의 제거방법 |
| US10073352B2 (en) * | 2016-04-12 | 2018-09-11 | Versum Materials Us, Llc | Aqueous solution and process for removing substances from substrates |
-
2018
- 2018-01-04 KR KR1020180001327A patent/KR102029442B1/ko active IP Right Grant
- 2018-09-03 JP JP2018164122A patent/JP7160238B2/ja active Active
- 2018-09-03 TW TW107130778A patent/TWI795433B/zh active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI795433B (zh) | 2023-03-11 |
| KR20190083545A (ko) | 2019-07-12 |
| JP2019120926A (ja) | 2019-07-22 |
| KR102029442B1 (ko) | 2019-10-08 |
| JP7160238B2 (ja) | 2022-10-25 |
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