JP4522408B2 - マイクロエレクトロニクス用のストリッピングおよび洗浄組成物 - Google Patents
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Description
本発明は、マイクロエレクトロニクスの基板を洗浄するための方法および、水性のエッチング後および/またはフォトレジスト灰の残渣の洗浄組成物に関する。本発明の組成物は、かかるマイクロエレクトロニクスの基板が洗浄および続く水性のすすぎにかけられるときに、金属の保護の増強、即ち、腐食の阻害をもたらす。
マイクロエレクトロニクスの分野で製造ラインの下流またはバックエンドの洗浄剤として使用するための、多数のフォトレジストストリッパーおよび残渣除去剤が提唱されてきた。製造工程では、フォトレジストの薄膜を基板材料に堆積させ、次いで回路設計を薄膜上で画像化する。焼付けに続き、露光したレジストをフォトレジスト現像剤で除去する。次いで、生じる画像を、プラズマエッチングガスまたは化学腐食液により、一般的に誘電体または金属である下層の材料に転写する。腐食ガスまたは化学腐食液は、基板のフォトレジスト非保護領域を選択的に攻撃する。プラズマエッチング工程の結果、フォトレジストおよびエッチングされた材料の副産物が、基板およびフォトレジストのエッチングされた開口部の側壁周辺または側壁上に残渣として堆積する。
本発明は、マイクロエレクトロニクスの基板を洗浄するための水性洗浄組成物を提供する。それは、そのような基板を本質的に完全に洗浄でき、本質的にそのような基板の金属要素に金属腐食をもたらさず、そしてそのことを、先行技術のアルカリ含有洗浄組成物に必要とされる洗浄時間と比較して比較的短い洗浄時間および比較的低い温度で行う。本発明はまた、マイクロエレクトロニクスの基板、特にFPDマイクロエレクトロニクスの基板を、マイクロエレクトロニクスの基板の金属要素の重大な金属腐食をもたらさずに洗浄するための、そのような水性洗浄組成物の使用方法を提供する。本発明の水性洗浄組成物は、(a)水、(b)少なくとも1種のアンモニウムまたは第四級アンモニウムイオン、および(c)少なくとも1種の次亜リン酸(H2PO2 −)または亜リン酸(HPO3 2−)イオンを含む。アンモニウムおよび第四級アンモニウムイオンの両方が本発明の組成物中に存在してよく、また次亜リン酸および亜リン酸イオンの両方が本発明の組成物中に存在してもよいことが理解される。本発明のさらなる実施態様では、本発明の洗浄組成物は、好ましくはフッ化物イオンも含有する。本発明の洗浄組成物は、例えば、界面活性剤、金属錯体化またはキレート化剤、有機溶媒などの他の成分を組成物中に存在させることもある。本発明の洗浄および残渣除去組成物は、マイクロエレクトロニクスの基板の洗浄に特に適する。
本発明の水性洗浄組成物は、組成物重量の一般的に約60%ないし約99.5%、好ましくは約75%ないし約99%、より好ましくは約80%ないし約98%、最も好ましくは約83%ないし約98%の量で水を含有する。
次亜リン酸アンモニウム、DI水および50:1HFを混合し、次亜リン酸アンモニウム2重量%、水98重量%およびフッ化物イオン100ppmの溶液とし、本発明の洗浄組成物を得た。溶液のpHは4.3であった。所定の量のこの溶液をビーカーに入れ、45℃にした。TiN/Al/TiN/PTEOS層を有するパターン化されたシリコンウエハのサンプルを、加熱した溶液中に規定の時間置き、その後取り出し、DI水ですすぎ、窒素を吹き付けて乾燥させた。洗浄されたウエハサンプルの走査型電子顕微鏡写真(SEM)を撮り、灰の除去およびアルミニウム金属腐食の程度について評価した。表1の結果は、本発明の組成物の洗浄および比較的非腐食性の性質を立証する。
表1
実施例1−5で用いた溶液を、次の実施例6−10でも用いた。実施例6−10で用いたウエハは、実施例1−5で用いたタイプのウエハであり、PTEOSを貫通し下層のTiN層の上で止まるビア(via)をパターン化したものであった。洗浄溶液は、実施例1−5のものと同じであった。ウエハを加熱(45℃)溶液中に規定の時間置き、その後取り出し、DI水ですすぎ、窒素を吹き付けて乾燥させた。洗浄されたウエハサンプルの走査型電子顕微鏡写真(SEM)を撮り、灰の除去およびアルミニウム金属腐食の程度について評価した。結果を表2に報告する。これは、より長い洗浄時間で用いると、本発明の組成物の攻撃性が増していくことを示している。
表2
実施例1−5で用いたものと同じタイプのパターン化されたウエハを、実施例11および12で用いた。用いた洗浄溶液は実施例1−5で用いたものであったが、それにグリセロールが組成物の約10重量%を構成する量でグリセロールを添加した。溶液は、依然としてpH4.3であった。ウエハを加熱(45℃)溶液中に規定の時間置き、その後取り出し、DI水ですすぎ、窒素を吹き付けて乾燥させた。洗浄されたウエハサンプルの走査型電子顕微鏡写真(SEM)を撮り、灰の除去およびアルミニウム金属腐食の程度について評価した。結果を表3に報告する。これは、アルミニウム腐食のさらに約10%の低減を示す。
表3
実施例6−10で用いたものと同じタイプのビアのあるウエハを、実施例13および14で用いた。用いた洗浄溶液は、実施例11および12で用いたものであった。ウエハを加熱(45℃)溶液中に規定の時間置き、その後取り出し、DI水ですすぎ、窒素を吹き付けて乾燥させた。洗浄されたウエハサンプルの走査型電子顕微鏡写真(SEM)を撮り、灰の除去およびアルミニウム金属腐食の程度について評価した。結果を表4に報告する。これは、先の表2の結果により示されたように組成物がより攻撃的な洗浄剤であるとき、延長された洗浄時間でさえ、アルミニウム腐食がさらに有意に低減されることを示す。
表4
実施例15では、用いたウエハは実施例1−5で記載したウエハと同じであり、実施例16では、用いたビアのあるウエハは実施例6−10で記載したウエハと同じであった。用いた洗浄組成物は、先の実施例で記載したタイプのものであったが、過酸化水素を添加したものであった。洗浄溶液は、次亜リン酸アンモニウム1.8重量%、水88.4重量%、グリセロール8.8重量5、過酸化水素0.6重量%およびわずかに100ppmより少ないフッ化物イオンで構成され、pH4.3であった。ウエハを加熱(45℃)溶液中に規定の時間置き、その後取り出し、DI水ですすぎ、窒素を吹き付けて乾燥させた。洗浄されたウエハサンプルの走査型電子顕微鏡写真(SEM)を撮り、灰の除去およびアルミニウム金属腐食の程度について評価した。結果を表5に報告する。これは、アルミニウム腐食が両タイプのウエハでさらに有意に低減することを示す。
表5
以下の組成を有する本発明の組成物を調製した:DI水100g、1.0%フッ化水素酸25.0g、24.96%テトラメチル水酸化アンモニウム水溶液4.27g、グリセロール20.0g、次亜リン酸ナトリウム一水和物(Alfa Aesar より)2.0gおよびTritonX-100 界面活性剤0.08重量5。この組成物は、室温でpH約6.0であった。PTEOS/TiN/Al−0.5%Cu層を有し、PTEOSを貫通し下層のTiN層の上で止まるビアをパターン化したウエハサンプルをプラズマ灰化し、ビアエッチング後のバルクのフォトレジストを除去した。ウエハを洗浄溶液中で20分間25℃で処理した。5:1縦横比(高さ:幅)の0.18ミクロン幅のビアの横断面のSEMによる検査は、ビアが完全にきれい(clean)であり残渣を含有しないことを示した。
以下の組成の本発明の洗浄組成物を調製した:DI水100.00g、1%フッ化水素酸水溶液25.54g、25.08%テトラメチル水酸化アンモニウム水溶液5.96g、グリセロール60.00gおよび次亜リン酸アンモニウム(97%、Fluka より)2.00g。組成物は25℃でpH8.36であった。TiN/Al−0.5%Cu/TiN/Ti/sog層を有する1ミクロン幅の線(features)でパターン化された金属ラインのウエハサンプルを、プラズマ灰化し、金属エッチング後のバルクのフォトレジストを除去した。ウエハを洗浄組成物中で2分間、30℃で処理した。SEM検査は99.5%の残渣除去を示し、観察可能な金属腐食はなかった。
次亜リン酸アンモニウムとDI水を混合することにより本発明の洗浄組成物を調製し、次亜リン酸アンモニウムと水のみを含む溶液を得た。TiN/Al/TiN/PTEOS層を有するパターン化されたシリコンウエハサンプルを、洗浄組成物の加熱溶液中に15分間置き、その後取り出し、DI水ですすぎ、窒素を吹き付けて乾燥させた。次いで、洗浄されたウエハを灰残渣の除去(0=除去なしから、10+100%の除去まで)およびアルミニウムの腐食(0=腐食なしから、10=激しい腐食まで)について評価した。次亜リン酸アンモニウムの割合、溶液のpH、ウエハを置いた加熱溶液の温度並びにアルミニウムの腐食および灰の除去の結果を、表6に記す。
表6
次亜リン酸および亜リン酸、水酸化アンモニウムおよびDI水を混合することにより、本発明の洗浄組成物を調製した。TiN/Al/TiN/PTEOS層を有するパターン化されたシリコンウエハサンプルを、45℃に加熱した洗浄組成物溶液中に15分間置き、その後取り出し、DI水ですすぎ、窒素を吹き付けて乾燥させた。次いで、洗浄されたウエハを灰残渣の除去(0=除去なしから、10=100%の除去まで)およびアルミニウムの腐食(0=腐食なしから、10=激しい腐食まで)について評価した。各々の亜リン酸の割合、溶液のpH並びにアルミニウムの腐食および灰の除去の結果を表7に示す。
表7
亜リン酸、水酸化アンモニウムおよびDI水のみを混合することにより本発明の洗浄組成物を調製した。TiN/Al/TiN/PTEOS層を有するパターン化されたシリコンウエハサンプルを、45℃に加熱した洗浄組成物溶液中に15分間置き、その後取り出し、DI水ですすぎ、窒素を吹き付けて乾燥させた。次いで、洗浄されたウエハを灰残渣の除去(0=除去なしから、10=100%の除去まで)およびアルミニウムの腐食(0=腐食なしから、10=激しい腐食まで)について評価した。亜リン酸の割合、溶液のpH並びにアルミニウムの腐食および灰の除去の結果を表8に示す。
表8
亜リン酸(最終濃度2%)、DI水、および選択された強塩基を混合しておおよそpH=4.5とすることにより、本発明の洗浄組成物を調製した。これらの塩基は、テトラメチル水酸化アンモニウム(TMAH)、テトラエチル水酸化アンモニウム(TEAH)、テトラプロピル水酸化アンモニウム(TPAH)、テトラブチル水酸化アンモニウム(TBAH)、セチルトリメチル水酸化アンモニウム(CTMAH)およびテトラエタノール水酸化アンモニウム(TEtOHAH)であった。TiN/Al/TiN/PTEOS層を有するパターン化されたシリコンウエハサンプルを、45℃に加熱した洗浄組成物溶液中に15分間置き、その後取り出し、DI水ですすぎ、窒素を吹き付けて乾燥させた。次いで、洗浄されたウエハを灰残渣の除去(0=除去なしから、10=100%の除去まで)およびアルミニウムの腐食(0=腐食なしから、10=激しい腐食まで)について評価した。上記の塩基の略号、溶液のpH並びにアルミニウムの腐食および灰の除去の結果を表9に示す。
表9
亜リン酸、水酸化アンモニウム、カテコール有りおよび無し、およびDI水を混合することにより、本発明の洗浄組成物を調製した。TiN/Al/TiN/PTEOS層を有するパターン化されたシリコンウエハサンプルを、35℃に加熱した洗浄組成物溶液中に10分間置き、その後取り出し、DI水ですすぎ、窒素を吹き付けて乾燥させた。次いで、洗浄されたウエハを灰残渣の除去(0=除去なしから、10=100%の除去まで)およびアルミニウムの腐食(0=腐食なしから、10=激しい腐食まで)について評価した。亜リン酸、水酸化アンモニウムおよびカテコールの割合、溶液のpH、並びにアルミニウムの腐食および灰の除去の結果を表9に示す。これは、本発明の組成物にカテコールなどの腐食阻害性化合物を使用することにより、さらに有利な結果が得られることを示す。
表10
Claims (17)
- 以下の成分:
(1)60重量%ないし99.5重量%の水、
(2)0.5重量%ないし40重量%の(a)次亜リン酸アンモニウム、(b)亜リン酸アンモニウム、または(c)水酸化アンモニウムおよび次亜リン酸または亜リン酸から選択される酸、の少なくとも1種、
を含み、珪酸塩を含まず、pHが8.36以下である、パターン化されたマイクロエレクトロニクスの基板を洗浄し、アルミニウム腐食を最小にするための水性組成物。 - 水並びに、次亜リン酸アンモニウムおよび亜リン酸アンモニウムの少なくとも1種を含む、請求項1に記載の水性組成物。
- 水および次亜リン酸アンモニウムを含む、請求項1に記載の水性組成物。
- 水、水酸化アンモニウムおよび次亜リン酸を含む、請求項1に記載の水性組成物。
- 次亜リン酸および亜リン酸の少なくとも1種並びに水酸化アンモニウムを含む、請求項1に記載の水性組成物。
- 次亜リン酸および亜リン酸並びに水酸化アンモニウムを含む、請求項1に記載の水性組成物。
- 亜リン酸および水酸化アンモニウムを含む、請求項1に記載の水性組成物。
- さらにフッ化物イオンを与えるフッ化化合物を含み、フッ化化合物が0.001重量%ないし0.5重量%の量で存在する、請求項1に記載の水性組成物。
- フッ化化合物がフッ化水素を含む、請求項8に記載の水性組成物。
- 有機溶媒および酸化剤からなる群から選択される少なくとも1種のさらなる成分をさらに含む、請求項1に記載の水性組成物。
- 有機溶媒が、グリセロール、2−ピロリジノン、1−メチル−2−ピロリジノン、1−エチル−2−ピロリジノン、1−プロピル−2−ピロリジノン、1−ヒドロキシエチル−2−ピロリジノン、ジアルキルスルホン、ジメチルスルホキシド、テトラヒドロチオフェン−1,1−ジオキシド、ジメチルアセトアミドおよびジメチルホルムアミドからなる群から選択され、酸化剤が、過酸化水素、過硫酸塩、過リン酸塩、次亜硫酸塩、次亜塩素酸塩からなる群から選択される、請求項10に記載の水性組成物。
- 組成物が有機溶媒および酸化剤の両方を含む、請求項11に記載の水性組成物。
- 有機溶媒がグリセロールであり、酸化剤が過酸化水素である、請求項9に記載の水性組成物。
- 界面活性剤および腐食阻害剤からなる群から選択される少なくとも1種のさらなる成分をさらに含む、請求項10に記載の水性組成物。
- さらなる成分が腐食阻害剤であり、腐食阻害剤がカテコールを含む、請求項14に記載の水性組成物。
- 溶媒がグリセロールを含む、請求項15に記載の水性組成物。
- 実質的なアルミニウム金属腐食をもたらさないパターン化されたマイクロエレクトロニクスの基板の洗浄方法であって、基板がフォトレジスト重合性材料および/または残渣および金属を含有し、該方法が、基板を、請求項1ないし請求項16のいずれかに記載の水性組成物と、基板を洗浄するのに十分な時間にわたり接触させることを含む、方法。
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---|---|---|---|---|
US7129199B2 (en) * | 2002-08-12 | 2006-10-31 | Air Products And Chemicals, Inc. | Process solutions containing surfactants |
MY143399A (en) * | 2001-07-09 | 2011-05-13 | Avantor Performance Mat Inc | Microelectronic cleaning compositons containing ammonia-free fluoride salts for selective photoresist stripping and plasma ash residue cleaning |
EP1664935B1 (en) * | 2003-08-19 | 2007-10-17 | Mallinckrodt Baker, Inc. | Stripping and cleaning compositions for microelectronics |
US7498295B2 (en) * | 2004-02-12 | 2009-03-03 | Air Liquide Electronics U.S. Lp | Alkaline chemistry for post-CMP cleaning comprising tetra alkyl ammonium hydroxide |
US7923424B2 (en) * | 2005-02-14 | 2011-04-12 | Advanced Process Technologies, Llc | Semiconductor cleaning using superacids |
EP1875493A2 (en) * | 2005-04-04 | 2008-01-09 | MALLINCKRODT BAKER, Inc. | Composition for cleaning ion implanted photoresist in front end of line applications |
US8772214B2 (en) * | 2005-10-14 | 2014-07-08 | Air Products And Chemicals, Inc. | Aqueous cleaning composition for removing residues and method using same |
WO2007080726A1 (ja) * | 2006-01-11 | 2007-07-19 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | リソグラフィー用洗浄剤及びそれを用いたレジストパターン形成方法 |
US20080070820A1 (en) * | 2006-09-19 | 2008-03-20 | Wescor, Inc. | Stain removing cleaning solutions |
US20080125342A1 (en) * | 2006-11-07 | 2008-05-29 | Advanced Technology Materials, Inc. | Formulations for cleaning memory device structures |
US8026201B2 (en) * | 2007-01-03 | 2011-09-27 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Stripper for coating layer |
JP5407121B2 (ja) * | 2007-07-24 | 2014-02-05 | ナガセケムテックス株式会社 | 洗浄剤組成物 |
WO2009032460A1 (en) * | 2007-08-02 | 2009-03-12 | Advanced Technology Materials, Inc. | Non-fluoride containing composition for the removal of residue from a microelectronic device |
US8153019B2 (en) | 2007-08-06 | 2012-04-10 | Micron Technology, Inc. | Methods for substantially equalizing rates at which material is removed over an area of a structure or film that includes recesses or crevices |
KR101392629B1 (ko) * | 2007-10-11 | 2014-05-07 | 동우 화인켐 주식회사 | 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의박리방법 |
US9691622B2 (en) | 2008-09-07 | 2017-06-27 | Lam Research Corporation | Pre-fill wafer cleaning formulation |
CA2753399A1 (en) * | 2009-02-25 | 2010-09-02 | Avantor Performance Materials, Inc. | Multipurpose acidic, organic solvent based microelectronic cleaning composition |
DE112010003895T5 (de) * | 2009-10-02 | 2012-08-02 | Mitsubishi Gas Chemical Co., Inc. | Verarbeitungsflüssigkeit zur Unterdrückung eines Musterzusammenbruchs einer feinen Metallstruktur und Verfahren zur Herstellung einer feinen Metallstruktur, bei dem diese eingesetzt wird |
JP5879269B2 (ja) | 2009-12-23 | 2016-03-08 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | 堆積後ウエハ洗浄配合物 |
US8058221B2 (en) * | 2010-04-06 | 2011-11-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Composition for removing a photoresist and method of manufacturing semiconductor device using the composition |
KR101894603B1 (ko) | 2010-06-09 | 2018-09-03 | 바스프 에스이 | 수성 알칼리 에칭 및 세정 조성물 및 실리콘 기판 표면을 처리하는 방법 |
CN102289159A (zh) * | 2010-06-18 | 2011-12-21 | 拉姆科技有限公司 | 用于除去光致抗蚀剂的组合物及利用其形成半导体图案的方法 |
KR20120005374A (ko) * | 2010-07-08 | 2012-01-16 | 동우 화인켐 주식회사 | 폴리이미드 제거용 세정제 조성물 |
JP2013533631A (ja) | 2010-07-16 | 2013-08-22 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド | エッチング後残渣を除去するための水性洗浄剤 |
DE102011050136A1 (de) | 2010-09-03 | 2012-03-08 | Schott Solar Ag | Verfahren zum nasschemischen Ätzen einer Siliziumschicht |
JP5519728B2 (ja) * | 2011-05-17 | 2014-06-11 | 富士フイルム株式会社 | エッチング方法及びこれに用いられるエッチング液、これを用いた半導体素子の製造方法 |
EP2557147B1 (en) | 2011-08-09 | 2015-04-01 | Basf Se | Aqueous alkaline compositions and method for treating the surface of silicon substrates |
CN104145324B (zh) | 2011-12-28 | 2017-12-22 | 恩特格里斯公司 | 用于选择性蚀刻氮化钛的组合物和方法 |
CN103076725A (zh) * | 2013-01-31 | 2013-05-01 | 北京七星华创电子股份有限公司 | 一种去除光刻胶的溶液及其应用 |
US20150104952A1 (en) * | 2013-10-11 | 2015-04-16 | Ekc Technology, Inc. | Method and composition for selectively removing metal hardmask and other residues from semiconductor device substrates comprising low-k dielectric material and copper |
US9472420B2 (en) | 2013-12-20 | 2016-10-18 | Air Products And Chemicals, Inc. | Composition for titanium nitride hard mask and etch residue removal |
CN107155367B (zh) * | 2014-06-30 | 2021-12-21 | 恩特格里斯公司 | 利用钨及钴兼容性移除蚀刻后残余物的含水及半含水清洁剂 |
JP6501492B2 (ja) | 2014-10-31 | 2019-04-17 | 関東化學株式会社 | フォトレジスト残渣および/またはポリマー残渣を除去するための組成物 |
US9976111B2 (en) | 2015-05-01 | 2018-05-22 | Versum Materials Us, Llc | TiN hard mask and etch residual removal |
KR102545801B1 (ko) | 2015-12-04 | 2023-06-21 | 솔브레인 주식회사 | 식각용 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
CN114706271A (zh) * | 2016-03-31 | 2022-07-05 | 富士胶片株式会社 | 半导体制造用处理液及图案形成方法 |
JP2020513440A (ja) * | 2016-11-25 | 2020-05-14 | インテグリス・インコーポレーテッド | エッチング後残留物を除去するための洗浄組成物 |
DE102017124654B4 (de) * | 2017-08-30 | 2024-02-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Chemische zusammensetzung für dreifachschicht-entfernung und verfahren |
US10761423B2 (en) | 2017-08-30 | 2020-09-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Chemical composition for tri-layer removal |
EP3726565A4 (en) * | 2018-01-16 | 2021-10-13 | Tokuyama Corporation | SEMICONDUCTOR SLICE TREATMENT LIQUID, CONTAINING HYPOCHLORITE IONS |
CN110908254A (zh) * | 2019-12-26 | 2020-03-24 | 苏州珮凯科技有限公司 | 8寸晶圆制造光刻机核心零部件cup的固化光阻去除液及其去除固化光阻的方法 |
KR20220012521A (ko) * | 2020-07-23 | 2022-02-04 | 주식회사 케이씨텍 | 세정액 조성물 및 이를 이용한 세정 방법 |
Family Cites Families (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2962394A (en) * | 1957-06-20 | 1960-11-29 | Motorola Inc | Process for plating a silicon base semiconductive unit with nickel |
US3415679A (en) * | 1965-07-09 | 1968-12-10 | Western Electric Co | Metallization of selected regions of surfaces and products so formed |
US3476658A (en) * | 1965-11-16 | 1969-11-04 | United Aircraft Corp | Method of making microcircuit pattern masks |
FR1548401A (ja) * | 1967-08-16 | 1968-12-06 | ||
US3666529A (en) * | 1969-04-02 | 1972-05-30 | Atomic Energy Commission | Method of conditioning aluminous surfaces for the reception of electroless nickel plating |
US3632436A (en) * | 1969-07-11 | 1972-01-04 | Rca Corp | Contact system for semiconductor devices |
FR2206583B1 (ja) * | 1972-11-13 | 1976-10-29 | Radiotechnique Compelec | |
DD210592A3 (de) * | 1981-09-02 | 1984-06-13 | Diana N Kovaldova | Loesung zur aktivierung der oberflaeche von dielektrika vor der chemischen metallisierung |
US4786429A (en) * | 1986-06-20 | 1988-11-22 | Mitsubishi Petrochemical Co., Ltd. | Electrolyte for aluminum electrolytic capacitor |
US5181988A (en) * | 1988-07-08 | 1993-01-26 | Asahi Denka Kogyo Kabushiki Kaisha | Method for preventing the discoloration of paper and paper treated to prevent discoloring |
SU1706815A1 (ru) * | 1989-07-31 | 1992-01-23 | Производственное Объединение "Завод Им.Малышева" | Состав дл обработки деталей после пайки |
JPH0445280A (ja) * | 1990-06-13 | 1992-02-14 | Fuji Kiko Denshi Kk | セラミックスの無電解めっきにおける前処理用組成物とセラミックスのめっき方法 |
US5232744A (en) * | 1991-02-21 | 1993-08-03 | C. Uyemura & Co., Ltd. | Electroless composite plating bath and method |
JP2518118B2 (ja) * | 1991-08-09 | 1996-07-24 | 上村工業株式会社 | 無電解錫又は錫・鉛合金めっき液及び無電解錫又は錫・鉛合金めっき方法 |
US5266103A (en) * | 1991-07-04 | 1993-11-30 | C. Uyemura & Co., Ltd. | Bath and method for the electroless plating of tin and tin-lead alloy |
EP0550361B1 (fr) * | 1991-12-31 | 1996-10-16 | Stepan Europe | Tensioactifs à base de composés d'ammonium quaternaire, procédés de préparation, bases et compositions assouplissantes dérivées |
US5259888A (en) * | 1992-02-03 | 1993-11-09 | Sachem, Inc. | Process for cleaning quartz and silicon surfaces |
US20040134873A1 (en) * | 1996-07-25 | 2004-07-15 | Li Yao | Abrasive-free chemical mechanical polishing composition and polishing process containing same |
JPH1055993A (ja) * | 1996-08-09 | 1998-02-24 | Hitachi Ltd | 半導体素子製造用洗浄液及びそれを用いた半導体素子の製造方法 |
DE69911481T2 (de) * | 1998-02-10 | 2004-07-08 | Miyoshi Yushi K.K. | Verfahren zur Behandlung von festen Abfällen |
KR100610387B1 (ko) * | 1998-05-18 | 2006-08-09 | 말린크로트 베이커, 인코포레이티드 | 초소형 전자 기판 세정용 실리케이트 함유 알칼리성 조성물 |
JP3973323B2 (ja) * | 1998-08-13 | 2007-09-12 | 日本ペイント株式会社 | 硫黄含有化合物とリン含有化合物によるノンクロム処理剤 |
JP2000208467A (ja) * | 1999-01-14 | 2000-07-28 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 半導体基板洗浄液およびそれを用いた半導体基板の洗浄方法 |
JP4856802B2 (ja) * | 1999-03-31 | 2012-01-18 | 日本表面化学株式会社 | 金属表面処理方法 |
JP2000311879A (ja) * | 1999-04-28 | 2000-11-07 | Mitsubishi Electric Corp | 洗浄液およびこれを用いた半導体装置の製造方法 |
JP4247587B2 (ja) * | 1999-06-23 | 2009-04-02 | Jsr株式会社 | 半導体部品用洗浄剤、半導体部品の洗浄方法、研磨用組成物、および研磨方法 |
JP4224659B2 (ja) * | 1999-06-23 | 2009-02-18 | Jsr株式会社 | 半導体部品用洗浄剤 |
JP4134458B2 (ja) * | 1999-06-23 | 2008-08-20 | Jsr株式会社 | 半導体部品用洗浄剤、半導体部品の洗浄方法 |
JP3365980B2 (ja) * | 1999-08-03 | 2003-01-14 | 花王株式会社 | 洗浄剤組成物 |
JP2001107089A (ja) * | 1999-10-07 | 2001-04-17 | Jsr Corp | 半導体部品用洗浄剤、半導体部品の洗浄方法、研磨用組成物、および研磨方法 |
JP2001338927A (ja) * | 2000-05-29 | 2001-12-07 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
US6599370B2 (en) * | 2000-10-16 | 2003-07-29 | Mallinckrodt Inc. | Stabilized alkaline compositions for cleaning microelectronic substrates |
US6680286B1 (en) * | 2000-11-14 | 2004-01-20 | Sanyo Chemical Industries, Ltd. | Detergent composition comprising a quaternary ammonium salt of a carboxyl containing polymer |
TW554258B (en) * | 2000-11-30 | 2003-09-21 | Tosoh Corp | Resist stripper |
ZA200303682B (en) * | 2000-12-15 | 2006-06-28 | Unilever Plc | Oral bleaching composition |
US6579439B1 (en) * | 2001-01-12 | 2003-06-17 | Southern Industrial Chemicals, Inc. | Electrolytic aluminum polishing processes |
MY139607A (en) * | 2001-07-09 | 2009-10-30 | Avantor Performance Mat Inc | Ammonia-free alkaline microelectronic cleaning compositions with improved substrate compatibility |
JP3516446B2 (ja) * | 2002-04-26 | 2004-04-05 | 東京応化工業株式会社 | ホトレジスト剥離方法 |
US6800121B2 (en) * | 2002-06-18 | 2004-10-05 | Atotech Deutschland Gmbh | Electroless nickel plating solutions |
SG129274A1 (en) * | 2003-02-19 | 2007-02-26 | Mitsubishi Gas Chemical Co | Cleaaning solution and cleaning process using the solution |
EP1664935B1 (en) * | 2003-08-19 | 2007-10-17 | Mallinckrodt Baker, Inc. | Stripping and cleaning compositions for microelectronics |
KR101132533B1 (ko) * | 2003-10-29 | 2012-04-03 | 아반토르 퍼포먼스 머티리얼스, 인크. | 알칼리성, 플라즈마 에칭/애싱 후 잔류물 제거제 및금속-할라이드 부식 억제제를 함유한 포토레지스트스트리핑 조성물 |
US7521406B2 (en) * | 2004-02-11 | 2009-04-21 | Mallinckrodt Baker, Inc | Microelectronic cleaning composition containing halogen oxygen acids, salts and derivatives thereof |
CN1690120A (zh) * | 2004-03-01 | 2005-11-02 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 具有高减震能力的树脂组合物 |
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