KR20220012521A - 세정액 조성물 및 이를 이용한 세정 방법 - Google Patents

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정용호
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윤영호
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Abstract

본 발명은 세정액 조성물 및 이를 이용한 세정 방법에 관한 것으로, 본 발명의 일 측면은, 제1 유기산 및 제2 유기산을 포함하는, 킬레이트제; 플루오라이드 화합물을 포함하는, 에칭제;를 포함하는, 세정액 조성물을 제공한다.

Description

세정액 조성물 및 이를 이용한 세정 방법 {CLEANING SOLUTION COMPOSITION AND CLEANING METHOD USING THE SAME}
본 발명은 세정액 조성물 및 이를 이용한 세정 방법에 관한 것이다.
최근 반도체 디바이스의 미세화가 진행됨에 따라 기판 각 층의 평탄성에 높은 정밀도가 요구되고 있다. 또한, 생산 효율성을 높이기 위해 경도나 성질이 상이한 종류의 표면을 동시에 평탄화 하기 위한 기술이 요구되고 있다.
반도체 디바이스용 기판의 평탄성을 확보하기 위한 기술로는, 일반적으로 화학적 기계적 연마(CMP)가 이용되고 있다. 화학 기계적 연마는 연마 입자를 포함하는 연마제를 공급하면서 연마 패드를 사용하여 기판 표면을 연마하여 평탄화하는 기술로, 연마제로는 실리카 입자를 연마 입자로 사용한 실리카 슬러리, 세리아 입자를 연마 입자로 사용한 세리아 슬러리가 널리 사용되고 있다. 실리카 슬러리는 주로 구리 등의 금속, 이산화규소 연마에 이용되고, 세리아 슬러리는 이산화규소, 질화규소의 연마에 이용되고 있다.
실리카 슬러리나 세리아 슬러리와 같은 연마제를 사용하여 연마 공정을 수행한 후에는, 기판 표면에 잔존하는 연마 부스러기, 파티클, 유기 잔류물, 부산물 등을 제거하기 위한 세정 공정이 필요하다.
세리아 슬러리를 사용하여 CMP 공정을 수행한 후에는, 기판 표면에 잔류하는 연마 입자인 세리아를 제거하기 위하여 통상적으로 불산 세정이 실시되고 있다. 그러나, 불산 세정에서는 열 산화막에 대한 용해성이 지나치게 강하기 때문에 스크래치 발생이나 표면 결함이 발생하여 세정 후 공정에 영향을 주며, 반도체 디바이스의 수율 저하 및 품질 저하를 일으킨다. 또한, 희석 불화수소 (dHF)를 사용할 경우 산화막에 대한 에칭 효과가 크지 않다.
따라서, 불화수소를 대체하여, CMP 공정 이후 잔류물을 효과적으로 제거하면서 결함 발생을 줄일 수 있는 세정액의 개발이 필요하다.
전술한 배경기술은 발명자가 본원의 개시 내용을 도출하는 과정에서 보유하거나 습득한 것으로서, 반드시 본 출원 전에 일반 공중에 공개된 공지기술이라고 할 수는 없다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은, 세리아 입자를 사용한 연마 공정 이후 세정 공정에서, 잔류물을 효과적으로 제거하면서 표면 결함 발생을 줄일 수 있는 세정액 조성물 및 이를 이용한 세정 방법을 제공하는 것이다.
그러나, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 것들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 해당 분야 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 측면은, 제1 유기산 및 제2 유기산을 포함하는, 킬레이트제; 플루오라이드 화합물을 포함하는, 에칭제;를 포함하는, 세정액 조성물을 제공한다.
일 실시형태에 따르면, 상기 제1 유기산은, 카르복실기 또는 술폰기를 포함하고, 상기 제2 유기산은, 인산기를 포함하는 것일 수 있다.
일 실시형태에 따르면, 상기 제1 유기산의 함량은, 1 중량 % 내지 10 중량%이고, 상기 제2 유기산의 함량은, 0.01 중량% 내지 5 중량%인 것일 수 있다.
일 실시형태에 따르면, 상기 제1 유기산은, 말산, 말론산, 아디프산, 숙신산, 타르타르산, 글루타르산, 글리콜산, 아스파르트산, 이타콘산, 글루탐산, 트리카발산, 피멜산, 수베르산, 세바스산, 스테아르산, 피루브산, 아세토아세트산, 글리옥실산, 아젤라산, 푸마르산, 글루타콘산, 트라우마트산, 무콘산, 아콘산, 카르발릴산, 트리베스산, 멜리트산, 이소시트르산, 시트르산, 락트산, 글루콘산, 말레산, 아스코르브산, 이미노아세트산, 옥살산, 피로갈산, 포름산, 아세트산, 프로피온산, 부티르산, 발레르산, 헥사노산, 헵타노산, 카프릴산, 노나노산, 데카노산, 운데실산, 라우릴산, 트리데실산, 미리스트산, 펜타데카노산, 팔미트산, 술팜산, 살리실산, p-톨루엔술폰산, 폴리스티렌술폰산, 2-나프탈렌술폰산, 폴리비닐술폰산, 도데실벤젠술폰산, 4-하이드록시벤젠술폰산, 메틸술폰산 및 니트로벤젠술폰산으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것일 수 있다.
일 실시형태에 따르면, 상기 제2 유기산은, 에틸리덴디포스폰산, 1-히드록시에틸리덴-1,1'-디포스폰산(HEDP), 1-히드록시프로필리덴-1,1'-디포스폰산, 1-히드록시부틸리덴-1,1'-디포스폰산, 에틸아미노비스(메틸렌포스폰산), 도데실아미노비스(메틸렌포스폰산), 2-포스포노-부탄-1,2,4-트리카르복실산(PBTC), 니트릴로트리스(메틸렌포스폰산)(NTPO), 에틸렌디아민비스(메틸렌포스폰산)(EDDPO), 1,3-프로필렌디아민비스(메틸렌포스폰산), 에틸렌디아민테트라(메틸렌포스폰산)(EDTPO), 에틸렌디아민테트라(에틸렌포스폰산), 1,3-프로필렌디아민테트라(메틸렌포스폰산)(PDTMP), 1,2-디아미노프로판테트라(메틸렌포스폰산), 1,6-헥사메틸렌디아민테트라(메틸렌포스폰산), 헥센디아민테트라(메틸렌포스폰산), 디에틸렌트리아민펜타(메틸렌포스폰산)(DEPPO), 디에틸렌트리아민펜타키스(메틸포스폰산), N,N,N',N'-에틸렌디아민테트라(메틸렌포스폰산), 디에틸렌트리아민펜타(에틸렌포스폰산), 트리에틸렌테트라민헥사(메틸렌포스폰산) 및 트리에틸렌테트라민헥사(에틸렌포스폰산)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것일 수 있다.
일 실시형태에 따르면, 상기 플루오라이드 화합물은, 암모늄 바이플루오라이드, 암모늄 플루오라이드, 소듐 플루오라이드, 바륨 플루오라이드, 칼슘 플루오라이드, 마그네슘 플루오라이드, 포타슘 플루오라이드, 알루미늄 플루오라이드, 아미노벤조트리플루오라이드, 보론 트리플루오라이드 및 코발트 플루오라이드로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것일 수 있다.
일 실시형태에 따르면, 상기 에칭제의 함량은, 0.1 중량% 내지 15 중량%인 것일 수 있다.
일 실시형태에 따르면, 술폰산염 또는 인산염을 포함하는, 음이온 계면활성제;를 더 포함하고, 상기 음이온 계면활성제의 함량은, 0.01 중량% 내지 10 중량%인 것일 수 있다.
일 실시형태에 따르면, 상기 술폰산염은, 알킬아릴술포네이트(alkyl aryl sullfonate), 알킬에테르술포네이트(alkylether sulfonate), 알킬술포네이트(alkyl sulfonate), 아릴술포네이트(arylsulfonate), 폴리스티렌술포네이트(polystyrene sulfonate), 알칸술포네이트(alkanesulfonate), 알파-올레핀술포네이트(α-olefin sulfonate), 도데실벤젠술포네이트(dodecylbenzenesulfonate) 및 알킬벤젠술포네이트(alkylbenzenesulfonate)로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것일 수 있다.
일 실시형태에 따르면, 상기 인산염은, 알킬아릴포스페이트(alkyl aryl phosphate), 알킬에테르포스페이트(alkyl ether phosphate), 아릴에테르포스페이트(aryl ether phosphate), 알킬포스페이트(alkyl phosphate), 아릴포스페이트(aryl phosphate) 및 벤젠포스페이트(benzene phosphate)로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것일 수 있다.
일 실시형태에 따르면, pH 조절제;를 더 포함하고, 상기 pH 조절제는, 알칸올아민, 수산화아민 또는 이 둘;을 포함하는 것일 수 있다.
일 실시형태에 따르면, 상기 pH 조절제는, 모노에탄올아민(MEA), 모노-n-프로판올아민, 모노이소프로판올아민, 모노-n-부탄올아민, 모노펜타놀아민, 모노헥사놀아민, 모노헵타놀아민, 모노옥타놀아민, 모노노나놀아민, 모노데카놀아민, 디에탄올아민(DEA), 디프로판올아민, 디이소프로판올아민(DIPA), 디부탄올아민, 디펜타놀아민, 디헥사놀아민, 디헵타놀아민, 디옥타놀아민, 디노나놀아민, 디데카놀아민, N-메틸디에탄올아민(MDEA), 트리에탄올아민(TEA), 트리이소프로판올아민(TIPA), 트리펜타놀아민, 트리헥사놀아민, 트리헵타놀아민, 트리옥타놀아민, 트리노나놀아민, 트리데카놀아민, 2-아미노-2-메틸-프로판올(AMP), 1-아미노이소프로판올(AIP), 2-아미노-1-프로판올, N-메틸아미노에탄올(N-MAE), 3-아미노-1-프로판올, 4-아미노-1-부탄올, 2-(2-아미노에톡시)-1-에탄올(AEE) 및 2-(2-아미노에틸아미노)-1-에탄올로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것일 수 있다.
일 실시형태에 따르면, 상기 세정액 조성물은, pH가 2 내지 7인 것일 수 있다.
일 실시형태에 따르면, 실리콘 질화막, 실리콘 산화막 또는 이 둘을 포함하는 반도체 디바이스용 웨이퍼 표면을 연마 후 세정하는 것일 수 있다.
일 실시형태에 따르면, 세리아를 포함하는 CMP용 슬러리를 사용한 연마 후, 세정을 위해 사용되는 것일 수 있다. 본 발명의 다른 측면은, 상기 세정액 조성물을 사용하여, 반도체 디바이스용 웨이퍼의 화학기계적 연마 후 반도체 디바이스용 웨이퍼를 세정하는 단계를 포함하는, 세정 방법을 제공한다.
일 실시형태에 따르면, 상기 세정액 조성물은, 불화수소-프리(Free)인 것일 수 있다.
본 발명에 따른 세정액 조성물은, 플루오라이드 화합물이 포함된 에칭제를 포함함으로써, 연마 공정 후 세정 시 표면에 한 번 더 에칭 효과를 주어 세정력을 극대화하면서, 막의 손실 및 표면 결함을 줄일 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따른 세정 방법은, 통상적으로 사용하는 불산 및 SC1 세정액으로 세정 공정을 수행한 것 이상의 세정력을 나타내면서, 막의 손실과 표면 결함을 줄일 수 있는 효과가 있다.
도 1은, 5 중량% 암모늄 바이플루오라이드(ABF) 용액 및 본 발명의 일 실시예 세정액 조성물(실시예 1-3)의 상온 조건에서 희석 비율에 따른 식각량을 나타낸 그래프이다.
도 2는, 5 중량% 암모늄 바이플루오라이드(ABF) 용액 및 본 발명의 일 실시예 세정액 조성물(실시예 1-3)의 60 ℃ 조건에서 희석 비율에 따른 식각량을 나타낸 그래프이다.
이하에서, 첨부된 도면을 참조하여 실시예들을 상세하게 설명한다. 그러나, 실시예들에는 다양한 변경이 가해질 수 있어서 특허출원의 권리 범위가 이러한 실시예들에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 실시예들에 대한 모든 변경, 균등물 내지 대체물이 권리 범위에 포함되는 것으로 이해되어야 한다.
실시예에서 사용한 용어는 단지 설명을 목적으로 사용된 것으로, 한정하려는 의도로 해석되어서는 안된다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 실시예가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
또한, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 도면 부호에 관계없이 동일한 구성 요소는 동일한 참조부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 실시예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 실시예의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
또한, 실시 예의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.
어느 하나의 실시 예에 포함된 구성요소와, 공통적인 기능을 포함하는 구성요소는, 다른 실시 예에서 동일한 명칭을 사용하여 설명하기로 한다. 반대되는 기재가 없는 이상, 어느 하나의 실시 예에 기재한 설명은 다른 실시 예에도 적용될 수 있으며, 중복되는 범위에서 구체적인 설명은 생략하기로 한다.
본 발명의 일 측면은, 제1 유기산 및 제2 유기산을 포함하는, 킬레이트제; 플루오라이드 화합물을 포함하는, 에칭제;를 포함하는, 세정액 조성물을 제공한다.
본 발명에 따른 세정액 조성물은, 플루오라이드 화합물이 포함된 에칭제를 포함함으로써, 연마 공정 후 세정 시 표면에 한 번 더 에칭 효과를 주어 세정력을 높이면서 피연마막의 손실과 표면 결함을 줄일 수 있는 효과가 있다.
본 발명에 따른 세정액 조성물에 있어서, 상기 킬레이트제(chelate agent)는, 연마 슬러리 또는 연마입자에서 유래하는 금속에 의한 오염을 방지하기 위해 사용하는 것일 수 있다. 즉, 연마 슬러리 또는 연마입자에서 유래하는 금속 오염물이 킬레이트제와 반응하여 착화합물을 형성함으로써, 반도체 디바이스용 웨이퍼 표면의 금속 오염을 효과적으로 제거할 수 있다.
일례로, 세리아 입자를 포함한 연마 슬러리로 CMP 공정을 진행한 후에 잔류하는 세륨 이온은, 상기 킬레이트제와 반응하여 착화합물을 형성함으로써 효과적으로 제거될 수 있다.
상기 킬레이트제는, 2 종류 이상의 유기산을 포함함으로써, 표면에 잔류하는 금속 이온과의 착화합물 형성을 용이하게 하며, 이를 통해 효과적으로 금속 오염물을 제거할 수 있다.
일 실시형태에 따르면, 상기 제1 유기산은, 카르복실기 또는 술폰기를 포함하고, 상기 제2 유기산은, 인산기를 포함하는 것일 수 있다.
일 실시형태에 따르면, 상기 제1 유기산의 함량은, 1 중량 % 내지 10 중량%이고, 상기 제2 유기산의 함량은, 0.01 중량% 내지 5 중량%인 것일 수 있다.
상기 제1 유기산의 함량은, 바람직하게는, 2 중량 % 내지 8 중량%일 수 있고, 상기 제2 유기산의 함량은, 바람직하게는, 0.1 중량% 내지 3 중량%일 수 있다.
상기 제1 유기산 : 제2 유기산의 함량 비율은 2 : 1 내지 10 : 1인 것일 수 있다.
상기 제1 유기산 및 상기 제2 유기산이 상기 범위 미만일 경우, 잔류하는 금속 이온과의 착화합물 형성이 충분히 진행되지 않아 금속 오염물 제거 효과가 저하될 수 있고, 상기 제1 유기산 및 상기 제2 유기산이 상기 범위를 초과할 경우, 과량 첨가된 유기산이 웨이퍼 표면에 잔류하게 되어 결함을 유발할 수 있다.
또한, 상기 제1 유기산 및 상기 제2 유기산은, 각각, 상기 함량 범위 내로 포함됨으로써, 금속 이온과의 착화합물 형성 반응이 최적화될 수 있다.
즉, 상기 제1 유기산과 제2 유기산은, 서로 다른 작용기를 가지고 잔류하는 금속 이온과 동시에 또는 각각 반응하여 착화합물을 형성함으로써, 착화합물 형성이 효과적으로 이루어지도록 할 수 있다.
일 실시형태에 따르면, 상기 제1 유기산은, 말산, 말론산, 아디프산, 숙신산, 타르타르산, 글루타르산, 글리콜산, 아스파르트산, 이타콘산, 글루탐산, 트리카발산, 피멜산, 수베르산, 세바스산, 스테아르산, 피루브산, 아세토아세트산, 글리옥실산, 아젤라산, 푸마르산, 글루타콘산, 트라우마트산, 무콘산, 아콘산, 카르발릴산, 트리베스산, 멜리트산, 이소시트르산, 시트르산, 락트산, 글루콘산, 말레산, 아스코르브산, 이미노아세트산, 옥살산, 피로갈산, 포름산, 아세트산, 프로피온산, 부티르산, 발레르산, 헥사노산, 헵타노산, 카프릴산, 노나노산, 데카노산, 운데실산, 라우릴산, 트리데실산, 미리스트산, 펜타데카노산, 팔미트산, 술팜산, 살리실산, p-톨루엔술폰산, 폴리스티렌술폰산, 2-나프탈렌술폰산, 폴리비닐술폰산, 도데실벤젠술폰산, 4-하이드록시벤젠술폰산, 메틸술폰산 및 니트로벤젠술폰산으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것일 수 있다.
일 실시형태에 따르면, 상기 제2 유기산은, 에틸리덴디포스폰산, 1-히드록시에틸리덴-1,1'-디포스폰산(HEDP), 1-히드록시프로필리덴-1,1'-디포스폰산, 1-히드록시부틸리덴-1,1'-디포스폰산, 에틸아미노비스(메틸렌포스폰산), 도데실아미노비스(메틸렌포스폰산), 2-포스포노-부탄-1,2,4-트리카르복실산(PBTC), 니트릴로트리스(메틸렌포스폰산)(NTPO), 에틸렌디아민비스(메틸렌포스폰산)(EDDPO), 1,3-프로필렌디아민비스(메틸렌포스폰산), 에틸렌디아민테트라(메틸렌포스폰산)(EDTPO), 에틸렌디아민테트라(에틸렌포스폰산), 1,3-프로필렌디아민테트라(메틸렌포스폰산)(PDTMP), 1,2-디아미노프로판테트라(메틸렌포스폰산), 1,6-헥사메틸렌디아민테트라(메틸렌포스폰산), 헥센디아민테트라(메틸렌포스폰산), 디에틸렌트리아민펜타(메틸렌포스폰산)(DEPPO), 디에틸렌트리아민펜타키스(메틸포스폰산), N,N,N',N'-에틸렌디아민테트라(메틸렌포스폰산), 디에틸렌트리아민펜타(에틸렌포스폰산), 트리에틸렌테트라민헥사(메틸렌포스폰산) 및 트리에틸렌테트라민헥사(에틸렌포스폰산)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것일 수 있다.
상기 플루오라이드 화합물을 포함하는 에칭제는, 연마 후 세정 공정에서 연마된 표면에 한 번 더 에칭 효과를 줌으로써, 결함 제거를 용이하게 하는 기능을 가질 수 있다.
또한, 불화수소(HF)를 사용할 경우와 비교하여, 막의 손실을 줄일 수 있다.
일례로, 세리아 입자를 사용한 CMP 공정 후에 세정 공정에서, 피연마막인 실리콘 산화막의 표면이 한 번 더 에칭되면서 세정됨으로써, 막의 손실을 줄이면서 표면의 결함을 효과적으로 제거할 수 있다.
일 실시형태에 따르면, 상기 플루오라이드 화합물은, 암모늄 바이플루오라이드, 암모늄 플루오라이드, 소듐 플루오라이드, 바륨 플루오라이드, 칼슘 플루오라이드, 마그네슘 플루오라이드, 포타슘 플루오라이드, 알루미늄 플루오라이드, 아미노벤조트리플루오라이드, 보론 트리플루오라이드 및 코발트 플루오라이드로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것일 수 있다.
일 실시형태에 따르면, 상기 에칭제의 함량은, 0.1 중량% 내지 15 중량%인 것일 수 있다.
상기 에칭제의 함량은, 바람직하게는, 0.5 중량% 내지 10 중량%일 수 있다.
만일, 상기 에칭제의 함량이 상기 범위 미만일 경우, 세정 시 에칭 효과가 미미하여 표면 결함 제거 기능이 저하될 수 있고, 상기 범위를 초과할 경우 막 손실이 발생하거나 잔류하는 에칭제로 인하여 오히려 표면 결함을 증가시킬 수 있다.
일 실시형태에 따르면, 상기 세정액 조성물은, 술폰산염 또는 인산염을 포함하는, 음이온 계면활성제;를 더 포함하고, 상기 음이온 계면활성제의 함량은, 0.01 중량% 내지 10 중량%인 것일 수 있다.
상기 술폰산염 또는 인산염을 포함하는, 음이온 계면활성제는, 제타 포텐셜을 낮추어 전기적으로 파티클 입자에 흡착되는 메커니즘을 통해 기판으로부터 입자를 제거할수 있으며, 기판 표면에 재흡착되는 것을 방지하기 때문에 우수한 세정 효과를 발휘할 수 있다. 특히, 실리콘 질화막, 실리콘 산화막과 같은 친수성막에 대한 세정 및 결함을 개선시킬 수 있다.
일 실시형태에 따르면, 상기 음이온 계면활성제의 함량은, 0.01 중량% 내지 10 중량%인 것일 수 있다.
상기 음이온 계면활성제의 함량은, 바람직하게는, 0.01 중량% 내지 8 중량%일 수 있고, 더욱 바람직하게는, 0.05 중량% 내지 8 중량%일 수 있으며, 더욱 더 바람직하게는, 0.05 중량% 내지 7 중량%일 수 있다.
만일, 상기 음이온 계면활성제의 함량이 상기 범위 미만일 경우, 파티클 입자를 충분히 흡착하지 못하여 입자를 전기적으로 제거하지 못할 수 있고, 상기 범위를 초과할 경우, 과량을 사용하여도 일정 효과 이상의 효과를 얻을 수 없어 비경제적이며 표면에 잔류하는 문제점이 발생할 수 있다.
일 실시형태에 따르면, 상기 술폰산염은, 알킬아릴술포네이트(alkyl aryl sullfonate), 알킬에테르술포네이트(alkylether sulfonate), 알킬술포네이트(alkyl sulfonate), 아릴술포네이트(arylsulfonate), 폴리스티렌술포네이트(polystyrene sulfonate), 알칸술포네이트(alkanesulfonate), 알파-올레핀술포네이트(α-olefin sulfonate), 도데실벤젠술포네이트(dodecylbenzenesulfonate) 및 알킬벤젠술포네이트(alkylbenzenesulfonate)로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것일 수 있다.
일 실시형태에 따르면, 상기 인산염은, 알킬아릴포스페이트(alkyl aryl phosphate), 알킬에테르포스페이트(alkyl ether phosphate), 아릴에테르포스페이트(aryl ether phosphate), 알킬포스페이트(alkyl phosphate), 아릴포스페이트(aryl phosphate) 및 벤젠포스페이트(benzene phosphate)로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것일 수 있다.
일 실시형태에 따르면, 상기 세정액 조성물은, pH 조절제;를 더 포함하고, 상기 pH 조절제는, 알칸올아민, 수산화아민 또는 이 둘;을 포함하는 것일 수 있다.
상기 pH 조절제는, 상기 세정액 조성물의 pH 조절을 위해 사용되는 물질이다.
일 실시형태에 따르면, 상기 pH 조절제는, 알칸올아민, 수산화아민 또는 이 둘;을 포함하는 것일 수 있다.
일 실시형태에 따르면, 상기 pH 조절제는, 모노에탄올아민(MEA), 모노-n-프로판올아민, 모노이소프로판올아민, 모노-n-부탄올아민, 모노펜타놀아민, 모노헥사놀아민, 모노헵타놀아민, 모노옥타놀아민, 모노노나놀아민, 모노데카놀아민, 디에탄올아민(DEA), 디프로판올아민, 디이소프로판올아민(DIPA), 디부탄올아민, 디펜타놀아민, 디헥사놀아민, 디헵타놀아민, 디옥타놀아민, 디노나놀아민, 디데카놀아민, N-메틸디에탄올아민(MDEA), 트리에탄올아민(TEA), 트리이소프로판올아민(TIPA), 트리펜타놀아민, 트리헥사놀아민, 트리헵타놀아민, 트리옥타놀아민, 트리노나놀아민, 트리데카놀아민, 2-아미노-2-메틸-프로판올(AMP), 1-아미노이소프로판올(AIP), 2-아미노-1-프로판올, N-메틸아미노에탄올(N-MAE), 3-아미노-1-프로판올, 4-아미노-1-부탄올, 2-(2-아미노에톡시)-1-에탄올(AEE) 및 2-(2-아미노에틸아미노)-1-에탄올로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것일 수 있다.
상기 pH 조절제는 목적하는 pH를 맞추기에 적절한 양으로 사용할 수 있다.
일 실시형태에 따르면, 상기 세정액 조성물은, pH가 2 내지 7인 것일 수 있다.
상기 세정액 조성물의 pH 범위는, 상기 세정액 조성물 내에서 킬레이트제, 에칭제, 음이온 계면활성제의 기능이 충분히 발휘될 수 있도록 하여 세정력 및 결함 제거 효과가 극대화될 수 있는 범위이다. 또한, 세리아 입자와 웨이퍼 표면 사이의 전기적 반발력에 작용하여 입자들의 반발하는 특성으로 재흡착 방지 효과를 줄 수 있다.
실시형태에 따르면, 상기 세정액 조성물은, 용매를 포함하고, 상기 용매는, 물, 유기 용매 또는 이 둘을 포함할 수 있다. 세정액 조성물 중의 물은 세정액 조성물 중의 다른 성분을 용해 또는 분산시키는 작용을 한다. 물은 다른 성분의 작용을 저해하는 불순물을 가능한 한 함유하지 않는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 이온 교환수지를 사용하여 불순물 이온을 제거한 후에 필터를 통하여 이물을 제거한 이온 교환수, 순수, 초순수, 탈이온수 또는 증류수가 바람직하다.
일 실시형태에 따르면, 실리콘 질화막, 실리콘 산화막 또는 이 둘을 포함하는 반도체 디바이스용 웨이퍼 표면을 연마 후 세정하는 것일 수 있다.
일 실시형태에 따르면, 상기 세정액 조성물은, 실리콘 산화막에 대한 식각률이 상온 조건에서 0.1 Å/min 내지 10 Å/min인 것일 수 있다.
상기 식각률은, 실리콘 산화막을 상기 세정액 조성물에 60분 동안 담근 후, 상기 세정액 조성물 처리 전의 두께와 처리 후의 두께의 차이를 처리 시간으로 나눈 값을 의미할 수 있다.
일 실시형태에 따르면, 종래의 불산 및 SC1을 이용한 세정을 진행한 웨이퍼(실리콘 질화막, 실리콘 산화막)의 결함을 기준으로, 상기 세정액 조성물로 세정한 후 실리콘 산화막에 대한 결함이 기준 대비 50 % 이상, 최대 76 % 이상 감소되고, 실리콘 질화막에 대한 결함이 기준 대비 10 % 이상, 최대 87 % 이상 감소되는 것일 수 있다.
상기 SC1은 일반적으로 사용되고 있는 세정액으로서 암모니아수, 과산화수소 및 물의 혼합 세정액인 SC1(Standard Cleaning 1)을 의미한다.
일 실시형태에 따르면, 세리아를 포함하는 CMP용 슬러리를 사용한 연마 후, 세정을 위해 사용되는 것일 수 있다.
즉, 세리아 입자를 포함하는 CMP용 슬러리를 사용하여 연마 공정을 진행한 후, 후속 공정으로 잔류물을 세정하는 공정을 위해 사용되는 것일 수 있다.
일 실시형태에 따르면, 상기 잔류물은 CMP 연마 슬러리 유래 입자, CMP 연마 슬러리에 존재하는 화학물질, CMP 연마 슬러리의 반응 부산물, 탄소 농후 입자, 연마 패드 입자, 브러쉬 탈로딩 입자, 구성 입자의 장비 물질, 금속, 금속 산화물 또는 이들의 조합 물질일 수 있다.
본 발명의 다른 측면은, 상기 세정액 조성물을 사용하여, 반도체 디바이스용 웨이퍼의 화학기계적 연마 후 반도체 디바이스용 웨이퍼를 세정하는 단계를 포함하는, 세정 방법을 제공한다.
일 실시형태에 따르면, 상기 세정 방법은, 본 발명의 세정액 조성물을 단독으로 사용하여 1회 이상 수행될 수 있고, 희석 불화수소(dHF)로 선 처리 후에 상기 세정액 조성물을 사용하여 수행될 수 있다.
일 실시형태에 따르면, 통상의 웨이퍼 세정에서 사용되는 것과 동일한 장치 및 조건에서 상기 세정액 조성물을 반도체 디바이스용 웨이퍼에 직접 접촉시켜 세정하는 것일 수 있다.
본 발명에 따른 세정 방법은, 통상적으로 사용하는 불산 및 SC1 세정액으로 세정 공정을 수행한 것 이상의 세정력을 나타내면서, 막의 손실과 표면 결함을 줄일 수 있는 효과가 있다.
일 실시형태에 따르면, 상기 세정액 조성물은, 불화수소-프리(Free)인 것일 수 있다.
본 발명에 따른 세정 방법은, 불화수소-프리(Free)인 세정액 조성물을 사용하여, 종래 불화수소를 세정액으로 사용한 경우와 비교하여, 동등 이상의 세정력을 확보하면서 막의 손실 및 표면 결함을 감소시킬 수 있는 특징이 있다.
이하, 실시예 및 비교예에 의하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하고자 한다.
단, 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
실험예 1. 식각률 평가
1) 에칭제에 따른 식각률 평가
킬레이트제로 카르복실기를 갖는 유기산(시트르산) 3 중량%, 인산기를 갖는 유기산(HEDP, 1-히드록시에틸리덴-1,1’-디포스폰산, 에티드론산) 1 중량%, 에칭제로 암모늄 바이플루오라이드(ABF)를 혼합하고, pH 조절제로 모노에탄올 아민을 사용하여 pH를 5로 조절하여 세정액 조성물을 제조하였다.
비교예로, 에칭제로 테트라암모늄 플루오라이드(TMAF)를 사용한 세정액 조성물과 에칭제를 첨가하지 않은 세정액 조성물을 준비하였다.
준비된 세정액 조성물을 각각 사용하여 실리콘 산화막(TEOS)에 대한 식각률을 평가하였다.
먼저, 2 x 2 cm 면적의 Oxide wafer를 DIW를 이용하여 워싱 후 건조시키고 Reflectometer(Filmmetrics 社)를 이용하여 PRE thickness 측정하였다. PRE thickness 측정 후 각 세정액 조성물에 각 온도 및 농도 조건에서 60분간 딥핑(dipping) 후 워싱하고 건조한 다음 POST thickness 측정하였다.
식각률(Etchrate)은 하기 식 1로 계산되었다.
[식 1]
Etchrate (Å/min) = ｛Pre thickness (Å)- Post thickness (Å)｝/ 평가시간(min)
각 세정액 조성물의 에칭제 종류 및 함량, 온도 조건 및 평가된 식각률을 표 1에 나타내었다.
　 대상 막질 에칭제 함량
(중량%)		 온도
(℃)		 희석비 식각률
(Å/min)
비교예 1-1 TEOS - - 20 1/50 0.08
비교예 1-2 TEOS - - 60 1/50 0.10
비교예 1-3 TEOS - - 80 1/50 0.14
비교예 1-4 TEOS TMAF 1 20 1/50 0.05
비교예 1-5 TEOS TMAF 2 20 1/50 0.08
비교예 1-6 TEOS TMAF 5 20 1/50 0.06
실시예 1-1 TEOS ABF 2 20 1/50 0.41
실시예 1-2 TEOS ABF 10 20 1/50 7.50
실시예 1-3 TEOS ABF 5 20 1/50 1.51
실시예 1-4 TEOS ABF 5 40 1/50 2.42
실시예 1-5 TEOS ABF 5 60 1/50 3.43
실시예 1-6 TEOS ABF 5 80 1/50 3.44
실시예 1-7 TEOS AF 1 20 1/50 0.06
실시예 1-8 TEOS AF 5 20 1/50 1.73
실시예 1-9 TEOS AF 10 20 1/50 7.13
표 1을 참조하면, 에칭제를 사용하지 않거나(비교예 1-1 내지 1-3), 에칭제로 TMAF를 사용(비교예 1-4 내지 1-6)한 경우, 온도 또는 에칭제의 함량에 따른 식각률 변화가 미미한 것을 확인할 수 있다. 반면, 실시예 1-1 내지 1-9의 경우, 즉, 본 발명의 에칭제를 사용하는 경우 온도 또는 에칭제의 함량이 증가함에 따라 식각률이 현저히 증가하는 것을 확인할 수 있다.
2) 희석 비율에 따른 식각률 경향 평가
5 중량% 암모늄 바이플루오라이드(ABF) 용액과 실시예 1-3의 세정액 조성물의 희석 비율에 따른 식각 정도를 상온(RT) 및 60 ℃의 온도에서 각각 측정하였다. 측정 결과를 표 2에 나타내었다.
희석비 에칭제 함량
(중량%)		 5% ABF 식각률 (Å/min) 실시예1-3 식각률 (Å/min)
상온(RT) 60 ℃ 상온(RT) 60 ℃
1 5 582.6 5343.8 564.8 4675.1
1/1.7 3 334.0 3372.4 317.9 2676.1
1/5 1 86.7 814.5 62.7 501.7
1/10 0.5 31.3 276.72 23.5 144.7
1/25 0.2 8.4 32.22 6.1 20.2
1/50 0.1 2.4 6.93 1.5 3.4
1/75 0.07 1.2 2.58 0.7 1.7
도 1은, 5 중량% 암모늄 바이플루오라이드(ABF) 용액 및 본 발명의 일 실시예 세정액 조성물(실시예 1-3)의 상온 조건에서 희석 비율에 따른 식각량을 나타낸 그래프이다.
도 2는, 5 중량% 암모늄 바이플루오라이드(ABF) 용액 및 본 발명의 일 실시예 세정액 조성물(실시예 1-3)의 60 ℃ 조건에서 희석 비율에 따른 식각량을 나타낸 그래프이다.
표 2 및 도 1, 도 2를 참조하면, 상온 및 60 ℃의 온도 조건에서, 5 중량% 암모늄 바이플루오라이드(ABF) 용액 및 본 발명의 일 실시예 세정액 조성물(실시예 1-3)은 희석 비율이 증가함에 따라 식각량이 감소하는 정도가 유사하게 나타나는 것을 확인할 수 있다. 이를 통해, 세정액 조성물에 암모늄 바이플루오라이드(ABF)이 포함되는 경우 안정성 변화없이 산화막 에칭 성능을 유지하는 것을 알 수 있다.
실험예 2. 결함(Defect) 제거 효과
100 nm의 직경을 갖는 세리아 연마입자를 포함하는 연마 슬러리를 이용하여 웨이퍼를 2 psi 압력 10초 동안 CMP 연마하였다. 연마가 완료된 웨이퍼를 실시예 및 비교예에 따른 세정액 조성물을 사용하여 Brush 1, Brush 2에 각각 적용하여 세정을 진행하였다.
웨이퍼를 세정한 후 결함 측정 장비 (KLA-Tencor社)로 측정하여 결함을 확인하였고, 결함 제거율은 하기 식 2를 통해 계산되었다.
[식 2]
결함 제거율 (%) = {1-(결함 개수/비교예 1 결함 개수)} * 100
사용된 실시예 및 비교예 조성물의 구성 및 측정된 결함 제거율을 표 3및 표 4에 나타내었다.
In-situ cleaning process
Brush 1 Brush 2
pH 킬레이트제1
(중량%)		 킬레이트제2
(중량%)		 에칭제
(중량%)		 pH조절제 희석비
비교예 2-1 1% 불산 SC1
비교예 2-2 1% 불산 5 Citric acid 3% HEDP 1% TMAF 1% MEA 1/50
비교예 2-3 1% 불산 5 Citric acid 3% HEDP 1% TMAF 2% MEA 1/50
비교예 2-4 1% 불산 5 Citric acid 3% HEDP 1% TMAF 5% MEA 1/50
실시예 2-1 1% 불산 5 Citric acid 3% HEDP 1% ABF 5% MEA 1/50
실시예 2-2 1% 불산 5 Citric acid 3% HEDP 1% ABF 2% MEA 1/50
실시예 2-3 1% 불산 5 Citric acid 3% HEDP 1% ABF 10% MEA 1/50
실시예 2-4 1% 불산 4 Citric acid 3% HEDP 1% AF 5% MEA 1/50
　 결함 제거율 (%)
Nitride
(≥52nm)		 Oxide
(≥52nm)
비교예 2-1 2,305 0.0% 1065 0.0%
비교예 2-2 2008 12.9% 1688 -58.5%
비교예 2-3 2100 8.9% 1147 -7.7%
비교예 2-4 - - 1833 -72.1%
실시예 2-1 537 76.7% 134 87.4%
실시예 2-2 754 67.3% 637 40.2%
실시예 2-3 925 59.9% 958 10.0%
실시예 2-4 628 72.8% 432 59.4%
표 3 및 표4를 참조하면, 실시예 2-1 내지 2-4의 경우, SC1을 사용한 비교예 2-1을 기준으로 측정된 결함 제거율이 질화막 및 산화막에 대해 현저히 증가된 것을 확인할 수 있으며, 실시예 2-1의 경우 질화막에 대한 결함 제거율이 76.7 %, 산화막에 대한 결함 제거율이 87.4%까지 증가된 것을 알 수 있다.
이와 비교하여, 에칭제로TMAF를 사용한 비교예 2-2 내지 2-4의 경우, SC1을 사용한 비교예 2-1을 기준으로 측정된 결함 증가율이 크게 증가하지 않았고, 산화막에 대한 결함 발생이 오히려 증가하는 것을 확인할 수 있다.
이상과 같이 실시예들이 비록 한정된 도면에 의해 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기를 기초로 다양한 기술적 수정 및 변형을 적용할 수 있다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 시스템, 구조, 장치, 회로 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.
그러므로, 다른 구현들, 다른 실시예들 및 특허청구범위와 균등한 것들도 후술하는 청구범위의 범위에 속한다.

Claims (17)

  1. 제1 유기산 및 제2 유기산을 포함하는, 킬레이트제; 및
    플루오라이드 화합물을 포함하는, 에칭제;를 포함하는,
    세정액 조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 유기산은, 카르복실기 또는 술폰기를 포함하고,
    상기 제2 유기산은, 인산기를 포함하는 것인,
    세정액 조성물.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 유기산의 함량은, 1 중량 % 내지 10 중량%이고,
    상기 제2 유기산의 함량은, 0.01 중량% 내지 5 중량%인 것인,
    세정액 조성물.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 유기산은,
    말산, 말론산, 아디프산, 숙신산, 타르타르산, 글루타르산, 글리콜산, 아스파르트산, 이타콘산, 글루탐산, 트리카발산, 피멜산, 수베르산, 세바스산, 스테아르산, 피루브산, 아세토아세트산, 글리옥실산, 아젤라산, 푸마르산, 글루타콘산, 트라우마트산, 무콘산, 아콘산, 카르발릴산, 트리베스산, 멜리트산, 이소시트르산, 시트르산, 락트산, 글루콘산, 말레산, 아스코르브산, 이미노아세트산, 옥살산, 피로갈산, 포름산, 아세트산, 프로피온산, 부티르산, 발레르산, 헥사노산, 헵타노산, 카프릴산, 노나노산, 데카노산, 운데실산, 라우릴산, 트리데실산, 미리스트산, 펜타데카노산, 팔미트산, 술팜산, 살리실산, p-톨루엔술폰산, 폴리스티렌술폰산, 2-나프탈렌술폰산, 폴리비닐술폰산, 도데실벤젠술폰산, 4-하이드록시벤젠술폰산, 메틸술폰산 및 니트로벤젠술폰산으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인,
    세정액 조성물.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제2 유기산은,
    에틸리덴디포스폰산, 1-히드록시에틸리덴-1,1'-디포스폰산(HEDP), 1-히드록시프로필리덴-1,1'-디포스폰산, 1-히드록시부틸리덴-1,1'-디포스폰산, 에틸아미노비스(메틸렌포스폰산), 도데실아미노비스(메틸렌포스폰산), 2-포스포노-부탄-1,2,4-트리카르복실산(PBTC), 니트릴로트리스(메틸렌포스폰산)(NTPO), 에틸렌디아민비스(메틸렌포스폰산)(EDDPO), 1,3-프로필렌디아민비스(메틸렌포스폰산), 에틸렌디아민테트라(메틸렌포스폰산)(EDTPO), 에틸렌디아민테트라(에틸렌포스폰산), 1,3-프로필렌디아민테트라(메틸렌포스폰산)(PDTMP), 1,2-디아미노프로판테트라(메틸렌포스폰산), 1,6-헥사메틸렌디아민테트라(메틸렌포스폰산), 헥센디아민테트라(메틸렌포스폰산), 디에틸렌트리아민펜타(메틸렌포스폰산)(DEPPO), 디에틸렌트리아민펜타키스(메틸포스폰산), N,N,N',N'-에틸렌디아민테트라(메틸렌포스폰산), 디에틸렌트리아민펜타(에틸렌포스폰산), 트리에틸렌테트라민헥사(메틸렌포스폰산) 및 트리에틸렌테트라민헥사(에틸렌포스폰산)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인,
    세정액 조성물.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 플루오라이드 화합물은,
    암모늄 바이플루오라이드, 암모늄 플루오라이드, 소듐 플루오라이드, 바륨 플루오라이드, 칼슘 플루오라이드, 마그네슘 플루오라이드, 포타슘 플루오라이드, 알루미늄 플루오라이드, 아미노벤조트리플루오라이드, 보론 트리플루오라이드 및 코발트 플루오라이드로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인,
    세정액 조성물.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 에칭제의 함량은,
    0.1 중량% 내지 15 중량%인 것인,
    세정액 조성물.
  8. 제1항에 있어서,
    술폰산염 또는 인산염을 포함하는, 음이온 계면활성제;를 더 포함하고,
    상기 음이온 계면활성제의 함량은,
    0.01 중량% 내지 10 중량%인 것인,
    세정액 조성물.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 술폰산염은,
    알킬아릴술포네이트(alkyl aryl sullfonate), 알킬에테르술포네이트(alkylether sulfonate), 알킬술포네이트(alkyl sulfonate), 아릴술포네이트(arylsulfonate), 폴리스티렌술포네이트(polystyrene sulfonate), 알칸술포네이트(alkanesulfonate), 알파-올레핀술포네이트(α-olefin sulfonate), 도데실벤젠술포네이트(dodecylbenzenesulfonate) 및 알킬벤젠술포네이트(alkylbenzenesulfonate)로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인,
    세정액 조성물.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 인산염은,
    알킬아릴포스페이트(alkyl aryl phosphate), 알킬에테르포스페이트(alkyl ether phosphate), 아릴에테르포스페이트(aryl ether phosphate), 알킬포스페이트(alkyl phosphate), 아릴포스페이트(aryl phosphate) 및 벤젠포스페이트(benzene phosphate)로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인,
    세정액 조성물.
  11. 제1항에 있어서,
    pH 조절제;를 더 포함하고,
    상기 pH 조절제는,
    알칸올아민, 수산화아민 또는 이 둘;을 포함하는 것인,
    세정액 조성물.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 pH 조절제는,
    모노에탄올아민(MEA), 모노-n-프로판올아민, 모노이소프로판올아민, 모노-n-부탄올아민, 모노펜타놀아민, 모노헥사놀아민, 모노헵타놀아민, 모노옥타놀아민, 모노노나놀아민, 모노데카놀아민, 디에탄올아민(DEA), 디프로판올아민, 디이소프로판올아민(DIPA), 디부탄올아민, 디펜타놀아민, 디헥사놀아민, 디헵타놀아민, 디옥타놀아민, 디노나놀아민, 디데카놀아민, N-메틸디에탄올아민(MDEA), 트리에탄올아민(TEA), 트리이소프로판올아민(TIPA), 트리펜타놀아민, 트리헥사놀아민, 트리헵타놀아민, 트리옥타놀아민, 트리노나놀아민, 트리데카놀아민, 2-아미노-2-메틸-프로판올(AMP), 1-아미노이소프로판올(AIP), 2-아미노-1-프로판올, N-메틸아미노에탄올(N-MAE), 3-아미노-1-프로판올, 4-아미노-1-부탄올, 2-(2-아미노에톡시)-1-에탄올(AEE) 및 2-(2-아미노에틸아미노)-1-에탄올로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인,
    세정액 조성물.
  13. 제1항에 있어서,
    pH가 2 내지 7인 것인,
    세정액 조성물.
  14. 제1항에 있어서,
    실리콘 질화막, 실리콘 산화막 또는 이 둘을 포함하는 반도체 디바이스용 웨이퍼 표면을 연마 후 세정하는 것인,
    세정액 조성물.
  15. 제1항에 있어서,
    세리아를 포함하는 CMP용 슬러리를 사용한 연마 후, 세정을 위해 사용되는 것인,
    세정액 조성물.
  16. 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항의 세정액 조성물을 사용하여, 반도체 디바이스용 웨이퍼의 화학기계적 연마 후 반도체 디바이스용 웨이퍼를 세정하는 단계를 포함하는,
    세정 방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 세정액 조성물은, 불화수소-프리(Free)인 것인,
    세정 방법.
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