CN103076725A - 一种去除光刻胶的溶液及其应用 - Google Patents

一种去除光刻胶的溶液及其应用 Download PDF

Info

Publication number
CN103076725A
CN103076725A CN2013100394210A CN201310039421A CN103076725A CN 103076725 A CN103076725 A CN 103076725A CN 2013100394210 A CN2013100394210 A CN 2013100394210A CN 201310039421 A CN201310039421 A CN 201310039421A CN 103076725 A CN103076725 A CN 103076725A
Authority
CN
China
Prior art keywords
solution
component
photoresist
sulfuric acid
hydrogen peroxide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2013100394210A
Other languages
English (en)
Inventor
唐·伯克曼
阴志先
马嘉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing Sevenstar Electronics Co Ltd
Original Assignee
Beijing Sevenstar Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing Sevenstar Electronics Co Ltd filed Critical Beijing Sevenstar Electronics Co Ltd
Priority to CN2013100394210A priority Critical patent/CN103076725A/zh
Publication of CN103076725A publication Critical patent/CN103076725A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

本发明提供了一种去除光刻胶的溶液及其应用，所述溶液包括A组分和B组分，A组分为硫酸和过氧化氢混合溶液，B组分为聚乙二醇辛基苯基醚。使用时，将A组分和B组分按9：1的重量比混合。本发明首次将聚乙二醇辛基苯基醚作为表面活性剂用于去除光刻胶的溶液中，它可溶于水，容易稀释，当与硫酸和过氧化氢混合时可以使溶液达到很高的温度。与硫酸和过氧化氢混合物相比，含有聚乙二醇辛基苯基醚的混合液可以更快地溶解离子植入光刻胶。聚乙二醇辛基苯基醚可以保证在更短的处理时间内完成该特殊的处理过程，达到更加完整的去除效果。

Description

一种去除光刻胶的溶液及其应用
技术领域
本发明属于化工领域，具体地说，涉及一种去除光刻胶的溶液及其应用。
背景技术
目前，移除光刻胶有多种方法，包括紫外线、臭氧、有机溶剂、氧等离子体以及使用硫酸和过氧化氢或过硫酸铵的传统的湿法化学移除法。
最常见的用于处理半导体晶片的湿法化学光刻胶去除技术采用硫酸和过氧化氢的混合物。过氧化氢通常溶解于水中，当与硫酸混合时会产生放热反应。放热反应产生热量，因此能够相当显著地升高温度。某些情况下，需要加入蒸汽来促使温度上升得更高。一般而言，温度越高，去除光刻胶的化学反应越强烈。相比较低温情况下，使得光刻胶的去除速度加快了许多。
特别是在半导体生产过程中，光刻胶在不同的步骤会接触到不同的环境。当光刻胶接触到在离子植入过程中产生的轰击离子，会产生交联化学键，使光刻胶更加难以去除。
发明内容
本发明的目的是提供一种新型的去除光刻胶的溶液及其应用。
为了实现本发明目的，本发明的一种去除光刻胶的溶液，包括A组分和B组分，A组分为硫酸和过氧化氢混合溶液，B组分为聚乙二醇辛基苯基醚。其中，A组分和B组分的重量比为9：1。
前述溶液中，A组分由浓度为96%的硫酸和浓度为30%的过氧化氢按4:1的重量比组成。
本发明还提供上述溶液在去除光刻胶中的应用。包括以下步骤：先将A组分喷洒到半导体晶片（半导体硅片）上，再将B组分喷洒到晶片的相同位置上，使A组分和B组分充分混合。
热对流是指当硫酸与水混合时发生的放热反应。当过氧化氢溶液含70%水时，发生的剧烈的放热反应能产生100℃以上的高温。添加聚乙二醇辛基苯基醚会加剧这种反应。聚乙二醇辛基苯基醚会明显升高硫酸和过氧化氢混合液的温度，也会增强化学反应的效果，经验证，三种化学制品的混合液确实在很大程度上（30%）增强了光刻胶的去除效果，也可以用于去除因接触到热处理，如用于离子注入的强力烘烤或在某些温和条件下产生交联的光刻胶。
本发明的优点在于：
本发明首次将聚乙二醇辛基苯基醚作为表面活性剂用于去除光刻胶的溶液中，它可溶于水，容易稀释，当与硫酸和过氧化氢混合时可以使溶液达到很高的温度。与硫酸和过氧化氢混合物相比，含有聚乙二醇辛基苯基醚的混合液可以更快地溶解离子植入光刻胶。聚乙二醇辛基苯基醚可以保证在更短的处理时间内完成该特殊的处理过程，达到更加完整的去除效果。
具体实施方式
以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。若未特别指明，实施例中所用的技术手段为本领域技术人员所熟知的常规手段，所用原料均为市售商品。
实施例1去除光刻胶的溶液及其配制
1.1溶液配方
A组分：将浓度为96%的硫酸和浓度为30%的过氧化氢按4:1的重量比混合。
B组分：聚乙二醇辛基苯基醚。
使用时，A组分和B组分的重量比为9：1。
实施例2去除光刻胶的溶液的应用
将实施例1的A组分所包括的硫酸和过氧化氢分别从加压的容器中输送至由聚四氟乙烯和全氟烷氧基树脂组成的装管中混合起来，盛放于由全氟烷氧基树脂组成的混合室中，然后喷洒到薄片（半导体硅片）上。聚乙二醇辛基苯基醚（B组分）通过二次喷洒与前面的A组分混合。
与未添加聚乙二醇辛基苯基醚的硫酸和过氧化氢混合液相比，聚乙二醇辛基苯基醚对光刻胶的移除起到增强作用，移除率提高了30%。
虽然，上文中已经用一般性说明及具体实施方案对本发明作了详尽的描述，但在本发明基础上，可以对之作一些修改或改进，这对本领域技术人员而言是显而易见的。因此，在不偏离本发明精神的基础上所做的这些修改或改进，均属于本发明要求保护的范围。

Claims (5)

1.一种去除光刻胶的溶液，其特征在于，包括A组分和B组分，A组分为硫酸和过氧化氢混合溶液，B组分为聚乙二醇辛基苯基醚。
2.根据权利要求1所述的溶液，其特征在于，A组分和B组分的重量比为9：1。
3.根据权利要求2所述的溶液，其特征在于，A组分由浓度为96%的硫酸和浓度为30%的过氧化氢按4:1的重量比组成。
4.权利要求1-3任一项所述溶液在去除光刻胶中的应用。
5.根据权利要求4所述的应用，其特征在于，包括以下步骤：先将A组分喷洒到半导体晶片上，再将B组分喷洒到晶片的相同位置上，使A组分和B组分混合。
CN2013100394210A 2013-01-31 2013-01-31 一种去除光刻胶的溶液及其应用 Pending CN103076725A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2013100394210A CN103076725A (zh) 2013-01-31 2013-01-31 一种去除光刻胶的溶液及其应用

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2013100394210A CN103076725A (zh) 2013-01-31 2013-01-31 一种去除光刻胶的溶液及其应用

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103076725A true CN103076725A (zh) 2013-05-01

Family

ID=48153296

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2013100394210A Pending CN103076725A (zh) 2013-01-31 2013-01-31 一种去除光刻胶的溶液及其应用

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103076725A (zh)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1699530A (zh) * 2004-03-19 2005-11-23 气体产品与化学公司 含有表面活性剂的处理溶液
WO2006107517A2 (en) * 2005-04-04 2006-10-12 Mallinckrodt Baker, Inc. Composition for cleaning ion implanted photoresist in front end of line applications
JP2007503115A (ja) * 2003-08-19 2007-02-15 マリンクロッド・ベイカー・インコーポレイテッド マイクロエレクトロニクス用のストリッピングおよび洗浄組成物
CN101041794A (zh) * 2006-03-24 2007-09-26 长兴化学工业股份有限公司 清洗液组成物和其用途
EP1975987A2 (en) * 2007-03-31 2008-10-01 Advanced Technology Materials, Inc. Methods for stripping material for wafer reclamation
WO2009110582A1 (ja) * 2008-03-07 2009-09-11 和光純薬工業株式会社 半導体表面用処理剤組成物及びそれを用いた半導体表面の処理方法
WO2010017160A2 (en) * 2008-08-04 2010-02-11 Advanced Technology Materials, Inc. Environmentally friendly polymer stripping compositions

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007503115A (ja) * 2003-08-19 2007-02-15 マリンクロッド・ベイカー・インコーポレイテッド マイクロエレクトロニクス用のストリッピングおよび洗浄組成物
CN1699530A (zh) * 2004-03-19 2005-11-23 气体产品与化学公司 含有表面活性剂的处理溶液
WO2006107517A2 (en) * 2005-04-04 2006-10-12 Mallinckrodt Baker, Inc. Composition for cleaning ion implanted photoresist in front end of line applications
CN101041794A (zh) * 2006-03-24 2007-09-26 长兴化学工业股份有限公司 清洗液组成物和其用途
EP1975987A2 (en) * 2007-03-31 2008-10-01 Advanced Technology Materials, Inc. Methods for stripping material for wafer reclamation
WO2009110582A1 (ja) * 2008-03-07 2009-09-11 和光純薬工業株式会社 半導体表面用処理剤組成物及びそれを用いた半導体表面の処理方法
WO2010017160A2 (en) * 2008-08-04 2010-02-11 Advanced Technology Materials, Inc. Environmentally friendly polymer stripping compositions

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2014511040A5 (zh)
KR20170015362A (ko) 반도체 회로 패턴 건조용 치환액, 및 건조 방법
JP2014511040A (ja) 枚葉式基板処理のためのエッチングシステム及び方法
TWI344065B (en) Photoresist stripper composition for semiconductor manufacturing
KR102006323B1 (ko) 식각액 조성물 및 이를 이용한 습식 식각 방법
CN110257072A (zh) 硅片单面制绒与边缘刻蚀用添加剂及其应用
KR20090113296A (ko) 표면 세정 방법
CN103092009A (zh) 用作等离子注入的掩蔽层的光刻胶的去除方法
AU2010218275A1 (en) Stripping compositions for cleaning ion implanted photoresist from semiconductor device wafers
CN103578971A (zh) 一种高能量离子注入后的去胶方法
CN103076725A (zh) 一种去除光刻胶的溶液及其应用
CN104157766A (zh) 一种芯片的砷化镓衬底的高温蚀刻方法
TW201009929A (en) Method and apparatus for removing resist
US8383523B2 (en) Method for texturing silicon wafers, treatment liquid therefor, and use
CN102902169A (zh) 去除光刻胶层的方法
CN105567982B (zh) 一种从氮化镓废料中回收金属镓的方法
CN103834497A (zh) 一种环氧树脂腐蚀剂及其在除去半导体封装料中的应用
US10468266B2 (en) Dry etching method
CN105439907B (zh) 一种稳定性尿素的生产工艺
CN104934315B (zh) 一种晶体硅湿法氧化工艺
RU2419175C2 (ru) Способ обработки подложек в жидкостном травителе
Christenson et al. All wet stripping of implanted photoresist
WO2014104192A1 (ja) レジスト除去液およびレジスト剥離方法
CN101246316A (zh) 组份可回收式集成电路清洗液
CN105506628B (zh) 一种大叶海藻浸提物蚀刻液及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20130501