JP5575822B2 - テクスチャー形成用エッチング液 - Google Patents
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Description
水酸化ナトリウムとホスホン酸誘導体またはその塩を表1に示す割合で混合し、イオン交換水を加えて水溶液を調製し、これを本発明のエッチング液とした。このエッチング液を80℃に加温して、これに表1に示した遊離砥粒方式又は固定砥粒方式のいずれかの単結晶シリコンウェハを20分間浸漬した後、水洗して乾燥させた。得られたシリコンウェハのテクスチャー構造の評価を、次の2項目により実施した。
走査電子顕微鏡(日本電子製 JSM−6380LV)を用いてテクスチャー構造を観察した。倍率1000倍で観察した際に、基板表面上に、ピラミッドがない平坦な領域が全面積に対して5%以下となるようにピラミッド構造を形成しているものを「○」とし、全面積に対して5%を超えて平坦な領域が生じているものを「×」とした。
シリコン基板の反射率を紫外・可視分光光度計(日立ハイテクノロジーズ社製、U−3900H)で測定した。波長600nmの光の反射率が13%以下の場合は良好と判断して「○」とし、13%より大きい場合は不良と判断して「×」とした。
Claims (5)
- (A)アルカリ成分、及び(B)ホスホン酸誘導体又はその塩を含む水溶液からなり、シリコン基板表面に凹凸を形成させるエッチング液であって、
前記(A)アルカリ成分が、アルカリ金属の水酸化物、アルカリ土類金属の水酸化物、及びこれらの水酸化物の塩の中から選択された少なくとも1種であり、
前記(B)ホスホン酸誘導体又はその塩が、1−ヒドロキシエチレン−1,1−ジホスホン酸、ニトリロトリス(メチレンホスホン酸)、ホスホノブタントリカルボン酸、アルキレンジアミンテトラ(メチレンホスホン酸)及びジアルキレントリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)の中から選択された少なくとも1種であるホスホン酸誘導体及び/又は前記ホスホン酸誘導体のアルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、アミン塩、及びアンモニウム塩の中から選択された少なくとも1種であるホスホン酸誘導体の塩であり、
前記(B)ホスホン酸誘導体又はその塩の濃度が、0.1質量%〜25質量%である
ことを特徴とする、エッチング液。 - 前記アルカリ成分が、水酸化ナトリウム又は水酸化カリウムであることを特徴とする、請求項1に記載のエッチング液。
- 前記アルカリ成分の濃度が、0.3質量%〜25質量%であることを特徴とする、請求項1又は2に記載のエッチング液。
- 前記ホスホン酸誘導体が、1−ヒドロキシエチレン−1,1−ジホスホン酸、ニトリロトリス(メチレンホスホン酸)及びホスホノブタントリカルボン酸の中から選択された少なくとも1種であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載のエッチング液。
- 前記アルカリ成分(A)とホスホン酸誘導体又はその塩(B)との配合割合が、質量比でA/B=0.1〜10であることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載のエッチング液。
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