JP6282507B2 - テクスチャー形成用エッチング液およびそれを用いたテクスチャー形成方法 - Google Patents
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Description
アルカリ成分(A)と、ホスホン酸誘導体等(B)と、さらに実施例ではスルホン酸/カルボン酸等(C)とを、表1に示す割合で混合した水溶液5Lを調製した。調製用の水はイオン交換水を使用した。これを本発明のエッチング液とした。
シリコン基板の反射率を紫外・可視分光光度計((株)日立ハイテクノロジーズ製、U−3900H)で測定した。波長600nmと波長700nmの光を評価基準として採用した。波長600nmの場合の反射率が12%以下、かつ、波長700nmの場合の反射率が10%以下である場合は良好と判断して「○」とし、波長600nmおよび波長700nmのいずれかにおいて、反射率が上記基準を満たさない場合は、不良と判断して「×」とした。それぞれのエッチング液について、シリコン基板25枚を試験し、反射率の評価が「○」であるシリコン基板の割合(%)を評価した。
上記(1)シリコン基板の反射率評価でシリコン粉150gを溶解したエッチング液を用いた場合に「○」と判断したシリコン基板から3枚を無作為に任意に抽出し、走査電子顕微鏡(日本電子(株)製 JSM-6380LV)を用いてテクスチャー構造を観察した。基板上の任意の5点を無作為に抽出してそれぞれ倍率4000倍で観察し、25μm×25μmの領域にあるピラミッドの頂点の個数を目視で数えることでテクスチャーの個数nを算出し、5点の平均値を求めた。続いて、次式を用いてテクスチャーの底辺の辺長L(μm)を算出し、3枚の平均値をテクスチャーのサイズとして評価した。
Claims (6)
- シリコン基板表面に凹凸を形成させるエッチング液であって、
(A)アルカリ成分、
(B)ホスホン酸誘導体又はその塩、並びに
(C)ポリカルボン酸、ポリカルボン酸の塩、ポリスルホン酸、及びポリスルホン酸の塩からなる群より選ばれた少なくとも1種の化合物を含有し、
前記ホスホン酸誘導体又はその塩(B)の配合割合と前記化合物(C)との配合割合が、化合物(C)に対するホスホン酸誘導体又はその塩(B)の質量比(B/C)で、0.05〜1.2の範囲内である
ことを特徴とする、エッチング液。 - 前記化合物(C)が、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸の塩、ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物、ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物の塩、ポリスチレンスルホン酸、及びポリスチレンスルホン酸の塩からなる群より選ばれた少なくとも1種の化合物であることを特徴とする、請求項1に記載のエッチング液。
- 前記ホスホン酸誘導体又はその塩(B)が、1−ヒドロキシエチリデン−1,1−ジホスホン酸又はその塩であることを特徴とする、請求項1又は2に記載のエッチング液。
- 前記アルカリ成分(A)が、水酸化ナトリウム又は水酸化カリウムであることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載のエッチング液。
- 前記アルカリ成分(A)の濃度が0.3質量%〜25質量%であり、前記ホスホン酸誘導体又はその塩(B)の濃度が0.01質量%〜5質量%であり、前記化合物(C)の濃度が、0.01質量%〜10質量%であることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載のエッチング液。
- 請求項1〜5のいずれかに記載のエッチング液にシリコン基板を浸漬して、基板表面に凹凸構造を形成させる工程を含むことを特徴とするシリコン基板の表面加工方法。
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