WO2014024414A1 - テクスチャー形成用エッチング液およびそれを用いたテクスチャー形成方法 - Google Patents
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Abstract
Description
但し、一般式(I)におけるR1は炭素数4~12のアルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリール基のいずれかであり、Xはカルボキシル基、スルホ基のいずれかである。一般式(I)で表される化合物としては、R1が分岐構造を有するアルキル基、分岐構造を有するアルケニル基、分岐構造を有するアルコキシ基、又はアリール基である化合物がより好ましい。
但し、R1は炭素数4~12のアルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリール基のいずれかであり、これらの基は炭素骨格に分岐構造を有していてもよく、Xはカルボキシル基、スルホ基のいずれかである。
アルカリ成分(A)、ホスホン酸誘導体等(B)、及び化合物(C)を、以下の各表に示す割合で混合した水溶液を調製し、エッチング液とした。調製用の水はイオン交換水を使用した。
Claims (15)
- シリコン基板表面に凹凸を形成させるエッチング液であって、
(A)アルカリ成分、
(B)ホスホン酸誘導体又はその塩、及び
(C)分子内に、カルボキシル基、スルホ基、塩を形成したこれらの基、及びカルボキシメチル基からなる群より選ばれた少なくとも1種の基を有する化合物
を含有することを特徴とする、エッチング液。 - 前記アルカリ成分(A)が、水酸化ナトリウム又は水酸化カリウムであることを特徴とする、請求項1に記載のエッチング液。
- 前記ホスホン酸誘導体又はその塩(B)が、1-ヒドロキシエチリデン-1,1-ジホスホン酸又はその塩であることを特徴とする、請求項1又は2のいずれか1項に記載のエッチング液。
- 前記化合物(C)が、カルボン酸、カルボン酸の塩、スルホン酸、及びスルホン酸の塩からなる群より選ばれた少なくとも1種であることを特徴とする、請求項1~3のいずれか1項に記載のエッチング液。
- 前記化合物(C)が下記一般式(I)で表わされる化合物であることを特徴とする、請求項4に記載のエッチング液。
R1-X … (I)
但し、R1は炭素数4~12のアルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリール基のいずれかであり、Xはカルボキシル基、スルホ基のいずれかである。 - 前記化合物(C)が、前記一般式(I)において、R1が分岐構造を有するアルキル基、分岐構造を有するアルケニル基、分岐構造を有するアルコキシ基、又はアリール基である化合物であることを特徴とする、請求項5に記載のエッチング液。
- 前記化合物(C)が、ポリカルボン酸、ポリカルボン酸の塩、ポリスルホン酸、及びポリスルホン酸の塩からなる群より選ばれた少なくとも1種の化合物であることを特徴とする、請求項7に記載のエッチング液。
- 前記化合物(C)が、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸の塩、ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物、ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物の塩、ポリスチレンスルホン酸、及びポリスチレンスルホン酸の塩からなる群より選ばれた少なくとも1種の化合物であることを特徴とする、請求項7又は8に記載のエッチング液。
- 前記化合物(C)が、分子内にカルボキシメチル基を有する化合物であることを特徴とする、請求項1~3のいずれか1項に記載のエッチング液。
- 前記分子内にカルボキシメチル基を有する化合物が、単糖類を基本構成単位とする化合物であることを特徴とする、請求項10に記載のエッチング液。
- 前記分子内にカルボキシメチル基を有する化合物が、カルボキシメチルセルロース塩であることを特徴とする、請求項11に記載のエッチング液。
- 前記アルカリ成分(A)と、前記ホスホン酸誘導体又はその塩(B)と、前記化合物(C)との配合割合が、質量比でA/(B+C)=0.1~10の範囲内であることを特徴とする、請求項1~12のいずれか1項に記載のエッチング液。
- 前記アルカリ成分(A)の濃度が0.3質量%~25質量%であり、前記ホスホン酸誘導体又はその塩(B)の濃度が0.1質量%~25質量%であり、前記化合物(C)の濃度が、0.0001質量%~25質量%であることを特徴とする、請求項1~13のいずれか1項に記載のエッチング液。
- 請求項1~14のいずれかに記載のエッチング液にシリコン基板を浸漬して、基板表面に凹凸構造を形成させる工程を含むことを特徴とする、シリコン基板の表面加工方法。
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