JP5667092B2 - シリコンウエハを織地化する方法、その方法のための処理液及びその使用 - Google Patents

シリコンウエハを織地化する方法、その方法のための処理液及びその使用 Download PDF

Info

Publication number
JP5667092B2
JP5667092B2 JP2011552429A JP2011552429A JP5667092B2 JP 5667092 B2 JP5667092 B2 JP 5667092B2 JP 2011552429 A JP2011552429 A JP 2011552429A JP 2011552429 A JP2011552429 A JP 2011552429A JP 5667092 B2 JP5667092 B2 JP 5667092B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
treatment liquid
silicon wafer
liquid
minutes
additive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2011552429A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2012519389A (ja
Inventor
マヘル イザールイェネ
マヘル イザールイェネ
Original Assignee
ゲブリューダー シュミット ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテルハフツング
ゲブリューダー シュミット ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ゲブリューダー シュミット ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテルハフツング, ゲブリューダー シュミット ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング filed Critical ゲブリューダー シュミット ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテルハフツング
Publication of JP2012519389A publication Critical patent/JP2012519389A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5667092B2 publication Critical patent/JP5667092B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0236Special surface textures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0236Special surface textures
    • H01L31/02363Special surface textures of the semiconductor body itself, e.g. textured active layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

本発明は、請求項1の包括的な規定にしたがった、太陽電池を生産する際のシリコンウエハを処理する方法に関し、この目的に適する処理液に関する。さらに、本発明は、その方法を実行するための本発明の処理液の使用に関する。
たとえば、DE102007026081A1は、太陽電池の生産において、シリコンウエハの織地化(texturization)を開示する。この目的のために、処理液はウエハー面に適用される。その手段によって、ピラミッド状の突起部がシリコン面に形成される。このことは、エネルギー収量を付随的に改良しながら、シリコンウエハ中での光の結合と、その後、太陽電池中での光の結合とを改良する。処理液は、添加エッチング抑制剤としてイソプロパノールを含むことができる。
上述した方法を提供することが本発明の目的であり、また、この目的に適する処理液を提供することが本発明の目的であり、その手段によって、先行技術で直面した問題を取り除くことが可能であり、特には、より速くてより良い処理、すなわち織地化(texturization)を達成することが可能である。
この目的は、請求項1で画定された特徴を有する方法と、請求項5で画定された特徴を有する処理液と、請求項8で画定された画定された特徴を有する使用とによって達成される。本発明の有利で好ましい実施形態は、他の請求項の主題となり、より詳細に下記に述べられる。請求項の表現は特に明細書の内容を参照する。
好ましくはアルカリ性処理液である処理液は添加剤を含む。この添加剤は、添加エッチング抑制剤でよく、本発明に従えば、エチルヘキサノール又はシクロヘキサノールである。2つの添加剤は相互に取って代わるものとして使用され得ることが好ましいが、幾つかの状況下ではそれらは両方一緒に用いられてよい。処理液中のそれらの具体的な添加剤の利点は、高沸点の理由により、本発明の更なる実施形態において示されるが他の可能性があるものよりもより高温でその方法を実行することが可能であるという事実にある。
エチルヘキサノールの沸点が182℃であるという事実と、シクロヘキサノールの沸点が161℃であるという事実の理由によって、織地化(texturization)を実施する場合に、それらとともに混合される処理液が高温で用いられることは明らかに可能である。先行技術である添加剤のイソプロパノールの沸点が82℃で低いために、充分ではない織地化(texturization)の結果を得ないようにするために、イソプロパノールは一定の補充を必要とするか、又は、温度は80℃か又は更に低い温度で維持されなければならず、その場合に、処理、すなわち、織地化(texturization)の効果を得るのに含まれる方法はかなり長い時間がかかり、そのことはまた、非常に有害なこととなる可能性がある。本発明の添加剤を使うことによって、80℃、又はそれより高い温度、例えばおよそ90℃で織地化(texturization)の効果を得ることは可能となる。そして、処理の時間は10〜15分でよく、好ましくはおよそ11分である。その後、シリコンウエハは処理液を含む浴から取り出されて、その後リンスされ、乾燥されて、さらに処理される。
本発明の別の実施形態において、シリコンウエハは処理液中で扇動され得る。そして、そのことは、同様に、織地化(texturization)を改良するか、又は加速化させる。相対運動がシリコンウエハと処理液との間で起こる場合、すなわち、処理液が運動を維持している場合か、又は内部の流体の流れを示す場合に扇動の準備が整う。
本発明の目的は本発明の方法の使用によって更に達成され、特には太陽電池の生産におけるシリコンウエハの処理をもたらすための方法の使用によって達成される。
本発明の処理液は、エチルヘキサノール又はシクロヘキサノールの形態の添加剤に加えて更なる成分として水を含むことができる。添加剤は0.3質量%〜4質量%の量で添加されてよく、特に好ましくは0.5質量%〜3質量%の量で添加される。
本発明の更なる別の実施形態として、処理液は追加的にKOHを含むことができる。その割合は1.5容積%〜5容積%でよく、好ましくは2容積%〜3容積%である。
本発明の別の独立した態様は、方法を実行するための本発明の処理液の使用であり、特には、上記で述べたような方法を実行するための処理液の使用である。
これらと他の特徴は特許請求の範囲に開示され、それらの個々の特徴は、本発明の任意の1つの実施形態と他の分野とのサブコンビネーションの形態で単独的に又は複数的に(マルチ的に)達成され得る。そして個々の特徴は、好ましく、かつ、特許性のある実施形態を本質的に形成することが可能であり、それらに対する保護が本明細書において請求される。
本発明の方法の実行に関しては、同様に、DE102007026081A1が参照され、その文献の関連の主題は引用によって本明細書に含まれる。その引用文献において、図1及び2はそのような方法がどのように実行されるかを例示し、したがって、図1及び2は本明細書で述べられる方法のパラメーター及び量でも同様に、良好な実行を可能とする。

Claims (8)

  1. 太陽電池の生産のためのシリコンウエハを処理する方法であって、織地化(texturization)の目的のために、処理液が該シリコンウエハの表面に適用され、該処理液が水及びエチルヘキサノールを含むアルカリ性溶液である、方法。
  2. 前記方法が、太陽電池の生産において、シリコンウエハを織地化(texturization)する従来の方法よりも高温で実行されて、該高温が80℃から95℃の範囲であり、特にはおよそ90℃である、請求項1に記載の方法。
  3. 前記処理液が8分間から20分間の範囲で、特には10分間から13分間の範囲で、前記シリコンウエハに適用される、請求項1又は2に記載の方法。
  4. 前記シリコンウエハが該処理液中で扇動される、すなわち、該処理液に対して相対的に動かされる、請求項1から3のいずれか1項に記載の方法。
  5. 水に加えて、添加剤としてエチルヘキサノールを含む、請求項1から4のいずれか1項に記載の方法を実行するための処理液。
  6. 前記添加剤が、0.3質量%から4質量%の範囲の量で添加される、好ましくは0.5質量%〜3質量%の範囲の量で添加される、請求項5に記載の処理液。
  7. 追加的にKOHを含み、好ましくは1.5容積%〜5容積%の量で含み、より好ましくは2容積%〜3容積%の量で含む、請求項5又は6に記載の処理液。
  8. 請求項1から4のいずれか1項に記載の方法を実行するための請求項5から7のいずれか1項に記載の処理液の使用。
JP2011552429A 2009-03-03 2010-03-03 シリコンウエハを織地化する方法、その方法のための処理液及びその使用 Active JP5667092B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102009012827.1 2009-03-03
DE102009012827A DE102009012827A1 (de) 2009-03-03 2009-03-03 Verfahren zur Texturierung von Siliziumwafern für Solarzellen und Behandlungsflüssigkeit dafür
PCT/EP2010/052677 WO2010100185A1 (de) 2009-03-03 2010-03-03 Verfahren zur texturierung von siliziumwafern, behandlungsflüssigkeit dafür und verwendung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012519389A JP2012519389A (ja) 2012-08-23
JP5667092B2 true JP5667092B2 (ja) 2015-02-12

Family

ID=42309596

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011552429A Active JP5667092B2 (ja) 2009-03-03 2010-03-03 シリコンウエハを織地化する方法、その方法のための処理液及びその使用

Country Status (14)

Country Link
US (1) US8383523B2 (ja)
EP (1) EP2404325B1 (ja)
JP (1) JP5667092B2 (ja)
KR (1) KR101643307B1 (ja)
CN (1) CN102405529A (ja)
AU (1) AU2010220289B2 (ja)
CA (1) CA2754380A1 (ja)
DE (1) DE102009012827A1 (ja)
ES (1) ES2528632T3 (ja)
IL (1) IL214936A0 (ja)
MX (1) MX2011009243A (ja)
MY (1) MY157459A (ja)
SG (1) SG174226A1 (ja)
WO (1) WO2010100185A1 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009012827A1 (de) * 2009-03-03 2010-10-07 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Verfahren zur Texturierung von Siliziumwafern für Solarzellen und Behandlungsflüssigkeit dafür
CN102544206B (zh) * 2011-12-26 2014-02-26 霞浦吉阳新能源有限公司 一种用于晶体硅制绒的混醇工艺方法
CN102634851B (zh) * 2012-03-26 2016-03-02 北京吉阳技术股份有限公司 一种用于太阳电池制造的制绒方法
CN106119977B (zh) * 2016-08-29 2018-10-16 常州时创能源科技有限公司 单晶硅片制绒添加剂及应用

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19811878C2 (de) 1998-03-18 2002-09-19 Siemens Solar Gmbh Verfahren und Ätzlösung zum naßchemischen pyramidalen Texturätzen von Siliziumoberflächen
DE10192864T1 (de) * 2000-06-21 2002-09-19 Dainippon Printing Co Ltd Laminat und Verwendung davon
DE10241300A1 (de) * 2002-09-04 2004-03-18 Merck Patent Gmbh Ätzpasten für Siliziumoberflächen und -schichten
JP3740138B2 (ja) 2003-06-25 2006-02-01 直江津電子工業株式会社 テクスチャー形成用エッチング液
JP4326545B2 (ja) * 2006-02-23 2009-09-09 三洋電機株式会社 凹凸基板の製造方法及び光起電力素子の製造方法
DE102006051952A1 (de) * 2006-11-01 2008-05-08 Merck Patent Gmbh Partikelhaltige Ätzpasten für Siliziumoberflächen und -schichten
DE102007026081A1 (de) 2007-05-25 2008-11-27 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Verfahren zur Behandlung von Siliziumwafern, Behandlungsflüssigkeit und Siliziumwafer
JP2010074102A (ja) * 2008-09-22 2010-04-02 Mitsubishi Electric Corp シリコン基板のエッチング方法、シリコン基板のエッチング液、シリコン基板のエッチング装置
US8222149B2 (en) * 2008-09-22 2012-07-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for photoresist pattern removal
JP2010093194A (ja) * 2008-10-10 2010-04-22 Sharp Corp 太陽電池の製造方法
DE102009012827A1 (de) * 2009-03-03 2010-10-07 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Verfahren zur Texturierung von Siliziumwafern für Solarzellen und Behandlungsflüssigkeit dafür
US7910393B2 (en) * 2009-06-17 2011-03-22 Innovalight, Inc. Methods for forming a dual-doped emitter on a silicon substrate with a sub-critical shear thinning nanoparticle fluid
JP2011124546A (ja) * 2009-10-14 2011-06-23 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 半導体ウェハを清浄化しマイクロエッチングする方法
KR20110069737A (ko) * 2009-12-17 2011-06-23 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨. 개선된 반도체 기판 텍스쳐링 방법

Also Published As

Publication number Publication date
AU2010220289B2 (en) 2015-06-18
SG174226A1 (en) 2011-10-28
WO2010100185A1 (de) 2010-09-10
KR20110123756A (ko) 2011-11-15
JP2012519389A (ja) 2012-08-23
KR101643307B1 (ko) 2016-07-27
EP2404325B1 (de) 2014-12-03
AU2010220289A1 (en) 2011-09-22
IL214936A0 (en) 2011-11-30
MX2011009243A (es) 2011-10-24
US8383523B2 (en) 2013-02-26
DE102009012827A1 (de) 2010-10-07
CA2754380A1 (en) 2010-09-10
ES2528632T3 (es) 2015-02-11
MY157459A (en) 2016-06-15
CN102405529A (zh) 2012-04-04
US20120034725A1 (en) 2012-02-09
EP2404325A1 (de) 2012-01-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2012114449A (ja) シリコンウェハーのテクスチャ形成用の組成物及び方法
CN102315113B (zh) 一种具有低挥发性的太阳电池单晶硅制绒液及应用
JP5667092B2 (ja) シリコンウエハを織地化する方法、その方法のための処理液及びその使用
CN102154711A (zh) 一种单晶硅清洗液及预清洗工艺
JP2004047980A5 (ja) 微細構造体の洗浄方法
CN107742662B (zh) 一种蜂窝状湿法黑硅绒面结构及其制备方法以及黑硅电池及其制备方法
CN104562011B (zh) 多晶硅片的制绒辅助剂及制绒工艺
CN101337227B (zh) 使用清洁溶液清洁半导体晶片的方法
CN103993360B (zh) 多晶硅片制绒辅助剂及其应用
CN103869636A (zh) 一种光刻胶去除剂
TW201422807A (zh) 一種去除光阻的清洗液
CN104241118A (zh) 去除附着于金属零件表面硅化物薄膜的清洗方法
CN105527802A (zh) 一种光刻胶清洗液
CN104051578B (zh) 一种太阳电池用多晶硅片的气相刻蚀制绒方法
JP5575822B2 (ja) テクスチャー形成用エッチング液
TW201418913A (zh) 一種去除光阻殘留物的清洗液
TWI635160B (zh) 紋理蝕刻溶液組成物及晶體矽晶圓紋理蝕刻方法
CN105483833A (zh) 一种氮化铝单晶的位错腐蚀方法
CN107354513A (zh) 一种高效稳定的锗单晶片腐蚀工艺
CN104651948A (zh) 一种c面蓝宝石的刻蚀方法
TW201348406A (zh) 紋理化矽晶圓的組合物及方法
JP6157895B2 (ja) テクスチャー形成用組成物、シリコン基板の製造方法、及びテクスチャー形成用組成物調製キット
CN103236471B (zh) 一种图形化的太阳能电池用Ge衬底湿法化学制备方法
TW201510179A (zh) 矽晶片蝕刻添加劑
JP6282507B2 (ja) テクスチャー形成用エッチング液およびそれを用いたテクスチャー形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20130221

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20131129

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20131203

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140227

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140401

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20140701

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20140708

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140929

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20141111

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20141211

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5667092

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250