TWI445806B - 清潔及微蝕刻半導體晶圓之方法 - Google Patents

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Description

清潔及微蝕刻半導體晶圓之方法
本發明係關於同步地清潔半導體晶圓之無機及有機污染物及微蝕刻該半導體晶圓之方法。更具體而言，本發明係關於使用含有鹼性化合物及中值烷氧基化物(mid-range alkoxylate)之鹼性水溶液同步地清潔半導體晶圓之無機及有機污染物及微蝕刻該半導體晶圓之方法。
常規地，半導體晶圓可藉由下列步驟製造之：
(1)藉由內徑鋸將半導體錠切片以獲得晶圓；
(2)用水洗滌該晶圓以移除污染物；以及
(3)隨後清潔該晶圓，以移除包括重金屬及顆粒之污染物，隨後乾燥。
該晶圓典型係用於製造光伏裝置，如太陽能電池。太陽能電池係將入射於其表面之光能如陽光轉化為電能的裝置。業經嘗試多種途徑以增加能量之吸收度。該途徑之一係降低入射於該太陽能電池表面之光的反射。光反射之降低使得將光轉化為電能之效率得以提升。典型地，係於預設之條件下以鹼性水溶液如氫氧化鈉對該半導體晶圓之表面實施紋理化。此紋理化可形成高度大於1微米(μm)之稜錐結構(pyramid structure)，以提升該晶圓之光吸收度。
於紋理化之前，使用內徑鋸(inner diameter saw)將該半導體錠切片至所欲之尺寸及形狀。於該切割製程之過程中，來自該鋸之金屬，如鐵、氧化鐵、銅、氧化銅及鋅污染經切片之半導體的表面。此外，於切割過程中施加至該鋸之漿料亦污染該半導體。使用漿料切割半導體錠藉由降低殘留之加工畸變，抑制製程張力並抑制切割熱而提升該切割製程，其中該漿料係遊離研磨劑顆粒(如碳化矽)與有機材料或油基質(如礦物油)之混合物，或係遊離研磨劑顆粒與水溶液基質(如聚乙二醇)之混合物。再者，藉由將鹼性氫氧化物加入該漿料中，因切割產生之製程張力(殘留畸變)得以排除，從而提供低畸變晶圓。此方法係於美國專利第U.S. 6,568,384號中揭示。該研磨劑顆粒及有機材料污染該半導體晶圓。若不移除他們，他們可抵損該紋理化製程，並非所欲地增加最終之太陽能電池產品的反射度。藉此，對於達成所欲之太陽能電池效能來說，該表面污染物之移除係重要者。
尚未發現，清潔半導體晶圓之常規方法(如使用水及鹼性清潔劑)中有可使得該半導體工業中之多數工人滿意者。金屬如鐵及銅，尤其鐵，係難以移除者。若未將鐵自該晶圓移除，則於該晶圓上形成顯示為黑點之氧化鐵，其抵損該晶圓對入射光的吸收度。業經發現，某些鹼性清潔劑成功地移除有機材料，但無法移除金屬。因此，於半導體工業中，需要自半導體晶圓移除污染物之改進方法，以提升該半導體晶圓之整體效能及外觀；以及最小化可降低太陽能電池效率之導電金屬對晶圓之污染。
於一態樣中，提供一種方法，該方法係包括提供半導體錠；切割該半導體錠，以形成一個或多個包含無機污染物及有機污染物的半導體晶圓；以及施加足量之包含一種或多種四級銨氫氧化物、一種或多種鹼金屬氫氧化物及一種或多種中值烷氧基化物的鹼性水溶液，以移除該污染物及微蝕刻該半導體晶圓。
於另一態樣中，提供一種足量之組成物，該組成物係包含一種或多種四級銨氫氧化物、一種或多種鹼金屬氫氧化物及一種或多種中值烷氧基化物，以自半導體晶圓移除無機及有機污染物及微蝕刻該半導體晶圓。
該方法係用以在自錠切割半導體晶圓之後以及任何進一步之加工步驟之前，移除該半導體晶圓上之污染物。於該切割製程中使用之鋸以金屬如鐵、氧化鐵、銅、氧化銅及鋅污染該半導體之表面。於該切割製程中使用之漿料亦以有機物及研磨劑顆粒污染該表面。由於該污染物抵損使用該半導體之裝置的外觀及效能效率，因此該污染物係非所欲者。併入至該矽主體(silicon matrix)之金屬污染物可導致不足之導電性，以及裝置(包括該半導體者)效率的整體下降。除了自該半導體晶圓清潔金屬、有機物及研磨劑顆粒之外，該方法係與超音波清潔製程相容，係低發泡，對環境友好，具依用戶製程客製之彈性。該方法亦微蝕刻該半導體晶圓。該微蝕刻幫助移除被殼覆之殘留物，如鐵、銅、碳化矽及氧化矽，以及通常可於該晶圓之矽主體中之該晶圓表面最初之10奈米(nm)內捕獲的金屬。
如整篇說明書所使用者，術語“組成物”及“浴”係可互換地使用。術語“選擇性沈積”係意指沈積發生於基板上的特定所欲區域內。術語“閃點”係意指可燃液體之蒸氣可於空氣中點燃的最低溫度。如整篇說明書所使用者，除了內文另行指明者外，下述縮寫係具有下述意義：℃=攝氏度；gm=公克；L=公升；mL=毫升；cm=公分；ppm=百萬分之一；ppb=十億分之一；wt%=重量百分率；A=安培；m=米；dm=分米；cm=公分；μm=微米；nm=奈米；min.=分鐘；psig=每平方吋表讀磅=0.06805大氣壓；1大氣壓=1.01325×106達因/cm2 ；UV=紫外光；以及IR=紅外光。術語“米燭光(lux)=1x”係照明之單位，等於1流明/m2 ；且1 lux=於540兆赫之頻率下1.46毫瓦之輻射電磁(EM)力。除了另行指明者之外，全部百分率及比例係基於重量計。所有數值範圍係包括邊值且可以任何順序組合，除非此等數值範圍受限於加總和邏輯上最高為100%。
可使用該技藝中已知之任何常規方法自錠上切割半導體晶圓。通常，係使用常規線鋸設備切割錠。該線鋸設備的一種實例係於美國專利第U.S. 6,568,384號中揭露並例示之。於該鋸中所使用之線係黏附有研磨劑顆粒如具有#100至#6000尺寸之金剛砂、金剛石、碳化矽或其他研磨劑顆粒者。可將黏合劑施加至該線上以使研磨劑可黏附至該線上。
於該切割製程中使用之漿料係遊離研磨劑顆粒與油基質或水溶液基質之混合物。所使用之該油基質係其中已混合有分散劑及增稠劑之礦物油。所使用之水溶液基質係包括已加入多種添加劑之30%至80%之水或聚乙二醇中的。可使用碳化矽、綠色碳化矽(green silicon carbide)或多種金屬及氧化物粗粒作為該遊離研磨劑顆粒。典型係使用顆粒尺寸為#600至#1000之碳化矽。
該具體配方及漿料中組分之量可變化，例如依照工人之偏好決定。典型地，該漿料係其中加入有碳化矽之作為基質之礦物油溶液的混合物。該混合物比例之範圍可自基質：碳化矽=1:1至1:1.3。水性基質漿料可包括以基質：碳化矽為0.8至0.9:1之混合物之加入有碳化矽之30%至80%之水或聚乙二醇。
切割該錠以形成半導體晶圓之製程導致該晶圓表面上存在眾多污染物。來自該線鋸之金屬如鐵、氧化鐵、銅、氧化銅及鋅、有機材料如礦物油及乙二醇、研磨劑顆粒、以及其他常規地包括於漿料中之添加劑會塗覆於該晶圓之表面上。於任何進一步加工步驟之前，使用包含一種或多種四級銨氫氧化物、一種或多種鹼性氫氧化物及一種或多種中值烷氧基化物的鹼性水溶液清潔及微蝕刻該半導體晶圓。“微蝕刻”係意指自該晶圓移除矽，且於該晶圓表面上形成0.025μm至2μm(峰至谷之高度)，或諸如0.1μm至0.4μm之不規則的表面粗糙度。天然氧化物(SiO2 )以及被殼覆之殘質亦於微蝕刻中移除。
可藉由該技藝中已知之任何適當方法將該水性鹼性清潔及微蝕刻組成物施加至半導體晶圓。可將半導體晶圓浸沒於該水性鹼性清潔及微蝕刻組成物中，可將該組成物噴灑於半導體晶圓上，或可於常規超音波清潔製程使用該組成物。該水性鹼性清潔及微蝕刻組成物可於30℃至90℃，典型45℃至60℃之溫度範圍施加。該水性微蝕刻溶液係施加至半導體基板之表面，暫流時間(dwell time)為5分鐘至40分鐘，典型10分鐘至30分鐘。隨後，視需要用水沖洗該半導體基板。清潔該半導體晶圓之污染物並將其微蝕刻之後，使用製造光伏裝置如太陽能電池之常規方法加工該半導體晶圓。
通常，該水性鹼性清潔及微蝕刻方法係適用於清潔及微蝕刻半導體晶圓。該水性鹼性清潔及微蝕刻組成物之pH之範圍係自11及更高，典型係12至13，更典型係12至12.5。半導體晶圓可為結晶或非晶形。該結晶類型可為單晶或多晶。於達成最優之光伏裝置之外觀及效率上，潔淨之表面係重要者。晶圓表面上之任何污染物可最終抵損光伏裝置之效能。該方法自該晶圓表面實質地移除全部金屬、金屬氧化物及有機化合物。鐵及銅尤其難用水移除。鐵特別會造成問題，蓋因其在晶圓表面上形成氧化鐵。一旦於晶圓表面上形成氧化鐵，其非常難以移除且抵損該晶圓之整體入射光吸收度。再者，若大量鐵保留於該晶圓表面上，隨著時間流逝，作為氧化鐵形成之特徵的黑點變得越發嚴重。該方法將污染物降至ppb範圍或更低之水準。典型地，將該水性鹼性清潔及微蝕刻組成物施加至半導體晶圓之後，污染物範圍係0 ppb至10 ppb。藉由提供潔淨之晶圓表面，該方法準備了供紋理化(稜錐之形成)之晶圓表面。該紋理化或稜錐之形成降低入射光反射度，且提升完成之光伏裝置中將光能轉化為電能的轉化。通常，紋理化係用以提供1μm或更高，典型1μm至10μm之均勻的表面粗糙度。
四級銨氫氧化物與鹼金屬氫氧化物之重量比範圍係2:1至1:2，典型係1.5:1至1:1.5，更典型係1.25:1至1:1.25，最典型係1:1。四級銨氫氧化物係包括，但不限於，氫氧化四甲基銨(TMAH)、氫氧化四乙基銨、氫氧化四丙基銨、氫氧化四丁基銨、氫氧化四甲基-2-羥基乙基銨(膽鹼)、氫氧化三甲基-3-羥基丙基銨、氫氧化三甲基-3-羥基丁基銨、氫氧化三甲基-4-羥基丁基銨、氫氧化三乙基-2-羥基乙基銨、氫氧化三丙基-2-羥基乙基銨、氫氧化三丁基-2-羥基乙基銨、氫氧化二甲基乙基-2-羥基乙基銨、氫氧化二甲基二(2-羥基乙基)銨、氫氧化單甲基三(2-羥基乙基)銨、氫氧化單甲基三乙基銨、氫氧化單甲基三丙基銨、氫氧化單甲基三丁基銨、氫氧化單乙基三甲基銨、氫氧化單乙基三丁基銨、氫氧化二甲基二乙基銨及氫氧化二甲基二丁基銨。四級銨氫氧化物係以該水性清潔及微蝕刻組成物之0.01wt%至15wt%的量包括於該組成物中。典型地，四級銨氫氧化物係以1wt%至10wt%之量包括於該組成物中。
鹼金屬氫氧化物係包括氫氧化鉀、氫氧化鈉及氫氧化鋰。典型地，係使用氫氧化鈉及氫氧化鉀。更典型地，係使用氫氧化鉀。該鹼金屬氫氧化物係以該水性清潔及微蝕刻組成物之0.01wt%至10wt%的量包括於該組成物中。典型地，鹼金屬氫氧化物係以0.5wt%至8wt%之量包括於該組成物中。
非離子性中值烷氧基化物表面活性劑提供該半導體表面之動態潤濕(dynamic wetting)，且係低發泡者。動態潤濕係意指，該表面活性劑自半導體晶圓之表面置換另一種液體或空氣。這使得快速且有效地移除黏附於該晶圓表面之許多污染物成為可能。此外，該非離子性中值烷氧基化物表面活性劑係生物可降解者，因此他們是對環境友好的。於一具體實施態樣中，中值烷氧基化物非離子性表面活性劑係包括具有下述通式之化合物：
R1 -O-[(CH2 CH(R2 )-O)x (CH2 CH2 O)y ]z -H　(I)
其中，x每次出現時係獨立為0或1至11之實數，限制條件為，至少一次，x係大於0；y每次出現時係0或1至20之實數，限制條件為，至少一次，y係大於0；z係1至50之整數；R1 係C6-10 分支鏈或直鏈醇；以及R2 每次出現時係獨立為-CH3 或-CH2 CH3 。
應理解，“x”及“y”係分別表示丙氧基化或丁氧基化(取決於R2 之身分)及乙氧基化之平均程度。因此，x及y不必是整數。合而言之，x及y構建於寡聚物分佈中的烷氧基化程度。明顯地，x及y之次序係嵌段或無規，且其中x為第一嵌段或最末嵌段。
與之類似，“z”係整數，蓋因其係表示該式之重複數目。舉例而言，對於POx -EOy -BOx 寡聚物來說，z為2，且第二個y是0。對於EOy -BOx -POx 寡聚物，z為3，且第一個x以及第二個及第三個y是0。
於另一具體實施態樣中，中值烷氧基化物非離子性表面活性劑係具有下述通式之化合物：
R1 -O-(CH2 CH(R2 )-O)x (CH2 CH2 O)y -H　(II)
其中，x係1至11之實數；y係1至20之實數；R1 係C6-10 分支鏈或直鏈醇；以及R2 係-CH3 或-CH2 CH3 。
於一具體實施態樣中，x典型係4、5或6，更典型係5。於一具體實施態樣中，y典型係3、6、9或11，更典型係6。
R1 可以是C6-10 分支鏈或直鏈醇。典型地，R1 係C8-9 分支鏈醇。於一具體實施態樣中，R1 係2-乙基己醇或2-丙基己醇，更典型係2-乙基己醇。
於一具體實施態樣中，R1 係自內辛烯(internal octenes)製備之醇。內辛烯係指代當將乙烯與1-辛烯反應以製備乙烯/1-辛烯共聚物時遺留之未反應殘質或副產物。這些內辛烯可作為清除氣流(purge stream)自該製程獲得，隨後可藉由後文揭示之製程轉化為醇。自內辛烯製備之醇係包括下列之至少一者：1-壬醇、2-甲基-1-辛醇、2-乙基-1-庚醇、2-丙基-1-己醇、3-甲基-4-羥基甲基庚烷、3-甲基-3-羥基甲基-庚烷或2-羥基甲基-3-甲基庚烷。典型地，該醇係依據於1-辛烯源之摻合物。
於一具體實施態樣中，R2 係-CH3 ，表示環氧丙烷。於其他具體實施態樣中，R2 係-CH2 CH3 ，表示環氧丁烷。
式II之典型表面活性劑係彼等其中x為4、5或6；y為3、6、9或11；R1 為C8-9 分支鏈醇以及R2 為-CH3 者。式II之更典型表面活性劑係彼等其中x為5；y為6；R1 為2-乙基己醇以及R2 為-CH3 者。典型地，該PO或BO部份以及EO部份係嵌段饋料之結果。
可藉由諸如於U.S. 2005/0170991A1中揭示之彼等方法將醇轉化為醇之烷氧基化物。也可使用包括但不限於在U.S. 6,429,342中揭示之彼等金屬氰化物催化劑將脂肪酸醇給烷氧基化。
可於酸性或鹼性催化劑之存在下完成烷氧基化製程。典型係使用鹼性催化劑，如鈉或鉀之氫氧化物或醇化物，包括氫氧化鈉、氫氧化鉀、甲醇鈉、甲醇鉀、乙醇鈉及乙醇鉀。基於該起始材料，鹼催化劑之用量典型係0.05wt%至5wt%，更典型係0.1wt%至1wt%。於一非限制性具體實施態樣中，首先係將C8烯烴混合物轉化為醇，以及隨後藉由使用2至5莫耳之環氧丙烷及1至10莫耳之環氧乙烷的烷氧基化而轉化以形成非離子性表面活性劑。
於一非限制性具體實施態樣中，該環氧烷之加成可於高壓釜中於10 psig至200 psig，典型60 psig至100 psig予以完成。烷氧基化之溫度可為30℃至200℃，典型100℃至160℃之範圍。氧化物饋料完成之後，允許該產物反應直至殘留之氧化物少於10 ppm。將該反應器冷卻至適宜之溫度範圍(20℃至130℃)之後，可將殘留之催化劑不經中和而留下或使用有機酸如乙酸、丙酸或檸檬酸中和。或者，可使用無機酸如磷酸或二氧化碳中和該產物。亦可使用離子交換或吸附介質如矽藻土移除殘留之催化劑。最終之中值烷氧基化物可輕易地被生物降解，且可以0.001wt%至10wt%，或諸如0.05wt%至5wt%之量用於清潔及微蝕刻組成物中。
視需要，該水性鹼性清潔及微蝕刻組成物係包括一種或多種具有170 g/mole或更高之重均分子量以及75℃或更高之閃點的烷氧基化二醇、其單甲基醚或單甲基醚乙酸酯衍生物。典型地，該烷氧基化二醇、其單甲基醚或單甲基醚乙酸酯衍生物的重量平均分子量係170 g/mole至4000 g/mole，更典型係190 g/mole至500 g/mole。閃點典型係75℃至300℃，或諸如100℃至300℃。更典型地，閃點係140℃至200℃之範圍。於該水性鹼性清潔及蝕刻組成物中使用之烷氧基化二醇、其單甲基醚及單甲基醚乙酸酯衍生物係可溶於水者或至少可與水混溶者。75℃或更高之閃點係提供防止組成物組分之實質蒸發的非揮發性組成物。此外，具有190℃或更高之沸點的烷氧基化二醇、其單甲基醚及單甲基醚乙酸酯衍生物進一步降低於操作溫度損失的量。藉此，該組成物可於較眾多常規清潔組成物更長之時間區間內使用。
烷氧基化二醇、其單甲基醚及單甲基醚乙酸酯衍生物係以該水性溶液之0.01wt%至2wt%的量包括於該水性組成物中。典型地，烷氧基化二醇、其單甲基醚及單甲基醚乙酸酯衍生物係以該水性組成物之0.1wt%至1wt%的量包括於該組成物中。該烷氧基化二醇、其單甲基醚及單甲基醚乙酸酯衍生物係非環狀，但係直鏈或分支鏈化合物。烷氧基化二醇、其單甲基醚及單甲基醚乙酸酯衍生物係包括，但不限於，具有如下通式之化合物：
RO(Ca H2a O)m Y　(III)
其中，R係-CH3 或-H，Y係-H或-C(O)CH3 ，以及“m”係3或更大之整數，或諸如8至66之整數。典型地，m係3至6之整數，更典型係3至5之整數；以及“a”係3至6之整數，或諸如3至4之整數。典型地，R係-H且Y係-H。該烷氧基化二醇之實例係三丙二醇、四丙二醇、聚丙二醇、三丁二醇、四丁二醇、聚丁二醇、三戊二醇、四戊二醇及聚戊二醇。
烷氧基化二醇也包括，但不限於，具有如下通式之化合物：
HO(CH2 CH2 O)n H　(IV)
其中，“n”係3或更大之整數，或諸如5至200之整數。典型地，n係3至5之整數，更典型係3至4之整數。該烷氧基化二醇之實例係三乙二醇、四乙二醇及聚乙二醇。
視需要，該水性鹼性清潔及微蝕刻組成物係包括一種或多種螯合劑。螯合劑係以0.001wt%至5wt%，或諸如0.01wt%至1wt%之量包括於該組成物中。該螯合劑係包括，但不限於，伸乙二胺四乙酸及其鹽，聚羧酸及其鹽。二羧酸之實例係亞胺二乙酸、草酸、丙二酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、庚二酸、馬來酸、富馬酸及苯二甲酸及其鹽。三羧酸之實例係氮三乙酸、苯偏三甲酸、丙三甲酸及其鹽。典型係使用該酸之鹽，如其鹼金屬鹽以幫助保持pH為11或更高之鹼性環境。
該水性鹼性清潔及微蝕刻組成物除了包括一種或多種中值烷氧基化物非離子性表面活性劑之外，該組成物可包括一種或多種不抵損該組成物之清潔及微蝕刻效能的額外表面活性劑。該表面活性劑可為常規之非離子性、陰離子性、陽離子性、兩性及雙子(二聚物)表面活性劑。典型地，該表面活性劑係非離子性。該表面活性劑係以0.001wt%至3wt%，或諸如0.01wt%至1wt%之量包括於該組成物中。
雙子表面活性劑(GS)係包括藉由分隔子而化學地鍵結在一起的兩個常規表面活性劑分子。兩個末端烴尾可為短鏈或長鏈；兩個極性頭基可為陽離子性、陰離子性或非離子性。該分隔子可為短鏈或長鏈，柔性或剛性。該GS無需繞該分隔子之中心對稱地佈設。各表面活性劑部份之親水基及疏水基可為彼等已知於具有一個親水基及一個疏水基之常規表面活性劑中使用之任一者。舉例而言，典型之非離子性雙子表面活性劑，如雙-聚氧乙烯烷基醚(polyoxyethylene alkyl ether)，可含有兩個聚氧乙烷基醚部份。可包含於該清潔組成物中之雙子表面活性劑的一種類型係於U.S. 5,945,393中揭示之非離子性雙子表面活性劑。
於一具體實施態樣中，該水性鹼性清潔及微蝕刻組成物主要由一種或多種四級銨鹽、一種或多種鹼金屬鹽及一種或多種中值烷氧基化非離子性表面活性劑所組成。於另一具體實施態樣中，該水性鹼性清潔及微蝕刻組成物主要由一種或多種四級銨鹽、一種或多種鹼金屬氫氧化物、一種或多種中值烷氧基化非離子性表面活性劑及一種或多種螯合劑所組成。
該一種或多種四級銨氫氧化物、該一種或多種鹼金屬氫氧化物及該一種或多種中值烷氧基化非離子性表面活性劑之組合使得自該半導體晶圓移除金屬、金屬氧化物及有機污染物及被殼覆之殘質之同步清潔及微蝕刻方法成為可能。此外，該水性鹼性清潔及微蝕刻組成物係低發泡者，因此，他們與噴灑清潔設備係高度相容。舉例而言，於噴灑清潔製程中，發泡可因達到噴灑設備的水平感測器而造成問題，並隨後造成該設備關機。
使用該水性鹼性清潔及微蝕刻組成物清潔及微蝕刻之半導體可用於將入射光，如來自陽光、雷射、螢光燈以及其他光源之光轉化為電能的裝置中。該裝置係包括，但不限於，光伏裝置如太陽能電池、光學及電化學偵檢器/感測器、生物偵檢器/生物感測器、催化劑、電極、閘電極、歐姆接觸、互連線、肖特基巴利(Schottky barrier)二極體接觸及光電元件。
自該錠切下且使用該水性鹼性清潔及微蝕刻組成物之半導體晶圓典型係形狀可為圓形、方形或矩形且可為其他任何適當之形狀的晶圓。該晶圓可具有廣泛種類範圍變化之尺寸及表面電阻率。舉例而言，圓形晶圓可具有150 nm、200 nm、300 nm、400 nm或更大之直徑。
於光伏裝置或太陽能電池之製造中，該晶圓之整個背面可能塗覆有金屬，或該晶圓背面之一部份可能塗覆有金屬，如形成格柵。可藉由多種技術提供此背面之金屬化，且可於將該晶圓之正面金屬化之前完成。於一具體實施態樣中，係以導電糊料，如含銀糊料、含鋁糊料或含銀鋁糊料之形式施加至該背面上；然而，亦可使用該技藝中已知之其他適當之糊料。該導電糊料典型係包括包埋於玻璃主體內之導電顆粒及有機黏合劑。可藉由多種技術，如絲網印刷將導電糊料施加至該晶圓上。於施加糊料後，將之燒製(firing)以移除有機黏合劑。當使用含鋁糊料時，鋁會部份地擴散進入該晶圓之背面；或如果使用也含有銀之糊料，鋁可與銀形成合金。此含鋁糊料之使用可提升電阻接觸，以及提供“p+”摻雜區域。也可藉由預先施加鋁或硼並隨後互相擴散而製備重摻雜之“p+”類型之區域。視需要，可於該晶圓之背面沈積種子層，以及可藉由無電或電解鍍覆於該種子層上沈積金屬塗層。
為了製備半導體接面(junction)，於該晶圓之正面發生磷擴散或離子植入以製備n摻雜(n+或n++)區域以及對該晶圓提供PN接面。該n摻雜之去也可指代為射極層。
典型係進行紋理化以於該射極層上形成稜錐類型之結構，以降低反射率以及提升該晶圓對入射光之吸收度，因此，增加被轉化為電能之光的量。多種常規方法係該技藝中已知以於射極層上形成稜錐結構者。
將抗反射層加至該晶圓之正面或射極層上。此外，該抗反射層可作為鈍化層。適當之抗反射層係包括，而非限制於，氧化矽層如SiOx ，氮化矽層如Si3 N4 ，氧化矽及氮化矽層之組合，以及氧化矽層、氮化矽層與氧化鈦層如TiOx 之組合。於前述式中，x係表示氧原子數目之整數。可藉由大量技術，如藉由諸如化學氣相沈積及物理氣相沈積之各種氣相沈積方法沈積該抗反射層。
晶圓之正面係含有經金屬化之圖案。舉例而言，晶圓之正面可由集流線(current collecting line)及匯流排(current busbar)構成。集流線典型係與匯流排垂直，且相對於匯流排，集流線典型係具有相對微小之結構(亦即尺寸)。
該圖案抵達穿過該抗反射層，以暴露該晶圓之半導體本體的表面。或者，可於開口中形成溝槽，以產生選擇性射極。該溝槽可為高摻雜之區域。可使用多種製程以形成該圖案，該製程係諸如，但不限於雷射剝蝕、機械手段以及微影製程，其全部係該技藝中習知者。該機械手段係包括鋸切及刮擦。典型之光微影製程係包括將可成像材料置於該晶圓之表面上，圖案化該可成像材料以於該抗反射層中形成開口，將該圖案轉移至該晶圓，於該開口內沈積鎳層，以及移除該可成像材料。於一具體實施態樣中，該可成像材料係於將金屬層沈積於該開口內之步驟之前予以移除。於另一具體實施態樣中，該可成像材料係於將金屬層沈積於該開口內之步驟之後予以移除。當該可成像材料於該金屬沈積步驟之過程中存在時，此可成像材料典型避免任何吸收該鎳沈積步驟之過程中所使用之輻射波長的染料(如對比染料)。於該鍍覆步驟之過程中存在之可成像材料典型係含有具有40%至60%之最小透光率的染料。
可使用任合適當之聚合物移除劑移除該可成像材料。該移除劑可為鹼性、酸性或基本中性，且係該技藝中習知者。
於一具體實施態樣中，可使用導電糊料將該晶圓之正面金屬化，該導電糊料可與該晶圓之背面上所使用之任何導電糊料相同或不同。用以將該晶圓之正面金屬化之任何導電糊料典型係不含鋁。於該糊料之燒製中所使用之溫度係取決於所使用之具體糊料、所使用之任何抗反射層之厚度、以及其他因素。此溫度之選擇係落入熟習該技藝之人士的能力範圍之內。又，熟習該技藝之人士可理解，該燒製製程可於含氧氣氛、惰性氣氛、還原氣氛或此等之任一組合中予以實施。舉例而言，該燒製可首先於含有少量氧之氣氛中於第一溫度實施，隨後於惰性氣氛下或還原氣氛下於第二溫度實施，其中，該第二溫度係高於該第一溫度。
該燒製製程之後，可視需要使得該晶圓與酸緩衝溶液如氫氟酸緩衝溶液接觸，以移除於該燒製過程中產生之任何氧化物。此接觸可藉由將該溶液噴灑於該晶圓上或藉由將該晶圓於此溶液中浸漬或藉由任何其他之適當手段進行之。
使用導電糊料將該晶圓之正面圖案及背面金屬化之後，隨後將金屬層沈積於該正面導電圖案之上。此金屬層可為任何適當之導電金屬如金、銀或銅，且典型係銀。可藉由該技藝中已知之方法沈積該金屬。於一具體實施態樣中，所沈積之金屬層係由該導電糊料中使用之相同金屬構成。舉例而言，係將銀層沈積於含銀導電糊料上。
可藉由光誘發鍍覆(light induced plating,LIP)或該技藝中習知之常規銀電鍍方法沈積銀。當使用LIP時，該半導體晶圓之背面係與外部電流之源(整流器)相連接。設於該銀鍍覆組成物中之銀陽極係與該整流器相連接，因此於該等元件之間形成完整電路。典型之電流密度係0.1 A/dm2 至5 A/dm2 。總電流需求係依賴於所使用之晶圓的具體尺寸。此外，該銀陽極係提供即時之銀離子源，而以銀離子補給該銀鍍覆組成物而無需外加之源。設置光源以使用光能照明該半導體晶圓。該光源可為，舉例而言，提供該半導體晶圓可光伏地感測之波長內之能的螢光或LED燈。可使用多種其他光源，例如但不限於，白熾燈如75瓦及250瓦燈、汞燈、鹵素燈以及150瓦IR燈。商業有用之銀鍍覆組成物的實例係如EnlightTM Silver Plate 600及620自羅門哈斯電子材料公司(Rohm and Haas Electronic Materials,LLC Marlborough,Massachusetts)購買者。
該鍍覆槽係相對於該銀鍍覆組成物為化學惰性之材料製成，且具有40%至60%之最小透光率。或者，可將該晶圓水平設置於該鍍覆槽內，並自該銀鍍覆組成物上方予以照明，於該例中，該鍍覆槽至少不需要具有該最小透光率。
於另一具體實施態樣中，可將金屬種子層沈積於該正面導電圖案上代替金屬糊料。典型地，該金屬種子層係鎳。可藉由該技藝中已知之任何常規鎳沈積方法沈積該鎳種子層。典型地，該鎳種子層可藉由光輔助鎳沈積予以沈積。若該鎳源係無電鎳組成物，則無需施加外加電流即完成鍍覆。若該鎳源係來自電解鎳組成物，係將背面電勢(整流器)施加至該半導體晶圓基板上。該光可為連續光或脈衝光。於沈積鎳之前，典型係使用1%氫氟酸溶液將表面氧化物自該導電圖案上移除。
可於該鍍覆製程中使用之光係包括，但不限於，可見光、IR、UV及X-射線。光源係包括，但不限於，白熾燈、LED燈(發光二極體)、紅外燈、螢光燈、鹵素燈及雷射。通常，施加至該半導體之光量可為8000 lx至20,000 lx。
典型地，係使用無電鎳鍍覆組成物通過該抗反射層中之開口將鎳沈積於暴露之經紋理化的該半導體晶圓表面上。可商業購得之無電鎳組成物的實例係包括DURAPOSITTM SMT 88 Electroless Nickel及NIPOSITTM PM 980及PM 988 Electroless Nickel。全部係可自羅門哈斯電子材料公司購得。
或者，可使用電解鎳組成物。當使用電解組成物時，除了光之外，還使用所施加之背面電勢(整流器)以沈積鎳。典型之電流密度係0.1 A/dm2 至2 A/dm2 。具體之電流需求係依賴於所使用之晶圓的具體尺寸。所使用之該電鍍覆製程係常規者。適當之電解鎳鍍覆浴係可商業購得者以及於文獻中揭露者。可商業購得之電解鎳浴係自羅門哈斯電子材料公司獲得之NICKEL GLEAMTM 電解鎳產品。
藉由使用光能照射該半導體晶圓之正面，鍍覆發生於該正面上。衝擊之光能於該半導體中生成電流。可藉由調節該光強度、浴溫度、還原劑活性、起始晶圓條件、摻雜水準以及該技藝中工人已知之其他要素來控制於該正面之鍍覆率。若該鍍覆浴係電解浴，也可藉由整流器調節鍍覆浴。典型所欲者係20nm至300nm厚度之鎳層，確切之厚度係依賴於各種因數，如應用、尺寸、圖案及幾何結構。
將鎳通過該等開口沈積於且相鄰該半導體晶圓基板之經暴露之表面之後，隨後將銀相鄰於鎳沈積。可使用常規電鍍覆銀組成物。該銀組成物可為含氰化物之銀組成物或不含氰化物之銀組成物。
可藉由該技藝中習知之光誘發銀鍍覆(LIP)或常規銀電鍍覆方法將銀沈積於鎳上。該LIP鍍覆過程係與用於上揭之銀糊料的鍍覆相似。典型所欲者係1μm至30μm厚度之銀層，確切之厚度係依賴於各種因數，如應用、尺寸、圖案及幾何結構。
於將銀金屬沈積於鎳上並相鄰於該鎳之後，隨後燒結該半導體以形成矽化鎳。與沈積於該鎳表面上的銀一起進行燒結，以提升銀與鎳之間的黏合。經提升之該鎳與矽之間之結合性係降低該矽化鎳與銀間之黏合失敗的可能性。再者，銀並未藉由燒結溫度併入矽化物中，因此以銀保護鎳於燒結過程中不被氧化之方式形成矽化鎳。可使用提供晶圓峰值溫度為380℃至550℃的爐。典型地，峰值溫度時間係2秒至20秒。適當之爐的實例為基於燈(IR)之爐。
由於該銀層保護鎳於燒結過程中不被氧化，可於含氧環境以及惰性氣氛或真空中完成燒結。通常，燒結係進行3分鐘至10分鐘。半導體穿行通過該爐之線速度可依賴於所使用之爐而改變。可進行最少之實驗以確定合適之線速度。典型地，該線速度係330 cm/分鐘至430 cm/分鐘。
將該半導體金屬化之後，可於經金屬化之半導體上實施額外之常規步驟，以完成該光伏裝置之形成。此等方法係該技藝中已知者。
下述實施例係意圖更詳細說明本發明，而並非用以限制本發明之範疇。
實施例
將單晶矽錠鍵結至接觸板及黏著鑚模(attachment jig)。此係裝載於常規線鋸裝置上。該線鋸係塗覆有研磨劑碳化矽顆粒。於切割過程中，係將含有重量比為1:1之聚乙二醇及#600至#1000尺寸之碳化矽顆粒的漿料自該設備之漿料噴嘴噴灑至該錠上。於清潔之前，銅、鋅及鐵之污染物係大於1毫克(mg)。隨後，於90℃使用由0.5wt%之氫氧化四甲基銨，0.4wt%之氫氧化鉀，0.25wt%之三丙二醇，0.1wt%之亞胺二乙酸鈉鹽及0.05wt%之其中x為4至5、y為3至6、R1 為C8-9 分支鏈醇以及R2 為CH3 之式II之中值非離子性表面活性劑之摻合物，餘量為水所構成之水性鹼性組成物將自該錠切割之單晶矽晶圓清潔以及微蝕刻10分鐘。該組成物之pH為12。藉由使用常規噴灑設備將該水性鹼性組成物噴灑於晶圓上完成清潔及微蝕刻。微蝕刻之深度係0.05μm至0.5μm。
清潔及微蝕刻後，藉由下述製程分析該矽晶圓之來自該切割製程之污染物：於室溫使用30%硝酸混合物抽取20分鐘，以及隨後使用Varian石墨爐AA 2807季曼原子吸收分光光譜儀(Varian Graphite Furnace AA 2807 Zeeman Atomic Absorption Spectrophotometer)進行常規之原子吸收光譜分析。銅及鋅係低於偵測極限而鐵約為0.4 ppb。

Claims (7)

  1. 一種方法，係包含：a)提供半導體錠；b)切割該半導體錠，以形成一個或多個包含無機污染物及有機污染物之半導體晶圓；以及c)施加足量之包含重量比係2：1至1：2之一種或多種四級銨氫氧化物與一種或多種鹼金屬氫氧化物、一種或多種具有170g/莫耳(mole)或更高之重均分子量以及75℃或更高之閃點的烷氧基化二醇、其單甲基醚或單甲基醚乙酸酯衍生物以及一種或多種中值烷氧基化物的鹼性水溶液，以移除該等污染物及微蝕刻該等半導體晶圓；其中，該一種或多種中值烷氧基化物係選自具有下式之化合物：R1 -O-[(CH2 CH(R2 )-O)x (CH2 CH2 O)y ]z -H (I)其中，x每次出現時係獨立為0或1至11之實數，限制條件為，至少一次，x係大於0；y每次出現時係0或1至20之實數，限制條件為，至少一次，y係大於0；z係1至50之整數；R1 係C6-10 分支鏈或直鏈醇；以及R2 每次出現時係獨立為-CH3 或-CH2 CH3 。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，該一種或多種中值烷氧基化物係選自具有下式之化合物：R1 -O-(CH2 CH(R2 )-O)x (CH2 CH2 O)y -H (II)其中，x係1至11之實數；y係1至20之實數R1 係C6-10 分支鏈或直鏈醇；以及R2 係-CH3 或-CH2 CH3 。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，該四級銨氫氧化物與該鹼金屬氫氧化物之重量比係1：1。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，該水性鹼性清潔及微蝕刻組成物係進一步包含一種或多種螯合劑。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，該水性鹼性清潔及微蝕刻組成物之pH係11及更高者。
  6. 一種組成物，係包含重量比係2：1至1：2之一種或多種四級銨氫氧化物與一種或多種鹼金屬氫氧化物、一種或多種具有170g/莫耳或更高之重均分子量以及75℃或更高之閃點的烷氧基化二醇、其單甲基醚或單甲基醚乙酸酯衍生物以及一種或多種中值烷氧基化物，該組成物係足量以自半導體晶圓移除無機及有機污染物及微蝕刻該晶圓；其中，該中值烷氧基化物表面活性劑係具有下式：R1 -O-[(CH2 CH(R2 )-O)x (CH2 CH2 O)y ]z -H (I)其中，x每次出現時係獨立為0或1至11之實數，限制條件為，至少一次，x係大於0；y每次出現時係0或1至20之實數，限制條件為，至少一次，y係大於0；z係1至50之整數；R1 係C6-10 分支鏈或直鏈醇；以及R2 每次出現時係獨立為-CH3 或-CH2 CH3 。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之組成物，其中，該中值烷氧基化物表面活性劑係具有下式：R1 -O-(CH2 CH(R2 )-O)x (CH2 CH2 O)y -H (II) 其中，x係1至11之實數；y係1至20之實數，R1 係C6-10 分支鏈或直鏈醇；以及R2 係-CH3 或-CH2 CH3 。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009012827A1 (de) * 2009-03-03 2010-10-07 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Verfahren zur Texturierung von Siliziumwafern für Solarzellen und Behandlungsflüssigkeit dafür
US20170069480A9 (en) * 2009-10-14 2017-03-09 Sun Chemical Corporation Method of cleaning and micro-etching semiconductor wafers
JP2012248738A (ja) * 2011-05-30 2012-12-13 Dai Ichi Kogyo Seiyaku Co Ltd シリコンウェハ用表面処理剤組成物
JP5824706B1 (ja) * 2014-05-14 2015-11-25 大同化学工業株式会社 シリコンウエーハの表面処理組成物
CN108550639B (zh) * 2018-03-21 2020-08-21 台州市棱智塑业有限公司 一种硅异质结太阳能电池界面处理剂及处理方法
CN116970446B (zh) * 2023-09-22 2024-01-09 山东天岳先进科技股份有限公司 碳化硅单晶材料amb覆铜的前处理溶液、产品及应用

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5259888A (en) 1992-02-03 1993-11-09 Sachem, Inc. Process for cleaning quartz and silicon surfaces
US5466389A (en) * 1994-04-20 1995-11-14 J. T. Baker Inc. PH adjusted nonionic surfactant-containing alkaline cleaner composition for cleaning microelectronics substrates
US5674832A (en) 1995-04-27 1997-10-07 Witco Corporation Cationic compositions containing diol and/or diol alkoxylate
US5989353A (en) 1996-10-11 1999-11-23 Mallinckrodt Baker, Inc. Cleaning wafer substrates of metal contamination while maintaining wafer smoothness
US6204297B1 (en) 1996-11-26 2001-03-20 Rhodia Inc. Nonionic gemini surfactants
US20010039251A1 (en) * 1998-06-12 2001-11-08 Krishna G. Sachdev Removal of screening paste residue with quaternary ammonium hydroxide-based aqueous cleaning compositions
JP3314921B2 (ja) 1999-06-08 2002-08-19 三菱住友シリコン株式会社 半導体材料の切断・加工方法
AR025544A1 (es) 1999-07-09 2002-12-04 Dow Global Technologies Inc Proceso para preparar polimeros de poli(oxietileno) y los polimeros de poli(oxietileno) obtenidos con dicho proceso
US20020000239A1 (en) 1999-09-27 2002-01-03 Krishna G. Sachdev Removal of cured silicone adhesive for reworking electronic components
US6599370B2 (en) 2000-10-16 2003-07-29 Mallinckrodt Inc. Stabilized alkaline compositions for cleaning microelectronic substrates
TWI276682B (en) 2001-11-16 2007-03-21 Mitsubishi Chem Corp Substrate surface cleaning liquid mediums and cleaning method
JP4304988B2 (ja) * 2002-01-28 2009-07-29 三菱化学株式会社 半導体デバイス用基板の洗浄方法
CN1639846A (zh) * 2002-01-28 2005-07-13 三菱化学株式会社 半导体器件用基板的清洗液及清洗方法
JP2003282520A (ja) * 2002-03-22 2003-10-03 Sanyo Electric Co Ltd 容器の洗浄方法及び太陽電池の製造方法
AU2003222839A1 (en) 2002-04-26 2003-11-10 Basf Aktiengesellschaft Alkoxylate mixtures and detergents containing the same
TWI324362B (en) 2003-01-10 2010-05-01 Kanto Kagaku Cleaning solution for semiconductor substrate
US7442675B2 (en) * 2003-06-18 2008-10-28 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Cleaning composition and method of cleaning semiconductor substrate
US20060135045A1 (en) 2004-12-17 2006-06-22 Jinru Bian Polishing compositions for reducing erosion in semiconductor wafers
WO2006125462A1 (en) 2005-05-25 2006-11-30 Freescale Semiconductor, Inc Cleaning solution for a semiconductor wafer
WO2007047365A2 (en) 2005-10-13 2007-04-26 Advanced Technology Materials, Inc. Metals compatible photoresist and/or sacrificial antireflective coating removal composition
JP2007200944A (ja) * 2006-01-23 2007-08-09 Tokuyama Corp 基板洗浄液
JP5346299B2 (ja) * 2007-01-11 2013-11-20 ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー アルコキシレート混合物界面活性剤
KR20080106638A (ko) 2007-06-04 2008-12-09 (주)이그잭스 유기막 박리제 조성물
DE102007030957A1 (de) 2007-07-04 2009-01-08 Siltronic Ag Verfahren zum Reinigen einer Halbleiterscheibe mit einer Reinigungslösung
WO2009058275A1 (en) 2007-10-29 2009-05-07 Ekc Technology, Inc. Methods of post chemical mechanical polishing and wafer cleaning using amidoxime compositions
JP2009200360A (ja) * 2008-02-22 2009-09-03 Tkx:Kk シリコン部材の表面処理方法
JP5302551B2 (ja) * 2008-02-28 2013-10-02 林純薬工業株式会社 シリコン異方性エッチング液組成物
JP2009231354A (ja) * 2008-03-19 2009-10-08 Fujifilm Corp 半導体デバイス用洗浄液、および洗浄方法
JP2011515872A (ja) * 2008-03-25 2011-05-19 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 結晶太陽電池の表面クリーニング及び凹凸形成プロセス
WO2009155187A1 (en) * 2008-06-18 2009-12-23 Dow Global Technologies Inc. Cleaning compositions containing mid-range alkoxylates
JP5339880B2 (ja) * 2008-12-11 2013-11-13 株式会社新菱 シリコン基板のエッチング液およびシリコン基板の表面加工方法
JP2010226089A (ja) 2009-01-14 2010-10-07 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 半導体ウェハをクリーニングする方法
US8329046B2 (en) * 2009-02-05 2012-12-11 Asia Union Electronic Chemical Corporation Methods for damage etch and texturing of silicon single crystal substrates
TW201116478A (en) * 2009-07-23 2011-05-16 Univ Nagoya Nat Univ Corp Method for manufacturing microstructures
US7955989B2 (en) * 2009-09-24 2011-06-07 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Texturing semiconductor substrates
JP2011205058A (ja) * 2009-12-17 2011-10-13 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 半導体基体をテクスチャ化する改良された方法

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