JPS6292380A - 蓄電機能を一体化した太陽電池 - Google Patents
蓄電機能を一体化した太陽電池Info
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- JPS6292380A JPS6292380A JP60232222A JP23222285A JPS6292380A JP S6292380 A JPS6292380 A JP S6292380A JP 60232222 A JP60232222 A JP 60232222A JP 23222285 A JP23222285 A JP 23222285A JP S6292380 A JPS6292380 A JP S6292380A
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は蓄電機能を一体化した太陽電池に関する。
太陽電池は光がないと発電しないので暗いところでは電
池として使えない。そのために二次電池と絹合わせて使
われている。
池として使えない。そのために二次電池と絹合わせて使
われている。
しかし、すでに発表されている二次電池はその構造上の
制限から、厚さをうずく、重量を軽ぐすることができな
い。
制限から、厚さをうずく、重量を軽ぐすることができな
い。
また太陽電池か一次電池の充電電源として充分な能力を
有さないために、二次電池の放電電流を完全に回復する
ことかできず、寿命の点ても問題がある。
有さないために、二次電池の放電電流を完全に回復する
ことかできず、寿命の点ても問題がある。
本発明は前記のことき従来のものの欠点を解消するため
になされたものである。
になされたものである。
本発明は、太陽１°１１池とコンデン→ノ″−を同一」
１（板−１−に形成することにより、太陽電池と二次電
池とを組合わせて用いるばあいの欠点を解消しうろこと
が見出されたことによりなされたものであり、透光４１
す、（板］、に形成された第１の電極と薄１％ Ｇ＋′
−導体層と第２の電極とからなる太陽電池が電気絶縁性
波膜でおおわれており、さらに第１の電極または第２の
電極のいずれか一方と電気的に接続した第３の電極、誘
電体膜およびに第１の電極または第２の電極ののこりの
一方と電気的に接続［７た第４の電極かこの順に形成さ
れてなる蓄電機能を一体化した太陽電池に関する。
１（板−１−に形成することにより、太陽電池と二次電
池とを組合わせて用いるばあいの欠点を解消しうろこと
が見出されたことによりなされたものであり、透光４１
す、（板］、に形成された第１の電極と薄１％ Ｇ＋′
−導体層と第２の電極とからなる太陽電池が電気絶縁性
波膜でおおわれており、さらに第１の電極または第２の
電極のいずれか一方と電気的に接続した第３の電極、誘
電体膜およびに第１の電極または第２の電極ののこりの
一方と電気的に接続［７た第４の電極かこの順に形成さ
れてなる蓄電機能を一体化した太陽電池に関する。
本発明に用いる透光性基板としては、たとえはガラス、
セラミック、高分子物質なとから製造された一般に太陽
電池の透光性基板と用いられうる透光性基板があげられ
、とくに限定されることなく使用しうる。
セラミック、高分子物質なとから製造された一般に太陽
電池の透光性基板と用いられうる透光性基板があげられ
、とくに限定されることなく使用しうる。
本発明に用いる第１の電極としては、たとえはＩ’「０
．５ｎａ２、 ＩＴＯ／５ｎ０２なと製の透明電極や、
前記透明電極の薄膜゛１′−導体層側に薄いシリサイド
層を説けたものあるいは設けるようにしたものなとかあ
げられるか、これらに限定されるものではない。
．５ｎａ２、 ＩＴＯ／５ｎ０２なと製の透明電極や、
前記透明電極の薄膜゛１′−導体層側に薄いシリサイド
層を説けたものあるいは設けるようにしたものなとかあ
げられるか、これらに限定されるものではない。
第１の７［１極の厚さなどにはとくに限定はないか、通
常７００〜１００００人稈ＪＷの厚さのものが好ましく
、７００〜６０００人稈度のものがさらに好ましい。本
発明における第１の電極（２）は、第１図に示すように
、要すれば直列接続しうるようにパターン化して形成さ
れていてもよい。
常７００〜１００００人稈ＪＷの厚さのものが好ましく
、７００〜６０００人稈度のものがさらに好ましい。本
発明における第１の電極（２）は、第１図に示すように
、要すれば直列接続しうるようにパターン化して形成さ
れていてもよい。
本発明に用いる薄膜半導体としては、たとえばｎ−ｖｒ
族の９０１１合を白゛するもの、５ｉＳＧｅ、Ｃ１Ｓｎ
などを少なくとも１種含む非単結晶ｐｉｎ接合やｐｎ接
合を白°するもの、それらの繰返しのマルチジャンクシ
ョンタイプのもの、ｐｎ！／１！而に拡散ブロック層（
たとえばシリサイド層）を含むｐｉｎマルチジャンクシ
ョンタイプのものなとがあげられるか、これらに限定さ
れるものではない。
族の９０１１合を白゛するもの、５ｉＳＧｅ、Ｃ１Ｓｎ
などを少なくとも１種含む非単結晶ｐｉｎ接合やｐｎ接
合を白°するもの、それらの繰返しのマルチジャンクシ
ョンタイプのもの、ｐｎ！／１！而に拡散ブロック層（
たとえばシリサイド層）を含むｐｉｎマルチジャンクシ
ョンタイプのものなとがあげられるか、これらに限定さ
れるものではない。
本発明においては薄膜半導体層（３）が、第１の電極（
２）か形成されたのちに設けられる。
２）か形成されたのちに設けられる。
薄膜半導体層の）１．Ｉさなどにもとくに限定はないが
、一般に■−■族のｐｎ接合を有するもののばあいには
１〜 ＋００．程度が好ましく、２〜５０μｍ程度か
さらに好ましい。またＳ、などを少なくとも１種含む非
単結晶ｐｉｎ接合やｐｎ接合を有するもののばあいには
、０．２〜５００７７ｍ程度が好ましく、０．５〜２０
０μｍ程度がさらに好ましく、これらを繰返してマルチ
ジャンクションタイプのものにするばあいには０．１〜
２Ｂｍ程度の厚さのものを２〜４同程度繰返すのが好ま
しい。さらにｐｎ界面に拡散ブロック層を含むｐｉｎマ
ルチジャンクションタイプのもののばあいも同様で、そ
れぞれの中位か０．１〜２Ｈｍ稈度のものを２〜４同程
度繰返すのが好ましい。
、一般に■−■族のｐｎ接合を有するもののばあいには
１〜 ＋００．程度が好ましく、２〜５０μｍ程度か
さらに好ましい。またＳ、などを少なくとも１種含む非
単結晶ｐｉｎ接合やｐｎ接合を有するもののばあいには
、０．２〜５００７７ｍ程度が好ましく、０．５〜２０
０μｍ程度がさらに好ましく、これらを繰返してマルチ
ジャンクションタイプのものにするばあいには０．１〜
２Ｂｍ程度の厚さのものを２〜４同程度繰返すのが好ま
しい。さらにｐｎ界面に拡散ブロック層を含むｐｉｎマ
ルチジャンクションタイプのもののばあいも同様で、そ
れぞれの中位か０．１〜２Ｈｍ稈度のものを２〜４同程
度繰返すのが好ましい。
前記ＩＴ−Ｖｌ族のｐｎ接合を有するものの具体例とし
ては、たとえばＣｄＳ ５ＣｄＴｅなとがあげられる。
ては、たとえばＣｄＳ ５ＣｄＴｅなとがあげられる。
またＳＬなどを少なくとも１種含む非単結晶ｐｉｎ接合
やｐｎ接合を有するものの具体例としては、たとえば非
晶質シリコン、微結晶シリコン、多結晶シリコン、非晶
質シリコンカーバイド、非晶質シリコンナイトライド ゲルマン、非晶質シリコンスズなとの材料を用いて、−
例としてｐ型非晶質シリコンカーバイド／１型非晶質シ
リコン／ｎ型微結晶シリコンのような構成にしたものが
あげられ、これらを繰返してマルチジャンクションタイ
プにしたものの具体例としては、前記と同様の材料を用
いて、−例としてｐ型非晶質シリコンカーバイド／ｉ型
非晶質シリコン／ｎ型非晶質シリコン／ｐ型非晶質シリ
コンカーバイド／ｊ型非晶質シリコンゲルマン／ ｎ
Ｑリ−Ｉｔ−品質シリコンのような構成にしたものかあ
げられる。さらにｐｎ界面に拡散プロワク層をａむｐ１
ｎマルチジャンクションタイプの一例としては、に記の
マルチジャンクションタイプの構成に加えて、ｎ型非晶
質シリコン／ｐ型非晶質ンリコンヵーハイドの間に１０
〜４０人の金属層や各種のシリザイＦ層を導入しｔこｈ
ｓ成（こしたものかあげられる。
やｐｎ接合を有するものの具体例としては、たとえば非
晶質シリコン、微結晶シリコン、多結晶シリコン、非晶
質シリコンカーバイド、非晶質シリコンナイトライド ゲルマン、非晶質シリコンスズなとの材料を用いて、−
例としてｐ型非晶質シリコンカーバイド／１型非晶質シ
リコン／ｎ型微結晶シリコンのような構成にしたものが
あげられ、これらを繰返してマルチジャンクションタイ
プにしたものの具体例としては、前記と同様の材料を用
いて、−例としてｐ型非晶質シリコンカーバイド／ｉ型
非晶質シリコン／ｎ型非晶質シリコン／ｐ型非晶質シリ
コンカーバイド／ｊ型非晶質シリコンゲルマン／ ｎ
Ｑリ−Ｉｔ−品質シリコンのような構成にしたものかあ
げられる。さらにｐｎ界面に拡散プロワク層をａむｐ１
ｎマルチジャンクションタイプの一例としては、に記の
マルチジャンクションタイプの構成に加えて、ｎ型非晶
質シリコン／ｐ型非晶質ンリコンヵーハイドの間に１０
〜４０人の金属層や各種のシリザイＦ層を導入しｔこｈ
ｓ成（こしたものかあげられる。
なお以下の説明は４三吉して、第１の電極と電気的に接
続した第３の電極、誘電体膜および第２の電極と電気的
に接続（７た第４の電極かこの順に形成されて／、Ｉ−
る本発明の太陽７ｉｆ池について説明する。
続した第３の電極、誘電体膜および第２の電極と電気的
に接続（７た第４の電極かこの順に形成されて／、Ｉ−
る本発明の太陽７ｉｆ池について説明する。
１′、記のように、Ｊ４光性１．（板（１１Ｉ：に第１
の電極（２）および〆Ｗ ＩＩＩ １′、導体層（３）
が順に形ｊ戊されたのち、第２の電極（・１）か形成さ
れて本発明に用いる太陽電池が形成される。
の電極（２）および〆Ｗ ＩＩＩ １′、導体層（３）
が順に形ｊ戊されたのち、第２の電極（・１）か形成さ
れて本発明に用いる太陽電池が形成される。
該太陽電池は１個の光起電力素子を含む太陽電池であっ
てもよく、２測具１゛、好ましくは２〜３０個の光起電
内素ｒを歯列接続したものをａむ太陽型１１１！であっ
てもよく、２測具１−の光起電力素子を並列に接続した
ものを含む太陽電池であってもよい。
てもよく、２測具１゛、好ましくは２〜３０個の光起電
内素ｒを歯列接続したものをａむ太陽型１１１！であっ
てもよく、２測具１−の光起電力素子を並列に接続した
ものを含む太陽電池であってもよい。
前記第２の電極としては、たとえば厚さ１０００〜５０
０００人程度の透明電極、Ｍ−、Ａｇ５ＣｒＳＣｕなど
から形成された金属層が用いられるが、薄膜十ノ９体層
十にシリサイドなとの拡散ブロック層を設けたのち、あ
るいは拡散ブロック層か形成されるようにして、Ａｇ５
Ｍ ％ Ｃｕなとの金属層を設けて第２の電極にするの
が好ましい。
０００人程度の透明電極、Ｍ−、Ａｇ５ＣｒＳＣｕなど
から形成された金属層が用いられるが、薄膜十ノ９体層
十にシリサイドなとの拡散ブロック層を設けたのち、あ
るいは拡散ブロック層か形成されるようにして、Ａｇ５
Ｍ ％ Ｃｕなとの金属層を設けて第２の電極にするの
が好ましい。
光起電力素子が２測具−１−直列接続されるばあい、第
２の電極（４）は、第１図に示すように、隣接する第１
の電極（２）と直列接続になるように設けるのが、生産
性をよくする、充電に要する電圧をうる、必要な動作電
圧をうるなどの点から好ましい。
２の電極（４）は、第１図に示すように、隣接する第１
の電極（２）と直列接続になるように設けるのが、生産
性をよくする、充電に要する電圧をうる、必要な動作電
圧をうるなどの点から好ましい。
このようにして作製された太陽電池の透光性Ｊ１（板（
１）と反対側に太陽電池の透光性基板および第１の電極
および第２の電極の取出電極部分（２ａ）、（４ａ）以
外の部分全体をつつみこむように＝ ７ − ？Ｉｉ気絶縁性彼膜被膜）が設けられ、さらにこの１−
に第３の電極（６）が、第１の電極の取出電極部分（２
ａ）に電気的に化トドし、第２の電極の取出電極部分（
４ａ）に接続し７ないように設けられている。
１）と反対側に太陽電池の透光性基板および第１の電極
および第２の電極の取出電極部分（２ａ）、（４ａ）以
外の部分全体をつつみこむように＝ ７ − ？Ｉｉ気絶縁性彼膜被膜）が設けられ、さらにこの１−
に第３の電極（６）が、第１の電極の取出電極部分（２
ａ）に電気的に化トドし、第２の電極の取出電極部分（
４ａ）に接続し７ないように設けられている。
前記電気絶縁性１皮膜は、１０１２Ω・ｃｍ稈度以１゜
の抵抗率を有する＋（ｌ’ｌから形成された厚さ １〜
５００μｍ稈度、好ま【７くは２〜１００μｍ稈度の被
膜であり、第３の電極が太陽電池の第１の電極の取出電
極部分以外の部分から絶縁するように働く。
の抵抗率を有する＋（ｌ’ｌから形成された厚さ １〜
５００μｍ稈度、好ま【７くは２〜１００μｍ稈度の被
膜であり、第３の電極が太陽電池の第１の電極の取出電
極部分以外の部分から絶縁するように働く。
前記電気絶縁性被膜を形成する＋］料としては、たとえ
ばグロー放電法や塗布法などにより塗布される有機絶縁
祠料、蒸着法やスパッター法などにより形成される無機
絶縁ヰ４事］、グロー放電法やスパッター法で形成され
るａ−８ｉＣ：ＩＩ 、ａ−８ｉＮｕｌｌ 、 ａ−９
ｉＯ：ＩＩ 、ａ−８ＩＣＮ ： ＩＩ 、ａ−８ｊＮ
Ｏ： ＩＩ 、ａ−８ｉＣ：Ｐ 、ａ−９ｊＮ：Ｐ 、
ａ−３ｉＯ：Ｆ 、 ａ−８ＩＣＮ ： Ｐ 、 ａ
−８ｉＮＯ： Ｐ 、、ａ−８ｉＣ：Ｉｔ：Ｐ 、 ａ
−３ｉＮ：！ｌ：Ｐ 、ａ−３ｉｎ：ＩＩ：Ｐ 、ａ−
８ｉＣＮ：Ｉｆ：ＦＸａ−９ｊＮＯ＋１１：Ｆなどの非
晶質絶縁材料などがあげられる。
ばグロー放電法や塗布法などにより塗布される有機絶縁
祠料、蒸着法やスパッター法などにより形成される無機
絶縁ヰ４事］、グロー放電法やスパッター法で形成され
るａ−８ｉＣ：ＩＩ 、ａ−８ｉＮｕｌｌ 、 ａ−９
ｉＯ：ＩＩ 、ａ−８ＩＣＮ ： ＩＩ 、ａ−８ｊＮ
Ｏ： ＩＩ 、ａ−８ｉＣ：Ｐ 、ａ−９ｊＮ：Ｐ 、
ａ−３ｉＯ：Ｆ 、 ａ−８ＩＣＮ ： Ｐ 、 ａ
−８ｉＮＯ： Ｐ 、、ａ−８ｉＣ：Ｉｔ：Ｐ 、 ａ
−３ｉＮ：！ｌ：Ｐ 、ａ−３ｉｎ：ＩＩ：Ｐ 、ａ−
８ｉＣＮ：Ｉｆ：ＦＸａ−９ｊＮＯ＋１１：Ｆなどの非
晶質絶縁材料などがあげられる。
第３の電極は、第１の電極や第２電極を構成する透明電
極や金属なとから形成された厚さ１０００〜５００（１
０人稈度のものであれは、とくに制限なく使用しうる。
極や金属なとから形成された厚さ１０００〜５００（１
０人稈度のものであれは、とくに制限なく使用しうる。
第３の電極の形状、設けられる部分にもとくに限定はな
く、前記条件を満足するかぎりとのにうに形成されても
よいが、通常第２図（第１図の（Ａ）−（Ａ）断面に関
する説明図）に示すように形成されることが多い。
く、前記条件を満足するかぎりとのにうに形成されても
よいが、通常第２図（第１図の（Ａ）−（Ａ）断面に関
する説明図）に示すように形成されることが多い。
本発明に用いる誘電体膜（７）は、さらに第３の電極（
６）および要すれば電気絶縁性被膜（５）上に、第１の
電極および第２の電極の取出電極部分（２ａ）、（４ａ
）をおおわないように形成され、さらにその−１−に第
４の電極（８）が第２の電極の取出電極部分（４ａ）と
電気的に接続し、第１の電極と接続しないように形成さ
れる。
６）および要すれば電気絶縁性被膜（５）上に、第１の
電極および第２の電極の取出電極部分（２ａ）、（４ａ
）をおおわないように形成され、さらにその−１−に第
４の電極（８）が第２の電極の取出電極部分（４ａ）と
電気的に接続し、第１の電極と接続しないように形成さ
れる。
前記誘電体膜を構成する材牢゛１にはとくに限定はない
が、Ｔａｎδが小さく、どの大きなものか好ましい。
が、Ｔａｎδが小さく、どの大きなものか好ましい。
このような＋（料を用いた誘電体膜は、塗布法やグロー
放電分解法によりポリカーボネート、ポリサルフォン、
ポリエチレン、ポリプロピレンなどの高分子物質で形成
してもよく、ラングミュア−ブロジェット（以下、Ｌ［
（という）法により成膜しうる化合物からＬＢ膜として
形成してもよ＜ 、ＴｌＯ２、Ｔｉｔ）ａ０４、Ｔｌ５
ｒ０３、ｌ）Ｌ Ｚ Ｔなどの無機物質をスパッター法
やグロー放電法により形成してもよ＜ 、ａ−８ｉＣ、
ａ−８ｉＮ ５ａ−８ｉｎ 、ａ−８ＩＣＮｓ ａ−９
＋ＮＯなど、あるいはこれらにＩＩやＦが含有された非
晶質物質をスパッター法やグロー放電法により膜状に形
成してもよい。これらのうちではポリカーボネ−１・、
ポリサルフォン、１７ロ膜、ＴｌＯ２、ＴｉＢａＯ３、
Ｔｉ５ｒ０３、ａ−８ＩＣ、ａ−３ｉＮ 。
放電分解法によりポリカーボネート、ポリサルフォン、
ポリエチレン、ポリプロピレンなどの高分子物質で形成
してもよく、ラングミュア−ブロジェット（以下、Ｌ［
（という）法により成膜しうる化合物からＬＢ膜として
形成してもよ＜ 、ＴｌＯ２、Ｔｉｔ）ａ０４、Ｔｌ５
ｒ０３、ｌ）Ｌ Ｚ Ｔなどの無機物質をスパッター法
やグロー放電法により形成してもよ＜ 、ａ−８ｉＣ、
ａ−８ｉＮ ５ａ−８ｉｎ 、ａ−８ＩＣＮｓ ａ−９
＋ＮＯなど、あるいはこれらにＩＩやＦが含有された非
晶質物質をスパッター法やグロー放電法により膜状に形
成してもよい。これらのうちではポリカーボネ−１・、
ポリサルフォン、１７ロ膜、ＴｌＯ２、ＴｉＢａＯ３、
Ｔｉ５ｒ０３、ａ−８ＩＣ、ａ−３ｉＮ 。
あるいはａ−８ｉ Ｃやａ−３ＩＮにＩＩやＦを含有さ
せたものなどから形成された誘電体膜が好ましい。
せたものなどから形成された誘電体膜が好ましい。
該誘電体膜の厚さは、膜に欠陥がなく絶縁破壊がおこら
ないかぎり、できるだけ薄い方がコンデンサーとしての
容量が大きくなるために好ましく、１０．ｃｒｍ以下が
好ましく、３ 、ａｍ以下がさらに好ましい。
ないかぎり、できるだけ薄い方がコンデンサーとしての
容量が大きくなるために好ましく、１０．ｃｒｍ以下が
好ましく、３ 、ａｍ以下がさらに好ましい。
通常、誘電体膜は第２図に示されるように形成されるか
、第３の電極と第４の電極とを隔離するように設けられ
ているかぎり、それが形成される形や位ｉｔには特別な
限定はない。
、第３の電極と第４の電極とを隔離するように設けられ
ているかぎり、それが形成される形や位ｉｔには特別な
限定はない。
第４の電極の祠料、厚さなどにもとくに限定はなく、第
３の電極と同様のものであればよい。
３の電極と同様のものであればよい。
第４の電極の形成される部分や形状についても前記条件
を満足するかぎりとくに限定はないか、第３の電極およ
び誘電体膜とともにコンデンサーを形成するため、誘電
体膜を介して第３の電極と対向するように設けるのが好
ましい。
を満足するかぎりとくに限定はないか、第３の電極およ
び誘電体膜とともにコンデンサーを形成するため、誘電
体膜を介して第３の電極と対向するように設けるのが好
ましい。
以−１−の説明は主として４個の太陽電池素子を直列に
接続した第１図に基づいて説明したが、１個の太陽電池
素子を有するものであってもよく、集積型の太陽電池素
子、たとえばマルチジャンクション型のものでもよい。
接続した第１図に基づいて説明したが、１個の太陽電池
素子を有するものであってもよく、集積型の太陽電池素
子、たとえばマルチジャンクション型のものでもよい。
なお第３図は４個の光起電力素子（９）を直列に接続し
たものと並列にコンデンサー００）を内蔵する等価回路
を説明するための図である。
たものと並列にコンデンサー００）を内蔵する等価回路
を説明するための図である。
つぎに本発明の太陽電池の好ましい実施態様にって説明
する。
する。
厚さ ０．７〜２市稈度のガラスやセラミック製の透光
性基板上に、厚さ ７００〜５０００人稈度に透明電極
である第１の電極を、要すればパターン化して設け、そ
ののち、たとえばパターン化して第１の電極を設けたば
あいには第１図に示すように非晶質シリコンカーバイド
、非晶質シリコンなどからなる厚さ ０．５〜２μｍ程
度の薄膜半導体層を形成し、さらにそののちシリサイド
、Ｎなどの総合厚さ２０００〜３００００人程度の第２
の電極が形成される。このようにして作製された太陽電
池の透光性基板部分、第１の電極の取出電極部分および
第２の電極の取出電極部分をおおわないように、ａ−８
ＩＣ：Ｉｔなどから形成される厚さ ２〜１０μｍ程度
の電気絶縁性波膜が設けられる。
性基板上に、厚さ ７００〜５０００人稈度に透明電極
である第１の電極を、要すればパターン化して設け、そ
ののち、たとえばパターン化して第１の電極を設けたば
あいには第１図に示すように非晶質シリコンカーバイド
、非晶質シリコンなどからなる厚さ ０．５〜２μｍ程
度の薄膜半導体層を形成し、さらにそののちシリサイド
、Ｎなどの総合厚さ２０００〜３００００人程度の第２
の電極が形成される。このようにして作製された太陽電
池の透光性基板部分、第１の電極の取出電極部分および
第２の電極の取出電極部分をおおわないように、ａ−８
ＩＣ：Ｉｔなどから形成される厚さ ２〜１０μｍ程度
の電気絶縁性波膜が設けられる。
さらにその−１−に第１の電極の取出電極部分と電気的
に接続するように、旧、Ｃｒ、＃などからなる厚さ２０
００〜３００００八程度の第３の電極が形成され、さら
に透光性基板および第１の電極の−１２＝ 取出電極部分および第２の電極の取出電極部分をのそく
部分に、厚さ２〜３虐程度のＴｉＢａＯ３製などの誘電
体層か形成され、ついで第２の電極の取出電極部分と電
気的に接続するように厚さ２０００〜３００００人程度
のＮ５ＳＣｒＳＡＱ製などの第４の電極が形成される。
に接続するように、旧、Ｃｒ、＃などからなる厚さ２０
００〜３００００八程度の第３の電極が形成され、さら
に透光性基板および第１の電極の−１２＝ 取出電極部分および第２の電極の取出電極部分をのそく
部分に、厚さ２〜３虐程度のＴｉＢａＯ３製などの誘電
体層か形成され、ついで第２の電極の取出電極部分と電
気的に接続するように厚さ２０００〜３００００人程度
のＮ５ＳＣｒＳＡＱ製などの第４の電極が形成される。
要すれば第４の電極か形成されたのち、さらにエポキシ
樹脂なとを用いて５〜２００μｍ程度の厚さに保護膜を
設けてもよい。
樹脂なとを用いて５〜２００μｍ程度の厚さに保護膜を
設けてもよい。
以上の説明は、第１の電極と電気的に接続した第３の電
極、誘電体膜および第２の電極と電気的に接続した第４
の電極がこの順に形成されているばあいについて行なっ
たが、第２の電極と電気的に接続した第３の電極、誘電
体膜および第１の電極と電気的に接続した第４の電極が
この順に形成されているばあいにもほぼ同様に説明され
る。
極、誘電体膜および第２の電極と電気的に接続した第４
の電極がこの順に形成されているばあいについて行なっ
たが、第２の電極と電気的に接続した第３の電極、誘電
体膜および第１の電極と電気的に接続した第４の電極が
この順に形成されているばあいにもほぼ同様に説明され
る。
このようにして製造した本発明の太陽電池は蓄電機能を
一体化して有するため、光が照射されているばあい、コ
ンデンサーを充電する働きを有し、光のない状態でもコ
ンデンサーが放電するまで電池として使用しうる。
一体化して有するため、光が照射されているばあい、コ
ンデンサーを充電する働きを有し、光のない状態でもコ
ンデンサーが放電するまで電池として使用しうる。
このようにしてえられた本発明の太陽電池は時計、電卓
、ゲーム、メロディ−カード、おもちや、ラジオなとの
電子機器の電源として好適に使用しうる。
、ゲーム、メロディ−カード、おもちや、ラジオなとの
電子機器の電源として好適に使用しうる。
Ｃ発明の効果〕
本発明の蓄電機能を一体化した太陽電池は、太陽電池に
電気絶縁性被膜、第３および第４の２つの電極および誘
電体膜を付加するたけのものであり、はとんど太陽電池
の大きさに影響を与えない。また従来の二次電池のかイ
つりに誘電体を用いるため、一体化でき、安価でかつコ
ンパクトである。
電気絶縁性被膜、第３および第４の２つの電極および誘
電体膜を付加するたけのものであり、はとんど太陽電池
の大きさに影響を与えない。また従来の二次電池のかイ
つりに誘電体を用いるため、一体化でき、安価でかつコ
ンパクトである。
第１図は本発明の太陽電池の一実施態様の断面に関する
説明図、第２図は第１図に示す本発明の太陽電池の（Ａ
）−（Ａ）断面に関する説明図、第３図は４個の光起電
力素子を直列に接続した太陽電池と並列にコンデンサー
を内臓する等価回路に関する説明図である。 （図面の主要符号） （１）：透光性基板 （２）１第１の電極 （３）：薄膜半導体層 （４）：第２の電極 （５）：電気絶縁性被膜 （６）：第３の電極 （７に誘電体膜 （８）：第４の電極
説明図、第２図は第１図に示す本発明の太陽電池の（Ａ
）−（Ａ）断面に関する説明図、第３図は４個の光起電
力素子を直列に接続した太陽電池と並列にコンデンサー
を内臓する等価回路に関する説明図である。 （図面の主要符号） （１）：透光性基板 （２）１第１の電極 （３）：薄膜半導体層 （４）：第２の電極 （５）：電気絶縁性被膜 （６）：第３の電極 （７に誘電体膜 （８）：第４の電極
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 透光性基板上に形成された第１の電極と薄膜半導体
層と第２の電極とからなる太陽電池が電気絶縁性被膜で
おおわれており、さらに第１の電極または第２の電極の
いずれか一方と電気的に接続した第３の電極、誘電体膜
および第１の電極または第２の電極ののこりの一方と電
気的に接続した第４の電極がこの順に形成されてなる蓄
電機能を一体化した太陽電池。 ２ 透光性基板上に形成された第１の電極と薄膜半導体
層と第２の電極とからなる太陽電池が１個の光起電力素
子を含む太陽電池である特許請求の範囲第１項記載の蓄
電機能を一体化した太陽電池。 ３ 透光性基板上に形成された第１の電極と薄膜半導体
層と第２の電極とからなる太陽電池が２個以上の光起電
力素子を直列接続したものを含む太陽電池である特許請
求の範囲第１項記載の蓄電機能を一体化した太陽電池。 ４ 第４の電極が形成されたのち、さらに保護膜が設け
られてなる特許請求の範囲第１項記載の蓄電機能を一体
化した太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60232222A JPS6292380A (ja) | 1985-10-17 | 1985-10-17 | 蓄電機能を一体化した太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60232222A JPS6292380A (ja) | 1985-10-17 | 1985-10-17 | 蓄電機能を一体化した太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6292380A true JPS6292380A (ja) | 1987-04-27 |
Family
ID=16935895
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60232222A Pending JPS6292380A (ja) | 1985-10-17 | 1985-10-17 | 蓄電機能を一体化した太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6292380A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01205572A (ja) * | 1988-02-12 | 1989-08-17 | Elna Co Ltd | エネルギー貯蔵装置 |
| JPH02143469A (ja) * | 1988-11-24 | 1990-06-01 | Ngk Insulators Ltd | 太陽電池パネル |
| WO2003050886A3 (de) * | 2001-12-13 | 2003-11-06 | Siemens Ag | Dünnschichtenergiesystem |
| WO2005081326A1 (en) * | 2004-02-19 | 2005-09-01 | The University Of Toledo | Interconnected photoelectrochemical cell |
| GB2453606A (en) * | 2007-10-11 | 2009-04-15 | Western Lights Semiconductor Corp | Solar power source |
| US7667133B2 (en) | 2003-10-29 | 2010-02-23 | The University Of Toledo | Hybrid window layer for photovoltaic cells |
| US7750234B2 (en) | 2002-11-27 | 2010-07-06 | The University Of Toledo | Integrated photoelectrochemical cell and system having a liquid electrolyte |
| CN102460729A (zh) * | 2009-06-25 | 2012-05-16 | 三洋电机株式会社 | 太阳能电池模块和太阳能电池模块的制造方法 |
-
1985
- 1985-10-17 JP JP60232222A patent/JPS6292380A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01205572A (ja) * | 1988-02-12 | 1989-08-17 | Elna Co Ltd | エネルギー貯蔵装置 |
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| US7879644B2 (en) | 2003-10-29 | 2011-02-01 | The University Of Toledo | Hybrid window layer for photovoltaic cells |
| US8030120B2 (en) * | 2003-10-29 | 2011-10-04 | The University Of Toledo | Hybrid window layer for photovoltaic cells |
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| GB2453606B (en) * | 2007-10-11 | 2009-09-02 | Western Lights Semiconductor C | Solar power source |
| CN102460729A (zh) * | 2009-06-25 | 2012-05-16 | 三洋电机株式会社 | 太阳能电池模块和太阳能电池模块的制造方法 |
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