JPH08274360A - 光電変換半導体装置の製造方法 - Google Patents
光電変換半導体装置の製造方法Info
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- JPH08274360A JPH08274360A JP7073622A JP7362295A JPH08274360A JP H08274360 A JPH08274360 A JP H08274360A JP 7073622 A JP7073622 A JP 7073622A JP 7362295 A JP7362295 A JP 7362295A JP H08274360 A JPH08274360 A JP H08274360A
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＣｄＳ層を含む太陽電池モジュールの簡単か
つ高精度な製造方法を提供する。 【構成】 ＩＴＯ膜上のＣｄＳ層とガラス基板上のＣｄ
Ｓ層のそれぞれの成膜速度の選択性および、それぞれの
ＣｄＳ層のエッチング速度の選択性を用いて、ＣｄＳ層
中に太陽電池の各セル分離用の溝を高精度かつ簡単容易
に形成する。
つ高精度な製造方法を提供する。 【構成】 ＩＴＯ膜上のＣｄＳ層とガラス基板上のＣｄ
Ｓ層のそれぞれの成膜速度の選択性および、それぞれの
ＣｄＳ層のエッチング速度の選択性を用いて、ＣｄＳ層
中に太陽電池の各セル分離用の溝を高精度かつ簡単容易
に形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、太陽エネルギーを電気
エネルギーに変換するための半導体素子である太陽電池
等の光電変換半導体装置の製造方法に関し、特に太陽電
池モジュールの製造方法に関する。
エネルギーに変換するための半導体素子である太陽電池
等の光電変換半導体装置の製造方法に関し、特に太陽電
池モジュールの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】太陽電池を複数直列に配置したいわゆる
太陽電池モジュールには種々のものがあるが、たとえば
図３に示すような構成が一般的である。図３においてガ
ラス基板等の絶縁性透明基板１の上にＩＴＯ等の透明導
電層２が複数個分割して配置・形成されている。この分
割配置された透明導電層２の上にＣｄＳ等のｎ型導電層
３がそれぞれ形成されている。透明導電層２およびｎ型
導電層３の開溝部４およびｎ型導電層３の上にＣｄＴ
ｅ，ＣｕＩｎＳｅ2 等のｐ型導電層５が形成され、さら
にその上にｐ型オーミック電極６が形成されている。図
３のそれぞれのｐ型オーミック電極６は開溝部９により
分離され、配線電極８により前段のｎ型導電層３と後段
のｐ型オーミック電極６とが接続され、太陽電池が多段
に直列接続されている。
太陽電池モジュールには種々のものがあるが、たとえば
図３に示すような構成が一般的である。図３においてガ
ラス基板等の絶縁性透明基板１の上にＩＴＯ等の透明導
電層２が複数個分割して配置・形成されている。この分
割配置された透明導電層２の上にＣｄＳ等のｎ型導電層
３がそれぞれ形成されている。透明導電層２およびｎ型
導電層３の開溝部４およびｎ型導電層３の上にＣｄＴ
ｅ，ＣｕＩｎＳｅ2 等のｐ型導電層５が形成され、さら
にその上にｐ型オーミック電極６が形成されている。図
３のそれぞれのｐ型オーミック電極６は開溝部９により
分離され、配線電極８により前段のｎ型導電層３と後段
のｐ型オーミック電極６とが接続され、太陽電池が多段
に直列接続されている。
【０００３】図３の太陽電池モジュールは以下のような
工程で製造される。すなわち絶縁性透明基板１としての
ガラス基板の上に透明導電層２としてのＩＴＯ等をスパ
ッタリング法等で形成する。次にｎ型導電層３としてＣ
ｄＳ等が真空蒸着法で形成される。次にｎ型導電層３お
よび透明電極層２をエッチング除去する等の手法によ
り、開溝部４が形成され、開溝部４およびｎ型導電層３
の上にｐ型導電層５としてＣｄＴｅ，ＣｕＩｎＳｅ2 等
が形成され、さらにその上部にｐ型オーミック電極６が
形成される。続いて、ｐ型オーミック電極６、ｐ型導電
層５をエッチングする等により開溝部７が形成され、こ
の開溝部７およびｐ型オーミック電極６の上に配線電極
８を形成し、最後に配線電極８の所定の部分をエッチン
グ等により除去し開溝部９を形成するという工程であ
る。
工程で製造される。すなわち絶縁性透明基板１としての
ガラス基板の上に透明導電層２としてのＩＴＯ等をスパ
ッタリング法等で形成する。次にｎ型導電層３としてＣ
ｄＳ等が真空蒸着法で形成される。次にｎ型導電層３お
よび透明電極層２をエッチング除去する等の手法によ
り、開溝部４が形成され、開溝部４およびｎ型導電層３
の上にｐ型導電層５としてＣｄＴｅ，ＣｕＩｎＳｅ2 等
が形成され、さらにその上部にｐ型オーミック電極６が
形成される。続いて、ｐ型オーミック電極６、ｐ型導電
層５をエッチングする等により開溝部７が形成され、こ
の開溝部７およびｐ型オーミック電極６の上に配線電極
８を形成し、最後に配線電極８の所定の部分をエッチン
グ等により除去し開溝部９を形成するという工程であ
る。
【０００４】従来、上記開溝部４を形成する方法とし
て、 フォトリソグラフィ後、ウエットエッチングを行う
方法、または、 レーザースクライビングを行う方法が行なわれてい
た。
て、 フォトリソグラフィ後、ウエットエッチングを行う
方法、または、 レーザースクライビングを行う方法が行なわれてい
た。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記の方法の場合、
ＩＴＯ等の透明導電層２のエッチング液は、ＣｄＳ等の
ｎ型導電層３を極端に早くエッチングするため、図４に
示すようにＣｄＳ等は開溝部の幅より広くエッチングさ
れてしまうといった問題があった。具体的には図４のサ
イドエッチΔＷは５〜１０μｍも発生する場合があっ
た。また、上記の方法の場合も同様に、ＩＴＯ等をス
クライブするＹＡＧレーザー等の出力が大きくＣｄＳ等
を大幅に除去してしまうためサイドエッチがΔＷ＝５０
〜１００μｍ発生する場合が生じるといった問題があっ
た。このため、光電変換半導体装置の性能が低下すると
いう問題があった。
ＩＴＯ等の透明導電層２のエッチング液は、ＣｄＳ等の
ｎ型導電層３を極端に早くエッチングするため、図４に
示すようにＣｄＳ等は開溝部の幅より広くエッチングさ
れてしまうといった問題があった。具体的には図４のサ
イドエッチΔＷは５〜１０μｍも発生する場合があっ
た。また、上記の方法の場合も同様に、ＩＴＯ等をス
クライブするＹＡＧレーザー等の出力が大きくＣｄＳ等
を大幅に除去してしまうためサイドエッチがΔＷ＝５０
〜１００μｍ発生する場合が生じるといった問題があっ
た。このため、光電変換半導体装置の性能が低下すると
いう問題があった。
【０００６】また、上記、欠点を避けるため、ＩＴＯ等
の透明導電層に開溝部を上記もしくはの方法で形成
した後、ＣｄＳ等のｎ型導電層を形成し、さらにもし
くはの方法で、ＣｄＳのみを除去し、開溝部を形成す
る方法もある。この場合は、エッチングもしくはスクラ
イブの工程が２回になるため、製造工程が複雑になると
共に、製造コストがかかるといった欠点があった。
の透明導電層に開溝部を上記もしくはの方法で形成
した後、ＣｄＳ等のｎ型導電層を形成し、さらにもし
くはの方法で、ＣｄＳのみを除去し、開溝部を形成す
る方法もある。この場合は、エッチングもしくはスクラ
イブの工程が２回になるため、製造工程が複雑になると
共に、製造コストがかかるといった欠点があった。
【０００７】本発明の目的は上記の問題点を鑑みたもの
で、性能の高い光電変換半導体装置を低い製造コストで
供給することである。
で、性能の高い光電変換半導体装置を低い製造コストで
供給することである。
【０００８】より具体的には、本発明の目的は太陽電池
モジュールの各セルの分離溝の形成時のサイドエッチΔ
Ｗが小さく正確な溝幅が容易かつ安価に形成できる方法
を提供することである。
モジュールの各セルの分離溝の形成時のサイドエッチΔ
Ｗが小さく正確な溝幅が容易かつ安価に形成できる方法
を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は次の各工程を少なくとも含む、太陽電池モ
ジュール等の光電変換半導体装置の製造方法であること
を第１の特徴とする。すなわち、図１に示すように本発
明の光電変換半導体装置の製造方法は、 （イ）コーニングガラス基板等の絶縁性透明基板１上
に、ＩＴＯ膜等の透明導電層２を形成し、透明導電層２
の所定の部分を除去し、絶縁性透明基板１に達する第１
の溝４を形成し、透明導電層２を複数の領域（セル）に
分割する第１工程 （ロ）この複数の透明導電層のそれぞれの上，および第
１の溝４中に露出している絶縁性透明基板１上に、Ｃｄ
Ｓ等のカドミウム（Ｃｄ）およびイオウ（Ｓ）を少なく
とも含むｎ型導電層３を形成する第２工程 （ハ）所定のエッチング液中に第２工程で形成したｎ型
導電層３を表面に具備した絶縁性透明基板１を投入する
ことにより、絶縁性透明基板１上に形成されたｎ型導電
層３のみを選択的にエッチング除去する第３工程 （ニ）図３に示すように、ｎ型導電層３の上部にｐ型導
電層５を形成し、さらにその上部にｐ型オーミック電極
層６を形成する第４工程 を少なくとも含むことを第１の特徴とする。
に、本発明は次の各工程を少なくとも含む、太陽電池モ
ジュール等の光電変換半導体装置の製造方法であること
を第１の特徴とする。すなわち、図１に示すように本発
明の光電変換半導体装置の製造方法は、 （イ）コーニングガラス基板等の絶縁性透明基板１上
に、ＩＴＯ膜等の透明導電層２を形成し、透明導電層２
の所定の部分を除去し、絶縁性透明基板１に達する第１
の溝４を形成し、透明導電層２を複数の領域（セル）に
分割する第１工程 （ロ）この複数の透明導電層のそれぞれの上，および第
１の溝４中に露出している絶縁性透明基板１上に、Ｃｄ
Ｓ等のカドミウム（Ｃｄ）およびイオウ（Ｓ）を少なく
とも含むｎ型導電層３を形成する第２工程 （ハ）所定のエッチング液中に第２工程で形成したｎ型
導電層３を表面に具備した絶縁性透明基板１を投入する
ことにより、絶縁性透明基板１上に形成されたｎ型導電
層３のみを選択的にエッチング除去する第３工程 （ニ）図３に示すように、ｎ型導電層３の上部にｐ型導
電層５を形成し、さらにその上部にｐ型オーミック電極
層６を形成する第４工程 を少なくとも含むことを第１の特徴とする。
【００１０】本発明の第２の特徴は、図３に示すような
太陽電池モジュール等の光電変換半導体装置の製造方法
であって、第１の特徴に加えるに次の工程を有すること
を特徴とする。すなわち、第１の特徴における第４工程
の後、ｐ型オーミック電極層６および、ｐ型導電層５の
所定の部分を除去し、ｐ型オーミック電極層６の表面か
らｎ型導電層３に達する第２の溝７を形成する第５工程
および、第５工程の後、ｐ型オーミック電極層６の上部
および該第２の溝７の内部に配線電極８を形成する第６
工程を少なくとも含む、光電変換半導体装置の製造方法
であることである。配線電極８は図３に示すように所定
の部分が第３の溝９で分離され、かつ、前段のｎ型導電
層３と後段のｐ型オーミック電極層６とを接続して多段
の太陽電池が直列接続された構成となっている。
太陽電池モジュール等の光電変換半導体装置の製造方法
であって、第１の特徴に加えるに次の工程を有すること
を特徴とする。すなわち、第１の特徴における第４工程
の後、ｐ型オーミック電極層６および、ｐ型導電層５の
所定の部分を除去し、ｐ型オーミック電極層６の表面か
らｎ型導電層３に達する第２の溝７を形成する第５工程
および、第５工程の後、ｐ型オーミック電極層６の上部
および該第２の溝７の内部に配線電極８を形成する第６
工程を少なくとも含む、光電変換半導体装置の製造方法
であることである。配線電極８は図３に示すように所定
の部分が第３の溝９で分離され、かつ、前段のｎ型導電
層３と後段のｐ型オーミック電極層６とを接続して多段
の太陽電池が直列接続された構成となっている。
【００１１】好ましくは、ｎ型導電層はＣｄＳ薄膜であ
り、第１の特徴又は第２の特徴における第２工程は基板
温度２００〜３５０℃の範囲で行うことである。
り、第１の特徴又は第２の特徴における第２工程は基板
温度２００〜３５０℃の範囲で行うことである。
【００１２】
【作用】まず、本発明の第１および第２の特徴における
第２工程を詳細に説明する。図２はＩＴＯ等の透明導電
層２の上部に形成されるｎ型導電層３の成膜速度に対す
るコーニングガラス基板等の絶縁性透明基板１上に形成
されるｎ型導電層３の成膜速度の比率（選択比）を基板
温度を変えて示している。具体的には図２はＩＴＯ上の
ＣｄＳ薄膜３と、コーニングガラス基板１上のＣｄＳ薄
膜の真空蒸着による場合の成膜速度の比率（選択比）を
示す。図２から基板温度２００℃以上で選択比７０％以
下になることがわかる。
第２工程を詳細に説明する。図２はＩＴＯ等の透明導電
層２の上部に形成されるｎ型導電層３の成膜速度に対す
るコーニングガラス基板等の絶縁性透明基板１上に形成
されるｎ型導電層３の成膜速度の比率（選択比）を基板
温度を変えて示している。具体的には図２はＩＴＯ上の
ＣｄＳ薄膜３と、コーニングガラス基板１上のＣｄＳ薄
膜の真空蒸着による場合の成膜速度の比率（選択比）を
示す。図２から基板温度２００℃以上で選択比７０％以
下になることがわかる。
【００１３】次に本発明の第１および第２の特徴におけ
る第３工程の選択的なエッチングについて説明する。す
なわち、ＩＴＯ２上のＣｄＳ薄膜とコーニングガラス基
板１上のＣｄＳ薄膜は成膜速度が異なるだけでなく、膜
質が異なり耐エッチング特性が異なる。具体的には塩酸
（ＨＣｌ）＋水（Ｈ2 Ｏ）の１：１０の溶液をエッチン
グ液として用いた場合はコーニングガラス基板上のＣｄ
Ｓ薄膜のエッチング速度はＩＴＯ上のＣｄＳ薄膜のエッ
チング速度の３〜５倍の値を示す。
る第３工程の選択的なエッチングについて説明する。す
なわち、ＩＴＯ２上のＣｄＳ薄膜とコーニングガラス基
板１上のＣｄＳ薄膜は成膜速度が異なるだけでなく、膜
質が異なり耐エッチング特性が異なる。具体的には塩酸
（ＨＣｌ）＋水（Ｈ2 Ｏ）の１：１０の溶液をエッチン
グ液として用いた場合はコーニングガラス基板上のＣｄ
Ｓ薄膜のエッチング速度はＩＴＯ上のＣｄＳ薄膜のエッ
チング速度の３〜５倍の値を示す。
【００１４】したがって、第３工程においてＣｄＳ薄膜
を上記エッチング液に投入することにより、ＩＴＯ上の
ＣｄＳ薄膜もごくわずかエッチングされるが、コーニン
グガラス基板上のＣｄＳ薄膜のみを選択的に除去でき
る。
を上記エッチング液に投入することにより、ＩＴＯ上の
ＣｄＳ薄膜もごくわずかエッチングされるが、コーニン
グガラス基板上のＣｄＳ薄膜のみを選択的に除去でき
る。
【００１５】したがって、本発明の第１および第２の特
徴によれば、成膜速度がコーニングガラス基板上の方が
ＩＴＯ上よりも遅く、コーニングガラス基板上のＣｄＳ
膜が薄いこと、およびエッチング速度がコーニングガラ
ス基板上のＣｄＳ膜の方がＩＴＯ上のＣｄＳ膜よりも速
いことを利用して選択的にコーニングガラス基板上のＣ
ｄＳ膜のみをエッチングし、自己整合的に溝を形成でき
る。このため、図４に示す従来技術におけるＣｄＳ膜３
のサイドエッチΔＷはほとんど発生せず、ＩＴＯ膜２に
形成した第１の溝４と同一の溝幅を有した溝がＣｄＳ膜
３中に形成できる。すなわち本発明の第１および第２の
特徴によれば溝幅の制御性が極めて高く、かつ容易とな
る。
徴によれば、成膜速度がコーニングガラス基板上の方が
ＩＴＯ上よりも遅く、コーニングガラス基板上のＣｄＳ
膜が薄いこと、およびエッチング速度がコーニングガラ
ス基板上のＣｄＳ膜の方がＩＴＯ上のＣｄＳ膜よりも速
いことを利用して選択的にコーニングガラス基板上のＣ
ｄＳ膜のみをエッチングし、自己整合的に溝を形成でき
る。このため、図４に示す従来技術におけるＣｄＳ膜３
のサイドエッチΔＷはほとんど発生せず、ＩＴＯ膜２に
形成した第１の溝４と同一の溝幅を有した溝がＣｄＳ膜
３中に形成できる。すなわち本発明の第１および第２の
特徴によれば溝幅の制御性が極めて高く、かつ容易とな
る。
【００１６】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。図１は本発明の実施例のＣｄＴｅ／ＣｄＳ太陽電池
モジュールを製造する場合の工程を説明するための各工
程における横寸的断面図である。
る。図１は本発明の実施例のＣｄＴｅ／ＣｄＳ太陽電池
モジュールを製造する場合の工程を説明するための各工
程における横寸的断面図である。
【００１７】本発明のＣｄＴｅ／ＣｄＳ太陽電池モジュ
ールは以下のような製造方法で製造できる。すなわち、 （１）コーニング７０５９基板１を洗浄した後、スパッ
タリング法によりＩＴＯ膜２を３００ｎｍ形成する。次
にフォトリソグラフィ法を用いて図１（ａ）に示すよう
に開溝部として予定している場所以外のＩＴＯ膜２をフ
ォトレジスト膜８８でカバーする。
ールは以下のような製造方法で製造できる。すなわち、 （１）コーニング７０５９基板１を洗浄した後、スパッ
タリング法によりＩＴＯ膜２を３００ｎｍ形成する。次
にフォトリソグラフィ法を用いて図１（ａ）に示すよう
に開溝部として予定している場所以外のＩＴＯ膜２をフ
ォトレジスト膜８８でカバーする。
【００１８】（２）次に、塩酸（ＨＣｌ）＋水（Ｈ
2 Ｏ）（１：１）からなるエッチング液を用いてフォト
レジスト膜８８でカバーされていない部分のＩＴＯ膜２
をエッチング除去し、その後フォトレジスト膜８８を除
去すれば図１（ｂ）に示すように溝部４ができる。
2 Ｏ）（１：１）からなるエッチング液を用いてフォト
レジスト膜８８でカバーされていない部分のＩＴＯ膜２
をエッチング除去し、その後フォトレジスト膜８８を除
去すれば図１（ｂ）に示すように溝部４ができる。
【００１９】（３）次に２００〜３５０℃基板温度にお
いてＩＴＯ膜２の上に、図１（ｃ）に示すように、真空
蒸着法によりＣｄＳ膜３を２００ｎｍ形成する。このと
き、溝部のコーニング７０５９基板１上にもＣｄＳ膜３
が堆積するが、図２を用いて前述したようにＩＴＯ膜２
上よりもその膜厚は薄い。なお、ＣｄＳ膜３の堆積はス
パッタリング法あるいは化学堆積法（ＣＶＤ法）でもよ
い。ＣＶＤ法を用いるとＩＴＯ膜とコーニング７０５９
基板上での成長の選択性はより顕著となる。なお、基板
温度が３５０℃を超えるとＣｄＳの再蒸発が生じるので
ほとんど成膜（蒸着）しなくなる。したがって、基板温
度は３５０℃以下にすることが望ましい。
いてＩＴＯ膜２の上に、図１（ｃ）に示すように、真空
蒸着法によりＣｄＳ膜３を２００ｎｍ形成する。このと
き、溝部のコーニング７０５９基板１上にもＣｄＳ膜３
が堆積するが、図２を用いて前述したようにＩＴＯ膜２
上よりもその膜厚は薄い。なお、ＣｄＳ膜３の堆積はス
パッタリング法あるいは化学堆積法（ＣＶＤ法）でもよ
い。ＣＶＤ法を用いるとＩＴＯ膜とコーニング７０５９
基板上での成長の選択性はより顕著となる。なお、基板
温度が３５０℃を超えるとＣｄＳの再蒸発が生じるので
ほとんど成膜（蒸着）しなくなる。したがって、基板温
度は３５０℃以下にすることが望ましい。
【００２０】（４）続いて塩酸＋水（１：１０）からな
るエッチング液に基板全体を浸して、ＩＴＯの開溝部の
コーニング７０５９基板上のＣｄＳ膜のみをエッチング
除去する。このエッチングはコーニング７０５９基板１
上のＣｄＳ膜３が薄いことと、コーニング７０５９基板
１上のＣｄＳ膜のエッチング速度がＩＴＯ膜上のＣｄＳ
よりも２倍以上（通常は３〜５倍）早いことから選択的
なエッチングが可能である。このエッチング時にＩＴＯ
膜２上のＣｄＳ膜３もごくわずかエッチングされるが、
結果として１８０ｎｍのＣｄＳ膜３がＩＴＯ膜２上に図
１（ｄ）に示したように残る。図１（ｄ）に示されるよ
うに、このエッチングによるＣｄＳ膜のサイドエッチは
非常に少なく、ＣｄＳ膜３の開溝幅はＩＴＯ２の開溝幅
とほぼ一致している。
るエッチング液に基板全体を浸して、ＩＴＯの開溝部の
コーニング７０５９基板上のＣｄＳ膜のみをエッチング
除去する。このエッチングはコーニング７０５９基板１
上のＣｄＳ膜３が薄いことと、コーニング７０５９基板
１上のＣｄＳ膜のエッチング速度がＩＴＯ膜上のＣｄＳ
よりも２倍以上（通常は３〜５倍）早いことから選択的
なエッチングが可能である。このエッチング時にＩＴＯ
膜２上のＣｄＳ膜３もごくわずかエッチングされるが、
結果として１８０ｎｍのＣｄＳ膜３がＩＴＯ膜２上に図
１（ｄ）に示したように残る。図１（ｄ）に示されるよ
うに、このエッチングによるＣｄＳ膜のサイドエッチは
非常に少なく、ＣｄＳ膜３の開溝幅はＩＴＯ２の開溝幅
とほぼ一致している。
【００２１】（５）この後は図示を省略するが、図１
（ｄ）に示した形状のＣｄＳ膜３の上に３００℃〜３５
０℃の基板温度において、真空蒸着法によりＣｄＴｅ膜
５を４μｍ形成する。なお、ＣｄＴｅ膜の形成は真空蒸
着法以外のスパッタリングや化学堆積法（ＣＶＤ）法を
用いてもよい。
（ｄ）に示した形状のＣｄＳ膜３の上に３００℃〜３５
０℃の基板温度において、真空蒸着法によりＣｄＴｅ膜
５を４μｍ形成する。なお、ＣｄＴｅ膜の形成は真空蒸
着法以外のスパッタリングや化学堆積法（ＣＶＤ）法を
用いてもよい。
【００２２】次に、ＣｄＴｅ表面をＢr メタノール（１
％）溶液でスライトエッチングする等の所定の前処理を
してｐ型オーミック電極となるＣｕを１０ｎｍ、Ａｕを
１００ｎｍ連続的に真空蒸着し、その後フォトリソグラ
フィを行う。たとえばフォトレジストをマスクにして、
ＫＩ＋Ｉ2 溶液等のエッチャントでＡｕおよびＣｕをエ
ッチング除去しさらにＣｄＴｅ膜をＣｄＳ膜３が露出す
るまでエッチングし図３の溝７を形成する。なお、ｐ型
オーミック電極のＣｕ／Ａｕ膜のパターニングはいわゆ
るリフトオフを用いてもよい。続いてこの開溝部７およ
びｐ型オーミック電極６の上に配線電極８を形成し、さ
らに不要の部分の配線電極８を除去し、開溝部９を形成
すれば図３に示すＣｄＴｅ／ＣｄＳ太陽電池モジュール
が完成する。
％）溶液でスライトエッチングする等の所定の前処理を
してｐ型オーミック電極となるＣｕを１０ｎｍ、Ａｕを
１００ｎｍ連続的に真空蒸着し、その後フォトリソグラ
フィを行う。たとえばフォトレジストをマスクにして、
ＫＩ＋Ｉ2 溶液等のエッチャントでＡｕおよびＣｕをエ
ッチング除去しさらにＣｄＴｅ膜をＣｄＳ膜３が露出す
るまでエッチングし図３の溝７を形成する。なお、ｐ型
オーミック電極のＣｕ／Ａｕ膜のパターニングはいわゆ
るリフトオフを用いてもよい。続いてこの開溝部７およ
びｐ型オーミック電極６の上に配線電極８を形成し、さ
らに不要の部分の配線電極８を除去し、開溝部９を形成
すれば図３に示すＣｄＴｅ／ＣｄＳ太陽電池モジュール
が完成する。
【００２３】なお、ｐ型ＣｄＴｅのかわりにｐ型ＣｕＩ
ｎＳｅ2 等他のｐ型導電層を用いてもよい。
ｎＳｅ2 等他のｐ型導電層を用いてもよい。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の製造方法
によれば、簡単な方法で、モジュールを構成する各セル
の分離のエッチング時に透明導電膜およびｎ型導電膜に
サイドエッチΔＷがほとんど発生しないような正確な幅
の開溝が形成できる。そのため製造工程が簡単かつ容易
となり、低いコストで高性能の光電変換半導体装置が供
給できるといった利点を奏する。
によれば、簡単な方法で、モジュールを構成する各セル
の分離のエッチング時に透明導電膜およびｎ型導電膜に
サイドエッチΔＷがほとんど発生しないような正確な幅
の開溝が形成できる。そのため製造工程が簡単かつ容易
となり、低いコストで高性能の光電変換半導体装置が供
給できるといった利点を奏する。
【図１】本発明の実施例に係る太陽電池モジュールの製
造方法の一部を説明するための図である。
造方法の一部を説明するための図である。
【図２】ＩＴＯ膜上へのＣｄＳ膜の成長と、ガラス基板
上へのＣｄＳ膜の成長の成膜速度の比（選択性）を示す
図である。
上へのＣｄＳ膜の成長の成膜速度の比（選択性）を示す
図である。
【図３】ＣｄＴｅ／ＣｄＳ太陽電池モジュールの模式断
面図である。
面図である。
【図４】従来技術によりＣｄＳ膜／ＩＴＯ膜に各セル分
離用の溝を開溝した場合の断面を示す図である。
離用の溝を開溝した場合の断面を示す図である。
１ 絶縁性透明基板 ２ 透明導電層 ３ ｎ型導電層 ４ 第１の開溝部 ５ ｐ型導電層 ６ ｐ型オーミック電極 ７ 第２の開溝部 ８ 配線用電極 ９ 第３の開溝部 ８８ フォトレジスト膜
Claims (3)
- 【請求項１】 次の各工程を少なくとも含む、光電変換
半導体装置の製造方法。 （イ）絶縁性透明基板上に、透明導電層を形成し、該透
明導電層の所定の部分を除去し、該絶縁性透明基板に達
する第１の溝を形成し、該透明導電層を複数の領域に分
割する第１工程 （ロ）該透明導電層および該第１の溝中に露出している
該絶縁性透明基板上に、カドミウム（Ｃｄ）およびイオ
ウ（Ｓ）を少なくとも含むｎ型導電層を形成する第２工
程 （ハ）所定のエッチング液中に第２工程で形成したｎ型
導電層を投入することにより、該絶縁性透明基板上のｎ
型導電層のみを除去する第３工程 （ニ）該ｎ型導電層の上部にｐ型導電層を形成し、さら
にその上部にｐ型オーミック電極層を形成する第４工程 - 【請求項２】 前記第４工程の後、前記ｐ型オーミック
電極層および、前記ｐ型導電層の所定の部分を除去し、
前記ｐ型オーミック電極層の表面から前記ｎ型導電層に
達する第２の溝を形成する第５工程および、 該第５工程の後、該ｐ型オーミック電極層の上部および
該第２の溝の内部に配線電極を形成する第６工程を少な
くとも含む、光電変換半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記ｎ型導電層はＣｄＳ薄膜であり、前
記第２工程は基板温度２００〜３５０℃の範囲で行うこ
とを特徴とする請求項１又は２記載の光電変換半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7073622A JPH08274360A (ja) | 1995-03-30 | 1995-03-30 | 光電変換半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7073622A JPH08274360A (ja) | 1995-03-30 | 1995-03-30 | 光電変換半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08274360A true JPH08274360A (ja) | 1996-10-18 |
Family
ID=13523611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7073622A Pending JPH08274360A (ja) | 1995-03-30 | 1995-03-30 | 光電変換半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08274360A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006107154A1 (en) * | 2005-03-16 | 2006-10-12 | Korea Advanced Institute Of Science And Technology | Integrated thin-film solar cells and method of manufacturing thereof and processing method of transparent electrode for integrated thin-film solar cells and structure thereof, and transparent substrate having processed transparent electrode |
| KR100756286B1 (ko) * | 2005-03-16 | 2007-09-06 | 한국과학기술원 | 집적형 박막 태양전지 및 그 제조 방법 |
| CN102315335A (zh) * | 2011-04-13 | 2012-01-11 | 东旭集团有限公司 | 一种减少薄膜太阳能电池死区面积的制备工艺 |
| US8148626B2 (en) | 2005-12-14 | 2012-04-03 | Korea Advanced Institute Of Science & Technology | Integrated thin-film solar cell and method of manufacturing the same |
| US8449782B2 (en) | 2005-12-14 | 2013-05-28 | Korea Advanced Institute Of Science And Technology | See-through-type integrated thin-film solar cell, method of manufacturing the same and method of electrically series connecting unit cells thereof |
-
1995
- 1995-03-30 JP JP7073622A patent/JPH08274360A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US7927497B2 (en) | 2005-03-16 | 2011-04-19 | Korea Advanced Institute Of Science And Technology | Integrated thin-film solar cells and method of manufacturing thereof and processing method of transparent electrode for integrated thin-film solar cells and structure thereof, and transparent substrate having processed transparent electrode |
| US8148626B2 (en) | 2005-12-14 | 2012-04-03 | Korea Advanced Institute Of Science & Technology | Integrated thin-film solar cell and method of manufacturing the same |
| US8153885B2 (en) | 2005-12-14 | 2012-04-10 | Korea Advanced Institute Of Science & Technology | Integrated thin-film solar cell and method of manufacturing the same |
| US8168882B2 (en) | 2005-12-14 | 2012-05-01 | Korea Advanced Institute Of Science & Technology | Integrated thin-film solar cell and method of manufacturing the same |
| US8449782B2 (en) | 2005-12-14 | 2013-05-28 | Korea Advanced Institute Of Science And Technology | See-through-type integrated thin-film solar cell, method of manufacturing the same and method of electrically series connecting unit cells thereof |
| CN102315335A (zh) * | 2011-04-13 | 2012-01-11 | 东旭集团有限公司 | 一种减少薄膜太阳能电池死区面积的制备工艺 |
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