CN1983568A - 集成薄膜太阳能电池及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明一种集成薄膜太阳能电池及其制造方法。其方法主要包括在一基底上制造并成型一导电材料，以预定间距隔开，以使之彼此相分离；在合成基底上制成一太阳能电池(半导体)层；倾斜沉积第一透明导电材料于该太阳能电池层之上；然后用该第一透明导电材料作为掩膜蚀刻该太阳能电池层；倾斜沉积一第二透明导电材料于合成基底之上，然后使之通过第一透明导电材料与导电材料相电连。

Description

集成薄膜太阳能电池及其制造方法
一、技术领域
本发明涉及一种集成薄膜太阳能电池及其制造方法，特别是涉及一种使生产过程中的损失最小化，且在低成本运作中亦能实现损失最小化的集成薄膜太阳能电池及其制造方法，属于太阳能电池技术领域。
二、背景技术
太阳能电池是将太阳能直接转化为电能的一种半导体装置。根据其使用材料的不同，太阳能电池主要分为：硅系太阳能电池，多元化合物太阳能电池，有机太阳能电池。
硅系太阳能电池根据半导体相的不同可进一步细分为：单晶硅太阳能电池，多晶硅太阳能电池和非晶硅太阳能电池。
根据半导体的厚度，太阳能电池分为厚(基底)太阳能电池和薄膜太阳能电池。薄膜太阳能电池的半导体层厚度从几微米到几十微米不等。
硅系太阳能电池中，单晶硅和多晶硅太阳能电池属于厚太阳能电池，非晶硅太阳能电池属于薄膜太阳能电池。
多元化合物太阳能电池可分为，III-V族的砷化镓化合物(GaAs)和铟磷化合物(InP)系厚太阳能电池，与II-VI簇的碲化镉(CdTe)和I-III-VI簇的铜铟二硒化合物(CIS)(CuInSe2)系薄膜太阳能电池。
有机太阳能电池主要分为有机分子太阳能电池和有机/无机合成太阳能电池。另外，还有一种干染料敏化太阳能电池。它们均属于薄膜太阳能电池。
在这几种太阳能电池中，硅系厚太阳能电池因其能量转换效率高、制造成本低被作为地面电力(ground power)而广泛使用。
近年来，因为对硅系厚太阳能电池需求的急剧增长，导致制造硅系厚太阳能电池的原材料价格呈不断增长的趋势。而硅系薄膜太阳能电池，因其对硅原材料的使用仅为目前硅系厚太阳能电池的几百分之一，正是基于其低成本和产量大的技术优势，使地面电力对其需求日益广泛，从而有着巨大的市场潜力。
图1是传统集成薄膜太阳能电池的结构示意图。图2是传统集成薄膜太阳能电池中，激光定膜过程中加工透明电极、太阳能电池(半导体)层、金属背电极时的示例图。
如附图1所示，传统集成薄膜太阳能电池(1)其结构包括：数个干电池(20)复数串联并被安装在玻璃基底或透明塑料基底(10)(以下简称“透明基底”)上。
传统薄膜太阳能电池包括一个互相分离(绝缘)的透明电极(22)，透明电极在透明基底(10)上形成一个带状绝缘体；一个太阳能电池(半导体)层(24)覆盖在透明电极(22)上并形成带状；太阳能电池层(24)被一个金属背电极层(26)覆盖并形成带状。集成薄膜太阳能电池其结构为：数个相互分离的(绝缘)的干电池(20)复数串联。金属背电极又被back？树脂保护层(30)覆盖，树脂保护层用以防止太阳能电池短路，并对整个太阳能电池提供保护。
一般来说，集成薄膜太阳能电池(1)制造方法有：激光定膜方法、化学蒸馏加工方法(CVM)、金属探针的机械雕刻方法。
激光定膜方法是指这样一种技术，即主要使用钇铝石榴石(YAG)激光束蚀刻透明电极(22)，太阳能电池(半导体)层(24)及金属背电极层(26)。具体使用方法将在下面详细说明。
图2是一个完整的传统薄膜太阳能电池示例图。
如附图2所示，透明电极(22)被排列在透明基底(10)上，并在大气下被激光束蚀刻。之后，太阳能电池(半导体)层(24)形成并在大气下被激光束(绝缘)分割。金属背电极层(26)形成并在大气状态下被用激光定膜方法加以蚀刻，因此，数个太阳能干电池得以电串连并形成集成太阳能电池。
下面将介绍激光定膜方法的缺陷。
如附图2所示，透明电极(22)被排列在透明基底(10)表面上，之后，透明电极(22)被激光定膜方法(绝缘)分割成预定宽度的带状。被分割的透明电极(22)其宽度一般有50微米到几个100微米。
之后，形成太阳能电池(半导体)层(24)的过程主要是在真空状态下，然而，分割太阳能电池(半导体)层(24)的激光定膜方法却是在大气状态下，这就使得在真空下能连续运作的过程在此状态下变得不可能。因此，降低了生产装置的运行效率，而这必然导致太阳能电池运行成本的增加。也就是说，该方法的缺陷是：由于大气中固有的湿度及存在的污染物，使得暴露在大气下的基底蚀刻了太阳能电池层(10)，因而太阳能电池被破坏。
接下来，金属背电极层(26)在真空下以喷射的方式形成，并且在大气状态下再一次被用激光定膜方法分割，从而形成集成太阳能电池。这个过程会引起运行不连续以及如上描述的污染缺陷。太阳能电池中数个干电池(20)彼此间的无效区或(分割宽度)经由激光定膜增加了3次，其中2次是激光定膜分割透明电极(22)和太阳能电池(半导体)层(24)，另外1次是激光定膜分割金属背电极层(26)同时将数个太阳能干电池电串联。因此，降低了太阳能电池有效率区域的增加。另外一个缺点是，激光定膜设备昂贵，且使制膜定位准确需要精确定位控制系统，而这也使得制造成本上升。
化学蒸馏加工方法是指这样一种技术：太阳能电池(半导体)层同时被分割成复数宽度等同的数个干电池，即用SF6/He气体围绕线电极产生直径为数十微米的局部大气压等离子区，并在接近部分底层表面上被排成格子形状。
化学蒸馏加工方法其特征是用时短、薄膜可选择性极好、较激光定膜方法降低了对薄膜的损害。与激光定膜方法不同的是，化学蒸馏加工方法其蚀刻是在真空下进行，因而其优点在于防止了基底因暴露在大气下而导致的对太阳能电池的破坏，并且较激光定膜方法生产成本低。
然而，为形成透明电极，蚀刻应在精确的位置上进行。因此真空装置内可准确定位的精确定位控制系统仍是必需的。当生产有大块基底的太阳能电池时，这是非常困难的事情。蚀刻所产生的缝隙最大约为200微米，较使用激光定膜方法所产生的绝缘缝隙要大，因此，其缺点便是增加了太阳能电池的无功效面积。
另外一种蚀刻方法是机械雕刻方法，这种方法通过使用与所需干电池组数额相当的数个金属探针，可进行集体同时雕刻。与激光定膜方法对比，该方法在高速运作方面，具有更大的延展性与可适应性。较上述两种方法，机械雕刻方法中蚀刻所使用的装置及运作成本最低。
以CIS太阳能电池为例，因为CdS/CIS比钼(Mo)更加柔软，在使用机械雕刻方法时容易雕刻，因此在生产CIS太阳能电池时被广泛使用。
然而，传统机械雕刻方法其缺陷在于：为了蚀刻背电极(Mo)以及前电极(ZnO)时，需要激光定膜设备。另外为了准确定位而使用的精确定位控制装置其用途仅限于生产太阳能电池(半导体)层领域。
三、发明内容
本发明目的是，提供一种集成薄膜太阳能电池，其减少了电池单元之间的绝缘带，从而增加太阳能电池的有效区域，且形成透明电极之后所有的程序都将在真空环境下运作，并用一个简单的程序将太阳能电池的各个单元相互电串联，从而制成该电池。
本发明另一目的是，提供一种能够防止电池性能的退化并且能降低生产成本的薄膜太阳能电池的制造方法。
本发明再一目的是，提供一种集成薄膜太阳能电池的制造方法，这样即使当某一电池单元的性能退化时也能从其他电池单元获得所期望的高压。
本发明一种集成薄膜太阳能电池及其制造方法，其技术方案如下：
本发明一种集成薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于：它主要包括以下几步：在一基底上制造并成型第一导电材料，以预定间距隔开，以使之彼此在基底上相分离；在合成基底上制成一太阳能电池层；倾斜沉积第二导电材料于该太阳能电池层之上；然后用该第二导电材料作为掩膜蚀刻该太阳能电池层；倾斜沉积第三导电材料于合成基底之上，然后使之通过与第一导电材料相毗连的第二导电材料，与第一导电材料相电连。
其中，第一至第三导电材料可为一种透明导电材料或一种金属材料。
透明导电材料可以是从以下金属族群中选择的一种或几种：氧化锌(ZnO)，二氧化锡(SnO2)，以及氧化铟锡(ITO)。
沉积第二透明导电材料还包括：制造并成型一金属电极，以预定间距隔开，以使之彼此相分离；
制成该导电材料还包括：在基底上稀疏地制成该第一导电材料；用一种印刷的方法，在第一导电材料上制成一涂有抗蚀剂或聚合体的膜，并与第一导电材料隔开一预定空间；用涂抹了抗蚀剂或聚合体的膜作为掩膜蚀刻该第一导电材料；去掉该抗蚀剂或聚合体膜。
其中，蚀刻该导电材料是用一种各向同性的蚀刻方法，使其能有一个弯曲的倾斜面以使其作为蚀刻面。
其中，该导电材料经台面蚀刻以使其有一个倾斜面。
其中，该导电材料的蚀刻运用的是一种各向异性的蚀刻方法，以使该蚀刻是在基底的垂直方向上进行的。
其中，该太阳能电池层是在垂直方向上被蚀刻。
其中，该太阳能电池层是以一定的倾角被倾斜蚀刻。
其中，该基底是一种涂有绝缘薄膜的导电基底，或是一种绝缘基底。
本发明提供一种集成薄膜太阳能电池，其各单位元件是通过一太阳能电池(该太阳能电池是用上述方法制造出来的)电串联在一起。
本发明还提供一种集成薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于：它主要包括以下几步：在一合成基底上制造并成型一以预定空间相分离的第一导电材料；倾斜沉积一第二导电材料于该合成基底之上；在该合成基底上制成一太阳能电池层；倾斜沉积一第三导电材料于该太阳能电池层之上；然后用该第三导电材料作为掩膜蚀刻该太阳能电池层；倾斜沉积一第四导电材料于合成基底之上，然后使之通过与第二导电材料相毗连的第三导电材料，与第二导电材料相电连。
其中，第一和第二导电材料可为透明导电材料或金属材料。
其中，第一至第四导电材料是一种透明材料或金属材料。
其中，第二透明导电材料的沉积还包括：制造并成型一金属电极，使之隔开一定预定空间以相互分开。
其中，该基底是一种涂有绝缘薄膜的导电基底，或是一种绝缘基底。
本发明还提供一种集成薄膜太阳能电池，其各单位元件是通过上述制造太阳能电池的方法电串联在一起。
本发明还提供一种集成薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于：它主要包括以下几步：在一表面凹凸有致的基底上倾斜沉积第一导电材料，以预定间距隔开，以使之彼此相分离；在合成基底上制成一太阳能电池层；倾斜沉积第二导电材料于该太阳能电池层之上；用该第二导电材料作为掩膜蚀刻该太阳能电池层；倾斜沉积第三导电材料于合成基底之上，然后使之通过第二导电材料与第一导电材料相电连。
其中，第一至第三导电材料是一种透明材料或金属材料。
其中，第二导电材料的沉积还包括：制造并成型一金属电极，以预定间距隔开，以使之彼此相分离。
其中，该基底是一种涂有绝缘薄膜的导电基底，或是一种绝缘基底。
本发明还提供一种集成薄膜太阳能电池，其各单位元件是通过上述制造太阳能电池的方法电串联在一起。
本发明的优点和功效是：集成薄膜太阳能电池的单位元件之间的绝缘带，与传统激光定膜法以及化学蒸气加工法相比可减少十倍至百倍，因此，使太阳能电池的功效可以最大化，所以，也改进了太阳能电池的干电池的性能。
本发明的另一优点和功效是：使自对准将成为可能，因此，我们就不需要对电池单元进行精确定位，而且，在加工透明电极的时代广泛应用印刷法，因此，我们也没有必要制造一个昂贵的如激光器、精确定位控制系统等设备，所以，不仅降低了制造成本；同时也因为透明电极制成之后的所有过程都将在真空状态下进行，从而防止单位元件在操作过程中由于其暴露在空气中而导致性能减退。
四、附图说明
图1是传统的集成薄膜太阳能电池的结构示意图。
图2是采用激光定膜方法，制造传统集成薄膜太阳能电池的透明电极、太阳能电池(半导体)层以及金属背电极的图例。
图3是依本发明的一具体实施例，即在一绝缘基底上两次斜沉积而制成的集成薄膜太阳能电池的横截面示意图。
图4是依照本发明在绝缘基底1上形成成型的导电材料的横截面示意图。
图5是用一种印刷方法成型图4中的导电材料的一系列程序示意图。
图66A和6B是依本发明另一具体实施例而成型的导电材料图示。
图7是依本发明制成的太阳能电池层的状态横截面示意图。
图8是依本发明制成的第一透明导电材料的状态横截面示意图。
图9A和9B是依本发明将第一导电材料作为掩膜进行垂直蚀刻的状态横截面示意图。
图9C是依本发明将第一导电材料作为掩膜进行倾斜蚀刻的状态横截面示意图。
图10A和10B是依本发明制成的第二透明导电材料的状态横截面示意图。
图11是依本发明的另一个具体实施例，在导电基底上经两次斜沉积制成的集成薄膜太阳能电池的结构与制作程序横截面示意图。
图12是依本发明的再一个具体实施例，在绝缘基底上经三次斜沉积制成的集成薄膜太阳能电池的结构与制作程序横截面示意图。
图13是依本发明的再另一个具体实施例，在导电基底上经三次斜沉积制成的集成薄膜太阳能电池的结构与制作程序横截面示意图。。
图14是依本发明的另一个具体实施例，在表面凹凸不平的绝缘基底上经三次斜沉积制成的集成薄膜太阳能电池的结构与制作程序横截面示意图。
图15仍是依本发明的另一个具体实施例，在表面凹凸不平的导电基底上经三次斜沉积制成的集成薄膜太阳能电池的结构与制作程序横截面示意图。
五、具体实施方式
本发明的首选实施方式将辅以附图详细说明如下。
本发明中，其基底是一种涂有绝缘薄膜的导电基底，或是一种绝缘基底。为了描述方便，下文将分两案即具有导电性能的基底和具有绝缘性能的基底来说明。
因此，在本发明的权利要求中，基底包括涂有绝缘薄膜的导电基底以及绝缘基底。使用绝缘薄膜是因为导电基底会与其他导电材料相电连。
(1)在绝缘基底上经两次斜沉积而制成的集成太阳能电池
图3是依本发明的一具体实施例，即在一绝缘基底101上经两次斜沉积而制成的集成薄膜太阳能电池的结构横截面示意图。
正如图3所示，依照本发明制作的集成薄膜太阳能电池，由一带有倾斜面的导电材料102，一太阳能电池(半导体)层103，第一透明导电材料104，第二透明导电材料105的依次叠层在一绝缘基底101上。
换言之，在制成导电材料102时设有一绝缘带，以使左/右相邻的导电材料102彼此绝缘。太阳能电池(半导体)层和第一透明导电材料104沉积在成型的导电材料102之上。第二透明导电材料105位于第一透明导电材料104之上。第二透明导电材料105的结构是，其内部与同向相邻的导电材料102相电串联。
正如图3所示，成型的导电材料102的侧边可以设置一个预定斜度的斜面部分。但这不会限制本发明的应用范围，成型的导电材料102也可以设置一个弯曲的倾斜面或者与基底垂直的面。
一种制造集成薄膜太阳能电池的方法将在以下的部分进行介绍。
图4至图10为相继说明依照本发明制作集成薄膜太阳能电池方法的横截面示意图。
图4为依照本发明在其上有成型的导电材料102的绝缘基底101横截面示意图。
如附图4所示，在绝缘基底101上形成成型的导电材料102，依照的是本发明集成薄膜太阳能电池制造方法的第一步骤。
绝缘基底101是一透明基底或者一不透明基底。导电材料102是一种透明的导电材料，其可为以下金属群中的一种或几种，包括氧化锌(ZnO)、氧化锡(SnO2)、氧化铟锡(ITO)、高反射率的纯金属(如铝、银、金)、合金(如铝和银合金)、或银、铝、金中的任意一种或几种金属材料。
成型的导电材料102对于表面是否凹凸的基底都是可以适用的。
在导电材料102成型过程中，如附图5所示，导电材料102是在基底101上薄薄的成型，用印刷术将抗蚀剂(PR)或者聚合物102a涂抹于导电材料102之上，从而使导电材料102之间可形成一个预定的空间，且该空间可通过调整抗蚀剂或聚合物的粘度来控制。在涂抹之后，用抗蚀剂或聚合物作为掩膜蚀刻导电材料102a，然后除去抗蚀剂或者聚合物102a。
印刷法是指一种丝网印刷的方法，即，使用简易的印刷设备，通过简单方便又低成本的操作程序，使抗蚀剂或聚合物薄薄的涂抹并成型；也可以使用凹版印刷的方式涂抹成型细的涂层。
使用各向异性的或各向同性的蚀刻法来蚀刻导电材料102。在各向同性的蚀刻法中，导电材料102可以在两边形成弯曲和倾斜的表面，且该面越趋向低处越宽，如附图4所示。在各向异性的蚀刻法中，导电材料102可以形成一个与基底垂直的截面，或者形成一个符合预设倾斜度的斜面，如附图6A和6B所示。
如果使用上述提到的各种印刷方法来蚀刻导电材料102，高密度式样的印刷是可行的，且制成的薄膜也具有很好的均匀性，操作程序也相对简易，且不必采用如传统方法所用的昂贵的激光定膜设备。因此，可以降低制造成本。
除了以上讲述的方式可以使导电材料102成型以外，还有一种使用光刻法涂抹抗蚀剂的方法，可以代替用印刷法来涂抹聚合物。光刻法是基于以下原理：当抗蚀剂受到光线照射时，会发生化学反应而改变自身的性质。
在印刷法中使用的是含有导电薄膜制造原料(如油墨)的溶胶-凝胶溶液，导电薄膜材料可以直接涂抹在基底上，而不需要使用利用印刷法或光刻法定膜的抗蚀剂或聚合物。印刷术使其可以在低温度过程中直接形成带状导电材料薄膜，而不需要用掩膜的蚀刻过程。
导电材料102的成型和蚀刻技术已经由本申请人在韩国申请专利，专利号为2005-0021771，名称为“用于集成薄膜太阳能电池的透明电极，和具有透明电极的透明基底的加工方法及构造”。此处的透明电极指一种导电材料。
图7是依照本发明制造太阳能电池层的状态横截面示意图，太阳能电池层103形成于与基底101表面形状相同的上述成型的第二导电材料102之上。
太阳能电池可以是硅系太阳能电池，多元化合物太阳能电池、有机太阳能电池、干染料敏化太阳能电池、有机与无机合成太阳能电池的一种或多种。
在以上的种类中，硅系太阳能电池可能是非晶硅(a-Si:H)单结太阳能电池，如a-Si:H/a-Si:H或a-Si:H/a-Si:H/a-Si:H多结太阳能电池；非晶硅-锗(a-SiGe:H)单结太阳能电池，a-Si:H/a-SiGe:H双结太阳能电池，a-Si:H/a-SiGe:H/a-SiGe:H三结太阳能电池；非晶硅与微晶硅(或者多晶硅)双结太阳能电池、单晶硅太阳能电池中的任意一种。
图8是依本发明制成的第一透明导电材料104的状态横截面示意图。采用的是一种诸如电子束或热沉积的方法，将第一透明导电材料104倾斜沉积并成型在上述已制成的太阳能电池层103之上。
第一导电材料104是透明导电材料，且其至少是从氧化锌(ZnO)、二氧化锡(SnO2)和氧化铟锡(ITO)中选出的一种。
因此，采用电子束或者热沉积将第一透明导电材料104以预设角度(θ1)的进行斜沉积时，由于沉积的直线性(2a)使得太阳能电池层103上，除了包含有倾斜面的(1a)部分外，均沉积了一层薄薄的导电材料104。未被沉积的那部分(即1a部分)表示在随后的步骤中被蚀刻掉的区域。
图9A与9B是依本发明将第一导电材料104作为掩膜进行垂直蚀刻的状态横截面示意图。依导电材料102的截面形状的不同可选择使用三种蚀刻方法。
换言之，如附图9A与9B所示，导电材料102与102’有一倾斜面，太阳能电池层1G3利用沉积的第一透明导电材料104作为掩膜(如附图7所示)进行垂直蚀刻。更理想的是使用干蚀程序(如活性离子蚀刻)。
如附图9C所示，导电材料102”有一垂直面，太阳能电池层103利用沉积的第一透明导电材料104作为掩膜(如附图7所示)，以与基底101成预设角(θ2)的角度来进行倾斜蚀刻。
上述未提到的标记1b与1c表示了以下区域：第一透明导电材料104未沉积的含有斜面的导电材料102’和含有垂直面的导电材料102”。该未被沉积的那部分(1b和1c)表示将在以后的步骤中被蚀刻掉的区域。
这种方法使在不需要特定掩膜的前提下，精确蚀刻太阳能电池层103成为可能，从而实现了将单位元件之间的绝缘带缩小到几微米至几十微米。比惯常的等离子化学蒸气法和基于激光束的激光定膜法法，要降低十倍甚至百倍，因此使得太阳能电池的有效区域实现最大化。
图10A是依本发明在图9A中的第一导电材料104之上制成第二透明导电材料105的过程图。
图10B是依本发明在图9B中的第一导电材料104之上制成第二透明导电材料105的过程图。在图9B中的第一透明导电材料104之上制成第二透明导电材料105的过程与图10A所示的程序相同，因此略去。
如附图10A与10B所示，可以利用与第一透明导电材料104同样的沉积过程形成第二透明导电材料105，其中预设的单位元件间的绝缘带大小参照之前的蚀刻过程。
用电子束或热沉积法将第二透明导电材料105以预设的角度(θ3和θ4)进行斜沉积时，由于沉积的直线性(2b和2c)，使得在第一透明导电材料之上，除了包含有倾斜表面(1d)的部分外，均沉积了一层薄薄的第二透明导电材料。
第二透明导电材料105是一种透明的导电材料，其至少是从氧化锌(ZnO)、氧化锡(SnO2)、氧化铟锡(ITO)、中选择出的一种。
根据以上步骤，左边的导电材料102和与之相邻的右边的第二透明导电材料105直接接触。同时，该左边的太阳能电池(半导体)层103和该右边的第二导电透明材料105电串联。
由于透明导电材料在导电性较弱，当沉积完第二透明导电材料105后，较为理想的是在预留的相互间隔的地方制成一金属线电极以将透明导电材料彼此隔开。这样，透明导电材料的导电性将增强。金属线用来提高透明导电材料的电导率。一旦透明导电材料形成，金属线随时都能制成。
金属线可以使用一种高反射率的纯金属(如Al、Ag、Au)，合金(如铝和银合金)、或银、铝、金等金属材料中的任意一种或几种。
这些步骤可以通过自对准来完成而不需要专门的定位控制设备，因此集成薄膜太阳能电池的制造过程更加简便。
(2) 在导电基底上经两次斜沉积制成的集成太阳能电池。
图11是依本发明的另一个具体实施例，在导电基底101上经两次斜沉积制成的集成薄膜太阳能电池的结构与制作程序横截面示意图。
图11A为在导电基底101上制成绝缘膜101a。图11B为在绝缘膜101a上制成导电材料102，从而使其之间形成一预定间距并彼此绝缘。
如附图11C，太阳能电池(半导体)层103制成于包含有导电材料102的基底之上。
第一透明导电材料104斜沉积在太阳能电池层103之上(图11D)，用第一透明导电材料104作为掩膜蚀刻太阳能电池层103(图11E)。
在图11F中，第二透明导电材料105斜沉积在包含有被蚀刻的太阳能电池层103的基底之上，并与导电材料102连接，从而实现太阳能电池间的电串连。
如附图11F所示，根据本发明，集成薄膜太阳能电池由绝缘膜101a、导电材料102、太阳能电池(半导体)层103、第一透明导电材料104和第二透明导电材料105相继叠层于导电基底101之上而组成。
换言之，在制成导电材料102时设有一绝缘带，以使左/右相邻的导电材料102彼此绝缘。太阳能电池(半导体)层和第一透明导电材料104沉积在成型的导电材料102之上。第二透明导电材料105位于第一透明导电材料104之上。第二透明导电材料105的结构是，其内部与同向相邻的导电材料102相电串联。
成型的导电材料102的侧边可以设置一个预定斜度的斜面部分。但这不会限制本发明的应用范围，成型的导电材料102也可以设置一个弯曲的倾斜面或者与基底垂直的面。
如附图11A所示，由于基底101具有导电性，因此在基底101上应形成一绝缘薄膜101a。其他的关于形成关系及内容的具体细节与“(1)在绝缘基底上经两次斜沉积而制成的集成太阳能电池”相同，因此，这里不再重复。
(3)在绝缘基底上经三次斜沉积制成的集成太阳能电池
图12是依本发明的另一个具体实施例，在绝缘基底201上经3次斜沉积制成集成薄膜太阳能电池的结构及过程的横截面示意图。
在图12B中，在绝缘膜201上制成第一导电材料202，以使其形成一预定间距并彼此绝缘。
在图12C中，第二导电材料203被斜沉积在包含有第一导电材料202的基底之上。
在图12D中，在包含有第二导电材料203的基底上制成太阳能电池(半导体)层204。
第一透明导电材料205被斜沉积在太阳能电池层204上后(图12E)，用第一透明导电材料205作为掩膜蚀刻太阳能电池层204(图12F)。
在图12G中，第二透明导电材料206被斜沉积在包含被蚀刻的太阳能电池层204的基底上，并与导电材料203连接，从而实现太阳能电池间的电串连。
如附图12G所示，根据本发明，集成薄膜太阳能电池由第一导电材料202、第二导电材料203、太阳能电池(半导体)层204、第一透明导电材料205和第二透明导电材料206依次叠层于绝缘基底201上。
换言之，在制成导电材料202时设有一绝缘带，以使左/右相邻的导电材料102彼此绝缘。成型的第一导电材料201的一边与基底201垂直。但这不会限制本发明的应用范围，成型的导电材料202也可以设置一个弯曲的倾斜面或者与基底垂直的面。第二透明导电材料206位于第一透明导电材料205之上。第二透明导电材料206的结构是，其内部与同向相邻的第二导电材料203相接触，从而实现电池单元间的电串联。
下面就集成薄膜太阳能电池的制造方法加以详述。
如图12B所示，在绝缘基底201上制成第一导电材料202，是依照本发明制造集成薄膜太阳能电池的第一步骤。
绝缘基底201是一个透明或者非透明的基底。
已成型的第一导电材料202无论表面凹凸与否，对所有基底都是适用的。
如图12C所示，将第二透明导电材料203以预设角度θ5斜沉积在包含第一导电材料202的基底上时，由于沉积的直线性(2d)，使得第一导电材料202上除了一侧的垂直面和1a部分外，均沉积了一层薄薄的导电材料203。
第一和第二导电材料202和203使用的透明导电材料，可以是从含氧化锌(ZnO)、氧化锡(SnO2)，氧化铟锡(ITO)族群中选出的任一种或几种。可以使用一种高反射率纯金属(例如Al、Ag、Au)，也可使用合金(如金银合金)，或是使用Al、Ag、Au等金属性材料中的任一种或几种。
图12D是太阳能电池层204的形成状态截面图，该太阳能电池层204与包含有上述沉积的第二导电材料203的合成基底的表面形状相一致。
太阳能电池可以是硅系太阳能电池，多元化合物太阳能电池、有机物太阳能电池、干燃料敏化太阳能电池、有机/无机合成太阳能电池。
在这些电池中，硅系太阳能电池可是任一种非结晶硅(a-Si:H)单结太阳能电池，a-Si:H/a-Si:H或a-Si:H/a-Si:H/a-Si:H多结太阳能电池，非晶体硅-锗单结太阳能电池，a-Si:H/a-SiGe:H双结太阳能电池，a-Si:H/a-SiGe:H/a-SiGe:H三结太阳能电池或非结晶/微晶(多晶)硅双结太阳能电池。
图12E是第一透明导电材料205的形成状态截面图，利用电子束或热沉积法将第一透明导电材料205在上述成型的太阳能电池层204上进行斜沉积并使之成型。
第一透明导电材料205是一种透明导电材料，且其至少是从氧化锌(ZnO)、二氧化锡(SnO2)或氧化铟锡(ITO)中选出的一种。
因此，采用电子束或者热沉积将第一透明导电材料205以倾角为θ6进行斜沉积时，由于沉积的直线性(2e)使得太阳能电池层204上除了1e部分外，均沉积了一层薄薄的导电材料205。未被沉积的那部分(即1e部分)表示将在以后的步骤中被蚀刻掉的区域。
图12F是第一透明导电材料205作为掩膜垂直蚀刻的状态截面示意图。
这种方法使在不需要特定掩膜的前提下，精确蚀刻太阳能电池层103成为可能，从而实现了将单位元件之间的绝缘带缩小到几微米至几十微米。比惯常的等离子化学蒸气法和基于激光束的激光定膜法法，要降低十倍甚至百倍，因此使得太阳能电池的有效区域实现最大化。
参见图12G，在第一透明导电材料205上形成第二透明导电材料206。
如图12G所示，在先前的蚀刻过程中预先设定好各单元间的绝缘带，然后用形成第一导电材料205的同样的沉积过程沉积第二透明导电材料206。
换言之，采用电子束或者热沉积将第二透明导电材料206以倾角为θ7进行斜沉积时，由于沉积的直线性(2f)使得第一透明导电材料205上，除了205与204的一侧垂直面及1e部分外，均沉积了一层薄薄的导电材料206。
第二透明导电性材料206是一种透明导电材料，可以是从含氧化锌(ZnO)、氧化锡(SnO2)，氧化铟锡(ITO)族群中选出的任一种或几种。
根据以上步骤，左边的第二透明导电材料206和与之相邻的右边的第二导电材料203直接接触。从而实现太阳能电池间的电串联。
由于透明导电材料在导电性较弱，当沉积完第二透明导电材料305后，较为理想的是在预留的相互间隔的地方制成一金属线电极以将透明导电材料彼此隔开。这样，透明导电材料的导电性将增强。金属线用来提高透明导电材料的电导率。一旦透明导电材料形成，金属线随时都能制成。
金属线采用如铝(Al)/银(Ag)这样的高反射率的纯金属或从银(Ag)，铝(Al)及金(Au)中选出的一种或多种金属性材料。
这些步骤可以通过自对准来完成而不需要专门的定位控制设备，因此集成薄膜太阳能电池的制造过程更加简便。
在基底上制备导电材料的方法及形成关系和内容的具体描述均与“(1)在绝缘基底上经两次斜沉积而制成的集成太阳能电池”相同，因此在这不再重复。
(4) 在绝缘基底上经三次斜沉积而制成的集成太阳能电池。
图13是根据本发明另一具体实施例在导电基底201上经三次斜沉积形成集成太阳能电池的结构及过程的一横截面图。
如图13A所示，在导电基底201上形成绝缘膜201a。
如图15B所示，在绝缘膜201a上形成导电材料202并空出预定间隔，这样隔开的202也彼此绝缘了。
如图13C所示，在包含第一导电材料202的基底上倾斜地沉积第二导电材料203。
如图13D所示，在沉积了第二导电材料203的基底上形成太阳能电池(半导体)层204。
当在太阳能电池层204上倾斜地沉积完透明导电材料205后(如图13E)，在第一透明导电材料205作为掩膜的情况下蚀刻掉太阳能电池层204(如图13F)。
如图13G所示，在由被蚀刻后的太阳能电池层204组成的基底上倾斜地沉积上第二透明导电材料206并与透明导电材料203接触，从而实现各太阳能电池间的电串联。
如图13G所示，本发明中的集成薄膜太阳能电池由在导电基底201上依次叠层的第一导电材料202，第一导电材料203，太阳能电池(半导体)层204，第一透明导电材料205及第二透明导电材料206组成。
换言之，在制成第一导电材料202时设有一绝缘带，以使左/右相邻的第一导电材料202彼此绝缘。第一导电材料202在其侧边与基底201垂直(如附图13G所示)。但这不会限制本发明的应用范围，因而第一导电材料202可设有一预定倾斜度的斜面或弯曲的斜面。
第二透明导电材料206形成在第一透明导电材料205上，并与相邻的第二导电材料203直接接触，从而实现电池单元间的电串联。
如图13A所示，由于基底201具有导电性，因此在基底201上应形成一绝缘薄膜201a。其他的关于形成关系及内容的具体细节与“(3)在绝缘基底上经三次斜沉积制成的集成太阳能电池”相同，因此，这里不再重复。
(5)在表面为凹凸状的导电基底上经三次斜沉积而制成的集成太阳能电池
图14是根据本发明另一具体实施例在具有凹凸表面的绝缘基底301上通过三次斜沉积制成集成太阳能电池的结构及过程的一横截面图。
如图14B，在具有凹凸状的绝缘基底301上倾斜地沉积一导电材料302
如图14C，在包含导电材料302的基底上形成太阳能电池(半导体)层303。
当在太阳能电池层303上倾斜地沉积完第一透明导电材料304后(如附图15D)，将第一透明导电材料304作为掩膜蚀刻掉太阳能电池层303(14E)。
如图14F所示，在包含被蚀刻的太阳能电池层303的基底上倾斜地沉积上第二透明导电材料305并与透明导电材料302直接接触，从而实现各太阳能电池间的电串联。
如图14F所示，本发明中的集成薄膜太阳能电池由在具有凹凸表面的绝缘基底301上相继形成的导电材料302，太阳能电池层303，第一透明导电材料304及第二透明导电材料305组成。
凹凸面可与表面凹凸的绝缘基底301垂直。但这并不会限制本发明的范围，因此，该凹凸面可设为预定倾斜度的斜面或曲面。
第二透明导电材料305形成在第一透明导电材料304上，并与相邻的导电材料302直接接触，从而实现各电池单元间的电串联。
下面将依次描述制造集成薄膜太阳能电池的方法
如图14B，根据本发明的制造集成薄膜太阳能电池第一步骤，将导电材料沉积在一倾角为θ5的斜面上(该斜面位于具有凹凸表面的绝缘基底301上)。降导电材料302以角度θ5沉积时，由于沉积的直线性，绝缘基底301上除了一侧的垂直面及1d部分外，均沉积了一层导电材料302。
导电材料302是一种透明的导电材料，其可为以下金属群中的一种或几种，包括氧化锌(ZnO)、氧化锡(SnO2)、氧化铟锡(ITO)、高反射率的纯金属(如铝、银、金)、合金(如铝和银合金)、或银、铝、金等金属族中的任意一种或几种金属材料。
图14C是太阳能电池层303形成状态之横截面示意图，太阳能电池层303与包含有上述沉积的导电材料302的合成基底的表面形状相一致。
太阳能电池可以是硅系太阳能电池，多元化合物太阳能电池、有机太阳能电池、干染料敏化太阳能电池的一种或多种。
在以上的种类中，硅系太阳能电池可能是非晶硅(a-Si:H)单结太阳能电池，如a-Si:H/a-Si:H或a-Si:H/a-Si:H/a-Si:H多结太阳能电池；非晶硅-锗(a-SiGe:H)单结太阳能电池，a-Si:H/a-SiGe:H双结太阳能电池，a-Si:H/a-SiGe:H/a-SiGe:H三结太阳能电池；非晶硅与微晶硅(或者多晶硅)双结太阳能电池、单晶硅太阳能电池中的任意一种。
图14D是第一透明导电材料304的形成状态横截面示意图，第一透明导电材料304，利用一电子束或热沉积的方法，倾斜沉积并成型于上述太阳能电池层303之上。
第一透明导电材料304是透明导电材料，且其至少是从氧化锌(ZnO)、二氧化锡(SnO2)和氧化铟锡(ITO)中选出的一种。
因此采用电子束或热沉积法将第一透明导电材料304沉积到一倾角为θ6的斜面时，由于沉积的直线性，除了太阳能电池层303上垂直部分及1e部分外均薄薄地沉积上了透明导电材料304。包含一斜面的1e部分表示随后被蚀刻掉的区域。
图14E是在第一透明导电材料304作为掩膜的情况下垂直蚀刻的状态。
这种方法能使太阳能电池层804不需要特定掩膜即可精密地蚀刻掉，因此可以实现电池单元间的绝缘带在数微米至数十微米之间。这样，与传统的基于等离子体化学蒸气加工法及基于激光束的激光定膜法相比，其绝缘带可减小数十乃至数百倍，从而可以使太阳能电池的有效区域达到最大化。
如图14F所示，将第二透明导电材料305形成在第一导电材料304上。
如图14F所示，在先前的蚀刻过程中预先设定好各单元间的绝缘带，然后用形成第一导电材料304的同样的沉积过程沉积第二透明导电材料305。
换言之，采用电子束或热沉积将第二透明导电材料305沉积在一倾角为θ7的斜面上时，沉积的直线性使得除了太阳能电池层303上的一垂直面和1e部分外，第一透明导电材料304上均沉积了一层薄薄的导电材料305。
第二导电材料305是透明导电材料，而且至少是从ZnO，SnO2及ITO中选出的一种。
根据以上步骤，左边的第二透明导电材料305和与之相邻的右边的导电材料302直接接触。从而实现太阳能电池间的电串联。
由于透明导电材料在导电性较弱，当沉积完第二透明导电材料305后，较为理想的是在预留的相互间隔的地方制成一金属线电极以将透明导电材料彼此隔开。这样，透明导电材料的导电性将增强。金属线用来提高透明导电材料的电导率。一旦透明导电材料形成，金属线随时都能制成。
金属线采用如铝(Al)/银(Ag)这样的高反射率的纯金属或从银(Ag)，铝(Al)及金(Au)中选出的一种或多种金属性材料。
这些步骤可以通过自对准来完成而不需要专门的定位控制设备，因此集成薄膜太阳能电池的制造过程更加简便。
更理想的是，可以通过在平滑的基底上采用一种热压印法，来制成表面凹凸的基底。
在基底上制备导电材料及形成关系和内容均与“(1)在绝缘基底上经过两次斜沉积制成集成太阳能电池”相同，因此在这不再重复。
(6)在表面为凹凸的导电基底上通过三次斜沉积制成的集成太阳能电池。
图15是根据本发明另一具体实施例在具有凹凸表面的导电基底301上通过三次斜沉积制成集成太阳能电池的结构及过程的一横截面图。
如图15A所示，在导电基底101上形成绝缘膜301a。
如图15B所示，在绝缘膜301a上形成导电材料302并空出预定间隔，这样隔开的302也彼此绝缘了。
如图15C所示，将太阳能电池(半导体)层303制成在包含由导电材料302的基底上。
当在太阳能电池层303上倾斜地沉积完透明导电材料305后(附图15D)，将第一透明导电材料304作为掩膜蚀刻掉太阳能电池层303(附图15E)。
如图15F所示，在包含被蚀刻的太阳能电池层303的基底上倾斜地沉积上第二透明导电材料305并与透明导电材料302直接接触，从而实现太阳能电池间的电串联。
如图15F所示，本发明中的集成薄膜太阳能电池由在导电基底相继形成的导电材料302，太阳能电池层303，第一透明导电材料304及第二透明导电材料305组成。
凹凸面可与表面凹凸的绝缘基底301垂直。但这并不会限制本发明的范围，因此，该凹凸面可设为预定倾斜度的斜面或曲面。
第二透明导电材料305形成在第一透明导电材料304上，并与相邻的导电材料302接触，因此完成各单元间的电串联。
除了在导电基底301上形成绝缘膜301a(如附图15A)，其他有关形成关系和内容的具体表述与“(5)”相同，因此这里不再重复。
(7)在透明基底上经三次斜沉积而制成的集成太阳能电池
如果我们使用透明基底(系依本发明的另一具体实施例)，则经过三次斜沉积而制成的集成太阳能电池结构的形成关系可辅附图12来说明。
在透明基底201上形成透明电极202并占据预留的间隔部分，因此隔开的202彼此绝缘。
透明导电材料203倾斜地沉积在包含透明电极202的基底上。
太阳能电池(半导体)层204形成在包含沉积了透明导电材料203的基底上。
金属倾斜地沉积在太阳能电池层204上，因此形成第一金属背电极205。之后，将第一金属背电极205作为掩膜蚀刻掉太阳能电池层204。
金属倾斜地沉积在包含被蚀刻过的太阳能电池层204的基底上形成第二金属背电极206并与透明导电材料203相连，从而完成各太阳能电池间的电串联。
如图12G所示，本发明中的集成太阳能电池由依次叠层在透明基底201上的透明电极202，透明导电材料203，太阳能电池(半导体)层204，第一金属背电极205及第二金属背电极206组成。
换言之，在制成导电材料202时设有一绝缘带，以使左/右相邻的导电材料102彼此绝缘。成型的透明电极202在其侧边与基底201垂直。但这并不限制本发明的范围，因而透明电极202有一预定倾斜度的斜面或弯曲的斜面。
第二金属背电极206形成于第一金属背电极205上，并与临近的第一部分中的透明导电材料203直接接触，从而完成各电池单元间的电串联。
其他的关于形成关系及内容的具体细节与“(3)在绝缘基底上经三次斜沉积制成的集成太阳能电池”相同，因此，这里不再重复。
然而，图12中的第一导电材料，第二导电材料，第一透明导电材料，第二透明导电材料说明“在绝缘基底上三次斜面沉积制成的集成太阳能电池”分别对应于“在透明基底上三次斜面沉积制成的集成太阳能电池”中的透明电极，透明导电材料，第一金属背电极，第二金属背电极。
透明电极与透明导电材料是透明导电材料，而且至少是从氧化锌(ZnO)，氧化锡(SnO2)及氧化铟锡(ITO)中选出的一种。
第一金属背电极与第二金属背电极采用如铝(Al)，银(Ag)，(Au)金这样的高反射率的纯金属，或合金金属如铝(Al)/银(Ag)，或从银(Ag)，铝(Al)及金(Au)中选出的一种或几种金属性材料。
(8)在表面凹凸的透明基底上三次斜沉积制成集成太阳能电池。
如果我们使用透明基底(系依本发明的另一具体实施例)，则经过三次斜沉积而制成的集成太阳能电池结构的形成关系可辅附图14来说明。
将透明导电材料302倾斜地沉积在具有凹凸表面的透明基底301上。
太阳能电池(半导体)层303形成在包含沉积了透明导电材料302的基底上。
金属倾斜地沉积在太阳能电池层303上，因此形成了第一金属背电极304。之后将第一金属背电极304作为掩膜蚀刻太阳能电池层303。
金属倾斜地沉积在包含被蚀刻过的太阳能电池层204的基底上形成第二金属背电极305并与透明导电材料302直接接触，从而实现各太阳能电池间的电串联。
如图14F所示，本发明中的集成太阳能电池包括依次叠层在透明基底301上的透明导电材料302，太阳能电池(半导体)层303，第一金属背电极304及第二金属背电极305。
凹凸面可与表面凹凸的绝缘基底301垂直。但这并不会限制本发明的范围，因此，该凹凸面可设为预定倾斜度的斜面或曲面。
形成于第一金属背电极304之上的第二金属背电极305，其与相邻的透明导电材料302同向相连，从而实现各电池单元间的电串联。
其他的关于形成关系及内容的具体细节与(5)“在表面为凹凸状的导电基底上经三次斜沉积而制成的集成太阳能电池”相同，因此，这里不再重复。
然而，(5)中，在表面凹凸不平的绝缘基底上经三次斜沉积制成的集成薄膜太阳能电池的导电材料、第一透明导电材料以及第二透明导电材料，与在透明基底上经三次斜沉积制成的集成薄膜太阳能电池的透明导电材料、第一金属背电极，以及第二金属背电极是相对应并一致的。
透明电极与透明导电材料都是一种透明导电材料，而且至少是从以下金属族群中选择的一种：氧化锌(ZnO)，二氧化锡(SnO2)，以及氧化铟锡(ITO)。
第一金属背电极与第二金属背电极都是一种高反射率的纯金属，如铝(Al)，、银(Ag)、金(Au)、金银合金，或是任一或几个银、铝、金族群中的金属性材料。
如上所述，本发明的一个优点和功效是：集成薄膜太阳能电池的单位元件之间的绝缘带，与传统激光定膜法以及化学蒸气加工法相比可减少十倍至百倍，因此，使太阳能电池的功效可以最大化，所以，也改进了太阳能电池的干电池的性能。
本发明的另一优点和功效是：使自对准将成为可能，因此，我们就不需要对电池单元进行精确定位，而且，在加工透明电极的时代广泛应用印刷法，因此，我们也没有必要制造一个昂贵的如激光器、精确定位控制系统等设备，所以，不仅降低了制造成本；同时也因为透明电极制成之后的所有过程都将在真空状态下进行，从而防止单位元件在操作过程中由于其暴露在空气中而导致性能减退。
上述本发明，显然其可有很多变型。但我们不能认为这些变化是与本发明的技术方案和范围相背离的，而是应当肯定，这些所有的变型，作为是本技术的更深层次的变型，都应包含在本发明的权利要求书中。

Claims (23)

1、本发明一种集成薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于：它主要包括以下几步：
在一基底上制造并成型第一导电材料，以预定间距隔开，以使之彼此在基底上相分离；
在合成基底上制成一太阳能电池层；
倾斜沉积第二导电材料于该太阳能电池之上；
然后用该第二导电材料作为掩膜蚀刻该太阳能电池层；
倾斜沉积一第三导电材料于合成基底之上，然后使之通过与第一导电材料相毗连的第二导电材料，与第一导电材料相电连。
2.如权利要求1所述的一种集成薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于：该第一至第三导电材料是一种透明导电材料或一种金属材料。
3.如权利要求1所述的一种集成薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于：该沉积第二透明导电材料还包括：制造并成型一金属电极，以预定间距隔开，以使之彼此相分离；
4.如权利要求1所述的一种集成薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于：该制成该导电材料还包括：
在基底上稀疏地制成该第一导电材料；
用一种印刷的方法，在第一导电材料上制成一涂有抗蚀剂或聚合体的膜，并与第一导电材料隔开一预定空间；
用涂抹了抗蚀剂或聚合体的膜作为掩膜蚀刻该第一导电材料；
去除该抗蚀剂或聚合体膜。
5.如权利要求4所述的一种集成薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于：该蚀刻该导电材料是用一种各向同性的蚀刻方法，使其能有一个弯曲的倾斜面以使其作为蚀刻面。
6.如权利要求4所述的一种集成薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于：该导电材料经台面蚀刻从而有一个倾斜面。
7.如权利要求4所述的一种集成薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于：该导电材料的蚀刻运用的是一种各向异性的蚀刻方法，以使该蚀刻是在基底的垂直方向上进行的。
8.如权利要求5所述的一种集成薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于：该太阳能电池层是在垂直方向上被蚀刻。
9.如权利要求6所述的一种集成薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于：该太阳能电池层是在垂直方向上被蚀刻。
10.如权利要求7所述的一种集成薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于：该太阳能电池层是以一定的倾角被倾斜蚀刻。
11.如权利要求1所述的一种集成薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于：该基底是一种涂有绝缘薄膜的导电基底，或是一种绝缘基底。
12.一种集成薄膜太阳能电池，其特征在于：该各单位元件是通过一用权利要求1所述的方法制造出来的太阳能电池电串联在一起。
13.一种集成薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于：它主要包括以下几步：
在一基底上制造并成型一第一导电材料，以预定间距隔开，以使之彼此相分离；
倾斜沉积一第二导电材料于该合成基底之上；
在该基底上制成一太阳能电池层；
倾斜沉积一第三导电材料于该太阳能电池层之上；
然后用该第三导电材料作为掩膜蚀刻该太阳能电池层；
倾斜沉积一第四导电材料于合成基底之上，然后使之通过与第二导电材料相毗连的第三导电材料，与第二导电材料相电连。
14.如权利要求13所述的一种集成薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于：该第一至第四导电材料是一种透明材料或金属材料。
15.如权利要求13所述的一种集成薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于：该第二透明导电材料的沉积还包括：制造并成型一金属电极，以预定间距隔开，以使之彼此相分离。
16.如权利要求13所述的一种集成薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于：该基底是一种涂有绝缘薄膜的导电基底，或是一种绝缘基底。
17.一种集成薄膜太阳能电池，其特征在于：该各单位元件是通过一用权利要求13所述的方法制造出来的太阳能电池电串联在一起。
18.一种集成薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于：它主要包括以下几步：
在一表面凹凸不平的基底上倾斜沉积一第一导电材料，以预定间距隔开，以使之彼此相分离；
在合成基底上制成一太阳能电池层；
倾斜沉积一第二导电材料于该太阳能电池层之上；
用该第二导电材料作为掩膜蚀刻该太阳能电池层；
倾斜沉积一第三导电材料于合成基底之上，然后使之通过第二导电材料与第一导电材料相电连。
19.如权利要求18所述的一种集成薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于：该第一至第三导电材料是一种透明材料或金属材料。
20.如权利要求18所述的一种集成薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于：该合成基底的表面的凹凸状是用高温压印的方法制成。
21.如权利要求18所述的一种集成薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于：该第二透明导电材料的沉积还包括：制造并成型一金属电极，以预定间距隔开，以使之彼此相分离。
22.如权利要求18所述的一种集成薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于：该基底是一种在涂有绝缘薄膜的导电基底，或是一种绝缘基底。
23.一种集成薄膜太阳能电池，其各单位元件是通过一用权利要求18所述的方法制造出来的太阳能电池电串联在一起。
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102024871A (zh) * 2009-08-06 2011-04-20 韩国铁钢株式会社 光电装置及其制造方法
CN102362245A (zh) * 2009-03-04 2012-02-22 南东植 触摸屏传感器
CN102386273A (zh) * 2010-08-26 2012-03-21 韩国铁钢株式会社 集成薄膜光电元件及其制造方法
CN102918655A (zh) * 2011-01-25 2013-02-06 Lg伊诺特有限公司 太阳能电池及其制造方法
CN103069577A (zh) * 2011-01-24 2013-04-24 Lg伊诺特有限公司 太阳能电池及其制造方法
CN101800255B (zh) * 2009-02-05 2013-05-15 乐金显示有限公司 薄膜太阳能电池及其制造方法
CN103700670A (zh) * 2013-12-20 2014-04-02 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN105340083A (zh) * 2013-06-20 2016-02-17 Lg伊诺特有限公司 太阳能电池
CN106165121A (zh) * 2013-12-31 2016-11-23 韩国科学技术院 用于制造集成薄膜太阳能电池的设备
CN113272987A (zh) * 2019-12-12 2021-08-17 株式会社安能科多科技 元件的制造方法

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006107154A1 (en) * 2005-03-16 2006-10-12 Korea Advanced Institute Of Science And Technology Integrated thin-film solar cells and method of manufacturing thereof and processing method of transparent electrode for integrated thin-film solar cells and structure thereof, and transparent substrate having processed transparent electrode
KR100725110B1 (ko) * 2005-12-14 2007-06-04 한국과학기술원 투과형 집적형 박막 태양전지 및 그 제조 방법.
KR100656738B1 (ko) * 2005-12-14 2006-12-14 한국과학기술원 집적형 박막 태양전지 및 그 제조 방법
KR101000051B1 (ko) 2008-01-09 2010-12-10 엘지전자 주식회사 박막형 태양전지 및 그 제조방법
KR101476125B1 (ko) * 2008-10-02 2014-12-26 주성엔지니어링(주) 박막형 태양전지 및 그 제조방법
US20100126583A1 (en) * 2008-11-25 2010-05-27 Jeongwoo Lee Thin film solar cell and method of manufacturing the same
US8330040B2 (en) * 2008-12-03 2012-12-11 Applied Materials, Inc. Photovoltaic cells including spaced ramps and methods of manufacture
US8541680B2 (en) * 2008-12-03 2013-09-24 Applied Materials, Inc. Photovoltaic cells including peaks and methods of manufacture
TW201342648A (zh) * 2008-12-03 2013-10-16 Applied Materials Inc 包括間隔斜坡之光伏電池及其製造方法
KR101573675B1 (ko) * 2008-12-19 2015-12-03 주성엔지니어링(주) 박막형 태양전지 및 그 제조 방법
KR101028971B1 (ko) 2009-05-26 2011-04-19 한국과학기술원 집적형 박막 태양전지 및 그의 제조 방법
US20120067416A1 (en) * 2009-06-12 2012-03-22 Seung-Yeop Myong Photovoltaic Device
US20120073644A1 (en) * 2009-06-12 2012-03-29 Seung-Yeop Myong Photovoltaic Device
CN102804399A (zh) * 2009-06-16 2012-11-28 Lg伊诺特有限公司 太阳能电池及其制造方法
KR101210168B1 (ko) * 2010-03-24 2012-12-07 엘지이노텍 주식회사 태양광 발전장치 및 이의 제조방법
WO2011125259A1 (ja) * 2010-04-05 2011-10-13 三菱電機株式会社 光電変換装置用基板とその製造方法、薄膜光電変換装置とその製造方法及び太陽電池モジュール
WO2012030407A1 (en) * 2010-09-03 2012-03-08 Tetrasun, Inc. Fine line metallization of photovoltaic devices by partial lift-off of optical coatings
US9070810B2 (en) 2011-02-04 2015-06-30 Azur Space Solar Power Gmbh Multiple solar cell and method for manufacturing the same
DE102011000521A1 (de) * 2011-02-04 2012-08-23 Azur Space Solar Power Gmbh Mehrfachsolarzelle sowie Verfahren zur Herstellung einer solchen
KR20130014968A (ko) * 2011-08-01 2013-02-12 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 이의 제조방법
JP2013183065A (ja) * 2012-03-02 2013-09-12 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機薄膜太陽電池
AT512677B1 (de) * 2012-03-30 2013-12-15 Oesterreichisches Forschungs Und Pruefzentrum Arsenal Ges M B H Herstellungsverfahren strukturierter Dünnschicht Photovoltaik
KR101349411B1 (ko) * 2012-04-02 2014-01-10 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 이의 제조방법
KR101301003B1 (ko) * 2012-04-30 2013-08-28 에스엔유 프리시젼 주식회사 박막 태양전지 제조방법 및 이를 이용하는 박막 태양전지
KR101382880B1 (ko) * 2012-07-31 2014-04-09 엘지이노텍 주식회사 태양광 발전장치 및 이의 제조방법
US10770608B2 (en) 2013-05-23 2020-09-08 Garmin Switzerland Gmbh Semi-transparent thin-film photovoltaic mono cell
US20150372173A1 (en) * 2014-06-24 2015-12-24 University Of Florida Research Foundation, Inc. Graded transparent conducting oxide (g-tco) for thin film solar cells
US9673341B2 (en) 2015-05-08 2017-06-06 Tetrasun, Inc. Photovoltaic devices with fine-line metallization and methods for manufacture
AT518892B1 (de) * 2017-02-07 2018-02-15 Joanneum Res Forschungsgmbh Verfahren zur Herstellung eines Photovoltaikbauteils und Photovoltaikbaustein
CN111244211A (zh) * 2018-11-29 2020-06-05 中国科学院大连化学物理研究所 一种飞艇光伏材料器件一体化结构及制备方法
CN110277473B (zh) * 2019-05-31 2024-03-26 信利半导体有限公司 一种薄膜光伏电池的制造方法及薄膜光伏电池

Family Cites Families (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3994012A (en) * 1975-05-07 1976-11-23 The Regents Of The University Of Minnesota Photovoltaic semi-conductor devices
US4200472A (en) * 1978-06-05 1980-04-29 The Regents Of The University Of California Solar power system and high efficiency photovoltaic cells used therein
US4292092A (en) * 1980-06-02 1981-09-29 Rca Corporation Laser processing technique for fabricating series-connected and tandem junction series-connected solar cells into a solar battery
US4514582A (en) * 1982-09-17 1985-04-30 Exxon Research And Engineering Co. Optical absorption enhancement in amorphous silicon deposited on rough substrate
US4501636A (en) * 1983-12-28 1985-02-26 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Apparatus for etching vertical junction solar cell wafers
JPS60182757A (ja) * 1984-02-29 1985-09-18 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 集積型太陽電池
JPS6135573A (ja) 1984-07-27 1986-02-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光起電力素子の製造法
JPS6254971A (ja) * 1985-09-04 1987-03-10 Sanyo Electric Co Ltd 光起電力装置
JPS62142368A (ja) * 1985-12-17 1987-06-25 Fuji Electric Co Ltd 薄膜半導体装置の製造方法
DE3604917A1 (de) * 1986-02-17 1987-08-27 Messerschmitt Boelkow Blohm Verfahren zur herstellung eines integrierten verbandes in reihe geschalteter duennschicht-solarzellen
JPS6342180A (ja) 1986-08-08 1988-02-23 Toa Nenryo Kogyo Kk 集積型光起電力装置の製造方法
US4740431A (en) * 1986-12-22 1988-04-26 Spice Corporation Integrated solar cell and battery
US5294869A (en) * 1991-12-30 1994-03-15 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent multicolor image display device
JP2755281B2 (ja) * 1992-12-28 1998-05-20 富士電機株式会社 薄膜太陽電池およびその製造方法
JPH07202229A (ja) 1994-07-07 1995-08-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 選択的被膜形成方法
JPH08274360A (ja) 1995-03-30 1996-10-18 Japan Energy Corp 光電変換半導体装置の製造方法
KR0175359B1 (ko) * 1995-12-15 1999-02-01 양승택 초전도체-절연체-초전도체 조셉슨 터널 접합구조의 제조방법
JPH09260695A (ja) * 1996-03-19 1997-10-03 Canon Inc 光起電力素子アレーの製造方法
JP3436858B2 (ja) * 1997-02-27 2003-08-18 シャープ株式会社 薄膜太陽電池の製造方法
WO1998043304A1 (fr) * 1997-03-21 1998-10-01 Sanyo Electric Co., Ltd. Element photovoltaique et procede de fabrication dudit element
JPH1126793A (ja) 1997-06-30 1999-01-29 Dainippon Printing Co Ltd 薄膜太陽電池セルパターンの形成法
DE19741832A1 (de) * 1997-09-23 1999-03-25 Inst Solarenergieforschung Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle und Solarzelle
JPH1197723A (ja) 1997-09-25 1999-04-09 Citizen Watch Co Ltd 太陽電池および太陽電池の製造方法
JPH11112010A (ja) * 1997-10-08 1999-04-23 Sharp Corp 太陽電池およびその製造方法
JPH11312860A (ja) 1998-04-27 1999-11-09 Jsr Corp 電極の製造方法および転写フィルム
DE19819200B4 (de) * 1998-04-29 2006-01-05 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Solarzelle mit Kontaktstrukturen und Verfahren zur Herstellung der Kontaktstrukturen
JP3940546B2 (ja) * 1999-06-07 2007-07-04 株式会社東芝 パターン形成方法およびパターン形成材料
DE10017610C2 (de) * 2000-03-30 2002-10-31 Hahn Meitner Inst Berlin Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Solarmoduls mit integriert serienverschalteten Dünnschicht-Solarzellen und Verwendung davon
KR20020005152A (ko) 2000-07-08 2002-01-17 구본준, 론 위라하디락사 투명도전막 패터닝 방법
DE10103114A1 (de) * 2001-01-24 2002-10-31 Univ Stuttgart Herstellen elektrischer Verbindungen in Substratöffnungen von Schaltungseinheiten mittels gerichteter Abscheidung leitfähiger Schichten
WO2002075816A1 (fr) * 2001-03-19 2002-09-26 Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd. Pile solaire et son procede de fabrication
DE10142481A1 (de) * 2001-08-31 2003-03-27 Rudolf Hezel Solarzelle sowie Verfahren zur Herstellung einer solchen
EP1357602A1 (de) * 2002-03-19 2003-10-29 Scheuten Glasgroep Selbstjustierende Serienverschaltung von Dünnschichten und Verfahren zur Herstellung
US6660930B1 (en) * 2002-06-12 2003-12-09 Rwe Schott Solar, Inc. Solar cell modules with improved backskin
US20040118444A1 (en) * 2002-12-20 2004-06-24 General Electric Company Large-area photovoltaic devices and methods of making same
US20060112987A1 (en) 2003-01-10 2006-06-01 Toshinobu Nakata Transparent thin-film solar cell module and its manufacturing method
JP2005101384A (ja) * 2003-09-26 2005-04-14 Sanyo Electric Co Ltd 光起電力装置及びその製造方法
JP2005197537A (ja) * 2004-01-09 2005-07-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 集積型薄膜太陽電池およびその製造方法
WO2006107154A1 (en) 2005-03-16 2006-10-12 Korea Advanced Institute Of Science And Technology Integrated thin-film solar cells and method of manufacturing thereof and processing method of transparent electrode for integrated thin-film solar cells and structure thereof, and transparent substrate having processed transparent electrode
KR100756286B1 (ko) * 2005-03-16 2007-09-06 한국과학기술원 집적형 박막 태양전지 및 그 제조 방법
KR100725110B1 (ko) * 2005-12-14 2007-06-04 한국과학기술원 투과형 집적형 박막 태양전지 및 그 제조 방법.
KR100656738B1 (ko) 2005-12-14 2006-12-14 한국과학기술원 집적형 박막 태양전지 및 그 제조 방법
US20100185574A1 (en) * 2009-01-16 2010-07-22 Sondre Skatter Network mechanisms for a risk based interoperability standard for security systems
KR101028971B1 (ko) * 2009-05-26 2011-04-19 한국과학기술원 집적형 박막 태양전지 및 그의 제조 방법
KR101112487B1 (ko) * 2009-08-06 2012-03-09 한국과학기술원 광기전력 장치 및 그 제조 방법

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101800255B (zh) * 2009-02-05 2013-05-15 乐金显示有限公司 薄膜太阳能电池及其制造方法
CN102362245A (zh) * 2009-03-04 2012-02-22 南东植 触摸屏传感器
CN102024871A (zh) * 2009-08-06 2011-04-20 韩国铁钢株式会社 光电装置及其制造方法
CN102386273A (zh) * 2010-08-26 2012-03-21 韩国铁钢株式会社 集成薄膜光电元件及其制造方法
CN103069577A (zh) * 2011-01-24 2013-04-24 Lg伊诺特有限公司 太阳能电池及其制造方法
CN103069577B (zh) * 2011-01-24 2016-04-13 Lg伊诺特有限公司 太阳能电池及其制造方法
CN102918655A (zh) * 2011-01-25 2013-02-06 Lg伊诺特有限公司 太阳能电池及其制造方法
US9960291B2 (en) 2013-06-20 2018-05-01 Lg Innotek Co., Ltd. Solar cell
CN105340083A (zh) * 2013-06-20 2016-02-17 Lg伊诺特有限公司 太阳能电池
CN103700670A (zh) * 2013-12-20 2014-04-02 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN103700670B (zh) * 2013-12-20 2016-08-17 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN106165121A (zh) * 2013-12-31 2016-11-23 韩国科学技术院 用于制造集成薄膜太阳能电池的设备
CN113272987A (zh) * 2019-12-12 2021-08-17 株式会社安能科多科技 元件的制造方法

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