CN113272987A - 元件的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的课题是提供一种不派生蚀刻所造成的短路且抑制光电转换层的劣化而制造元件的方法。本发明的解决方案是一种元件的制造方法，元件材料具有形成于基板上的电极且所述电极包含分离的第一电极及第二电极，以及形成于包含第一电极及第二电极的区域的光电转换层，所述元件的制造方法包含对所述元件材料的下述工序：于所述光电转换层上对应于第一电极及第二电极的位置分别形成第一背面电极及第二背面电极的工序，其中第一背面电极及第二背面电极未连接；使用第一背面电极及第二背面电极作为掩模进行蚀刻的工序；及形成用以连接第一背面电极及第二背面电极的连接电极的连接电极形成工序。

Description

元件的制造方法
技术领域
本发明涉及一种制造太阳能电池或有机EL等的元件的方法。
背景技术
日本特开2018-163938号公报记载有太阳能电池。
例如为了获得具有高电压的太阳能电池模块，期望于相同基板内串联连接电池，而成为具有集成型构造的太阳能电池模块。
然后，为了获得具有集成型构造的模块而分离发电层的情况，是设想为会使用掩模进行蚀刻并去除钙钛矿层及空穴传输层的一部分。但是若进行这种蚀刻，则会导致被掩模的部分也被去除，而成为产生短路的原因。
特别是在通过使用四氟化碳气体或氧气所形成的等离子体的干式蚀刻分离发电层的情况，会产生往掩模下的绕回，而有在被掩模的部分产生损伤的问题。
而且，制造太阳能电池时会有光电转换层劣化的问题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2018－163938号公报
发明内容
发明所欲解决的课题
本说明书所记载的一发明，目的在于提供一种不派生蚀刻所造成的短路而制造元件的方法。本说明书所记载的一发明，目的在于提供一种抑制光电转换层的劣化而制造元件的方法。
本说明书所记载的一发明，与上述不同的目的在于提供一种制造具有集成型构造的太阳能电池模块的方法。
解决课题的技术方案
本说明书所记载的一发明是基于下述发现，亦即，对于具有发电层的元件材料使用分离的电极(例如背面电极)作为掩模进行蚀刻，然后形成连接用电极，由此而能够制造即使进行蚀刻也不会产生短路的元件。
本说明书所记载的一发明涉及一种元件的制造方法。而且，此元件的制造方法是准备元件材料，然后通过包含背面电极形成工序、蚀刻工序、连接电极形成工序的工序而制造元件。元件的例子为太阳能电池或具有集成型构造的太阳能电池模块。
元件材料具有形成于基板上的电极且所述电极包含分离的第一电极及第二电极，以及形成于包含第一电极及第二电极的区域的光电转换层。
所述方法包含：
于光电转换层上对应于第一电极及第二电极的位置分别形成第一背面电极及第二背面电极的工序，其中，第一背面电极及第二背面电极未连接；
使用第一背面电极及第二背面电极作为掩模进行蚀刻的工序；及
形成用以连接第一背面电极及第二背面电极的连接电极的连接电极形成工序。
所述方法的优选例为，连接电极形成工序是通过丝网印刷形成连接电极的工序。连接电极形成工序的例子为通过丝网印刷形成连接电极的工序。通常必须使用掩模蒸镀形成背面电极。但是通过使用丝网印刷从而能够容易地形成电极，可不对各层造成损伤而完成。
本方法的优选例为，元件材料为通过包含下述工序的工序而制造：
于第一电极及第二电极上分别形成第一电子传输层及第二电子传输层的工序；
于第一电子传输层及第二电子传输层上形成钙钛矿层的工序；及
于钙钛矿层上形成空穴传输层的工序。
本方法的优选例为，元件材料为通过包含下述工序的工序而制造：
于第一电极及第二电极上分别形成第一空穴传输层及第二空穴传输层的工序；
于第一空穴传输层及第二空穴传输层上形成钙钛矿层的工序；及
于钙钛矿层上形成电子传输层的工序。
发明效果
本说明书所记载的一发明能够提供一种不派生蚀刻所造成的短路而制造元件的方法。本说明书所记载的一发明能够提供一种抑制光电转换层的劣化而制造元件的方法。
本说明书所记载的一发明能够提供一种制造具有集成型构造的太阳能电池模块的方法。
附图说明
图1是表示元件的制造方法的例子的流程图。
图2是表示元件材料的例子的概念图。
图3是表示电极的例子的概念图。
图4是表示在电子传输层形成工序后的阶段的制造中途的元件材料的概念图。
图5是表示空穴传输层形成工序后的元件材料的概念图。
图6是表示背面电极形成工序后的制造中途的元件的概念图。
图7是表示蚀刻工序后的制造中途的元件的概念图。
图8是表示连接电极形成工序后的制造中途的元件的概念图。
图9是用以说明实施例1中的太阳能电池的概念图。
图10是用以说明实施例2及3中的太阳能电池的概念图。
具体实施方式
以下使用附图说明本发明的具体实施方式。本发明不限定于以下说明的方式，也包含本领域技术人员从以下的方式在显而易见的范围内进行适当修正者。
元件1的例子为太阳能电池及有机EL元件。太阳能电池的例子为钙钛矿太阳能电池。钙钛矿太阳能电池例如依序具备电极、电子传输层、钙钛矿层(光吸收层)、空穴传输层及背面电极。钙钛矿太阳能电池可为于电极上设置n型半导体层的正置型，也可为于电极上设置p型半导体层的倒置型(依序形成有基板、电极、空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层、电极及连接电极者)。以下用依序具备电极、电子传输层、钙钛矿层(光吸收层)、空穴传输层及背面电极的钙钛矿太阳能电池为例说明，钙钛矿太阳能电池。
图1是说明元件的制造方法的例子的流程图。如图1所示，所述元件的制造方法是准备元件材料，然后包含背面电极形成工序(S21)、蚀刻工序(S22)及连接电极形成工序(S23)。
元件的例子为太阳能电池、具有集成型构造的太阳能电池模块及有机EL元件。这些除了以下说明的各个构成以外，也可适当采用太阳能电池或有机EL元件所具有的公知要素。
图2是表示元件材料的例子的概念图。如图2所示，元件材料具有：基板3；电极5，包含第一电极5a及第二电极5b；第一电子传输层7a及第二电子传输层7b；钙钛矿层9；以及空穴传输层11。所述例子中，第一电子传输层7a、第二电子传输层7b、钙钛矿层9及空穴传输层11作为光电转换层发挥功能。元件材料也可具有依序包含第一空穴传输层、第二空穴传输层、钙钛矿层及电子传输层的光电转换层者。
基板3
作为基板3，能够适当使用钙钛矿太阳能电池或有机EL元件中的公知的基板。基板的例子为玻璃基板、绝缘体基板、半导体基板、金属基板及导电性基板(也包含导电性膜)。此外，也优选使用于这些的表面的一部分或全部之上形成有金属膜、半导体膜、导电性膜及绝缘性膜的至少一种的膜的基板。
金属膜的构成金属的例子为由镓、铁、铟、铝、钒、钛、铬、铑、镍、钴、锌、镁、钙、硅、钇、锶及钡所选择一种或两种以上的金属。半导体膜的构成材料可举例为硅、锗等的元素单体、具有周期表的第三族～第五族、第十三族～第十五族的元素的化合物、金属氧化物、金属硫化物、金属硒化物、金属氮化物等。此外，前期导电性膜的构成材料的例子为锡掺杂氧化铟(ITO)、氟掺杂氧化铟(FTO)、氧化锌(ZnO)、铝掺杂氧化锌(AZO)、镓掺杂氧化锌(GZO)、氧化锡(SnO2)、氧化铟(In2O3)、氧化钨(WO3)。前期绝缘性膜的构成材料的例子为氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(Si4O5N3)。
基板的形状的例子为平板或圆板等的板状、纤维状、棒状、圆柱状、角柱状、筒状、螺旋状、球状、环状，也可为多孔构造物。这些之中优选为板状的基板。基板的厚度的例子优选为0.1μm～100mm，更优选为1μm～10mm。
电极5
电极为电子传输层的支撑体，且为具有从钙钛矿层(光吸收层)取出电子的功能的层。电极形成于基板3上，并包含分离的第一电极5a及第二电极5b。分离是指无物理性接触，或第一电极5a及第二电极5b未短路。电极优选为透明电极或金属电极。
透明电极的例子为锡掺杂氧化铟(ITO)膜、杂质掺杂的氧化铟(In2O3)膜、杂质掺杂的氧化锌(ZnO)膜、氟掺杂二氧化锡(FTO)膜，将这些层积所构成的层积膜。金属电极是指包含金属的电极。而且，金属电极的例子为金、银及铜。金属电极不仅是金属，也可于金属表面具有锡掺杂氧化铟(ITO)膜、杂质掺杂的氧化铟(In2O3)膜、杂质掺杂的氧化锌(ZnO)膜、氟掺杂二氧化锡(FTO)膜、将这些层积所构成的层积膜。这些膜是例如可作为扩散防止层而发挥功能者。所述电极的厚度无特别限制，通常优选为调整成片电阻成为5～15Ω/□(每单位面积)。电极能够因应成型材料而通过公知的成膜方法获得。
图3是表示电极的例子的概念图。如图3所示，电极5包含第一电极5a及第二电极5b，也可为使这些以不连接的方式分离者。图3的例子中，电极画有两个，但电极也可为三个以上。
电子传输层7
元件材料具有电子传输层。
电子传输层7是为了使钙钛矿层(光吸收层)的活性表面积增加，使光电转换效率提升，且使电子收集容易进行而形成。电子传输层可为使用富勒烯衍生物等有机半导体材料的平坦的层。此外，电子传输层也可为包含氧化钛(TiO2)(包含介孔TiO2)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)等的金属氧化物的层。电子传输层的厚度无特别限制，以更能够收集来自钙钛矿层(光吸收层)的电子的观点来看，优选为10～300nm左右，更优选为10～250nm左右。
电子传输层具有分别形成于第一电极5a及第二电极5b上的第一电子传输层7a及第二电子传输层7b。通常电子传输层是以成为与位于其下部的电极相同形状的方式进行图案化。第一电子传输层7a及第二电子传输层7b例如具有分别与第一电极5a及第二电极5b相同的形状。但，相同形状并不代表严格意义上的相同，相同形状只要以成为大致相同形状的方式设计即可。
钙钛矿层9
钙钛矿太阳能电池中的钙钛矿层(光吸收层：光活性层)9是吸收光并使被激发的电子与空穴移动，由此进行光电转换的层。钙钛矿层(光吸收层)包含钙钛矿材料或钙钛矿络合物。以光吸收效率与电子及空穴扩散长度的平衡及在电极反射的光的吸收效率的观点来看，钙钛矿层(光吸收层)的膜厚例如优选为50～1000nm，更优选为200～800nm。本发明的钙钛矿层(光吸收层)的膜厚是通过剖面扫描电子显微镜(剖面SEM)测量即可。
另外，本发明的钙钛矿层(光吸收层)的平坦性优选为在扫描式电子显微镜所测量的表面的水平方向500nm×500nm的范围中，高低差为50nm以下(-25nm～+25nm)者，更优选为高低差为40nm以下(-20nm～+20nm)。由此更容易取得光吸收效率与激发子扩散长度的平衡，能够使在电极反射的光的吸收效率更提升。
元件材料中，钙钛矿层9形成于第一电子传输层7a及第二电子传输层7b上。图2的例子中，在不存在第一电极5a及第二电极5b的基板3上的部分(间隙部分)亦形成有钙钛矿层。
空穴传输层11
空穴传输层11为具有传输电荷的功能的层。空穴传输层11为形成于钙钛矿层9上的层。空穴传输层例如能够使用导体、半导体、有机空穴传输材料等。该材料可作为从钙钛矿层(光吸收层)接受空穴并传输空穴的空穴传输材料而发挥功能。空穴传输层形成于钙钛矿层(光吸收层)上。作为该导体及半导体可举例如：包含CuI、CuInSe2、CuS等的一价铜的化合物半导体；包含GaP、NiO、CoO、FeO、Bi2O3、MoO2、Cr2O3等的铜以外的金属的化合物。其中，以更有效率地仅接受空穴且获得更高的空穴迁移率的观点来看，优选为包含一价铜的半导体，更优选为CuI。作为有机空穴传输材料可举例如：聚-3-己基噻吩(P3HT)、聚乙烯二氧噻吩(PEDOT)等的聚噻吩衍生物；2,2’,7,7’-四-(N,N-二对甲氧基苯基胺)-9,9’-螺二芴(Spiro-OMeTAD)等的芴衍生物；聚乙烯基咔唑等的咔唑衍生物；聚[双(4-苯基)(2、4、6-三甲基苯基)胺](PTAA)等的三苯基胺衍生物；二苯基胺衍生物；聚硅烷衍生物；聚苯胺衍生物等。其中，以更有效率地仅接受空穴且获得更高的空穴迁移率的观点来看，优选为三苯基胺衍生物、芴衍生物等，更优选为PTAA、Spiro-OMeTAD等。
在空穴传输层中，以进一步使空穴传输特性提升为目的可包含锂双(三氟甲基磺酰基)酰亚胺(LiTFSI)、银双(三氟甲基磺酰基)酰亚胺、三氟甲基磺酰基氧银、NOSbF6、SbCl5、SbF5、三(2-(1H-吡唑-1-基)-4-叔丁基吡啶)钴(III)三[双(三氟甲烷)磺酰亚胺]等的氧化剂。此外，空穴传输层中能够包含叔丁基吡啶(TBP)、2-皮考啉、2,6-二甲基吡啶等的碱性化合物。氧化剂及碱性化合物的含量可为以往所通常使用的量。以更有效率地仅接受空穴且获得更高的空穴迁移率的观点来看，空穴传输层的膜厚例如优选为50～500nm，更优选为100～300nm。
如图1所示，可通过包含电极形成工序(S11)、电子传输层形成工序(S12)、钙钛矿层形成工序(S13)及空穴传输层形成工序(S14)的方法制造元件材料。此外，也可通过包含下述工序的工序制造元件材料：于第一电极及第二电极上分别形成第一空穴传输层及第二空穴传输层的工序；于第一空穴传输层及第二空穴传输层上形成钙钛矿层的工序；及于钙钛矿层上形成电子传输层的工序。
电极形成工序(S11)
电极形成工序(S11)为于基板上形成电极的工序。电极包含分离的第一电极及第二电极。于基板上形成电极的方法为公知。公知方法的例子为通过抗蚀剂图案进行蚀刻者，或使用激光进行图案化。
电子传输层形成工序(S12)
电子传输层形成工序为于电极3(第一电极5a及第二电极5b)上形成电子传输层(第一电子传输层7a及第二电子传输层7b)的工序。电子传输层可因应形成的材料使用公知的成膜方法获得。例如，可于电极上涂布3～15质量％(特别是5～10质量％)的氧化锡微粒子的水分散液而进行制造。氧化锡微粒子水分散液能够使用公知或市售品。涂布的方法优选为旋转涂覆法。此外，涂布例如能够在15～30℃左右进行。于基板上形成电极及电子传输层后，可进行通过抗蚀剂图案进行蚀刻者，或使用激光进行图案化。
图4是表示在电子传输层形成工序后的阶段的制造中途的元件材料的概念图。如图4所示，于分割为多个部分的电极上形成电子传输层(第一～第二电子传输层7a、7b)。在此例子中记载分割为两个部分的电极的例子。另一方面，电极可分割为三个以上的部分。
钙钛矿层形成工序(S13)
钙钛矿层形成工序为于电子传输层(第一电子传输层7a及第二电子传输层7b)上形成钙钛矿层9的工序。钙钛矿层只要基于公知方法制造即可。
钙钛矿层形成工序的例子为依序包含：将包含钙钛矿化合物的溶液涂布于基板的工序、于基板涂布反溶剂的工序及将基板进行退火处理的工序。为了将包含钙钛矿化合物的溶液涂布于基板，可使用旋转涂覆、浸渍涂覆、丝网印刷法、辊涂覆、模具涂覆法、转印印刷法、喷雾法、或狭缝涂覆。这些之中优选为通过旋转涂覆于基板上涂布溶液。旋转涂覆为在滴下溶液的同时使基板旋转而于基板上涂布溶液的方法。此外，也可使搭载有溶液的基板旋转，并进一步于基板涂布溶液。旋转速度可为进行30秒至5分钟最大速度为1000～1万rpm，2秒至15秒到达最高速度，2秒至15秒从最大速度到停止。
接下来说明于基板涂布反溶剂的工序。
反溶剂是指虽然具有溶解溶质的能力但溶质的溶解度不高的溶剂。反溶剂可举例如二氯甲烷、氯仿等的取代脂肪族烃；甲苯、苯等的芳香族烃；氯苯、邻二氯苯、硝基苯等的取代芳香族烃；乙酸、二乙醚、四氢呋喃(THF)等的醚；甲醇、乙醇、异丙醇、丁醇、辛醇等的醇；己烷等的长链烃(特别是C4-10烃)；乙腈等。这些反溶剂能够单独使用或组合两种以上使用。这些之中优选为氯苯或甲苯。
接下来说明将基板进行退火处理的工序。退火处理是指加热基板等的工序。退火工序优选为在滴下反溶剂后或在旋转涂覆结束后，于基板停止后迅速地进行。退火处理的工序优选为包含如后述实施例所示，于包含溶剂蒸气的封闭系统中阶段性地加热基板的工序者。而且，优选为在封闭系统中，存在含有Sn系钙钛矿化合物的溶液所包含的溶剂的蒸气，更优选为在封闭系统内，所述溶剂成为饱和蒸气压或饱和蒸气压的90％以上的分压。
空穴传输层形成工序(S14)
空穴传输层形成工序是于钙钛矿层9上形成空穴传输层11的工序。成膜空穴传输层的方法可适当采用公知方法。例如优选为干燥环境下将包含有机空穴传输材料的溶液涂布(旋转涂覆、喷墨、模具涂覆等)于钙钛矿层(光吸收层)上，并以30～150℃(特别是50～100℃)加热，从而成膜空穴传输层11。通过形成空穴传输层从而能够获得元件材料21。
图5是表示空穴传输层形成工序后的元件材料的概念图。如图5所示，以覆盖钙钛矿层9的整体的方式形成空穴传输层11。
背面电极形成工序(S21)
背面电极形成工序是相对于元件材料21于空穴传输层11上对应于第一电极5a及第二电极5b的位置分别形成第一背面电极13a及第二背面电极13b的工序。
背面电极13a～13b是在其为金属物的情形时，也称为金属电极的电极。背面电极与电极对向配置，并形成于空穴传输层上，由此而能够与空穴传输层进行电荷的交换。作为背面电极能够使用本业界所使用的公知素材，可举例如铂、钛、不锈钢、铝、金、银、镍等的金属或这些的合金。这些之中，由可于干燥环境下形成电极此点来看，金属电极优选为可以蒸镀等的方法形成的材料。
通过于所述方法适当组合公知方法，从而能够制造具有所述层构成以外的构成的钙钛矿太阳能电池。
图6是表示背面电极形成工序后的制造中途的元件的概念图。如图6所示，背面电极也可为与电极或电子传输层不相同的形状。在图6的例子中形成有第一～第二背面电极13a～13b。以能够通过连接电极进行可导通地连接的方式，背面电极的一部分可不覆盖电极或电子传输层。此外，背面电极的一部分可存在于未设置电极或电子传输层的部分。例如，第一背面电极13a具有本体部分及从本体部分突出的突起部分。而且，在所述突起部分的下部(基板方向)未设置电极或电子传输层。另一方面，位于第一电极5a或第一电子传输层7a中心附近的突起部未被第一背面电极13a覆盖。
蚀刻工序(S22)
蚀刻工序为将第一背面电极13a及第二背面电极13b作为掩模使用并进行蚀刻的工序。蚀刻工序为公知，因此能够适当采用公知的蚀刻方法。蚀刻的例子为干式蚀刻。
图7是表示蚀刻工序后的制造中途的元件的概念图。如图7所示，通过进行蚀刻从而去除未形成背面电极的部分的钙钛矿层9及空穴传输层11。然后，不存在背面电极的部位的电子传输层7a～7b的一部分或电极的一部分5a～5b会露出。此外，也将第一电极5a及第二电极5b上的光电转换层称为第一光电转换层6a及第二光电转换层6b。第一光电转换层6a包含第一电子传输层7a、第一钙钛矿层9a及第一空穴传输层11a，第二光电转换层6b包含第二电子传输层7b、第二钙钛矿层9b及第二空穴传输层11b。
连接电极形成工序(S23)
连接电极形成工序是用以形成连接电极15的工序，该连接电极15是用以连接第一背面电极13a及第二背面电极13b。连接电极形成工序的例子为通过丝网印刷形成连接电极的工序。通常必须使用掩模进行蒸镀而形成背面电极。但是，通过使用丝网印刷从而能够容易地形成电极，可不对各层造成损伤而完成。
图8是表示连接电极形成工序后的制造中途的元件的概念图。在所述例中，例如通过第一连接电极15a连接第一背面电极13a与第二电极5b。在第二背面电极13b上设置有第二连接电极15b。
在连接电极形成工序后例如可使用激光去除多余部位。此外也可形成密封材层(保护膜)。
密封材层
密封材层23是为了保护光电转换部而设置。构成密封材层的材料的例子为乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、聚乙烯醇缩丁醛(PVB)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚烯烃(PO)、聚酰亚胺(PI)等的热可塑性树脂、环氧树脂、氨基甲酸酯及聚酰亚胺等的热硬化性树脂、玻璃等的无机材料，优选为EVA、PO、玻璃。
密封材层例如厚度为0.1～10mm，拉伸弹性率优选为0.005～0.05GPa。以下说明这些参数。
密封材层的厚度例如优选为0.1～10mm，更优选为0.2～1.0mm。密封材层具有这样的厚度，由此而能够充分密封并保护光电转换部。
密封材层的拉伸弹性率例如优选为0.005～0.05GPa，更优选为0.01～0.05GPa。密封材层的拉伸弹性率在所述范围，由此能够充分地缓和表面保护基板的膨张、收缩所造成的应力。
有机EL元件例如日本特开2017－123352号公报及日本特开2015－071619号公报所记载，为公知的元件，其制造方法也为公知。有机EL元件的例子有基板、阳极、阴极及配置于阳极与阴极之间的有机层。而且，由阳极侧依序层积空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及电子注入层，从而构成有机层。
[实施例]
以下使用实施例具体说明本说明书所记载的发明的例子。本说明书所记载的发明不限定于以下实施例，包含适当追加公知要素者。
图9是用以说明实施例1中的太阳能电池的概念图。
于玻璃基板3有预先图案化成预定形状的电极5的ITO(氧化铟锡)，并依序涂布电子传输层7、钙钛矿层9、空穴传输层11。电子传输层7能够通过旋转涂布胶状SnO2水溶液并使其干燥从而形成。在通过所述旋转涂覆而涂布预定材料后，进一步涂敷反溶剂，由此可得到高质量的钙钛矿层9。空穴传输层11可通过将包含Spiro－MeOTAD的溶液旋转涂覆并使其干燥从而获得。
所述层基本上是以旋转涂覆进行，故于基板全面层积。
在先前技术中，虽然大多在形成背面电极前进行已层积的层的图案化的工艺，但在本实施例中则不进行。因为对于高精确度图案，接下来的背面电极也需要位置精确度，因此并不适合。
首先形成背面电极13。作为形成背面电极的方法，为了预先制作图案，使用金属掩模并以将期望的材料作为靶材的溅射装置来形成。金属掩模是密接于所述层积的基板3而形成。靶材材料使用氧化钼(MoO3)、铜(Cu)、氧化铟锡(ITO)。
接下来，为了去除无背面电极13的区域的层积膜，进行使用CF4及O2的干式蚀刻。此时，背面电极成为掩模，并去除空穴传输层11或钙钛矿层9的一部分。由此可于无背面电极13的部分露出电极5的一部分。作为层积膜的去除方法可使用为脉冲激光。
接下来形成连接电极15。以与背面电极相同的方法，通过使用金属掩模的溅射装置而形成。此外，也能够通过丝网印刷导电性膏而形成。通过以上方式能够得到集成型构造的太阳能电池模块。
图9的例子中，于三个表面电极形成包含光活性层的光电转换层(6a、6b)，且于光活性层上形成背面电极。而且，背面电极在图9的上部区域中相互连接，并且左端的电极与正电极连接，右端的电极与负负电极と连接。
图10是用以说明实施例2及3中的太阳能电池的概念图。
图10(a)所示的实施例2中，在各表面电极的邻接的中央区域设置背面电极的连接区域且相互连接。图10(b)所示的实施例3中，在各表面电极的邻接的区域设置有背面电极的连接区域且相互连接。
产业上的可利用性
本发明能够利用于太阳能电池或有机EL元件的相关技术领域。
附图标记说明
1 元件
3 基板
5 电极
6a 第一光电转换层
6b 第二光电转换层
7a 第一电子传输层
7b 第二电子传输层
9 钙钛矿层
11 空穴传输层
13a 第一背面电极
13b 第二背面电极
15 连接电极
21 元件材料
23 密封材层

Claims (4)

1.一种元件的制造方法，其特征在于，元件材料具有形成于基板上的电极且所述电极包含分离的第一电极及第二电极，以及形成于包含第一电极及第二电极的区域的光电转换层，
所述元件的制造方法包含对所述元件材料的下述工序：
于所述光电转换层上对应于第一电极及第二电极的位置分别形成第一背面电极及第二背面电极的工序，其中第一背面电极及第二背面电极未连接；
使用第一背面电极及第二背面电极作为掩模进行蚀刻的工序；及
形成用以连接第一背面电极及第二背面电极的连接电极的连接电极形成工序。
2.根据权利要求1所述的元件的制造方法，其特征在于，
所述连接电极形成工序为通过丝网印刷形成所述连接电极的工序。
3.根据权利要求1所述的元件的制造方法，其特征在于，
所述元件材料通过包含下述工序的工序制造：
于第一电极及第二电极上分别形成第一电子传输层及第二电子传输层的工序；
于第一电子传输层及第二电子传输层上形成钙钛矿层的工序；及
于所述钙钛矿层上形成空穴传输层的工序。
4.根据权利要求1所述的元件的制造方法，其特征在于，
所述元件材料通过包含下述工序的工序制造：
于第一电极及第二电极上分别形成第一空穴传输层及第二空穴传输层的工序；
于第一空穴传输层及第二空穴传输层上形成钙钛矿层的工序；及
于所述钙钛矿层上形成电子传输层的工序。
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