KR0175359B1 - 초전도체-절연체-초전도체 조셉슨 터널 접합구조의 제조방법 - Google Patents

초전도체-절연체-초전도체 조셉슨 터널 접합구조의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 산화물 초전도 삼층박막을 이용하여 초전도체의 장점인 빠른 연산속도와 데이타 처리속도와 낮은 소모전력 등의 특성을 지니는 초전도 소자의 주 구성요소인 초전도체-절연체-초전도체 조셉슨 접합구조의 제조방법에 관한 것으로서, 그 특징은 초전도체-절연체-초전도체 접합구조에 있어서, 펄스 레이저 증착기의 기판 가열대에 고온 초전도 박막이 성장하는 산화물 단결정 기판을 은접착제로 부착시키는 제1과정과, 펄스 레이저 증착법으로 PBCO 밑틀층을 소정의 온도에서, 소정의 산소압하에서 소정의 두게로 증착하는 제2과정과, 증착된 PBCO 밑틀층 위에 펄스 레이저 증착법으로 a-축 수직한 YBCO 전극을 소정의 온도에서, 소정의 산소압하에서 소정의 두께로 증착하는 제3과정과, 아르곤 이온 빔의 입사각을 30°내지 70° 중의 어느 각도로 하여 건식식각하는 제4과정과, 식각된 a-축 수직한 YBCO 하부 전극 위에 펄스 레이저 증착법으로 소정의 두께의 절연막을 장벽층으로 증착하는 제5과정과, 연속적으로 a-축 수직한 YBCO 상부 전극을 소정의 온도에서, 소정의 산소압하에서 소정의 두께로 증착하는 제6과정 및 상기 제5과정에서 증착된 층과 상기 제6과정에서 증착된 층을 건식식각하는 제7과정을 포함하는 데에 있으므로, 본 발명은 기존의 샌드위치형 평면 접합의 경우에 비해 식각공정의 재현성을 높일 수 있으며, a-축 수직한 YBCO 박막을 이용하므로 장벽층의 두께를 두껍게 해도 접합의 형성이 가능하게 되며, 영상처리와 신호처리와 고성능 워크스테이션과 위성 신호처리와 슈퍼 컴퓨터 등을 초고속 및 저전력으로 작동시킬 수 있다는 데에 그 효과가 있다.

Description

초전도체-절연체-초전도체 조셉슨 터널 접합구조의 제조방법
제1도는 종래에 고안된 초전도체-금속-초전도체 모서리 접합의 구조도.
제2도는 종래에 고안된 초전도체-절연체-초전도체 평면형 샌드위치 접합의 구조도.
제3도는 본 발명에 따른 초전도체-절연체-초전도체 터널 접합의 구조도.
제4도는 본 발명에서 고안된 초전도체-절연체-초전도체 터널 접합의 제작 공정도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 기판
2 : 밑틀층(b-축 수직 PrBa2Cu3O7-X박막)
3 : 하부전극(a-축 수직 YBa2Cu3O7-X(YBCO) 박막)
4 : 모서리 접합부 5 : 장벽층
6 : 상부 전극(a-축 수직한 YBCO 박막) 7 : 수평 접합부
8 : 하부 전극(c-축 수직한 YBCO 박막) 9 : 절연층
10 : 상부 전극(c-축 수직한 YBCO 박막) 11 : 이온빔 입사 방향
12 : 포토 레지스트
본 발명은 초전도체-절연체-초전도체 접합구조의 제조방법에 관한 것으로서, 특히 산화물 초전도 삼층박막을 이용하여 초전도체의 장점인 빠른 연산속도와 데이타 처리속도와 낮은 소모전력 등의 특성을 지니는 초전도 소자의 주 구성요소인 초전도체-절연체-초전도체 조셉슨 접합구조의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 고온 초전도체를 이용한 전자소자를 응용할 때에 다양한 물질들의 박막화 기술과 이들과 고온 초전도층으로 구성되는 다층구조의 제작기술 및 집적화 기술은 매우 중요한 기술로 아직 많은 연구가 요구되고 있다.
특히, 초전도체-절연체-초전도체(superconductor-insulator-superconductor, 이하 S-I-S라고 약칭함) 삼층박막은 고주파 전송선(high-frequency transmission lines)이나 고주파 필터의 기본 구조일뿐만 아니라 평면형 S-I-S 조셉슨 터널 접합(Josephson tunnel junction)의 기본구조로 잘 알려져 있다.
조셉슨 접합에서 비초전도 층의 두께를 결정하는 가간섭 길이(coherence length)는 고온 초전도체의 경우에 이방성을 갖는다.
YBa2Cu3O7-X(YBCO)의 Cu-O 면에 수직한 c-축 방향의 가간섭 길이는 0.2 nm-0.7 nm 이고, Cu-O 면상에 놓이는 a-축이나 b-축 방향의 가간섭 길이는 1.3 nm-3.4 nm로 알려져 있다.
따라서 a-축이나 b-축이 기판에 수직한, 즉 c-축이 기판에 평행한 박막(a-축 수직박막)이 c-축이 기판에 수직한 박막(c-축 수직박막)에 비해 10배 정도 큰 가간섭 길이를 갖게 되므로, a-축 수직박막의 성장은 평면형 조셉슨 접합 제작에서 매우 중요한 문제가 된다.
다양한 조셉슨 접합구조 중에서 평면형 삼층박막 조셉슨 접합은 전자소자로의 활용이 용이하므로 매우 중요한 공학적 의미를 가진다.
현재까지 보고된 S-I-S 접합의 절연층으로는 SrTiO3[J. J. Kingstone et al, Appl. Phys. Lett. 56, 189(1990)]와 Y2O3[K. Hirata et al, Appl. Phys. Lett. 56, 683(1991)]와 MgO[S. Tanaka et al, IEEE Trans. Magn. MAG-27, 1607(1990)]와 LaAlO3[J. M. Pond et al, Appl. Phys. Lett. 59, 3033(1991)]와, NdGaO3[Y. Baikov et al, Appl. Phys. Lett. 56, 2606(1991)]와 CeO2[T. Kusumori et al, Jpn. J. Appl. Phys. 31, L956(1992)]와 PrGaO3[M. Mukaida et al, Jpn. J. Appl. Phys. 33, 2521(1994)] 등이 있으나, 평면형 S-I-S 조셉슨 접합은 복잡한 페로브스카이트 산화물들의 다층구조를 제작해야 하므로 아직 연구단계에 머물고 있다.
제1도는 종래에 고안된 초전도체-금속-초전도체 모서리 접합의 구조도이다.
제2도는 종래에 고안된 초전도체-절연체-초전도체에 평면형 샌드위치 접합의 구조도이다.
그러나, 종래에는 박막제작시 초전도 산화물 박막의 표면 평탄화와 소자제작시 식각공정의 재현성이 아직 해결되지 않아서 우수한 접합특성이 얻어지지 않는다는 문제점이 있었다.
상기 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 평면 배향된 a-축 수직한 YBCO(in-plane aligned a-axis oriented YBCO)박막과 절연박막을 사용하고 경사진 모서리 구조를 채택하여 우수한 접합특성이 얻어지는 평면형 S-I-S 조셉슨 터널 접합구조의 제조방법을 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징은 초전도체-절연체-초전도체 접합구조에 있어서, 펄스 레이저 증착기의 기판 가열대에 고온 초전도 박막이 성장하는 산화물 단결정 기판을 은접착제로 부착시키는 제1과정과, 펄스 레이저 증착법으로 PBCO 밑틀층을 소정의 온도에서, 소정의 산소압하에서 소정의 두께로 증착하는 제2과정과, 증착된 PBCO 밑틀층 위에 펄스 레이저 증착법으로 a-축 수직한 YBCO 전극을 소정의 온도에서, 소정의 산소압하에서 소정의 두께로 증착하는 제3과정과, 아르곤 이온 빔의 입사각을 30°내지 70°중의 어느 각도로 하여 건식식각하는 제4과정과, 식각된 a-축 수직한 YBCO 하부 전극 위에 펄스 레이저 증착법으로 소정의 두께의 절연막을 장벽층으로 증착하는 제5과정과, 연속적으로 a-축 수직한 YBCO 상부 전극을 소정의 온도에서, 소정의 산소압하에서 소정의 두께로 증착하는 제6과정 및 상기 제5과정에서 증착된 층과 상기 제6과정에서 증착된 층을 건식식각하는 제7과정을 포함하는 데에 있다.
제3도는 본 발명에 따른 초전도체-절연체-초전도체 터널 접합의 구조도이다.
제3도를 참조하여 본 발명에 따른 초전도체-절연체-초전도체 터널 접합의 구조를 설명하면 다음과 같다.
페로브스카이트 결정구조를 갖는 SrTiO3(100), LaAlO3(100), LaSrGaO4(100), LaSrAlO4(100), PrGaO3(100), Nd2CuO4(100) 등의 단결정(1)에 밑틀층(template layer)(2)으로 100 nm 두께의 b-축 수직한 PrBa2Cu3O7-X(PBCO)박막이 증착된 기판상에 제3도와 같은 구조의 삼층 접합으로 구성된다.
여기서, 하부 전극(3)은 a-축 수직한 YBCO 초전도 박막으로 구성되고 접합부의 모서리(4)가 30°-70°로 경사진 모양을 가지며, 상부 전극(6)도 200 nm-300 nm 두께의 a-축 수직한 YBCO 초전도 박막으로 구성된다.
장벽층(5)은 이 두 초전도 전극층 사이에 두께가 2 nm-5 nm의 LaSrGaO4, LaSrAlO4, PrGaO3, Nd2CuO4등의 절연박막으로 구성된다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예들 중의 하나를 상세히 설명한다.
제4도는 본 발명에서 고안된 초전도체-절연체-초전도체 터널 접합의 제작 공정도이다.
제4도를 참조하여 산화물 초전도 삼층막을 이용한 초전도체-절연체-초전도체 터널 접합의 제작공정을 설명하면 다음과 같다.
제4a도에서 제4f도까지는 본 발명에서 제안된 접합의 제작공정을 나타내고 있다.
먼저, 제4a도에서는 펄스 레이저 증착기의 기판 가열대에 고온 초전도 박막이 성장하는 산화물 단결정 기판(1)을 은접착제로 부착시킨다.
그 후, 펄스 레이저 증착법으로 PBCO 밑틀층(2)을 600℃-650℃, 100 mTorr 산소압하에서 50 nm-200 nm 두께로 증착한다.
증착된 PBCO 밑틀층 위에 펄스 레이저 증착법으로 a-축 수직한 YBCO 전극(3)을 720℃-780℃, 100 mTorr 산소압하에서 200 nm-300 nm 두께로 증착한다.
제4b도에서는 아르곤 이온 빔의 입사각을 30°-70°로 하여 건식식각한다.
제4c도에서는 이상의 공정으로 30°-70°의 경사진 모서리(4)를 갖는 하부 전극(3)을 얻는다.
식각된 a-축 수직한 YBCO 하부 전극(3) 위에 펄스 레이저 증착법으로 2 nm-5 nm 두게의 절연막을 장벽층(5)으로 증착한다.
그리고, 연속적으로 a-축 수직한 YBCO 상부 전극(6)을 720℃-780℃, 100 mTorr 산소압하에서 200 nm-300 nm 두께로 증착한다.
제4E도에서는 이 두 층을 건식식각하여 제4F도와 같은 구조의 평면형 S-I-S 조셉슨 터널 접합을 제작한다.
YBCO 박막은 YBCO 결정구조의 이방성으로 인하여 각 결정축에 따라 초전도 특성이 크게 변화된다.
상기 상부 전극(6)과 하부 전극(3)은 모두 a-축이 기판에 수직한 YBCO박막으로 구성되어서, 기판에 수직한 방향으로의 가간섭 거리가 평행한 방향의 경우보다 10배정도 크다.
뿐만 아니라 수평 접합부(7)의 면적은 2㎛2정도이고 모서리 접합부(4)의 접합부의 면적은 1-0.4㎛2정도이어서 수평 접합부의 면적이 모서리 접합부 보다 2-5배 정도 크므로 실제 전류가 흐르는 경로는 상부 전극(6)에서 수평 접합부(7)를 관통하여 하부 전극(3)으로 되거나 이 반대의 경로가 된다.
따라서 제1도의 기존의 모서리 접합구조[T. Nagamura et al, EP 0 484 232 A2]와 유사한 구조를 갖지만, 실제 접합은 제2도의 기존의 평면형 샌드위치 접합[R. L. Fink, US 005 250 817 A]과 동일한 도전경로의 접합이 된다.
그러므로, 상술한 바와 같은 본 발명은 기존의 샌드위치형 평면 접합의 경우에 비해 식각공정의 재현성을 높일 수 있으며, a-축 수직한 YBCO박막을 이용하므로 장벽층의 두께를 두껍게 해도 접합의 형성이 가능하게 되며, 영상처리와 신호처리와 고성능 워크스테이션과 위성 신호처리와 슈퍼 컴퓨터 등을 초고속 및 저전력으로 작동시킬 수 있다는 데에 그 효과가 있다.

Claims (18)

  1. 초전도체-절연체-초전도체 접합구조에 있어서, 펄스 레이저 증착기의 기판 가열대에 고온 초전도 박막이 성장하는 산화물 단결정 기판을 은접착제로 부착시키는 제1과정과; 펄스 레이저 증착법으로 PBCO 밑틀층을 소정의 온도에서, 소정의 산소압하에서 소정의 두께로 증착하는 제2과정과; 증착된 PBCO 밑틀층 위에 펄스 레이저 증착법으로 a-축 수직한 YBCO 전극을 소정의 온도에서, 소정의 산소압하에서 소정의 두께로 증착하는 제3과정과; 아르곤 이온 빔의 입사각을 30°내지 70°중의 어느 각도로 하여 건식식각하는 제4과정과; 식각된 a-축 수직한 YBCO 하부 전극위에 펄스 레이저 증착법으로 소정의 두께의 절연막을 장벽층으로 증착하는 제5과정과; 연속적으로 a-축 수직한 YBCO 상부 전극을 소정의 온도에서, 소정의 산소압하에서 소정의 두께로 증착하는 제6과정; 및 상기 제5과정에서 증착된 층과 상기 제6과정에서 증착된 층을 건식식각하는 제7과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 초전도체-절연체-초전도체 조셉슨 터널 접합구조의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2과정에서 550℃ 내지 700℃ 중의 어느 온도에서 증착하는 것을 특징으로 하는 초전도체-절연체-초전도체 조셉슨 터널 접합구조의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제2과정에서 90 mTorr 내지 110 mTorr 중의 어느 산소압하에서 증착하는 것을 특징으로 하는 초전도체-절연체-초전도체 조셉슨 터널 접합구조의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제2과정에서 40 nm 내지 250 nm 중의 어느 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 초전도체-절연체-초전도체 조셉슨 터널 접합구조의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제3과정에서 a-축 수직한 YBCO 전극을 680℃ 내지 850℃ 중의 어느 온도로 증착하는 것을 특징으로 하는 초전도체-절연체-초전도체 조셉슨 터널 접합구조의 제조방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제3과정에서 a-축 수직한 YBCO 전극을 90 mTorr 내지 110 mTorr 중의 어느 산소압하에서 증착하는 것을 특징으로 하는 초전도체-절연체-초전도체 조셉슨 터널 접합구조의 제조방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제3과정에서 a-축 수직한 YBCO 전극을 150 nm 내지 350 nm 중의 어느 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 초전도체-절연체-초전도체 조셉슨 터널 접합구조의 제조방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 제4과정에서 아르곤 이온 빔의 입사각을 30°내지 70°중의 어느 각도로 하여 건식식각하는 것을 특징으로 하는 초전도체-절연체-초전도체조셉슨 터널 접합구조의 제조방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 제4과정으로 30°내지 70°의 경사진 모서리를 갖는 하부 전극을 얻는 것을 특징으로 하는 초전도체-절연체-초전도체 조셉슨 터널 접합구조의 제조방법.
  10. 제1항에 있어서, 상기 제5과정에서 1.5 nm 내지 6 nm 중의 어느 두께의 절연막을 장벽층으로 증착하는 것을 특징으로 하는 초전도체-절연체-초전도체 조셉슨 터널 접합구조의 제조방법.
  11. 제1항에 있어서, 상기 제6과정에서 연속적으로 a-축 수직한 YBCO 상부 전극을 650℃ 내지 850℃ 중의 어느 온도에서 증착하는 것을 특징으로 하는 초전도체-절연체-초전도체 조셉슨 터널 접합구조의 제조방법.
  12. 제1항에 있어서, 상기 제6과정에서 연속적으로 a-축 수직한 YBCO 상부 전극을 90 mTorr 내지 110 mTorr 중의 산소압하에서 증착하는 것을 특징으로 하는 초전도체-절연체-초전도체 조셉슨 터널 접합구조의 제조방법.
  13. 제1항에 있어서, 상기 제6과정에서 연속적으로 a-축 수직한 YBCO 상부 전극을 150 nm-350 nm 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 초전도체-절연체-초전도체 조셉슨 터널 접합구조의 제조방법.
  14. 제1항에 있어서, 평면배향된 a-축 수직한 YBCO 박막을 하부 전극 또는 상부 전극으로 사용하는 것을 특징으로 하는 초전도체-절연체-초전도체 조셉슨 터널 접합구조의 제조방법.
  15. 제1항에 있어서, 30°내지 70°중의 어느 각도로 경사진 모서리를 갖는 하부 전극 또는 상부 전극을 사용하는 것을 특징으로 하는 초전도체-절연체-초전도체 터널 접합구조의 제조방법.
  16. 제1항에 있어서, 두께가 1.5 nm 내지 6 nm인 LaSrGaO4, LaSrAlO4, PrGaO3, Nd2CuO4박막들 중 어느 하나를 장벽층으로 사용하는 것을 특징으로 하는 초전도체-절연체-초전도체 조셉슨 터널 접합구조의 제조방법.
  17. 제1항에 있어서, 상기 기판은 LaSrGaO4, LaSrAlO4, PrGaO3, Nd2CuO4단결정들 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 초전도체-절연체-초전도체 조셉슨 터널 접합구조의 제조방법.
  18. 제1항에 있어서, 90 nm 내지 110 nm 두께의 b-축 수직 PBCO 박막을 밑틀층으로 사용하는 것을 특징으로 하는 초전도체-절연체-초전도체 조셉슨 터널 접합구조의 제조방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101374177B1 (ko) * 2012-10-11 2014-03-14 케이조인스(주) 고온 초전도체층의 직접 접촉에 의한 부분 미세 용융 확산 압접을 이용한 2세대 ReBCO 고온 초전도체의 접합 및 산소 공급 어닐링 열처리에 의한 초전도 회복 방법

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5892243A (en) * 1996-12-06 1999-04-06 Trw Inc. High-temperature SSNS and SNS Josephson junction and method of making junction
KR100249782B1 (ko) * 1997-11-20 2000-03-15 정선종 입방정 yba2cu3ox 박막을 장벽층으로 사용한 초전도 접합의 제조방법
KR100309675B1 (ko) * 1998-11-23 2001-12-17 오길록 고온초전도계단형모서리조셉슨접합제작방법
US6926921B2 (en) * 2003-05-05 2005-08-09 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Imprint lithography for superconductor devices
FR2858463B1 (fr) * 2003-07-28 2007-08-24 Centre Nat Rech Scient Procede et systeme de realisation de composants inductifs supraconducteurs en couches minces, et dispositifs incluant de tels composants
JP4452805B2 (ja) * 2004-09-21 2010-04-21 独立行政法人産業技術総合研究所 ビスマス系酸化物超電導薄膜及びその作製法
US7981840B2 (en) * 2005-03-02 2011-07-19 National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology Method of manufacturing Bi-based oxide superconductor thin films
KR100725110B1 (ko) * 2005-12-14 2007-06-04 한국과학기술원 투과형 집적형 박막 태양전지 및 그 제조 방법.
KR100656738B1 (ko) * 2005-12-14 2006-12-14 한국과학기술원 집적형 박막 태양전지 및 그 제조 방법
US7741634B2 (en) * 2008-03-26 2010-06-22 Massachusetts Institute Of Technology Josephson junction device for superconductive electronics with a magnesium diboride
US9741918B2 (en) 2013-10-07 2017-08-22 Hypres, Inc. Method for increasing the integration level of superconducting electronics circuits, and a resulting circuit
CN103762302B (zh) * 2014-01-24 2016-04-20 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种纳米超导量子干涉器件及其制作方法
WO2016003626A2 (en) * 2014-06-11 2016-01-07 The Regents Of The University Of California Method for fabricating superconducting devices using a focused ion beam
WO2017163205A1 (en) * 2016-03-23 2017-09-28 Unisa Femtosecond laser based method for fabrication of micro- and nano-constriction type structures on a yba2cu3o7-x superconducting thin film
US10431729B2 (en) * 2016-07-11 2019-10-01 Ambature, Inc. Josephson junction using molecular beam epitaxy
US10896803B2 (en) 2016-08-19 2021-01-19 The Regents Of The University Of California Ion beam mill etch depth monitoring with nanometer-scale resolution
US10367134B2 (en) * 2017-06-07 2019-07-30 International Business Machines Corporation Shadow mask sidewall tunnel junction for quantum computing

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5099294A (en) * 1989-08-01 1992-03-24 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Edge geometry superconducting tunnel junctions utilizing an NbN/MgO/NbN thin film structure
US5358927A (en) * 1990-05-31 1994-10-25 Bell Communications Research, Inc. Growth of a,b-axis oriented pervoskite thin films
DE69117378T2 (de) * 1990-07-19 1996-09-12 Sumitomo Electric Industries Supraleitende Einrichtung mit geschichteter Struktur, zusammengesetzt aus oxidischem Supraleiter und Isolatordünnschicht und deren Herstellungsmethode
US5627139A (en) * 1990-09-24 1997-05-06 The Regents Of The University Of California High-temperature superconducting josephson devices having a barrier layer of a doped, cubic crystalline, conductive oxide material
CA2054477C (en) * 1990-10-29 1996-12-24 Takao Nakamura Superconducting device having an extremely short superconducting channel formed of oxide superconductor material and method for manufacturing the same
FR2675951B1 (fr) * 1991-04-23 1997-08-29 Thomson Csf Structure de jonction josephson.
DE59209442D1 (de) * 1991-05-17 1998-09-10 Hehrwart Dr Schroeder Supraleitendes Tunnelelement
US5574290A (en) * 1994-02-23 1996-11-12 Micontech, Inc. Superconducting quantum interference device
KR0163747B1 (ko) * 1995-12-18 1998-12-01 양승택 산화물 고온초전도박막/비 초전도박막의 층상구조로 구성된 a-축 수직배향 초전도접합의 제조방법

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101374177B1 (ko) * 2012-10-11 2014-03-14 케이조인스(주) 고온 초전도체층의 직접 접촉에 의한 부분 미세 용융 확산 압접을 이용한 2세대 ReBCO 고온 초전도체의 접합 및 산소 공급 어닐링 열처리에 의한 초전도 회복 방법
WO2014058092A1 (ko) * 2012-10-11 2014-04-17 케이조인스(주) 고온 초전도체층의 직접 접촉에 의한 부분 미세 용융 확산 압접을 이용한 2세대 rebco 고온 초전도체의 접합 및 산소 공급 어닐링 열처리에 의한 초전도 회복 방법
US8993485B2 (en) 2012-10-11 2015-03-31 K.Joins Methods of splicing 2G rebco high temperature superconductors using partial micro-melting diffusion pressurized splicing by direct face-to-face contact of high temperature superconducting layers and recovering superconductivity by oxygenation annealing

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KR970054589A (ko) 1997-07-31
JPH09181365A (ja) 1997-07-11
US5801393A (en) 1998-09-01
US5750474A (en) 1998-05-12

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