DE69117378T2 - Supraleitende Einrichtung mit geschichteter Struktur, zusammengesetzt aus oxidischem Supraleiter und Isolatordünnschicht und deren Herstellungsmethode - Google Patents
Supraleitende Einrichtung mit geschichteter Struktur, zusammengesetzt aus oxidischem Supraleiter und Isolatordünnschicht und deren HerstellungsmethodeInfo
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Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft eine Supraleiter- Isolator-Supraleiter (SIS) Josephson-Tunnelanordnung aus oxydischen Materialien nach dem ersten Teil des Anspruchs 1. Eine derartige Josephson-Anordnung ist in der EP-A-0 342 038 beschrieben.
- Im Fall der Verwendung eines oxydischen supraleitenden Materials in einer supraleitenden Anordnung ist es erforderlich, eine Dünnschicht aus oxydischem supraleitendem Material auszubilden und übereinander anzuordnen, um z. B. eine Dünnschicht aus einem Isolator oder einem Halbleiter auf einer Dünnschicht aus einem oxydischen supraleitenden Material aufzubringen. Wird z. B. ein Supraleiter-Isolator-Übergang gebildet, der auch als Josephson-Tunnelübergang bezeichnet wird unter Verwendung von oxydischem supraleitendem Material, so ist es notwendig, nacheinander eine erste Dünnschicht aus oxydischem supraleitendem Material, eine Dünnschicht aus isolierendem Material und eine zweite Dünnschicht aus oxydischem supraleitendem Material in dieser Reihenfolge übereinander anzuordnen.
- Bei diesem Josephson-Tunnelübergang wird die Dicke der Dünnschicht aus isolierendem Material üblicherweise durch die Kohärenzlänge des supraleitenden Materials bestimmt. Da oxydische supraleitende Materialien eine sehr kurze Kohärenzlänge aufweisen, ist es erforderlich, eine Dünnschicht aus nicht-supraleitendem Material zu verwenden, deren Dicke in der Größenordnung von einigen wenigen Nanometern liegt.
- Wird jedoch die Dünnschicht aus dem oxydischen supraleitenden Material Luft ausgesetzt, so werden sowohl die Supraleitfähigkeit als auch die Kristallinität bis zu einer Tiefe von ungefähr 1 nm von der Oberfläche aus beeinträchtigt. Normalerweise wird bei der Abscheidung der zweiten Dünnschicht auf der Dünnschicht aus dem oxydischen supraleitenden Material eine Abscheideapparatur verwendet, die unterschiedlich von derjenigen ist, die für die Ausbildung der Dünnschicht aus dem oxydischen supraleitenden Material verwendet wird, wodurch die Dünnschicht aus dem oxydischen supraleitenden Material unvermeidbar Luft ausgesetzt wird, während des Überganges von der einen Abscheideapparatur zu der anderen Abscheideapparatur. Aus diesem Grunde war es üblich, die Dünnschicht aus dem oxydischen supraleitenden Material auf ungefähr 700ºC in einem Ultrahoch-Vakuum in der Größenordnung von 1,33 x 10&supmin;&sup7; Pa (1 x 10&supmin;&sup9; Torr) aufzuheizen, bevor die zweite Dünnschicht auf der Dünnschicht aus dem oxydischen supraleitenden Material abgeschieden wurde.
- Die der oben erwähnten Wärmebehandlung unterworfene Dünnschicht aus dem oxdischen supraleitenden Material kann eine Oberfläche mit einer verbesserten Kristallinität aufweisen, wobei es außerdem möglich wird, die zweite Dünnschicht auf der Dünnschicht aus dem oxydischen supraleitenden Material epitaktisch aufwachsen zu lassen. Das Aufheizen der Dünnschicht aus dem oxydischen supraleitenden Material im oben erwähnten Ultrahoch-Vakuum führt jedoch zu einem Sauerstoffverlust aus der kristallinen Dünnschicht aus dem oxydischen supraleitenden Material und damit zu einer Beeinträchtigung oder einem Verlust der supraleitenden Eigenschaften.
- Andererseits erfolgt, wenn die Wärmebehandlung in einer Sauerstoffatmosphäre durchgeführt wird, keine Beeinträchtigung der supraleitenden Eigenschaften der Dünnschicht aus dem oxydischen supraleitenden Material, wohingegen die Kristallinität der Oberfläche der Dünnschicht nicht verbessert wird.
- Demzufolge ist es Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine supraleitende Anordnung und ein Verfahren zu ihrer Herstellung zu schaffen, mit denen die oben erwähnten Nachteile der herkömmlichen Anordnung und des herkömmlichen Verfahrens überwunden sind.
- Weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine supraleitende Anordnung zu schaffen mit hervorragenden Eigenschaften und mit einer Dünnschicht aus einem oxydischen supraleitenden Material mit hervorragender Supraleitfähigkeit sowie ein Verfahren zur Herstellung dieser supraleitenden Anordnung.
- Diese sowie andere Ziele der vorliegenden Erfindung werden mit einer supraleitenden Anordnung erzielt, wie sie im Anspruch 1 definiert ist.
- Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung der oben erwähnten supraleitenden Anordnung geschaffen. Dieses Verfahren ist dadurch gekennzeichnet, daß nach der Ausbildung der ersten Dünnschicht aus oxydischem supraleitendem Material auf dem Substrat die erste Dünnschicht aus oxydischem supraleitendem Material in einer Gasatmosphäre wärmebehandelt wird, so daß die Oberfläche des oxydischen supraleitenden Materials der ersten Dünnschicht in einen amorphen Zustand übergeht.
- Wie man sieht, ist die supraleitende Anordnung gemäß der vorliegenden Erfindung dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Dünnschicht aus isolierendem Material, die auf der ersten Dünnschicht aus dem oxydischen supraleitenden Material abgeschieden ist, aus einem amorphen Oxyd besteht, welches die gleichen Bestandselemente enthält, wie das oxydische supraleitende Material der ersten Dünnschicht.
- Im Stand der Technik wurde von einem amorphen Oxyd angenommen, daß es dadurch entstand, daß ein oxydisches supraleitendes Material Luft ausgesetzt wurde und mit dieser reagierte. Mit anderen Worten wurde das amorphe Oxyd angesehen als sei es das Ergebnis einer Beeinträchtigung eines Luft ausgesetzten oxydischen supraleitenden Materials. Die genaue Zusammensetzung des amorphen Oxyds wurde bis jetzt nicht aufgeklärt, jedoch wird angenommen, daß der Kristall des oxydischen supraleitenden Materials zerstört wird, wodurch das oxydische supraleitende Material amorph wird. Die erfindungsgemäße supraleitende Anordnung weist als isolierende Schicht eine Dünnschicht aus einem derartigen amorphen Oxyd auf, mit einer vorgegebenen Dicke, die dieser supraleitenden Anordnung angepaßt ist.
- Dies bedeutet, daß erfindungsgemäß die isolierende Schicht für die supraleitende Anordnung leicht herstellbar ist und daß die isolierende Schicht keinen schädlichen Einfluß auf die Dünnschicht aus dem oxydischen supraleitenden Material ausübt, da die Dünnschicht aus dem oxydischen supraleitenden Material und die Dünnschicht aus dem amorphen Oxyd aus dem gleichen Elementarbestandteilen bestehen.
- Ferner ist das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung der oben erwähnten supraleitenden Anordnung dadurch gekennzeichnet, daß nach der Ausbildung der ersten Dünnschicht aus dem oxydischen supraleitenden Material auf dern Substrat die erste Dünnschicht aus dem oxydischen supraleitenden Material in einer Gasatmosphäre wärmebehandelt wird, so daß die Oberfläche des oxydischen supraleitenden Materials in den amorphen Zustand übergeht. Als Gas für den Übergang des oxydischen supraleitenden Materials in den amorphen Zustand kann H&sub2;O und CO&sub2; genannt werden. In diesem Zusammenhang sei betont, daß, wenn die Wärmebehandlung in einer Gasatmosphäre, die das oben genannte Gas einschließt, durchgeführt wird, der Gasdruck vorzugsweise im Bereich von 1,33 x 10&supmin;³ Pa (1 x 10&supmin;&sup5; Torr) bis 1,33 x 10&supmin;² Pa (1 x 10&supmin;&sup4; Torr) liegt und daß die Temperatur vorzugsweise im Bereich von 400ºC bis 800ºC liegt. Unter diesen Bedingungen kann die Dünnschicht aus dern amorphen Oxyd hergestellt werden durch Umwandlung einiger weniger Monoschichten der Oberfläche des oxydischen Supraleiters, wie es zulässig ist für eine nichtsupraleitende Schicht in einer Josephson-Tunnelanordnung, die aus einem oxydischen supraleitenden Material aufgebaut ist. Der hier verwendete Ausdruck Monoschicht bezeichnet eine Schicht mit einer Dicke, die einem Atom entspricht.
- Bei einer höheren Heiztemperatur kann eine Zersetzung oder Zerstörung des Oberflächenbereichs der Dünnschicht aus dem oxydischen supraleitenden Material erleichtert werden, wodurch die Oberfläche des oxydischen supraleitenden Materials in den amorphen Zustand schnell übergeht. Allgemein kann gesagt werden, daß, je höher die Heiztemperatur ist, desto geringer ist die erforderliche Zeit für die Wärmebehandlung. Vorzugsweise beträgt die Wärmebehandlungszeit nicht weniger als fünf Minuten, jedoch nicht mehr als vier Stunden. Liest die Heiztemperatur bei mehr als 800ºC, so unterliegt die Dünnschicht aus dem supraleitenden Material selbst einem entgegengesetzten Einfluß. Um außerdem eine gegenseitige Diffusion zwischen benachbarten Schichten zu vermeiden und um eine scharfe Grenzschicht zwischen der Dünnschicht aus dem oxydischen supraleitenden Material und der Dünnschicht aus dem amorphen Oxyd zu erhalten, ist es vorteilhaft, wenn die Wärmebehandlung bei einer Temperatur von nicht mehr als 600ºC durchgeführt wird. Ist andererseits die Heiztemperatur geringer als 400ºC, so wird die Oberfläche des oxydischen supraleitenden Materials nicht in ausreichendem Maße in den amorphen Zustand überführt.
- Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird eine zusätzliche Wärmebehandlung der Dünnschicht aus dem oxydischen supraleitenden Material in einer Sauerstoffatmosphäre bevorzugt, nachdem die Wärmebehandlung in der oben erwähnten gashaltigen Atmosphäre durchgeführt worden ist. Der Grund dafür ist der folgende: Wenn die Wärmebehandlung in der oben erwähnten gashaltigen Atmosphäre durchgeführt worden ist, ist die Supraleitfähigkeit des oxydischen supraleitenden Materials gelegentlich beeinträchtigt. Diese beeinträchtigte Dünnschicht aus dem oxydischen supraleitenden Material kann durch eine zusätzliche Wärmebehandlung in der Sauerstoffatmosphäre verbessert werden. Diese zusätzliche Wärmebehandlung wird bei einem Gasdruck im Bereich von vorzugsweise 6,66 x 10³ Pa (50 Torr) bis 2,67 x 10&sup4; Pa (200 Torr) durchgeführt, wobei die Heiztemperatur im Bereich von vorzugsweise 400ºC bis 500ºC liegt.
- In der supraleitenden Anordnung sowie im erfindungsgemäßen Herstellungsverfahren kann jedes beliebige oxydische supraleitende Material verwendet werden. Bevorzugt wird jedoch ein supraleitendes Y&sub1;Ba&sub2;Cu&sub3;O7-x (0≤x≤1)-Verbundoxyd, da eine Dünnschicht mit hoher Qualität und guter Kristallinität in stabiler Weise erhalten werden kann. Auch ein supraleitendes Bi&sub2;Sr&sub2;Ca&sub2;Cu&sub3;Oy (7≤y≤11)-Verbundoxyd ist vorteilhaft, da es eine hohe kritische Temperatur Tc der Supraleitung aufweist.
- Diese und andere Ziele, Eigenschaften und Vorteile der vorliegenden Erfindung gehen aus der nachfolgenden Beschreibung bevorzugter erfindungsgemäßer Ausführungsbeispiele im Zusammenhang mit der beigefügten Zeichnung hervor.
- Die Figuren 1A bis 1II zeigen Schnitte zur Darstellung der verschiedenen Schritte bei der Herstellung eines ersten Ausführungsbeispiels einer supraleitenden Anordnung.
- Eine Josephson-Anordnung wurde mit dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellt unter Verwendung eines MgO-Substrates und von Y&sub1;Ba&sub2;Cu&sub3;O7-x als oxydisches supraleitendes Material. Das Verfahren wird im Zusammenhang mit den Figuren 1A bis 1II beschrieben.
- Zuerst wird eine Dünnschicht aus einem ersten oxydischen supraleitenden Material 1 aus Y&sub1;Ba&sub2;Cu&sub3;O7-x auf einer (100)- Oberfläche eines MgO-Substrates 4 durch Zerstäubung abgeschieden. Die Abscheidebedingungen waren wie folgt:
- Substrattemperatur 700ºC
- Zerstäubungsgas Ar 4,5 SCCM
- O&sub2; 0,5 SCCM
- Druck 6,66 Pa (5 x 10&supmin;² Torr)
- Schichtdicke 400 nm
- Danach wurde auf der abgeschiedenen ersten Dünnschicht aus oxydischem supraleitendem Material 1 eine Dünnschicht 3 aus amorphem Oxyd gemäß Figur 1B gebildet unter den folgenden Bedingungen:
- Atmosphäre Wasserdampf
- Druck 6,66 x 10&supmin;³ Pa (5x10&supmin;&sup5; Torr)
- Substrattemperatur 700ºC
- Behandlungszeit 15 Minuten
- Mit dieser Behandlung betrug die Dicke der Dünnschicht 3 aus amorphem Oxyd schätzungsweise einige wenige Monoschichten an der oberen Oberfläche. Danach wurde das Substrat abgekühlt auf 400ºC, wonach eine zusätzliche Wärmebehandlung unter den folgenden Bedingungen durchgeführt wurde:
- Atmosphäre O&sub2;
- Druck 1,33 x 10&sup4; Pa (100 Torr)
- Substrattemperatur 400ºC
- Behandlungszeit 1 Stunde
- Danach wurde eine zweite Dünnschicht 2 aus Y&sub1;Ba&sub2;Cu&sub3;O7-x auf der Dünnschicht 3 aus dem amorphen Oxyd gemäß Figur 1C abgeschieden durch ein Laserabschmelzverfahren unter den folgenden Bedingungen:
- Substrattemperatur 630ºC
- Laserstrahlenergie 0,3 J/cm2
- Sauerstoffdruck 1,33 x 10³ Pa (10 Torr)
- Schichtdicke 400 nm
- Dadurch wurde die in Figur 10 dargestellte Dreischicht- Struktur auf dem MgO-Substrat 4 erhalten. In dieser Stufe bestanden sowohl die erste Dünnschicht 1 als auch die zweite Dünnschicht 2 aus dem oxydischen supraleitenden Y&sub1;Ba&sub2;Cu&sub3;O7-x aus einem Kristall mit c-Achsausrichtung und wiesen kritische Temperaturen von 85K bzw. 82K auf.
- Danach wurde die Dreischicht-Struktur gemäß Figur 1C unter Verwendung einer Photolithographie und eines Ar-Ionen- Ätzens mit einem Muster versehen, so daß ein lineares Muster mit einer Breite von 1 µm gemäß Figuren 1D und 1DD erhalten wurde, wobei Figur 1DD eine Draufsicht des in Figur 1D gezeigten Subtrates ist.
- Nach dieser oben erwähnten Musterausbildung wurde eine SiO&sub2;-Schicht 5 mit einer Dicke von 800 um abgeschieden, um das gesamte Substrat zu bedecken und eine Widerstandsschicht 6 auf der SiO&sub2;-Schicht 5 abgeschieden, wie es in Figur 1D dargestellt ist. Die Widerstandsschicht 6 und die SiO&sub2;-Schicht 5 wurden danach durch ein reaktives Ionen-Ätzverfahren weggeätzt bis eine obere Oberfläche aus der zweiten Dünnschicht 2 aus oxydischem supraleitendem Material gemäß Figur 1F freigelegt wurde.
- Eine Au-Schicht 7 wurde durch Vakuumverdampfung auf der gesamten oberen Oberfläche des Substrates abgeschieden, wie es in Figur 1G dargestellt ist. Figuren 1H und 1HH zeigen, daß ein lineares Widerstandsmuster 8 auf der abgeschiedenen Au-Schicht 7 derart ausgebildet wurde, daß es die mit einem linearen Muster versehene Dreischicht-Struktur in der in Figur 1HH dargestellten Ebene schneidet. Das lineare Widerstandsmuster 8 wies eine Breite von 1 µm auf.
- Ein Ar-Ionen-Abtrageverfahren wurde durchgeführt unter Verwendung des linearen Widerstandsmuster 8 als Maske, bis die linear gemusterte Dreischicht-Struktur, die nicht mit dem linearen Widerstandsmuster 8 bedeckt war, etwa die halbe Dicke aufwies, d. h. bis die untere oder erste Dünnschicht 1 aus dem oxydischen supraleitenden Material eine freigelegte obere Oberfläche 11 aufwies, wie es in den Figuren 1I und 1II dargestellt ist. Außerdem wurde eine Metallisierungsschicht auf der freigelegten oberen Oberfläche 11 der unteren oder ersten Dünnschicht 1 aus dem oxydischen supraleitenden Material aufgebracht. Dadurch wurde eine Josephson-Anordnung vervollständigt, in der die gemusterte Au-Schicht 7 ein Elektrodenpaar darstellt und die metallisierte Schicht auf der freigelegten oberen Oberfläche 11 der unteren oder ersten Dünnschicht 1 aus oxydischem supraleitendem Material das andere Elektrodenpaar darstellt.
- Die Dreischicht-Struktur gemäß Figur 1C wurde im gleichen Verfahren wie im Ausführungsbeispiel 1 hergestellt mit der Ausnahme, daß eine Dünnschicht 3 aus amorphem Oxyd gemäß Figur 1B unter den folgenden Bedingungen hergestellt wurde:
- Atmosphäre Wasserdampf
- Druck 6,66 x 10³ Pa (5 x 10&supmin;&sup5; Torr)
- Substrattemperatur 550ºC
- Behandlungszeit 1 Stunde
- Beim Ausführungsbeispiel 2 bestanden die erste Dünnschicht 1 und die zweite Dünnschicht 2 aus oxydischem supraleitendem Y&sub1;Ba&sub2;Cu&sub3;O7-x aus Kristallen mit c- Achsausrichtung und wiesen kritische Temperaturen von 86K bzw. 82K auf.
- Die Erfindung wurde im Zusammenhang mit speziellen Ausführungsbeispielen beschrieben und dargestellt; es sei jedoch betont, daß sie in keiner Weise auf die beschriebenen und dargestellten Einzelheiten beschränkt ist, sondern alle Abwandlungen innerhalb des Schutzbereiches der beigefügten Ansprüche umfaßt.
Claims (11)
1. Supraleiter-Isolator-Supraleiter (SIS) Josephson-
Tunnelanordnung mit wenigstens einer ersten Dünnschicht (1) aus
oxydischem supraleitendem Material, die auf einem Substrat (4)
ausgebildet ist, mit einer zweiten Dünnschicht (3) aus
isolierendem Material, die auf der ersten Dünnschicht aus
oxydischem supraleitendem Material aufgebracht ist und mit
einer dritten Dünnschicht (2) aus dem gleichen oxydischen
supraleitenden Material wie die erste Dünnschicht (1) aus
oxydischem supraleitendem Material, die auf der zweiten
Dünnschicht (3) ausgebildet ist, so daß ein Josephson-
Tunnelübergang vom SIS-Typ durch die ersten, zweiten und
dritten Dünnschichten (1,3,2) gebildet wird, dadurch
gekennzeichnet, daß die zweite Dünnschicht (3) aus isolierendem
Material aus einem amorphen Oxyd besteht, welches die gleichen
Bestandselemente enthält wie diejenigen des oxydischen
supraleitenden Materials der ersten und dritten Dünnschichten
(1,2).
2. Supraleitende Anordnung nach Anspruch 1, bei der die
zweite Dünnschicht (3) aus amorphem Oxyd eine Dicke aufweist
von schätzungsweise einigen wenigen Monoschichten einer
oxydischen supraleitenden Oberfläche.
3. Supraleitende Anordnung nach Anspruch 1, bei der die
erste Dünnschicht (1) aus oxydischem supraleitendem Material
gebildet ist aus einem Material, das ausgewählt ist aus der
Gruppe bestehend aus Y&sub1;Ba&sub2;Cu&sub3;O7-x (O≤x≤1)
und Bi&sub2;Sr&sub2;Ca&sub2;Cu&sub3;Oy
(7≤y≤11).
4. Supraleitende Anordnung nach Anspruch 1, bei der die
ersten und die dritten Dünnschichten (1,2) aus oxydischem
supraleitendem Material aus einem Material bestehen, das
ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus
Y&sub1;Ba&sub2;Cu&sub3;O7-x (0≤x< 1) und Bi&sub2;Sr&sub2;Ca&sub2;Cu&sub3;Oy (7≤y≤11).
5. Supraleilende Anordnung nach Anspruch 5, bei der die
zweite Dünnschicht (3) aus amorphem Oxyd eine Dicke aufweist
von schätzungsweise einigen wenigen Monoschichten einer
oxydischen supraleitenden Oberfläche.
6. Verfahren zur Herstellung einer Supraleiter-Isolator-
Supraleiter (SIS) Josephson-Tunnelanordnung, mit wenigstens
einer ersten Dünnschicht (1) aus oxydischem supraleitendem
Material, die auf einem Substrat (4) aufgebracht ist, mit einer
zweiten Dünnschicht (3) aus isolierendem Material, die auf der
ersten Dünnschicht (1) aus oxydischem supraleitendem Material
ausgebildet ist und mit einer dritten Dünnschicht (2) aus dem
gleichen oxydischen supraleitenden Material wie die erste
Dünnschicht (1) aus oxydischem supraleitendem Material, die auf
der zweiten Dünnschicht (3) ausgebildet ist, so daß ein SIS-
Josephson-Übergang vom Tunneltyp durch die ersten, zweiten und
dritten Dünnschichten (1,3,2) gebildet wird, dadurch
gekennzeichnet, daß nach der Ausbildung der ersten Dünnschicht
(1) aus oxydischem supraleitendem Material auf dem Substrat (4)
die erste Dünnschicht (1) aus oxydischem supraleitendem
Material in einer Gasatmosphäre wärmebehandelt wird, so daß die
Oberfläche des oxydischen supraleitenden Materials der ersten
Dünnschicht (1) in einen amorphen Zustand übergeht, während die
zweite Dünnschicht (3) aus isolierendem Material aus einem
amorphen Oxyd besteht, welches die gleichen Bestandselemente
enthält wie das oxydische supraleitende Material der ersten
Dünnschicht (1).
7. Verfahren nach Anspruch 6, bei dem die Wärmebehandlung
in einer Gasatmosphäre durchgeführt wird, welche H&sub2;O oder CO&sub2;
enthält, unter einem Druck im Bereich von 1,33 x 10&supmin;³ Pa
(1 x 10&supmin;&sup5; Torr) bis 1,33 X 10&supmin;² Pa (1 x 10&supmin;&sup4; Torr) , bei einer
Heiztemperatur im Bereich von 400ºC bis 800ºC.
8. Verfahren nach Anspruch 6, bei dem die Heiztemperatur im
Bereich von 400ºC bis 600ºC liegt.
9. Verfahren nach Anspruch 6, wobei nach der Durchführung
der Wärmebehandlung in der Gasatmosphäre, um die Oberfläche des
oxydischen supraleitenden Materials in den amorphen Zustand zu
überführen, eine zusätzliche Wärmebehandlung in einer
Sauerstoffatmosphäre durchgeführt wird, um die durch die
Wärmebehandlung in der Gasatmosphäre gestörte Dünnschicht aus
dem oxydischen supraleitenden Material zu verbessern.
10. Verfahren nach Anspruch 7, bei dem nach der Durchführung
der Wärmebehandlung in der Gasatmosphäre, die H&sub2;O oder CO&sub2;
enthält, bei einem Druck im Bereich von 1,33 x 10-3Pa
(1 x 10&supmin;&sup5; Torr) bis 1,33 x 10&supmin;² Pa (1 x 10&supmin;&sup4; Torr) und bei
einer Heiztemperatur im Bereich von 400ºC bis 800ºC, so daß die
Oberfläche des oxydischen supraleitenden Materials in den
amorphen Zustand übergeht, eine zusätzliche Wärmebehandlung
durchgeführt wird in einer Sauerstoffatmosphäre bei einem Druck
im Bereich von 6,66 x 10&supmin;³ bis 2,67 x 10&supmin;&sup4;Pa (50 Torr bis 200
Torr) bei einer Heiztemperatur im Bereich von 400ºC bis 500ºC,
um die durch die Wärmebehandlung in der Gasatmosphäre gestörte
Dünnschicht aus dem oxydischen supraleitenden Material zu
verbessern.
11. Verfahren nach Anspruch 7, bei dem nach der Ausbildung
der zweiten Dünnschicht aus amorphem Oxyd eine dritte
Dünnschicht aus dem gleichen oxydischen supraleitenden Material
wie die erste Dünnschicht auf der zweiten Dünnschicht aus
amorphem Oxyd abgeschieden wird, so daß ein Josephson-
Tunnelübergang durch die ersten, zweiten und dritten
Dünnschichten gebildet wird.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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