NL8901874A - Planaire josephson inrichting. - Google Patents

Planaire josephson inrichting. Download PDF

Info

Publication number
NL8901874A
NL8901874A NL8901874A NL8901874A NL8901874A NL 8901874 A NL8901874 A NL 8901874A NL 8901874 A NL8901874 A NL 8901874A NL 8901874 A NL8901874 A NL 8901874A NL 8901874 A NL8901874 A NL 8901874A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
silver
superconducting
layer
layers
josephson device
Prior art date
Application number
NL8901874A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Priority to NL8901874A priority Critical patent/NL8901874A/nl
Priority to US07/549,341 priority patent/US5015623A/en
Priority to DE69016294T priority patent/DE69016294T2/de
Priority to EP90201922A priority patent/EP0409338B1/en
Priority to CN90104605A priority patent/CN1048950A/zh
Priority to JP2187360A priority patent/JPH0358488A/ja
Priority to KR1019900010935A priority patent/KR910003849A/ko
Publication of NL8901874A publication Critical patent/NL8901874A/nl

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00Superconducting devices
    • H10N60/10Junction-based devices
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00Superconducting devices
    • H10N60/10Junction-based devices
    • H10N60/12Josephson-effect devices
    • H10N60/124Josephson-effect devices comprising high-Tc ceramic materials
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00Metal treatment
    • Y10S148/089Josephson devices
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S505/00Superconductor technology: apparatus, material, process
    • Y10S505/70High TC, above 30 k, superconducting device, article, or structured stock
    • Y10S505/701Coated or thin film device, i.e. active or passive
    • Y10S505/702Josephson junction present
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S505/00Superconductor technology: apparatus, material, process
    • Y10S505/775High tc, above 30 k, superconducting material
    • Y10S505/776Containing transition metal oxide with rare earth or alkaline earth
    • Y10S505/779Other rare earth, i.e. Sc,Y,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Lu and alkaline earth, i.e. Ca,Sr,Ba,Ra
    • Y10S505/78Yttrium and barium-, e.g. YBa2Cu307

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)

Description

N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken te Eindhoven.
"Planaire Josephson inrichting"
De uitvinding heeft betrekking op een planaire Josephsoninrichting en een werkwijze voor het vervaardigen daarvan, welkeinrichting twee lagen van een oxidisch supergeleidend materiaal omvatmet daartussen ten minste één niet-supergeleidende laag.
Een werkwijze voor het vervaardigen van een Josephsoninrichting of Josephson junctie is beschreven in een artikel vanM.G.Blamire et.al., in J.Phys.D: Appl. Phys. 2£, bladzijden 1330-1335(1987). Daarbij wordt op een substraat uit saffier een bufferlaag uitY2O3 aangebracht, met daarop een eerste oxidische supergeleidendelaag uit Yl^CujO-^g. Vervolgens wordt een dunne laag uit Y2O3aangebracht welke dienst doet als tunnelbarrière. Daarna wordt eentweede laag uit Yl^C^Oy.g aangebracht, waarop desgewenstcontacten uit Nb worden geplaatst. De dunne lagen worden vervaardigddoor middel van dc magnetron sputteren met metallische trefplaten in eenoxiderende atmosfeer. In de lagen worden patronen aangebracht doormiddel van plasmaetsen of ionetsen.
De supergeleidingseigenschappen, met name de hoogstetemperatuur Tc waarbij supergeleiding optreedt, worden bij de nubekende oxidische supergeleidende materialen in negatieve zin beïnvloeddoor de aanwezigheid van een groot aantal metallische elementen, waaropzilver en goud enkele van de weinige uitzonderingen vormen. Vooral eenverstoring van het zuurstofgehalte lijkt ongewenste gevolgen te hebben.Bij het vervaardigen van inrichtingen zoals een Josephson inrichting,waarin een tunnelbarrière nodig is, moet daarom voorkomen worden dater diffusie optreedt vanuit de tunnelbarrière naar het supergeleidendemateriaal, of dat er een reactie optreedt tussen de tunnelbarrière enhet supergeleidende materiaal. Daartoe kunnen bufferlagen uit eenzuurstofdoorlatend metaal zoals zilver worden toegepast, maar dat is bijhoge temperatuur niet altijd voldoende.
De uitvinding beoogt ondermeer een Josephson inrichtingte verschaffen, en een eenvoudige werkwijze om deze te vervaardigen,waarbij in de tunnelbarrière geen andere metallische elementen dan zilver worden toegepast.
De uitvinding beoogt bovendien een tunnelbarrière vooreen Josephson inrichting te verschaffen, die stabiel is bij de hogetemperatuur die nodig is bij het uitstoken van het supergeleidendemateriaal.
De uitvinding beoogt daarbij een Josephson inrichting teverschaffen, waarbij de twee supergeleidende lagen beide zijn gevormduit het zelfde of uit twee verschillende oxidische supergeleidendematerialen.
Aan deze opgave wordt volgens de uitvinding voldaan dooreen inrichting en een werkwijze zoals in de aanhef zijn omschreven,waarbij de niet-supergeleidende laag wordt vervaardigd uit zilversulfaatdat met de supergeleidende lagen wordt verbonden via lagen uit zilver.
In een geschikte uitvoeringsvorm van de werkwijze volgensde uitvinding wordt het zilversulfaat vervaardigd uit zilver door eenreactie met een mengsel van zwaveldioxide en zwaveltrioxide.
In een alternatieve uitvoeringsvorm van de werkwijzevolgens de uitvinding wordt het zilversulfaat vervaardigd uit zilverdoor een reactie met waterstofsulfide gevolgd door oxidatie metzuurstof. Een bijzonder voordeel van deze uitvoeringsvorm is demogelijkheid om de oxidatie met zuurstof gelijktijdig met eenuitstookstap van het oxidische supergeleidende materiaal uit te voeren.
Een werkwijze voor het vervaardigen van een Josephsoninrichting waarin een niet-supergeleidende laag via lagen uit edelmetaalwordt verbonden met twee lagen van een oxidisch supergeleidendmateriaal, is beschreven in de niet vóórgepubliceerde Nederlandseoctrooiaanvrage NL 8900405.
Dunne lagen uit oxidisch supergeleidend materiaal kunnenmet verschillende, op zich bekende methoden worden verkregen. Daarbij isin het algemeen een behandeling bij hoge temperatuur noodzakelijk terverkrijging van de gewenste samenstelling, vooral ten aanzien van dezuurstofhuishouding en de valentie van de metaalatomen, met namekoperatomen. Dunne lagen uit het oxidische supergeleidende materiaalYBa2Cu307_5 worden bijvoorbeeld volgens M.Gurvitch et.al., zieAppl.Phys.Lett. 51 (13), bladzijden 1027-1029 (1987), vervaardigd doormiddel van dc magnetron sputtêrdepositie onder toepassing vanmetallische trefplaten in een oxiderende atmosfeer, gevolgd door uitstoken bij hoge temperatuur, bijvoorbeeld 800° tot 900°C. Andereveel toegepaste werkwijzes zijn opdampen, laserablatie en chemischedepositie vanuit de dampfase. C.E.Rice et.al. beschrijven inAppl.Phys.Lett. 52. (21), bladzijden 1828-1830 (1988), een werkwijze voorhet vervaardigen van dunne lagen uit Ca-Sr-Bi-Cu oxides door middel vanhet opdampen van CaF2, SrF2, Bi en Cu, gevolgd door oxidatiestappenbij 725° en 850°C. De behandelingen bij hoge temperatuur zijn nodigom een materiaal te verkrijgen met een hoge waarde van de kritischetemperatuur Tc, dat is de temperatuur waarbeneden supergeleidendgedrag optreedt.
De uitvinding wordt toegelicht aan de hand vanuitvoeringsvoorbeelden en een tekening, waarin
Figuur 1 schematisch een Josephson inrichting volgens deuitvinding toont, en waarin
Figuur 2 a-c schematisch een aantal stappen uit eenwerkwijze volgens de uitvinding toont.
Uitvoerinasvoorbeeld 1.
Figuur 2a toont een substraat 10, uit strontiumtitanaatSrTi03, waarop een oxidische supergeleidende laag 11 uitYBa2Cu30g η is aangebracht, bijvoorbeeld door middel van opdampen,waarbij het substraat op een temperatuur van 850°C wordt gehouden. Ookandere substraatmaterialen, bijvoorbeeld MgO, Y203 en substratenzoals saffier met beschermende bufferlagen, bijvoorbeeld Ta20t;,
LaF3 en Zr02 kunnen met goed gevolg in de werkwijze volgens deuitvinding worden toegepast.
In het supergeleidende materiaal kunnen op bekende wijzesubstituties worden toegepast, zonder dat de effectiviteit van dewerkwijze volgens de uitvinding daardoor wordt aangetast. Zo kan Ybijvoorbeeld geheel of gedeeltelijk door zeldzame aardmetaalionen wordenvervangen, Ba kan worden vervangen door Sr of Ca, en 0 kan gedeeltelijkworden vervangen door F. De uitvinding kan ook worden toegepast metandere oxidische supergeleidende materialen, zoals Ca-Sr-Bi-Cu oxides,waarin Bi gedeeltelijk door Pb kan worden vervangen, (La,Sr)2Cu04 encupraten welke naast Tl ook nog Ca en/of Ba bevatten.
In plaats van door middel van opdampen, kan de laag 11bijvoorbeeld door middel van sputteren worden vervaardigd, onder toepassing van een trefplaat met de gewenste samenstelling. Hetsubstraat wordt daarbij op een hoge temperatuur gehouden, maar het isook mogelijk om de depositie bij lagere temperatuur te doenplaatsvinden. In dat geval is een nabehandeling bij hoge temperatuurnodig om de gewenste supergeleidende eigenschappen te verkrijgen.
In een geschikte uitvoeringsvorm van de werkwijze volgensde uitvinding wordt laag 11 vervaardigd door dc triode sputteren met eenspanning van 1 kV in Ar bij een druk van ongeveer 0.5 Pa. Deze laagwordt vervolgens onderworpen aan een uitstookbehandeling bij 700° tot800°C in zuurstof gedurende ongeveer 2 uur, waarbij laag 11 het juistezuurstofgehalte en de gewenste supergeleidende eigenschappen verkrijgt.Op de laag 11 wordt, bijvoorbeeld door middel van sputteren, een laag 12uit zilver aangebracht met een dikte van 50 nm, zie Figuur 2b. De lagenworden vervolgens onderworpen aan een uitstookbehandeling bij 450°C inzuurstof gedurende 0.5 uur, waarbij een supergeleidend contact wordtverkregen tussen het zilver 12 en het supergeleidende materiaal 11.
Het oppervlak van de zilverlaag wordt omgezet inzilversulfaat Ag2S04 door een reactie met een gasmengsel van H2Sen N2 (volumeverhouding 1 : 4) bij kamertemperatuur en een druk van 1atmosfeer gedurende 10 minuten, gevolgd door een nastookbehandeling bij350°C in zuurstof gedurende 1 uur. Hierdoor wordt een laag 13 uitzilversulfaat vervaardigd met een dikte van ongeveer 2 nm.
Een tweede supergeleidende laag 11', aangebracht op eensubstraat 10' en voorzien van een zilverlaag 12' wordt op dezilversulfaatlaag 13 geperst bij een temperatuur van 200°C en een
O
persdruk van ongeveer 30 N/mm m een zuurstofatmosfeer. Figuur 1toont de op deze wijze vervaardigde Josephson inrichting.
Vóór het samenpersen van de twee delen van deJosephson inrichting kunnen desgewenst op bekende wijze patronen in delagen worden aangebracht, bijvoorbeeld door middel vanfotolithografische technieken, gevolgd door plasma- of ionetsen.
De Josephson inrichting kan ook op een zodanige wijzeworden vervaardigd, dat na het vormen van de zilversulfaatlaag 13 daaropeen laag 12' uit zilver wordt opgedampt, waarna daarop eensupergeleidende laag 11' wordt aangebracht.
Het is bijzonder doelmatig om de omzetting vanzilversulfide (gevormd door de reactie met H2S) in zilversulfaat gelijktijdig te doen plaatsvinden met de voor de supergeleidende laag oflagen benodigde uitstookbehandeling.
Uitvoerinasvoorbeeld 2.
Een Josephson inrichting wordt vervaardigd op de inuitvoeringsvoorbeeld 1 aangegeven wijze, met het onderscheid, dat dezilversulfaatlaag 13 wordt vervaardigd door een reactie van dezilverlaag 12 met een gasmengsel van SO2 en SO3 (volumeverhouding 1: 1) bij kamertemperatuur en atmosferische druk gedurende 10 minuten.

Claims (5)

1. Planaire Josephson inrichting met twee lagen van eenoxidisch supergeleidend materiaal met daartussen ten minste één niet-supergeleidende laag, met het kenmerk, dat de niet-supergeleidende laagbestaat uit zilversulfaat dat met de supergeleidende lagen is verbondenvia lagen uit zilver.
2. Werkwijze voor het vervaardigen van een Josephsoninrichting met twee lagen van een oxidisch supergeleidend materiaal metdaartussen ten minste één niet-supergeleidende laag, met hetkenmerk, dat de niet-supergeleidende laag wordt vervaardigd uitzilversulfaat dat met de supergeleidende lagen wordt verbonden via lagenuit zilver.
3. Werkwijze volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat hetzilversulfaat wordt vervaardigd uit zilver door een reactie met eenmengsel van zwaveldioxide en zwaveltrioxide.
4. Werkwijze volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat hetzilversulfaat wordt vervaardigd uit zilver door een reactie metwaterstofsulfide gevolgd door oxidatie met zuurstof.
5. Werkwijze volgens conclusie 4, met het kenmerk, dat deoxidatie met zuurstof gelijktijdig met een uitstookstap van hetoxidische supergeleidende materiaal wordt uitgevoerd.
NL8901874A 1989-07-20 1989-07-20 Planaire josephson inrichting. NL8901874A (nl)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8901874A NL8901874A (nl) 1989-07-20 1989-07-20 Planaire josephson inrichting.
US07/549,341 US5015623A (en) 1989-07-20 1990-07-06 Planar Josephson device with a silver salt interlayer
DE69016294T DE69016294T2 (de) 1989-07-20 1990-07-16 Planarer Josephson-Übergang.
EP90201922A EP0409338B1 (en) 1989-07-20 1990-07-16 Planar Josephson device
CN90104605A CN1048950A (zh) 1989-07-20 1990-07-17 平面型约瑟夫逊器件
JP2187360A JPH0358488A (ja) 1989-07-20 1990-07-17 プレーナ型ジョセフソン素子及びその製造方法
KR1019900010935A KR910003849A (ko) 1989-07-20 1990-07-19 평면 조셉슨 장치 및 이것의 제조방법

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8901874 1989-07-20
NL8901874A NL8901874A (nl) 1989-07-20 1989-07-20 Planaire josephson inrichting.

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL8901874A true NL8901874A (nl) 1991-02-18

Family

ID=19855071

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL8901874A NL8901874A (nl) 1989-07-20 1989-07-20 Planaire josephson inrichting.

Country Status (7)

Country Link
US (1) US5015623A (nl)
EP (1) EP0409338B1 (nl)
JP (1) JPH0358488A (nl)
KR (1) KR910003849A (nl)
CN (1) CN1048950A (nl)
DE (1) DE69016294T2 (nl)
NL (1) NL8901874A (nl)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69117378T2 (de) * 1990-07-19 1996-09-12 Sumitomo Electric Industries Supraleitende Einrichtung mit geschichteter Struktur, zusammengesetzt aus oxidischem Supraleiter und Isolatordünnschicht und deren Herstellungsmethode
EP0482387B1 (de) * 1990-10-26 1995-08-30 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Herstellung einer supraleitenden Schicht aus YBa2Cu3O7 auf einem Substrat aus Saphir
JPH04214097A (ja) * 1990-12-13 1992-08-05 Sumitomo Electric Ind Ltd 超電導薄膜の作製方法
DE69127070T2 (de) * 1991-05-01 1998-02-12 Ibm Supraleitende Schaltkreis-Bauelemente mit metallischem Substrat und deren Herstellungsverfahren
WO1993001621A1 (en) * 1991-07-03 1993-01-21 Cookson Group Plc Alkaline earth metal sulphate uses
US7330744B2 (en) * 2001-11-14 2008-02-12 Nexans Metal salt resistive layer on an superconducting element
US6884527B2 (en) * 2003-07-21 2005-04-26 The Regents Of The University Of California Biaxially textured composite substrates

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63234533A (ja) * 1987-03-24 1988-09-29 Agency Of Ind Science & Technol ジヨセフソン接合素子の形成方法
CA1329952C (en) * 1987-04-27 1994-05-31 Yoshihiko Imanaka Multi-layer superconducting circuit substrate and process for manufacturing same
JPS6431475A (en) * 1987-07-28 1989-02-01 Univ Tokyo Superconducting device and forming method thereof
US4811380A (en) * 1988-01-29 1989-03-07 Motorola, Inc. Cellular radiotelephone system with dropped call protection
DE3805010A1 (de) * 1988-02-18 1989-08-24 Kernforschungsanlage Juelich Verfahren zur herstellung duenner schichten aus oxydischem hochtemperatur-supraleiter
JP2644284B2 (ja) * 1988-05-30 1997-08-25 株式会社東芝 超電導素子
JPH074073B2 (ja) * 1988-07-04 1995-01-18 松下電器産業株式会社 超音波モータ

Also Published As

Publication number Publication date
EP0409338B1 (en) 1995-01-25
DE69016294T2 (de) 1995-08-24
CN1048950A (zh) 1991-01-30
US5015623A (en) 1991-05-14
DE69016294D1 (de) 1995-03-09
KR910003849A (ko) 1991-02-28
EP0409338A2 (en) 1991-01-23
JPH0358488A (ja) 1991-03-13
EP0409338A3 (en) 1991-06-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4994435A (en) Laminated layers of a substrate, noble metal, and interlayer underneath an oxide superconductor
US5047390A (en) Josephson devices and process for manufacturing the same
NL8901874A (nl) Planaire josephson inrichting.
KR970005156B1 (ko) 산화 초전도 물질 코팅방법
EP0336505A1 (en) Device and method of manufacturing a device
JPS63224116A (ja) 薄膜超電導体の製造方法
US4988672A (en) Method of forming oxide superconducting layers by solid state diffusion
US5132280A (en) Method of producing a superconductive oxide layer on a substrate
JPH0355889A (ja) 超電導多層回路の製造方法
NL8900405A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een josephson junktie.
US5462921A (en) Method of forming Hg-containing oxide superconducting films
EP0333513B1 (en) Oxide superconductor
WO1989003125A1 (en) A process for producing an electric circuit including josephson diodes
JP2776004B2 (ja) ジョセフソン素子の製造方法
JPH01219023A (ja) 超伝導体薄膜の製造方法
JP2822623B2 (ja) 超伝導体への電極形成方法
EP0509886A2 (en) Process for patterning layered thin films including a superconductor layer
EP0298933A2 (en) Method for the manufacture of copper oxide superconducting films
JP3058515B2 (ja) 超電導ジョセフソン素子およびその製法
JPH01169981A (ja) 超電導薄膜の製造方法
JPH01282105A (ja) 超伝導セラミック膜の製造方法
JPH04171872A (ja) ジョセフソン素子およびその製造方法
JPS63310182A (ja) 超電導配線の形成方法
JPH01105416A (ja) 薄膜超電導体の製造方法
JPH03205882A (ja) 複合酸化物超電導材料を用いたトンネル接合素子

Legal Events

Date Code Title Description
A1B A search report has been drawn up
BV The patent application has lapsed