JPH01169981A - 超電導薄膜の製造方法 - Google Patents
超電導薄膜の製造方法Info
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- JPH01169981A JPH01169981A JP62328578A JP32857887A JPH01169981A JP H01169981 A JPH01169981 A JP H01169981A JP 62328578 A JP62328578 A JP 62328578A JP 32857887 A JP32857887 A JP 32857887A JP H01169981 A JPH01169981 A JP H01169981A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は安定なセラミックス系超電導薄膜の製造方法に
関するものである。
関するものである。
従来の技術
セラミックス系超電導薄膜は、サファイヤ。
ＳｒＴｉＯ３等の基板上にスパッタ法、電子ビーム蒸着
法２分子線エピタキシー法等を用いて形成し、しかる後
８００〜９ｏｏ℃で酸素雰囲気中で熱処理する方法が用
いられている。
法２分子線エピタキシー法等を用いて形成し、しかる後
８００〜９ｏｏ℃で酸素雰囲気中で熱処理する方法が用
いられている。
発明が解決しようとする問題点
セラミックス系超電導薄膜は、薄膜の形成方法。
アニール方法によって超電導薄膜の抵抗がゼロになる温
度が大きく異なったり、或は経時変化が大きかったり、
時には超電導特性を示さないという問題がある。
度が大きく異なったり、或は経時変化が大きかったり、
時には超電導特性を示さないという問題がある。
本発明はセラミックス系超電導薄膜の電気抵抗がゼロに
なる温度Ｔ の経時変化が少なく、超電導薄膜を流れる
電流Ｉ の大きい超電導薄膜の新しい製造方法を提供す
る。
なる温度Ｔ の経時変化が少なく、超電導薄膜を流れる
電流Ｉ の大きい超電導薄膜の新しい製造方法を提供す
る。
問題点を解決するための手段
本発明はセラミックス系超電導薄膜の電気抵抗がゼロに
なる温度Ｔ の経時変化が少なく超電導薄膜を流れる電
流Ｉ の大きい超電導薄膜の形成方法として、極めて薄
いセラミックス系超電導薄膜の表面を酸素プラズマ処理
をし、その表面上に極めて薄いセラミックス系超電導薄
膜を形成し、再び表面を酸素プラズマ処理をするという
工程を繰り返して、表面を酸素プラズマ処理をしたセラ
ミックス系超電導薄膜を多層に形成することで良好な特
性を有する超電導薄膜が形成されることを見出したもの
である。
なる温度Ｔ の経時変化が少なく超電導薄膜を流れる電
流Ｉ の大きい超電導薄膜の形成方法として、極めて薄
いセラミックス系超電導薄膜の表面を酸素プラズマ処理
をし、その表面上に極めて薄いセラミックス系超電導薄
膜を形成し、再び表面を酸素プラズマ処理をするという
工程を繰り返して、表面を酸素プラズマ処理をしたセラ
ミックス系超電導薄膜を多層に形成することで良好な特
性を有する超電導薄膜が形成されることを見出したもの
である。
作 用
酸素プラズマ処理したセラミックス系超電導薄膜を多層
に形成することで、Ｔｏの経時変化が少なく、■。が大
きいのは、セラミック超電導薄膜の特性向上には酸素が
重要な働きをし、酸素欠損の度合で特性が変化するのを
酸素プラズマ処理したセラミックス系超電導薄膜を多層
に形成することで抑制しているためである。
に形成することで、Ｔｏの経時変化が少なく、■。が大
きいのは、セラミック超電導薄膜の特性向上には酸素が
重要な働きをし、酸素欠損の度合で特性が変化するのを
酸素プラズマ処理したセラミックス系超電導薄膜を多層
に形成することで抑制しているためである。
実施例
以下本発明を実施例により図面を参照して説明する。
第１図〜第４図は本発明の一実施例を説明するためのセ
ラミックス系超電導薄膜の製造工程を示す断面図である
。
ラミックス系超電導薄膜の製造工程を示す断面図である
。
サファイヤからなる基板１にＹ（イツトリウム）−Ｂａ
（バリウム）−Ｃｕ（銅）−０（酸素）からなる焼結体
をターゲットとして、アルゴンと酸素雰囲気中でＹ１Ｂ
ａ２Ｃｕ３Ｏ７−エからなる薄膜２を１ｏ。
（バリウム）−Ｃｕ（銅）−０（酸素）からなる焼結体
をターゲットとして、アルゴンと酸素雰囲気中でＹ１Ｂ
ａ２Ｃｕ３Ｏ７−エからなる薄膜２を１ｏ。
人形酸する。（第１図）。酸素雰囲気からなるプラズマ
中に３０分間上記試料をさらし、表面近傍に酸素プラズ
マで処理した層３を形成する（第２図）。次いで酸素プ
ラズマで処理した層３上に再（）スパッタ法でＹ１Ｂａ
２Ｃｕ３０□−８の薄膜２を形成する（第３図）。この
工程をたとえば１００回繰り返えし１００層からなる１
μｍの多層超電導薄膜を形成した（第４図）。
中に３０分間上記試料をさらし、表面近傍に酸素プラズ
マで処理した層３を形成する（第２図）。次いで酸素プ
ラズマで処理した層３上に再（）スパッタ法でＹ１Ｂａ
２Ｃｕ３０□−８の薄膜２を形成する（第３図）。この
工程をたとえば１００回繰り返えし１００層からなる１
μｍの多層超電導薄膜を形成した（第４図）。
この試料の電気抵抗を４端子法で測定すると抵抗がゼロ
になる温度Ｔ。は９４°にであった。又電流密度Ｊ を
測定すると４ Ｘ １０ Ａ ／ ｃＪであった。−
力木発明の多層の超電導薄膜を形成せず、本発明と同様
のスパッタ法で単層の超電導薄膜を１μｍ形成した試料
のＴ は６８°にで、Ｉ゛ はＣＣ １ｏ４Ａ／ｄであった。
になる温度Ｔ。は９４°にであった。又電流密度Ｊ を
測定すると４ Ｘ １０ Ａ ／ ｃＪであった。−
力木発明の多層の超電導薄膜を形成せず、本発明と同様
のスパッタ法で単層の超電導薄膜を１μｍ形成した試料
のＴ は６８°にで、Ｉ゛ はＣＣ １ｏ４Ａ／ｄであった。
Ｔ、の経時変化を上記の本発明と従来例で比較すると本
発明では１０００時間経過後もＴｃの劣化は見られない
が、従来の方法では数時間で劣化が見られた。
発明では１０００時間経過後もＴｃの劣化は見られない
が、従来の方法では数時間で劣化が見られた。
超電導薄膜の層は少なくとも２層以上が必要で、１層で
は経時変化の抑制には効果がなかった。又１層の厚みは
出来るだけ薄いことが望ましく、１μｍ以上では本発明
のＴ。、ＩＣが大きく、経時変化の少ない超電導薄膜は
得られなかった。
は経時変化の抑制には効果がなかった。又１層の厚みは
出来るだけ薄いことが望ましく、１μｍ以上では本発明
のＴ。、ＩＣが大きく、経時変化の少ない超電導薄膜は
得られなかった。
実施例ではＹ−ｒＢａ Ｃｕ Ｏについて説明した
が、Ｅｒ−Ｂａ−Ｃｕ−０等の他のセラミックス系超電
導薄膜を用いても良い。本発明は酸素プラズマ処理した
超電導薄膜を多層に重ねて形成することを主旨とするも
ので、本発明は実施例で限定されるものではない。
が、Ｅｒ−Ｂａ−Ｃｕ−０等の他のセラミックス系超電
導薄膜を用いても良い。本発明は酸素プラズマ処理した
超電導薄膜を多層に重ねて形成することを主旨とするも
ので、本発明は実施例で限定されるものではない。
発明の詳細
な説明した様に本発明を用いることで、Ｔｃの経時変化
が少なく、Ｊｏの大きいセラミックス系超電導薄膜が得
られ、その工業的価値は大であ
が少なく、Ｊｏの大きいセラミックス系超電導薄膜が得
られ、その工業的価値は大であ
第１図〜第４図は本発明を説明するための超電導薄膜の
製造工程断面図である。 １・・・・・・す７アイヤ基板、２・・・・・Ｙ１Ｂａ
２Ｃｕ３Ｏ７−Ｘからなる超電導薄膜、３・・・・・・
酸素プラズマ処理した層。
製造工程断面図である。 １・・・・・・す７アイヤ基板、２・・・・・Ｙ１Ｂａ
２Ｃｕ３Ｏ７−Ｘからなる超電導薄膜、３・・・・・・
酸素プラズマ処理した層。
Claims (3)
- （１）セラミックス系超電導薄膜の表面を酸素プラズマ
にさらして、前記セラミックス系超電導薄膜の表面を酸
素プラズマ処理する工程、酸素プラズマ処理した前記セ
ラミックス系超電導薄膜上にセラミックス系超電導薄膜
を形成する工程を含むことを特徴とする超電導薄膜の製
造方法。 - （２）酸素プラズマ処理したセラミックス系超電導薄膜
を２層以上形成することを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の超電導薄膜の製造方法。 - （３）一層のセラミックス系超電導薄膜の膜厚を１μｍ
以下に形成することを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の超電導薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62328578A JPH01169981A (ja) | 1987-12-24 | 1987-12-24 | 超電導薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62328578A JPH01169981A (ja) | 1987-12-24 | 1987-12-24 | 超電導薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01169981A true JPH01169981A (ja) | 1989-07-05 |
Family
ID=18211843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62328578A Pending JPH01169981A (ja) | 1987-12-24 | 1987-12-24 | 超電導薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01169981A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6705003B2 (en) * | 2000-06-22 | 2004-03-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Printed wiring board with plurality of interconnect patterns and conductor bumps |
| KR100867756B1 (ko) * | 2008-04-03 | 2008-11-10 | 주식회사 케이아이자이맥스 | 고속/고밀도 마그네트론 스퍼터링 법을 이용한 세라믹인쇄회로기판의 원판 제조 방법 |
-
1987
- 1987-12-24 JP JP62328578A patent/JPH01169981A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6705003B2 (en) * | 2000-06-22 | 2004-03-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Printed wiring board with plurality of interconnect patterns and conductor bumps |
| KR100867756B1 (ko) * | 2008-04-03 | 2008-11-10 | 주식회사 케이아이자이맥스 | 고속/고밀도 마그네트론 스퍼터링 법을 이용한 세라믹인쇄회로기판의 원판 제조 방법 |
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