JPH0355889A - 超電導多層回路の製造方法 - Google Patents
超電導多層回路の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、導体に超電導体を用いた多層回路の製造方法
に関する． 〔従来の技術〕 従来、電子機器に用いられる多層回路は、導体に常電導
体や半導体を用い、導体膜の形或、レジスト処理、エッ
チングの諸工程を施して形成されている．しかしながら
この方法によると回路部位が突出して形成される為、回
路を多層に形成する場合、非回路部に絶縁物を埋込んで
回路表面を平坦にして積層する必要があり、生産性に劣
るもの．であった． ところで超電導体は極低温に冷却することにより抵抗Ｏ
で大容量の電流を通電し得るもので、電子機器等への応
用が活発に研究されている．特に近年液体窒素温度で超
電導を示すＹ−Ｂａ−Ｃｕ一〇系、Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−
Ｃｕ−０系等の酸化物超電導体が見出され、その実用化
には益々拍車がかかった状況にある． しかしながら上記超電導体特に酸化物超電導体の場合は
組威量の僅かな差又は゛結晶配向によって、臨界温度（
Ｔｃ ）や臨界電流密度（ＪＣ）が著しく変化するもの
であ，り、とりわけ酸化物超電導体を多層回路に応用す
るには、上記特徴を生かした製造方法の開発が必要とさ
れている． 〔課題を解決するための手段〕 本発明はかかる状況に鑑みなされたものでその目的とす
るところは、Ｊｃ値の高い超電導多層回路を効率よく製
造する方法を提供することにある．即ち本発明は、基体
上に、超電導体又はその類似体を膜状に形成するＡ工程
、上記超電導体膜又はその類似体膜の所定部位にそれぞ
れ特定或分の離脱又は注入処理を施して超電導体の回路
パターンを形成するＢ工程を順次所望回数繰り返し施し
て超電導多層回路を形成することを特徴とするものであ
る． 本発明方法は、基体上に超電導体膜を形成し、この超電
導体膜の回路となる部位以外の部位に特定威分を注入又
は離脱せしめる処理を施して上記回路となる部位以外の
超電導体膜を非超電導体膜となす方法、又は基体上に類
似体、つまり低Ｔｃの超電導体又は非導電性物質の膜体
を形成し、この類似体膜の回路となる部位に特定威分を
注入又は離脱する処理を施して上記回路となる部位の類
似体膜を超電導体膜となす方法のいずれかの方法にて回
路を形成し、これらの操作を繰り返して多層回路となす
方法である． 本発明方法において、超電導体としては、Ｙ−Ｂａ−Ｃ
ｕ−０系等の酸化物超電導体の他任意の超電導体が適用
し得る．又上記超電導体の類似体とは、超電導体と結晶
構造が同じで超電導体の構或元素の一部が欠損した物質
又は上記元素が過剰に含有された物質又は上記構威元素
以外の元素が含有された物質であって、前述の如く超電
導体に較べてＴ，の低い物質又は非導電性物質からなる
ものである．即ちＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系について例示す
るとＴ，８５ 〜９５ＫのＹ Ｂ ａ ｘ Ｃ ｕ ３
０ ｑ組或の酸化物超電導体にＮ，Ｂ，Ｇａ，Ｎｅ，
Ｎｉ，Ｆｅ，Ｚｎ等の特定威分を注入し必要に応して加
熱処理を施してＴ，を７７Ｋ未満の温度に低下せしめた
物質である． 本発明方法において、超電導体又はその類似体を形或す
る基体には、超電導体と非反応性の金属例えば、ＣｕＳ
Ｎｉ，Ｆｅ，Ｇｏ，Ｃｒ，Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｍｏ，Ｐ
ｄ等の金属又は上記金属の合金即ちＳＵＳ，Ｃｕ−Ｎｉ
，Ｆｅ−Ｎｉ，Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ，Ｎｉ−Ｃｒ−Ｆｅ，
Ａｇ−Ｎｉ，Ｃｕ−Ｆｅ系合金等、又はＡＩ．ｔＯｓ
、Ｓ ｉ ０２、ＺｒＯ．、安定化ＺｒＯｉ 、ＴｈＯ
ｚ 、ＡＩＮ，Ｓｉ．Ｎｎ 、ＳｉＣ，ＴｉＯｚ 、
ＴｉＮ，ＭｇＯ，ＢａＺｒＯ． 、ＫＴａＯｘ 、
ＦｅＡ／！Ｏｎ 、ＢａＴｉ０３等のセラミックスが
用いられ、特に基体が超電導体と結晶整合性を有する場
合は、超電導体膜を基体上に所望方位に結晶配向して形
戒することができる． 本発明方法において、超電導体又はその類似体を基体上
に膜状に形成する方法としてはスパッタリング法、真空
蒸着法、ＣＶＤ法等の気相析出法が用いられる． 上記基体上に形成した超電導体膜又は類似体膜に回路を
形成する方法としては、レジスト膜を用いる方法が一般
的であるが、集束イオンビームを局部的に照射する方法
によっても形成することができる． 以下に本発明方法を図を参照して具体的に説明する． 第１図イ〜ホは本発明方法の一実施例を示す工程説明図
である．図において１は基体、２は超電導体膜である。
に関する． 〔従来の技術〕 従来、電子機器に用いられる多層回路は、導体に常電導
体や半導体を用い、導体膜の形或、レジスト処理、エッ
チングの諸工程を施して形成されている．しかしながら
この方法によると回路部位が突出して形成される為、回
路を多層に形成する場合、非回路部に絶縁物を埋込んで
回路表面を平坦にして積層する必要があり、生産性に劣
るもの．であった． ところで超電導体は極低温に冷却することにより抵抗Ｏ
で大容量の電流を通電し得るもので、電子機器等への応
用が活発に研究されている．特に近年液体窒素温度で超
電導を示すＹ−Ｂａ−Ｃｕ一〇系、Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−
Ｃｕ−０系等の酸化物超電導体が見出され、その実用化
には益々拍車がかかった状況にある． しかしながら上記超電導体特に酸化物超電導体の場合は
組威量の僅かな差又は゛結晶配向によって、臨界温度（
Ｔｃ ）や臨界電流密度（ＪＣ）が著しく変化するもの
であ，り、とりわけ酸化物超電導体を多層回路に応用す
るには、上記特徴を生かした製造方法の開発が必要とさ
れている． 〔課題を解決するための手段〕 本発明はかかる状況に鑑みなされたものでその目的とす
るところは、Ｊｃ値の高い超電導多層回路を効率よく製
造する方法を提供することにある．即ち本発明は、基体
上に、超電導体又はその類似体を膜状に形成するＡ工程
、上記超電導体膜又はその類似体膜の所定部位にそれぞ
れ特定或分の離脱又は注入処理を施して超電導体の回路
パターンを形成するＢ工程を順次所望回数繰り返し施し
て超電導多層回路を形成することを特徴とするものであ
る． 本発明方法は、基体上に超電導体膜を形成し、この超電
導体膜の回路となる部位以外の部位に特定威分を注入又
は離脱せしめる処理を施して上記回路となる部位以外の
超電導体膜を非超電導体膜となす方法、又は基体上に類
似体、つまり低Ｔｃの超電導体又は非導電性物質の膜体
を形成し、この類似体膜の回路となる部位に特定威分を
注入又は離脱する処理を施して上記回路となる部位の類
似体膜を超電導体膜となす方法のいずれかの方法にて回
路を形成し、これらの操作を繰り返して多層回路となす
方法である． 本発明方法において、超電導体としては、Ｙ−Ｂａ−Ｃ
ｕ−０系等の酸化物超電導体の他任意の超電導体が適用
し得る．又上記超電導体の類似体とは、超電導体と結晶
構造が同じで超電導体の構或元素の一部が欠損した物質
又は上記元素が過剰に含有された物質又は上記構威元素
以外の元素が含有された物質であって、前述の如く超電
導体に較べてＴ，の低い物質又は非導電性物質からなる
ものである．即ちＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系について例示す
るとＴ，８５ 〜９５ＫのＹ Ｂ ａ ｘ Ｃ ｕ ３
０ ｑ組或の酸化物超電導体にＮ，Ｂ，Ｇａ，Ｎｅ，
Ｎｉ，Ｆｅ，Ｚｎ等の特定威分を注入し必要に応して加
熱処理を施してＴ，を７７Ｋ未満の温度に低下せしめた
物質である． 本発明方法において、超電導体又はその類似体を形或す
る基体には、超電導体と非反応性の金属例えば、ＣｕＳ
Ｎｉ，Ｆｅ，Ｇｏ，Ｃｒ，Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｍｏ，Ｐ
ｄ等の金属又は上記金属の合金即ちＳＵＳ，Ｃｕ−Ｎｉ
，Ｆｅ−Ｎｉ，Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ，Ｎｉ−Ｃｒ−Ｆｅ，
Ａｇ−Ｎｉ，Ｃｕ−Ｆｅ系合金等、又はＡＩ．ｔＯｓ
、Ｓ ｉ ０２、ＺｒＯ．、安定化ＺｒＯｉ 、ＴｈＯ
ｚ 、ＡＩＮ，Ｓｉ．Ｎｎ 、ＳｉＣ，ＴｉＯｚ 、
ＴｉＮ，ＭｇＯ，ＢａＺｒＯ． 、ＫＴａＯｘ 、
ＦｅＡ／！Ｏｎ 、ＢａＴｉ０３等のセラミックスが
用いられ、特に基体が超電導体と結晶整合性を有する場
合は、超電導体膜を基体上に所望方位に結晶配向して形
戒することができる． 本発明方法において、超電導体又はその類似体を基体上
に膜状に形成する方法としてはスパッタリング法、真空
蒸着法、ＣＶＤ法等の気相析出法が用いられる． 上記基体上に形成した超電導体膜又は類似体膜に回路を
形成する方法としては、レジスト膜を用いる方法が一般
的であるが、集束イオンビームを局部的に照射する方法
によっても形成することができる． 以下に本発明方法を図を参照して具体的に説明する． 第１図イ〜ホは本発明方法の一実施例を示す工程説明図
である．図において１は基体、２は超電導体膜である。
基体１上に超電導体膜２を薄く形成し（図イ）、上記超
電導体膜２上の所定部位にレジスト膜３を形成し（図ロ
）、次いで上記超電導体ＩＮ１２の露出部位にイオンビ
ームにより特定威分を注入したのちレジスト膜３を除去
し、必要に応じ加熱処理を施して非回路部位となる部位
の超電導体膜２を超電導体よりＴ，の低い超電導体の類
似体膜４に反応せしめて表面が平坦な第１層の回路５を
形成した（図八）、次いで上記回路上に再度超電導体膜
ｌ２を形成しｃ図二）、以後第１層と同様にして回路部
以外の部位を超電導体の類似体膜１４となして第２層の
回路１５を形成した（図ホ）．上記において回路となさ
しめる部位への特定威分の注入はイオンビームにより注
入したが、所定部位の超電導体を熱線、熱凪、レーザー
ピームなどにより当該部位を加熱し超電導体の酸素を解
離放出して非回路部となすこともできる．上記加熱温度
は大気中では７００℃以上を要するが、真空中であれば
２００〜３００゜Ｃで酸素を解離放出することができる
． 第２図イ〜ホは、本発明方法の他の実施例を示す工程説
明図である。
電導体膜２上の所定部位にレジスト膜３を形成し（図ロ
）、次いで上記超電導体ＩＮ１２の露出部位にイオンビ
ームにより特定威分を注入したのちレジスト膜３を除去
し、必要に応じ加熱処理を施して非回路部位となる部位
の超電導体膜２を超電導体よりＴ，の低い超電導体の類
似体膜４に反応せしめて表面が平坦な第１層の回路５を
形成した（図八）、次いで上記回路上に再度超電導体膜
ｌ２を形成しｃ図二）、以後第１層と同様にして回路部
以外の部位を超電導体の類似体膜１４となして第２層の
回路１５を形成した（図ホ）．上記において回路となさ
しめる部位への特定威分の注入はイオンビームにより注
入したが、所定部位の超電導体を熱線、熱凪、レーザー
ピームなどにより当該部位を加熱し超電導体の酸素を解
離放出して非回路部となすこともできる．上記加熱温度
は大気中では７００℃以上を要するが、真空中であれば
２００〜３００゜Ｃで酸素を解離放出することができる
． 第２図イ〜ホは、本発明方法の他の実施例を示す工程説
明図である。
基体１上に超電導体の酸素量を低減させた類似体（以下
類似体と略記）を膜状４に形成し（図イ）次いで上記類
似体膜４上に回路部となる部位を除く部位にレジスト膜
３を形成し（図ロ）、次いで類似体膜４の露出部に酸素
イオンを注入して上記回路部となる位置の類似体膜４を
超電導体膜２に反応せしめて第１層の回路５を形成し（
図ハ）、次いでこの第１層の回路５上に低Ｔ，又は非導
電性の類似体膜１４を形成し（図二）、第１層と同じ方
法により第２層の回路ｌ５を形或する（図ホ）この操作
を繰り返すことにより３層以上の多層回路が形成される
。
類似体と略記）を膜状４に形成し（図イ）次いで上記類
似体膜４上に回路部となる部位を除く部位にレジスト膜
３を形成し（図ロ）、次いで類似体膜４の露出部に酸素
イオンを注入して上記回路部となる位置の類似体膜４を
超電導体膜２に反応せしめて第１層の回路５を形成し（
図ハ）、次いでこの第１層の回路５上に低Ｔ，又は非導
電性の類似体膜１４を形成し（図二）、第１層と同じ方
法により第２層の回路ｌ５を形或する（図ホ）この操作
を繰り返すことにより３層以上の多層回路が形成される
。
上記において第１層の回路上にバッファ層を設け、この
バッファ層上に第２層を形成するようにしてもよい． 又酸化物超電導体と類似体との相互変換は酸素量を注入
又は放出して行う方法が、作業性に優れ好ましい方法で
ある．具体的には、上述の如くイオンビーム等により注
入する方法の他、類似体又は酸化物超電導体を低温プラ
ズマにて活性化した酸素気流中又は真空中に曝し、所定
温度に加熱１，て酸素を補給又は放出する方法も実用可
能である。
バッファ層上に第２層を形成するようにしてもよい． 又酸化物超電導体と類似体との相互変換は酸素量を注入
又は放出して行う方法が、作業性に優れ好ましい方法で
ある．具体的には、上述の如くイオンビーム等により注
入する方法の他、類似体又は酸化物超電導体を低温プラ
ズマにて活性化した酸素気流中又は真空中に曝し、所定
温度に加熱１，て酸素を補給又は放出する方法も実用可
能である。
ちなみに酸素含有量とＴ，との関係をＹＢａ．ＣｕｚＣ
）＋＋の酸化物超電導体について示すとＸが１．０，６
．１、６．５に対し、Ｔ，はそれぞれ８０Ｋ以上、７７
Ｋ未満、５５Ｋ以下と大きく変化するものである．勿論
酸素以外の超ｔ導体構或元素を欠損又は過剰に注入した
類似体を用いても良い。
）＋＋の酸化物超電導体について示すとＸが１．０，６
．１、６．５に対し、Ｔ，はそれぞれ８０Ｋ以上、７７
Ｋ未満、５５Ｋ以下と大きく変化するものである．勿論
酸素以外の超ｔ導体構或元素を欠損又は過剰に注入した
類似体を用いても良い。
本発明方法において、回路の形或方法を層毎Ｋかえても
差支えなく、例えば第１層を第１図に示した方法、第２
層を第２図に示したた方法で形成してもよく、更には従
来のエッチング方法を併用することもできる。
差支えなく、例えば第１層を第１図に示した方法、第２
層を第２図に示したた方法で形成してもよく、更には従
来のエッチング方法を併用することもできる。
本発明ではｍ威が僅かに異なるだけで導電性が大幅に変
化する超電導体物質を膜状に形成し、この膜体に局部的
に特定成分を注入又は離脱せしめて上記膜体に導通部又
は非導通部を形成して回路を構戒するもので、特定成分
の注入、離脱をイオン注入法等により行うことにより微
細加工が可能であり、又基体に超電導体との結晶整合性
を有する物質を用いることにより、超電導体結晶を通電
方向に電流の流れ易い方位に配向させて形或することが
できる。又従来のエッチング法と異なり平坦な回路面が
得られるので、後処理が不要となり、多層化が容易にな
される． 〔実施例〕 以下に本発明を実施例により詳細に説明する。
化する超電導体物質を膜状に形成し、この膜体に局部的
に特定成分を注入又は離脱せしめて上記膜体に導通部又
は非導通部を形成して回路を構戒するもので、特定成分
の注入、離脱をイオン注入法等により行うことにより微
細加工が可能であり、又基体に超電導体との結晶整合性
を有する物質を用いることにより、超電導体結晶を通電
方向に電流の流れ易い方位に配向させて形或することが
できる。又従来のエッチング法と異なり平坦な回路面が
得られるので、後処理が不要となり、多層化が容易にな
される． 〔実施例〕 以下に本発明を実施例により詳細に説明する。
実施例１
６ ５ ０ ’Ｃに加熱したＭｇＯ基体の（１００）面
上に、ＥｒＢａｉ．＋Ｃｕｓ．ｓＯｘの複合酸化物をタ
ーゲットに用いたマグネトロンスパッタリング法により
Ｅ ｒ Ｂ ａ ｚ Ｃ ｕ ｓ Ｏ ｙ組威のエビタ
キシャル膜をａｂ軸を含む面を通電方向に配向させて０
． ５一の厚さに形成した． 上記においてマグネトロンスパッタリングはＡｒ＋２０
％Ｏ！ ８ ０ｓＴｏｒｒの雰囲気中でＲＦ出力１００
Ｗの条件にて行った。
上に、ＥｒＢａｉ．＋Ｃｕｓ．ｓＯｘの複合酸化物をタ
ーゲットに用いたマグネトロンスパッタリング法により
Ｅ ｒ Ｂ ａ ｚ Ｃ ｕ ｓ Ｏ ｙ組威のエビタ
キシャル膜をａｂ軸を含む面を通電方向に配向させて０
． ５一の厚さに形成した． 上記においてマグネトロンスパッタリングはＡｒ＋２０
％Ｏ！ ８ ０ｓＴｏｒｒの雰囲気中でＲＦ出力１００
Ｗの条件にて行った。
而して上記Ｅ ｒ Ｂ ａ ！Ｃ ｕ３０，膜を炉中酸
素気流中にて９００″ＣＩ５分間加熱処理したのち１．
５’Ｃ／ｍｉｎの速度で５００゜Ｃまで冷却し炉外に取
出した． 上記ＥｒＢａｚＣｕｓ○Ｙ膜の加熱処理前後の酸素量及
びＴ，を測定したところ、酸素量は、Ｙ＝６．３５、６
．８８、Ｔｃは３０Ｋ、８４Ｋで加熱処理によってＴｃ
が液体窒素温度（７ ７ Ｋ）以上になったことを確認
した．次いで上記加熱処理後のＥｒＢａ，Ｃｕ．Ｏ，膜
の回路となる部位（幅５０μ）をフォトレジスト膜によ
り覆い、露出されている部分にＺｎを０．８Ｘ１０”イ
オン／ ｃｄの量注入し、しかるのちフォトレジスト膜
を除去し、全体を４００゜ＣＩＯ分間アニールして均質
化し、第１層の回路となした。Ｚｎ注入部位のＴ，は３
８Ｋであった． 次いで上記基体上の第１層回路上に真空蒸着法により０
．５μ厚さのＥｒＢａｚＣｕｓＯ，膜を形成した。
素気流中にて９００″ＣＩ５分間加熱処理したのち１．
５’Ｃ／ｍｉｎの速度で５００゜Ｃまで冷却し炉外に取
出した． 上記ＥｒＢａｚＣｕｓ○Ｙ膜の加熱処理前後の酸素量及
びＴ，を測定したところ、酸素量は、Ｙ＝６．３５、６
．８８、Ｔｃは３０Ｋ、８４Ｋで加熱処理によってＴｃ
が液体窒素温度（７ ７ Ｋ）以上になったことを確認
した．次いで上記加熱処理後のＥｒＢａ，Ｃｕ．Ｏ，膜
の回路となる部位（幅５０μ）をフォトレジスト膜によ
り覆い、露出されている部分にＺｎを０．８Ｘ１０”イ
オン／ ｃｄの量注入し、しかるのちフォトレジスト膜
を除去し、全体を４００゜ＣＩＯ分間アニールして均質
化し、第１層の回路となした。Ｚｎ注入部位のＴ，は３
８Ｋであった． 次いで上記基体上の第１層回路上に真空蒸着法により０
．５μ厚さのＥｒＢａｚＣｕｓＯ，膜を形成した。
上記の真空蒸着は、１ ０−’Ｔｏｒｒの真空中にてＥ
ｒ，Ｂａ，Ｃｕをそれぞれ別のるつぼに入れて溶融して
蒸発せしめ、蒸発元素はるつぼと基体間に配置したＲＦ
励起コイルによりイオン化し５９０゜Ｃに加熱した基体
上に酸素ガスを吹付けながら行った。
ｒ，Ｂａ，Ｃｕをそれぞれ別のるつぼに入れて溶融して
蒸発せしめ、蒸発元素はるつぼと基体間に配置したＲＦ
励起コイルによりイオン化し５９０゜Ｃに加熱した基体
上に酸素ガスを吹付けながら行った。
而して前記Ｅ ｒ Ｂ ａ ｔｃ ｕｘｏｙ膜に第１層
と同様にして幅５０−の回路を形或した．回路は第１層
の回路と導通した導通回路と第１層の回路と導通のない
独立回路の２通り形成した． 実施例２ 実施例ｌにおいて、Ｅ ｒ Ｂ ａ ｘｃ ｕ ３０ｙ
の膜厚を第１．２層とも０．３−となし、回路形戒をイ
オン注入法にかえて真空加熱処理法（３００゜ＣＸＩＨ
）により行った他は実施例ｌと同じ方法により導遥回路
と独立回路を有する２層回路を形成した。
と同様にして幅５０−の回路を形或した．回路は第１層
の回路と導通した導通回路と第１層の回路と導通のない
独立回路の２通り形成した． 実施例２ 実施例ｌにおいて、Ｅ ｒ Ｂ ａ ｘｃ ｕ ３０ｙ
の膜厚を第１．２層とも０．３−となし、回路形戒をイ
オン注入法にかえて真空加熱処理法（３００゜ＣＸＩＨ
）により行った他は実施例ｌと同じ方法により導遥回路
と独立回路を有する２層回路を形成した。
実施例３
実施例ｌと同ｅ基体面上に真空蒸着法（真空度０．５
×１ ０−’Ｔｏｒｒ）によりＹＢａｌＣｕｉＯｖの膜
を０．４μ厚さに形成した．上記ＹＢａｚＣｕ＝０９膜
の酸素量及びＴｃ＠測定したところ、酸素量は？ ＝
６． ４、Ｔ，は５４Ｋであった。
×１ ０−’Ｔｏｒｒ）によりＹＢａｌＣｕｉＯｖの膜
を０．４μ厚さに形成した．上記ＹＢａｚＣｕ＝０９膜
の酸素量及びＴｃ＠測定したところ、酸素量は？ ＝
６． ４、Ｔ，は５４Ｋであった。
次いで５０μ幅の回路部以外の部位をフォトレジスト膜
にて覆い、全体を２００℃に加熱しなからＥＣＲの０■
プラズマ処理を１５分間施して、第ｌ層の回路となした
， 次いで上記第１層回路上に真空蒸着法（真空度０． ５
Ｘ １ ０−’Ｔｏｒｒ）によりＹＢａｔＣｕｓ○ア
の膜を０． ４ ｎ厚さに形成し、これに第１層の場合
と同じ方法により回路を形成して、導通回路と独立回路
を有する２層回路を形成した． 斯くの如くして得られた各々の２層回路について導通回
路と独立回路のＴ，及びＪ，を測定した．Ｊ，は液体窒
素（７ ７ Ｋ）中にて４端子法により測定した．結果
は主な条件を併記して第１表に示した． 第１表より明らかなように本発明方法品はＴｃ、Ｊｃと
も高い値のものとなった． 上記実施例において、回路部のＴｃは８３〜８５Ｋであ
るのに対し、Ｚｎ注入又は酸素不足の非回路部はＴｃが
それぞれ３８Ｋ又は５４Ｋと低い為液体窒素温度では絶
縁体となり、従って回路の短絡等の事故は全く生じなか
った．又導通回路のＪｃは独立回路のＪ，より低いもの
の多層回路として十分な値を有しており、これは第１層
と第２層間がエビタキシャルに接合されていることを立
証するものである． 上記実施例では、回路幅が５０μと太く微細パターンと
は言い難いものであるが、原理的には半導体技術の最新
のリソグラフィー技術を用いることにより、回路幅はμ
更にはｓｕｂμオーダーの微細パターンに形或すること
が可能である。
にて覆い、全体を２００℃に加熱しなからＥＣＲの０■
プラズマ処理を１５分間施して、第ｌ層の回路となした
， 次いで上記第１層回路上に真空蒸着法（真空度０． ５
Ｘ １ ０−’Ｔｏｒｒ）によりＹＢａｔＣｕｓ○ア
の膜を０． ４ ｎ厚さに形成し、これに第１層の場合
と同じ方法により回路を形成して、導通回路と独立回路
を有する２層回路を形成した． 斯くの如くして得られた各々の２層回路について導通回
路と独立回路のＴ，及びＪ，を測定した．Ｊ，は液体窒
素（７ ７ Ｋ）中にて４端子法により測定した．結果
は主な条件を併記して第１表に示した． 第１表より明らかなように本発明方法品はＴｃ、Ｊｃと
も高い値のものとなった． 上記実施例において、回路部のＴｃは８３〜８５Ｋであ
るのに対し、Ｚｎ注入又は酸素不足の非回路部はＴｃが
それぞれ３８Ｋ又は５４Ｋと低い為液体窒素温度では絶
縁体となり、従って回路の短絡等の事故は全く生じなか
った．又導通回路のＪｃは独立回路のＪ，より低いもの
の多層回路として十分な値を有しており、これは第１層
と第２層間がエビタキシャルに接合されていることを立
証するものである． 上記実施例では、回路幅が５０μと太く微細パターンと
は言い難いものであるが、原理的には半導体技術の最新
のリソグラフィー技術を用いることにより、回路幅はμ
更にはｓｕｂμオーダーの微細パターンに形或すること
が可能である。
以上述べたように本発明方法によれば、Ｊｃの高い超電
導多層回路が効率よく製造でき、工業上顕著な効果を奏
する． ４．
導多層回路が効率よく製造でき、工業上顕著な効果を奏
する． ４．
第１
２図は本発明の実施例を示す工程説明図である．
１・・・基体、
２・・・超電導体膜、
３・・・レジスト
膜、
４ ・・・類イ以体腔．
Claims (1)
- 基体上に、超電導体又はその類似体を膜状に形成するＡ
工程、上記超電導体膜又はその類似体膜の所定部位にそ
れぞれ特定成分の離脱又は注入処理を施して超電導体の
回路パターンを形成するＢ工程を順次所望回数繰り返し
施して超電導多層回路を形成することを特徴とする超電
導多層回路の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1191956A JPH0355889A (ja) | 1989-07-25 | 1989-07-25 | 超電導多層回路の製造方法 |
| US07/555,061 US5194419A (en) | 1989-07-25 | 1990-07-18 | Method for manufacturing an oxide superconductive multilayer circuit |
| EP90114152A EP0410374B1 (en) | 1989-07-25 | 1990-07-24 | Superconductive multilayer circuit and its manufacturing method |
| DE69025237T DE69025237T2 (de) | 1989-07-25 | 1990-07-24 | Supraleitende Mehrlagen-Schaltung und Verfahren zu deren Herstellung |
| KR1019900011266A KR940002412B1 (ko) | 1989-07-25 | 1990-07-24 | 초전도 다층회로 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1191956A JPH0355889A (ja) | 1989-07-25 | 1989-07-25 | 超電導多層回路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0355889A true JPH0355889A (ja) | 1991-03-11 |
Family
ID=16283245
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1191956A Pending JPH0355889A (ja) | 1989-07-25 | 1989-07-25 | 超電導多層回路の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5194419A (ja) |
| EP (1) | EP0410374B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0355889A (ja) |
| KR (1) | KR940002412B1 (ja) |
| DE (1) | DE69025237T2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| CA2051048C (en) * | 1990-09-10 | 1996-07-02 | Takao Nakamura | Superconducting device having a reduced thickness of oxide superconducting layer and method for manufacturing the same |
| EP0484248B1 (en) * | 1990-10-31 | 1997-01-08 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | A novel superconducting circuit and a process for fabricating the same |
| CA2062709C (en) * | 1991-03-11 | 1997-06-24 | So Tanaka | Superconducting thin film having at least one isolated superconducting region formed of oxide superconductor material and method for manufacturing the same |
| JP2827572B2 (ja) * | 1991-05-24 | 1998-11-25 | 日本電気株式会社 | 層状超伝導体回路とその製造方法 |
| EP0545811B1 (en) * | 1991-12-02 | 1997-04-09 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Superconducting multilayer interconnection formed of oxide superconductor material and method for manufacturing the same |
| WO1994027329A1 (en) * | 1993-05-14 | 1994-11-24 | The University Of British Columbia | Fabrication of oxide superconductor devices by impurity ion implantation |
| JPH07263767A (ja) | 1994-01-14 | 1995-10-13 | Trw Inc | イオンインプランテーションを用いたプレーナ型の高温超伝導集積回路 |
| US6188919B1 (en) | 1999-05-19 | 2001-02-13 | Trw Inc. | Using ion implantation to create normal layers in superconducting-normal-superconducting Josephson junctions |
| US9073048B2 (en) * | 2006-07-05 | 2015-07-07 | Cataler Corporation | Exhaust gas-purifying catalyst and method of manufacturing the same |
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| JPS63304678A (ja) * | 1987-06-03 | 1988-12-12 | Fujikura Ltd | 酸化物超電導回路の製造方法 |
| JPS6433006A (en) * | 1987-04-08 | 1989-02-02 | Hitachi Ltd | Production of superconducting oxide and superconducting device |
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| JPH01181444A (ja) * | 1988-01-08 | 1989-07-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JPH01183138A (ja) * | 1988-01-18 | 1989-07-20 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0282360B1 (en) * | 1987-03-12 | 1995-11-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing components of superconducting ceramic oxide materials |
| JPS63250880A (ja) * | 1987-04-08 | 1988-10-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 酸化物超電導材料 |
| JPH0634418B2 (ja) * | 1987-09-07 | 1994-05-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 超電導素子の作製方法 |
| US4900716A (en) * | 1987-05-18 | 1990-02-13 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Process for producing a compound oxide type superconducting material |
| EP0296973B1 (en) * | 1987-06-22 | 1994-04-13 | Sumitomo Electric Industries Limited | Method for producing a superconducting circuit |
| JPS6443916A (en) * | 1987-08-08 | 1989-02-16 | Mitsubishi Electric Corp | Characteristic control for compound system superconductor |
| JPH01250880A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-05 | Hoya Corp | 角速度計 |
| EP0358879A3 (en) * | 1988-09-13 | 1991-02-27 | Hewlett-Packard Company | Method of making high density interconnects |
-
1989
- 1989-07-25 JP JP1191956A patent/JPH0355889A/ja active Pending
-
1990
- 1990-07-18 US US07/555,061 patent/US5194419A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-07-24 DE DE69025237T patent/DE69025237T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-07-24 EP EP90114152A patent/EP0410374B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-07-24 KR KR1019900011266A patent/KR940002412B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6433006A (en) * | 1987-04-08 | 1989-02-02 | Hitachi Ltd | Production of superconducting oxide and superconducting device |
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| JPH01181444A (ja) * | 1988-01-08 | 1989-07-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JPH01183138A (ja) * | 1988-01-18 | 1989-07-20 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| EP0410374A3 (en) | 1991-07-03 |
| KR940002412B1 (ko) | 1994-03-24 |
| DE69025237T2 (de) | 1996-07-25 |
| EP0410374B1 (en) | 1996-02-07 |
| US5194419A (en) | 1993-03-16 |
| DE69025237D1 (de) | 1996-03-21 |
| KR910003822A (ko) | 1991-02-28 |
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