DE3604917A1 - Verfahren zur herstellung eines integrierten verbandes in reihe geschalteter duennschicht-solarzellen - Google Patents
Verfahren zur herstellung eines integrierten verbandes in reihe geschalteter duennschicht-solarzellenInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung
eines integrierten Verbandes in Reihe geschalteter
Dünnschicht-Solarzellen, welche jeweils auf einem Sub
strat eine Schichtenfolge aus einer ersten Elektroden
schicht, einer aus Unterschichten aufgebauten, photo
empfindlichen Schicht sowie einer zweiten Elektroden
schicht aufweisen, gemäß dem Oberbegriff des Patent
anspruchs 1.
Ein derartiges Verfahren ist beispielsweise aus der
DE-OS 28 39 038 bekannt. Dort handelt es sich um die
Herstellung einer Reihenschaltungsanordnung von Sperr
schicht-Photozellen, wobei auf einem aus Glas bestehen
den Substrat zunächst eine erste Elektrodenschicht, aus
Zinnoxid bestehend, und anschließend eine photoempfind
liche Schicht, aus einer Kadmiumsulfid- sowie einer
Kupfer (I) sulfidschicht bestehend, aufgebracht werden.
Zum Zwecke der Separierung einzelner Solarzellen sowie
zur Vorbereitung der elektrischen Reihenverschaltung
derselben werden dann vorbestimmte Schichtbereiche der
photoempfindlichen Schicht sowie der darunterliegenden
ersten Elektrodenschicht entfernt. Dies geschieht im
ersteren Falle durch Stechen oder Fräsen sowie im
zweiten Falle durch Elektroerosion, Laserbestrahlung,
Maskierungs- oder Ätzverfahren. Die entfernten Schicht
bereiche der photoempfindlichen Schicht sind wesentlich
breiter als die aus der darunterliegenden Elektroden
schicht zu entfernenden Bereiche, wobei letztere nicht
in der Mitte der Schichtlücken der photoempfindlichen
Schicht liegt, sondern zu einem Rand hin verschoben. ln
einem nächsten Verfahrensschritt werden jeweils zu
beiden Seiten der in der photoempfindlichen Schicht
vorhandenen Schichtlücken Isoliermassen aufgetragen,
wobei die einen dieser beiden Isoliermassen in die
relativ schmalen Schichtlücken der Elektrodenschicht
hineinreichen. Zwischen beiden Isoliermassen wird dann
auf der freiliegenden Oberfläche der Elektrodenschicht
ein Klebemittel aufgebracht, und anschließend wird über
die gesamte Oberfläche der so entstandenen Struktur
eine zweite, aus Kupfer bestehende Elektrodenschicht
aufgedampft. Schließlich werden durch Anwendung von
Ultraschall im Bereich der einen Isoliermassen, welche
nicht in die Lücken der ersten Elektrodenschicht
hineinreichen, diese Isoliermassen mit der darüber
liegenden Kupferschicht abgesprengt, so daß nunmehr
eine Struktur entsteht, in welcher durch die ver
bleibende Kupferschicht jeweils die erste Elektroden
schicht einer Solarzelle mit der Oberseite der photo
empfindlichen Schicht der benachbarten Solarzelle
elektrisch leitend verbunden ist.
Insgesamt ist dieses bekannte Herstellungsverfahren
relativ aufwendig. Die erforderlichen großflächigen
Abscheideprozesse müssen nach dem Aufbringen der
zweiten, nämlich der photoempfindlichen Schicht, unter
brochen werden, um zunächst nur die bereits aufgebrach
ten Schichten zu strukturieren sowie in die dadurch
entstehenden Schichtlücken jeweils ein Klebemittel und
zwei Isoliermassen einzubringen, welche auch noch aus
verschiedenen Materialien zu wählen sind, da nur eine
der Massen bei der späteren Anwendung von Ultraschall
ansprechen soll. Erst hiernach wird die dritte Schicht,
nämlich die zweite Elektrodenschicht großflächig auf
gebracht, die nun aber auch die eigentlich überflüssige
eine Isoliermasse bedeckt, welche daher durch Anwendung
von Ultraschall zusammen mit dem darüberliegenden
Bereich der zweiten Elektrodenschicht abgesprengt
werden muß. Erst hierdurch erfolgt die Strukturierung
der zweiten Elektrodenschicht. Ein derartiges Her
stellungsverfahren erscheint hinsichtlich des insgesamt
zu treibenden Verfahrensaufwandes noch verbesserungs
bedürftig.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein
Verfahren der eingangs genannten Art bereitzustellen,
welches insgesamt verfahrenstechnisch möglichst wenig
aufwendig und daher möglichst wirtschaftlich durch
führbar ist.
Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung dadurch gelöst,
daß die zweite Elektrodenschicht nach dem Abscheiden
der photoempfindlichen Schicht ebenfalls großflächig
auf letzterer abgeschieden und erst anschließend die
erforderliche Strukturierung der drei Schichten vor
genommen wird.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind den
Unteransprüchen zu entnehmen.
Der besondere Vorteil des Verfahrens gemäß der Erfin
dung liegt darin, daß zunächst alle drei Schichten,
nämlich die beiden Elektrodenschichten sowie die da
zwischenliegende photoempfindliche Schicht, direkt
nacheinander großflächig aufgebracht werden können. Da
diese Schichtabscheidungen oftmals im Vakuum statt
finden, braucht der Vakuumprozeß nicht unterbrochen zu
werden. Die Strukturierung aller drei Schichten kann
anschließend ebenfalls direkt nacheinander erfolgen,
wobei insbesondere das aufwendige und eigentlich über
flüssige Aufbringen einer später wieder abzusprengenden
Isoliermasse entfällt, da die zweite Elektrodenschicht
nunmehr als erste strukturiert wird, während dies beim
bekannten Verfahren erst ganz zuletzt durch Absprengen
der entsprechenden Isoliermasse geschieht. Hieraus
folgt unmittelbar, daß für jede einzelne Solarzelle
auch nur eine Isoliermasse an deren Rand aufzubringen
ist, welche wie die entsprechende bei dem bekannten
Verfahren in die durch die Strukturierung entstandene
Lücke der ersten Elektrodenschicht hineinreicht.
Im folgenden wird ein Ausführungsbeispiel der Erfindung
anhand der Abbildungen näher erläutert. Die Fig. 1
bis 5 verdeutlichen den Herstellungsprozeß anhand von
fünf Schichtstrukturen, welche sich im Laufe des Her
stellungsprozesses als Zwischenstufe bzw. Endprodukt
ergeben.
Das Ausführungsbeispiel bezieht sich auf die Her
stellung eines integrierten Dünnschicht-Solarzellen
verbandes in Reihenschaltung, bei welchem die photo
empfindliche Schicht 4 aus amorphem Silizium, die erste
Elektrodenschicht 3 aus einem transparenten, leitenden
Oxid, beispielsweise Indium-Zinn-Oxid (ITO), und die
zweite Elektrodenschicht 5 aus einer dünnen Metall
schicht, beispielsweise aus Aluminium, Wickel, Silber,
Gold oder Titan, aus Einzelelementen oder Mischungen,
etwa Aluminium und Silizium, besteht. Die erste
Elektrodenschicht 3 ist auf einem Glassubstrat 2 auf
gebracht. Die Fig. 1 zeigt als Teilquerschnitt eine
Zwischenstufe im Herstellungsverfahren nach der groß
flächigen, unmittelbar nacheinander erfolgenden Ab
scheidung der drei Schichten 3, 4 und 5 im Vakuum.
Selbstverständlich ist die photoempfindliche Schicht,
hier aus amorphem Silizium bestehend, zum Zwecke der
Erzeugung unter Lichteinfall sowie Trennung der dabei
erzeugten Ladungsträger auf übliche Weise aus Unter
schichten aufgebaut, beispielsweise gemäß einer pin-
oder auch nur einer pn-Struktur. Diese Unterschichten
können nacheinander beispielsweise durch bekannte
Glimmentladungsverfahren aus einer silanhaltigen Atmo
sphäre abgeschieden werden. Auch zur Abscheidung der
aus einem transparenten leitenden Oxid bestehenden
ersten Elektrodenschicht 3 sowie der aus einer dünnen
Metallschicht bestehenden zweiten Elektrodenschicht 5
können bekannte Vakuumabscheidungsverfahren genutzt
werden. beispielsweise Vakuumaufdampfen oder Sputtern.
Als nächste Verfahrensschritte werden zum Zwecke der
Strukturierung der zweiten Elektrodenschicht 5 sowie
der darunterliegenden photoempfindlichen Schicht 4 vor
bestimmte Bereiche 6 bzw. 7 entfernt. Dies kann zweck
mäßig durch Ätzen, beispielsweise unter Anwendung von
Siebdruckverfahren, erfolgen. Hierbei ist vorteil
hafterweise darauf zu achten, daß der zu entfernende
Schichtbereich 6 der zweiten Elektrodenschicht 5 etwas
breiter ist als derjenige (7) der darunterliegenden
photoempfindlichen, amorphen Siliziumschicht 4, so daß
die Ränder 8 der verbleibenden Bereiche der photo
empfindlichen Schicht 4 über die Ränder 9 der ver
bleibenden Bereiche der zweiten Elektrodenschicht 5
etwas hinausragen. Hierdurch kann vermieden werden, daß
durch nicht immer zu vermeidende Unsauberkeiten
Material von den Rändern der zweiten Elektrodenschicht
5 in unkontrollierbarer Weise an Randbereichen der
photoempfindlichen Schicht 4 bis zur ersten Elektroden
schicht 3 herabreicht, wodurch die entsprechende Solar
zelle praktisch kurzgeschlossen wäre. Als weitere prak
tisch anwendbare Verfahren zur nacheinander erfolgenden
Strukturierung der beiden oberen Schichten kommen für
das Aufbringen des Ätzmittels Tampondruckverfahren oder
das Aufsprühen mittels Wadeldosiersystemen infrage.
Auch kann durch entsprechende Auswahl des Ätzmediums
erreicht werden, daß mit nur einem einzigen Ätzmittel
die Bereiche 6, 7 abgetragen werden können. Es muß dabei
nur gewährleistet sein, daß die zweite Elektroden
schicht 5 etwas stärker angeätzt wird als die photo
empfindliche Schicht 4, damit Ränder 8 entstehen, die
über die Ränder 9 der verbleibenden Bereiche der
zweiten Elektrodenschicht 5 etwas hinausragen. Ein
weiteres praktisch anwendbares Verfahren zur Struktu
rierung der photoempfindlichen Schicht 4 ist das
Abtragen mittels einer Ultraschallsonde.
Gemäß Fig. 3 werden in einem anschließenden Verfahrens
schritt die relativ schmalen vorbestimmten Schicht
bereiche 10 aus der ersten Elektrodenschicht 3 ent
fernt, vorzugsweise durch Laserbestrahlung oder
Elektroerosion. Hierdurch ist es möglich, einen
besonders schmalen Schichtbereich einwandfrei zu ent
fernen. Über der hierdurch entstehenden Schichtlücke
wird nun gemäß Fig. 4 eine vorzugsweise zunächst zäh
flüssige Isoliermasse aufgebracht, welche die Rand
bereiche 9 und 8 der zweiten Elektrodenschicht 5 sowie
der photoempfindlichen Schicht 4 abdeckt sowie in die
Schichtlücke der ersten Elektrodenschicht 3 hinein
reicht. Die Isoliermasse 11 kann mit Hilfe von Sieb
druckverfahren o.ä. aufgebracht werden.
Schließlich wird in einem letzten Verfahrensschritt
gemäß Fig. 5 über dem Isoliermittel 11 eine elektrisch
leitfähige Paste 12, z.B. Silberleitpaste, welche nach
dem Aufbringen erstarrt, aufgebracht, welche dann den
Randbereich 13 jeweils einer Solarzelle 14 mit der
freigelegten ersten Elektrodenschicht 16 der benach
barten Solarzelle 15 verbindet. Das Aufbringen der
elektrisch leitfähigen Paste 12 kann beispielsweise
unter Anwendung von Siebdruckverfahren erfolgen, auch
kann von Tampondruckverfahren und Wadeldosiersystemen
Gebrauch gemacht werden.
Insgesamt stellt die hier durch ein Ausführungsbeispiel
konkretisierte Verfahrensweise gemäß der Erfindung ein
einfach strukturiertes und ökonomisches Herstellungs
verfahren dar. Insbesondere die Möglichkeit der suk
zessiven Aufbringung dreier großflächiger Schichten in
einem ununterbrochenen Vakuumprozeß stellt sich als
Fortschritt dar. Aber auch die dadurch bedingte Abfolge
der weiteren Verfahrensschritte führt ersichtlich auf
einfache Weise und ohne überflüssige Umwege zu dem
angestrebten Ergebnis. Die Verfahrensweise ist nicht
nur auf die Herstellung solcher Solarzellenverbände
beschränkt, bei welchen die photoempfindlichen Schich
ten aus amorphem Silizium bestehen. Vielmehr kann sie
auch bei anderen Dünnschichtstrukturen an sich bekann
ter Art, beispielsweise TFTs (thin film transistors)
oder großflächige Photosensoren verwendet werden. Der
zu erzielende Vorteil ist immer dann besonders aus
geprägt, wenn die drei großflächigen Schichten nach dem
Stand der Technik jeweils im Vakuumverfahren abgeschie
den werden, welche nunmehr durch einen einzigen un
unterbrochenen Vakuumprozeß zusammengefaßt werden
können.
Claims (5)
1. Verfahren zur Herstellung eines integrierten
Verbandes in Reihe geschalteter Dünnschicht-Solar
zellen, welche jeweils auf einem Substrat eine
Schichtenfolge aus einer ersten Elektrodenschicht,
einer aus Unterschichten aufgebauten, photoempfind
lichen Schicht sowie einer zweiten Elektrodenschicht
aufweisen, wobei zunächst auf dem Substrat die erste
Elektrodenschicht sowie die photoempfindliche Schicht
nacheinander großflächig abgeschieden und die abge
schiedenen Schichten unter nacheinander erfolgender
Entfernung jeweils vorbestimmter Schichtbereiche zum
Zwecke der Separierung und Verschaltung der einzelnen
Solarzellen strukturiert werden, dadurch
gekennzeichnet, daß die zweite Elektro
denschicht (5) nach dem Abscheiden der photoempfind
lichen Schicht (4) ebenfalls großflächig auf letzterer
abgeschieden und erst anschließend die erforderliche
Strukturierung (6, 7, 10) der drei Schichten (5, 4, 3) vor
genommen wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß zum Strukturieren
zunächst die vorbestimmten Schichtbereiche (6) der
zweiten Elektrodenschicht (5) und diejenigen (7) der
photoempfindlichen Schicht (4) entfernt werden, wobei
die Ränder (8) der verbleibenden Bereiche der photo
empfindlichen Schicht (4) über die Ränder (9) der ver
bleibenden Bereiche der zweiten Elektrodenschicht (5)
hinausragen.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet, daß nach dem
Entfernen der vorbestimmten Schichtbereiche (6, 7) der
zweiten Elektrodenschicht (5) sowie der photoempfind
lichen Schicht (4) zunächst die vorbestimmten Schicht
bereiche (10) der ersten Elektrodenschicht (3) ent
fernt, sodann die Ränder (9, 8) der zweiten Elektroden
schicht (5) und der photoempfindlichen Schicht (4) ab
deckende und in die den entfernten vorbestimmten
Schichtbereichen (10) der ersten Elektrodenschicht
entsprechenden Schichtlücken hineinreichende Isolier
massen (11) aufgebracht und schließlich über den
Isoliermassen (11) Leitpasten (12) aufgetragen werden,
welche jeweils den Randbereich (13) der zweiten
Elektrodenschicht (5) einer Solarzelle (14) mit der
freigelegten ersten Elektrodenschicht (16) der benach
barten Solarzelle (15) elektrisch leitend verbinden.
4. Verfahren nach einem der vorhergehenden An
sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß
die vorbestimmten Schichtbereiche (6, 7) der zweiten
Elektrodenschicht (5) und der photoempfindlichen
Schicht (4) durch Ätzen entfernt werden.
5. Verfahren nach einem der vorhergehenden An
sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß
die Isoliermassen (11) und die Leitpasten (12) mittels
Siebdruckverfahren aufgebracht werden.
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