DE3210742A1 - Solarzellenbatterie und verfahren zum herstellen der batterie - Google Patents

Solarzellenbatterie und verfahren zum herstellen der batterie

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Description

Die Erfindung betrifft eine Solarzellenbatterie, bestehend aus mehreren auf einem isolierenden Substrat benachbart angeordneten und in Reihe geschalteten Einzelsolarzellen. Sie betrifft ferner ein Verfahren zum Herstellen einer Batterie in Reihe geschalteter Einzelsolarzellen, bei dem auf einem isolierenden Substrat mehrere leitende, untere Elektroden gebildet werden, auf die Oberflächen der unteren Elektroden sowie des Substrats eine Halbleiterschicht aufgebracht wird und auf der Oberfläche der Halbleiterschicht mehrere leitende, obere Elektroden gebildet werden.
Zur Direktumwandlung von Sonnenenergie in elektrische Energie werden Solarzellen benutzt. Diese Zellen können aus unterschiedlichen Halbleitermaterialien, z.B. aus amorphem Silizium, bestehen. Wenn Solarzellen im allgemeinen Gebrauch wirtschaftlich arbeiten sollen, ist es notwendig, eine Mehrzahl von Einzelzelien umfassende Gruppen bzw. Batterien mit möglichst wenig Aufwand herzustellen. Eine typische, amorphes Silizium enthaltende Solarzelle erzeugt bei Bestrahlung durch die Sonne eine Spannung von etwa 1 Volt. Solche Zellen müssen daher in der Regel zum Erreichen einer für die jeweilige Anwendung passenden Gesamt-Ausgangsspannung in Reihe geschaltet werden. Die Ausgangsspannungen sollen dabei Werte annehmen, die für die direkte Anwendung oder zum Speichern, z.B. in Akkumulatoren, also zum indirekten Gebrauch, ausreichen. Das Herstellen der Reihenschaltung aus einzelnen Solarzellen kann sehr aufwendig sein.
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Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine mit weniger Aufwand als bisher aus einer Vielzahl von Einzelzellen durch Reihenschaltung herzustellende Solarzellenbatterie zu schaffen; sowie ein Verfahren zum Koppeln einer Vielzahl von Solarzellen in Reihe zu schaffen, bei dem die Zwischenelektroden-Reihenkupplung mit weniger Aufwand und größerer Ausbeute als bisher zu bilden ist. Die erfindungsgemäße Lösung besteht für die Solarzellenbatterie in folgenden Merkmalen für jede Einzelsolarzelle:
a) eine untere Elektrode auf einer Substratoberfläche;
b) eine wenigstens eine eigenleitende und eine n-leitende Zone enthaltende Halbleiterschicht;
c) eine obere Elektrode; und
d) Mittel zum elektrischen Verbinden der oberen Elektrode einer Einzelsolarzelle mit der unteren Elektrode der nächstbenachbarten Einzelsolarzelle, wobei zu den elektrischen Verbindungsmitteln ein Metallstreifen auf der Oberfläche der erstgenannten Einzelsolarzelle und ein sich dornartig von dem Metallstreifen aus zu der unteren Elektrode der benachbarten Einzelsolarzelle erstreckender Zwischenelektrodenkontakt gehören.
Für das Verfahren besteht die erfindungsgemäße Lösung darin, daß ein elektrisch leitender Zwischenelektrodenkontakt von der oberen Elektrode einer Einzelsolarzelle aus zu der unteren Elektrode einer nächstbenachbarten Einzelsolarzelle zinken-, nadel- bzw. dornartig spitz durch die Halbleiterschicht hindurch gebildet bzw. gewachsen wird. Verbesserungen und weitere Ausgestaltungen
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der erfindungsgemäßen Solarzellenbatterie und des erfindungsgemäßen Verfahrens werden in den Unteransprüchen beschrieben.
Durch die Erfindung wird ein automatisches Verfahren zum Herstellen in Reihe geschalteter Solarzellen, z.B. amorpher Silizium-Solarzellen, geschaffen. Durch das Verfahren werden die Zellen bereits im Verband in Serie geschalteter Batterien gebildet. Solche Batterien können ohne das Erfordernis wesentlicher Handarbeit mit der jeweils gewünschten Ausgangsspannung hergestellt werden.
Eine erfindungsgemäße Solarzellenbatterie enthält eine Vielzahl einander benachbarter, in Reihe geschalteter Einzelsolarzellen auf einem isolierenden Substrat. Aneinander grenzende Zellen werden dabei durch einen von der Elektrode auf der Oberseite einer Zelle durch die amorphe Siliziumschicht hindurch zur Elektrode am Boden der nächstbenachbarten Zelle spitz wachsenden Zwischenelektrodenkontakt aus Metall miteinander in Reihe verbunden.
Anhand der schematischen Darstellung von Ausführungsbeispielen werden weitere Einzelheiten der Erfindung erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 ein Ausführungsbeispiel eines Teils einer Solarzellenbatterie;
Fig. 2 bis 4 Vorfahrensschri tie zum Hörsäle 1 lon der Soiarzellenbatterie nach Fig. 1;
Fig. 5 eine von Fig. 1 abweichende Solarzellenbatterie;
und
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Fig. 6 und 7 Verfahrensschritte zum Herstellen der Solarzellenbatterie nach Fig. 5.
In Fig. 1 bis 4 wird eine aus mehreren Einzelsolarzellen 12 bestehende Solarzellenbatterie insgesamt mit 10 bezeichnet. Die einzelnen Solarzellen 12 werden im Ausführungsbeispiel auf einem aus Glas oder anderem transparentem Material bestehenden Substrat 12 gebildet. Auf einer Oberfläche 18 des Substrats 14 werden mehrere untere Elektroden 16 aus Metall aufgebracht. Die unteren Elektroden 16 werden, obwohl eine Vielzahl von Metallen geeignet ist, vorzugsweise aus Molybdän hergestellt. Auf den dem Substrat 14 abgewandten Oberflächen der unteren Elektrode 16 jeder Zelle 12 liegen Halbleiterschichten 20, die aus Silizium bestehen können. Vorzugsweise werden die Halbleiterschichten 20 aus amorphem Silizium gebildet. Auf der Oberseite der Halbleiterschichten 20 einer Zelle 12 und wenigstens oberhalb eines Teiles der unteren Elektrode 16 der nächstbenachbarten Zelle liegen obere Elektroden 22 aus Metall, beispielsweise aus Alumium, Kupfer oder Gold. Über den oberen Elektroden 22 befindet sich ein transparentes leitendes Material, z.B. eine Indium-Zinn-Oxid-Elektrode (ITO-Elektrode) 24. Die Bedeutung dieser ITO-Elektrode 24 wird weiter unten erläutert werden.
Ferner werden zwischen den oberen Elektroden 22 auf der Oberseite der Halbleiterschichten 20 und den auf dem Substrat 14 liegenden unteren Elektroden 16 leitende Verbindungen in Form von Zwischenelektrodenkontakten 26 gebildet. Das Verfahren zum Herstellen der Zwischenelektrodenkontakte 26 wird weiter unten beschrieben werden.
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Wie aus Fig. 1 ersichtlich ist, wird durch die ITO-Elektrode 24, die obere Elektrode 22, den Zwischeneiektrodenkontakt 26 und die untere Elektrode 16 eine elektrische Reihenverbindung aneinander grenzender einzelner Solarzellen 12 geschaffen. Jede ITO-Eiektrode 24 auf der Oberseite einer Zelle 12 hat daher Kontakt mit der unteren Elektrode 16 der auf der rechten Seite (in Fig. l) benachbarten Zelle 12. Es sei jedoch darauf hingewiesen, daß die vorzugsweise aus amorphem Silizium bestehenden Teile der Halbleiterschicht 20 eine niedrige elektrische Leitfähigkeit haben müssen, so daß die elektrische Verbindung zwischen der Halbleiterschicht 20 und den Elektroden 16 im Verhältnis zu derjenigen über die Leiterbereiche zu vernachlässigen ist.
Die Bereiche der Halbleiterschicht 20 jeder Zelle 12 werden derart in Reihe geschaltet, daß die Oberseite jedes Teils der Halbleiterschicht 20 elektrisch leitend mit der Unterseite des (in Fig. rechts) nächstbenachbarten Teils der Schicht 20 verbunden wird.
Die Zahl der in Reihe geschalteten Zellen 12 in einer Batterie richtet sich nach der für eine bestimmte Anwendung benötigten Spannung.
Anhand der Fig. 2 bis 4 wird die Herstellung der in Reihe geschalteten Solarzellen 12 von Fig. 1 erläutert. Gemäß Fig. 2 wird von einem, beispielsweise aus Glas bestehenden Substrat 14 ausgegangen und darauf eine vorzugsweise aus Molybdän bestehende, leitende Schicht auf irgendeine Weise, z.B. durch Aufdampfen, aufgebracht. Anschließend wird die leitende Schicht zum Erzeugen von Gräben 28 geritzt bzw. angerissen, um sie gemäß Fig. 3 in einzelne Bereiche zu unterteilen. Das Ritzen der leitenden Schicht
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- ίο -
16 kann so erfolgen, z.B. mit Hilfe von Laserstrahlen, daß die Ritzlinien bzw. Gräben 28 sich - wie dargestellt - bis in das vorzugsweise aus Glas bestehende Substrat 14 hinein erstrecken. Nach dem Unterteilen wird auf die Oberseite der leitenden Schicht 16 eine, vorzugsweise aus amorphem Silizium bestehende, Halbleiterschicht 20 aufgebracht.
Eine solche Halbleiterschicht 20 aus amorphem Silizium besitzt in typischen Fällen eine dreiteilige Struktur mit P-, I- und N-leitendem Halbleitermaterial. Im Falle der Erfindung kann die Halbleiterschicht 20 aus amorphem Silizium aber nur I- sowie N-leitendes Halbleitermaterial und eine Schottkysche Randschicht aufweisen. Da entweder das P-leitende Material oder das N-leitende Material an der der auffallenden Strahlung auszusetzenden Oberfläche der Halbleiterschicht 20 liegen kann, wird die Halbleiterschicht 20 aus amorphem Silizium im Rahmen der vorliegenden Beschreibung der Einfachheit halber als eine Schicht angesehen. Verfahren zum Herstellen der bekannten Teile der einzelnen Solarzellen werden in den US-PS'en 40 64 521, 41 42 195, 41 62 505 und 41 63 677 beschrieben. Aus diesen Druckschriften ist die Herstellungsweise aus amorphem Silizium bestehender Halbleiterschichten 20 und deren Zusammensetzung bekannt.
Als nächster Verfahrensschritt werden - noch gemäß Fig. 3 - nach einer jeweils geeigneten Technik leitende Metallstreifen 22 auf die Oberseite der aus amorphem Silizium bestehenden Halbleiterschicht 20 aufgebracht. Die Metallstreifen 22 können beispielsweise durch eine Maske auf die Oberfläche der Halbleiterschicht 20 aufgedampft werden. Stattdessen ist es auch möglich, die Streifen 22
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unter Anwendung einer bekannten photolithographischen Methode oder nach dem im folgenden beschriebenen "paintand-peel"-Verfahren herzustellen. Die Metallstreifen 22 sollen aus einem Metall, wie Aluminium, Kupfer oder Gold bestehen, das in nachstehend beschriebener Weise zinken-, dorn- bzw. nadelartig spitz durch die aus amorphem Silizium bestehende Halbleiterschicht 20 getrieben bzw. gewachsen werden kann.
Nach dem Herstellen der Metallstreifen 22 wird auf die Oberseite der Vorrichtung eine leitende Schicht 24 aufgebracht. Wenn die Oberseite der Halbleiterschicht 20 mit dem auszuwertenden Licht zu bestrahlen ist, muß die leitende Schicht 24 aus einem für die einfallende Strahlung transparenten Material bestehen. In typischen Fällen wird daher zum Herstellen der leitenden Schicht 24 Indium-Zinn-Oxid (ITO) benutzt. Die leitende Schicht wird dann als ITO-Schicht 24 bezeichnet. Nach dem Aufbringen der ITO-Schicht 24 wird das Bauelement erneut auf der Oberseite, z.B. durch einen Laserstrahl, angeritzt bzw. angerissen, um die ITO-Schicht 24 in einzelne Teile zu zerschneiden und sie damit - wie in Fig. 4 dargestellt - diskontinuierlich zu machen. Da die beim Herstellen von amorphen Silizium-Solarzellen verwendeten ITO-Schichten typisch in der Größenordnung von wenigen zig Nanometern dick sind, schneidet der zum ritzen der ITO-Schicht 24 verwendete Laserstrahl normalerweise - wie dargestellt - auch durch die aus amorphem Silizium bestehende Halbleiterschicht 20 hindurch. Weiter unten wird aber gezeigt werden, daß es nicht erforderlich ist, die aus amorphem Silizium bestehende Halbleiterschicht 20 teilweise oder ganz mit dem Laserstrahl durchzuritzen, wenn nur die ITO-Schicht ganz durchschnitten wird, so daß elektrisch getrennte Bereiche in dieser Schicht entstehen.
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Als nächstes wird die Vorrichtung wärmebehandelt. Das Erwärmen erfolgt für eine Zeitdauer und auf eine Temperatur, die ausreichen, aus den Metallstreifen 22 Stachel-, zinken-, nadel- bzw. dornartige Spitzen 26 durch die aus amorphem Silizium bestehende Halbleiterschicht 20 bis zum elektrischen Kontakt der ITO-Schicht 24 der darunterliegenden Metallelektrode 16 wachsen zu lassen (vgl. Fig. 1). Die Zeit und die Temperatur der Erwärmung richten sich nach dem speziellen zum Herstellen der Metallstreifen 22 benutzten Material und nach der Dicke der Halbleiterschicht 20. Wenn beispielsweise Kupfer benutzt wird, kann eine Erwärmung auf 260 C für eine Zeitdauer von 30 Minuten vorgesehen werden. Eine längere Zeitdauer bei niedrigerer Temperatur oder eine kürzere Zeitdauer bei höherer Temperatur führen zu im wesentlichen denselben Ergebnissen. Nach diesem Temperschritt ist die Solarzellenbatterie 10 gemäß Fig. 1 fertiggestellt, denn sie besitzt bereits die gewünschte Reihenverbindung zwischen den Einzelsolarzellen 12.
In Fig. 5 wird ein zweites Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Solarzellenbatterie 30 schematisch im Schnitt dargestellt. In dieser Batterie werden Einzelsolarzellen 32, vorzugsweise mit amorphem Silizium als aktives Material, in ähnlicher Weise wie beim ersten Ausführungsbeispiel in Reihe geschaltet. Die Einzelsolarzellen 32 werden auf einem isolierenden Substrat 34 gebildet, das aus einem transparenten Material, wie Glas, bestehen kann. Auf einer Oberfläche 36 des Substrats 34 befinden sich leitende Elektroden 38. Diese können entweder aus Metall oder aus dem mit ITO bezeichneten Material bestehen, je nach dem, ob das einfallende Licht die jeweilige Einzelzelle von jenseits der Oberfläche 36 oder
durch das Substrat 34 hindurch erreichen soll. Die erfindungsgemäße Solarzellenbatterie kann für die Anwendung sowohl der einen als auch der anderen Möglichkeit ausgelegt werden. Jede der einzelnen Zellen 32 enthält außerdem eine auf den leitenden Elektroden 38 liegende, vorzugsweise aus amorphem Silizium bestehende Halbleiterschicht 14. Ferner werden obere Elektroden 42 vorgesehen die aus den vorher angegebenen Gründen entweder aus Metall oder aus ITO bestehen können. Die oberen Elektroden 42 werden mit Hilfe von Metallstreifen 44 und Zwischenelektrodenkontakten 46 in ähnlicher Weise wie beim ersten AusfUhrungsbeispiel nach Fig. 1 mit den unteren Elektroden 38 der nächstbenachbarten Zelle 32 elektrisch verbunden.
Zum Herstellen des zv/eiten Ausführungsbeispiels gemäß Fig. 5 wird von einem Substrat 34 gemäß Fig. 6 ausgegangen. Auf einer Oberfläche 36 des Substrats 34 wird eine Reihe von Streifen 48 aus einem Material, wie Photolack oder Farbe, aufgebracht. Diese Farbstreifen 48 werden vorzugsweise durch eine Streifenmaske auf die Oberfläche 36 des Substrats 34 gesprüht. Die entstehenden Farbstreifen sind verglichen mit den übrigen Bereichen von typischen amorphen Silizium-Solarzellen - in Richtung senkrecht zu der beschichteten Oberfläche - relativ dick. Als nächstes wird das zum Herstellen der unteren Elektroden 38 benutzte Material auf die Oberfläche 36 des Substrats 34 und auf die vorstehenden Oberflächen der Farbstreifen 48 niedergeschlagen. Falls es sich bei dem Material um ITO handelt, wird es einfach auf die Oberfläche der Streifen 48 und die Oberfläche des Substrats 34 aufgesprüht. Wenn die Schicht aus Metall hergestellt werden soll, kann das Material in Richtung auf die fraglichen Oberflächen zerstäubt oder aufgedampft werden.
Wegen der relativ erheblichen Dicke der Streifen 48 und der hohen und steil abfallenden Streifenkanten bildet das niedergeschlagene Material 38 keine durchgehend kontinuierliche Schicht. Nach dem Aufbringen des Materials 38 können daher die Farbstreifen 48 einfach von der Oberfläche 36 des Substrats 34 abgeblättert bzw. abgezogen werden. Man könnte dasselbe Ergebnis zwar auch auf photolithographische Weise erhalten, die Anwendung der Photolithographie im vorgenannten Verfahrensschritt liegt daher auch im Rahmen der Erfindung; bei Verwendung des zuletzt beschriebenen "paint-and-peel"-Verfahrens werden aber Zeit und Arbeit sowie Kosten beim Herstellen einer Solarzellenbatterie 30 eingespart.
Nach dem Entfernen der Streifen 48 wird gemäß Fig. 7 eine amorphe Siliziumschicht 40 auf die Oberfläche des Bauelements aufgebracht. Es kann hierzu jede geeignete Methode angewendet werden. Das Aufbringen der amorphen Siliziumschicht 40 und ihre Zusammensetzung wird eingehend in den obengenannten US-Patentschriften beschrieben. Anschließend werden, z.B. mittels Aufdampfens durch eine Streifenmaske, Metallstreifen 44 auf die Oberfläche der amorphen Siliziumschicht 40 aufgebracht. Daraufhin werden die Zwischenelektrodenkontakte 46 durch Erwärmen des Bauelements in der vorbeschriebenen Weise hergestellt. Das Erwärmen erfolgt wiederum solange und bei einer solchen Temperatur, daß die Metallstreifen 34 sich durch die Halbleiterschicht 40 hindurch zu den darunterliegenden Elektroden 38 ausdehnen.
Anschließend werden die oberen Elektroden, beispielsweise wieder nach dem "paint-and-peel"-Verfahren gebildet. Hierbei werden zunächst Farbstreifen 49 in der vorher beschriebenen Weise aufgebracht und dann das zum Herstellen
der oberen Elektroden 42 erforderliche Material niedergeschlagen. Wegen der scharfen Kanten und der relativ großen Dicke der Farbstreifen 42 bildet das aus einem Metall oder aus ITO bestehende Elektrodenmaterial keine kontinuierlich durchgehende Schicht auf der Oberseite des Bauelements. Nach dem Aufbringen des Materials der oberen Elektroden 42 werden die Farbstreifen 49 zusammen mit dem auf ihren Oberseiten befindlichen Material 42 abgezogen, so daß die fertige Solarzellenbatterie 30 gemäß Fig. 5 vorliegt.
Beim zweiten Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens ist ein Anritzen im Verlaufe der Herstellung nicht erforderlich, weil das verwendete amorphe Silizium die Eigenschaft hat, in seitlicher Richtung praktisch nicht zu leiten. Ein interessanter Aspekt der Solarzellenbatterie 30 gemäß Fig. 5 besteht daher darin, daß es nicht nötig ist, die amorphe Siliziumschicht 40 elektrisch zu unterbrechen, d.h. zu unterteilen. Hieraus ergibt sich auch, daß beim Anreißen mittels Laser gemäß Fig. 1 und 4 zwar die amorphe Siliziumschicht 20 durchtrennt werden kann, daß dieses Durchtrennen aber auch zum Herstellen der Solarzellenbatterie 10 nach Fig. 1 nicht erforderlich ist.
Die Erfindung wurde im wesentlichen unter Verwendung von amorphem Silizium als Halbleitermaterial beschrieben. Der Fachmann weiß jedoch, daß auch andere Solarzellentypen, z.B. Zellen mit einkristallinem, polykristallinem oder mikrokristallinem Silizium oder auch mit Kadmiumsulfid als Halbleitermaterial Anwendung finden können= Wenn
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daher der Ausdruck "amorphe Siiiziumschicht" benutzt wurde, dann lediglich aus Vereinfachungsgründen, denn der Ausdruck umfaßt alle für Solarzellen geeignete Halbleitermaterialien die durch das Bilden bzw. Wachsen von nadel-, Stachel- bzw. dornartigen Spikes elektrisch zu verbinden sind und die eine niedrige elektrische Leitfähigkeit in Querrichtung, d.h. in Richtung parallel zu der jeweils bestrahlten Oberfläche, besitzen.
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Claims (12)

  1. Dr.-lng. Reimar König ■ iDipJ.-lhg,KJ3Üs
    Cecilienallee 76 A Düsseldorf 3D Telefon 452OOB Patentanwälte
    23. März 1982
    34 362 B
    RCA Corporation, 30 Rockefeller Plaza,
    New York, N.Y. 1002Q (V.St.A.)
    "Solarzellenbatterie und Verfahren zum Herstellen
    der Batterie"
    Patentansprüche:
    ( l\ Solarzellenbatterie (10, 30), bestehend aus mehreren ^"^ auf einem isolierenden Substrat (14, 34) benachbart angeordneten und in Reihe geschalteten Einzelsolarzellen (12, 32) gekennzeichnet durch folgende Merkmale für jede Einzelsolarzelle:
    a) eine untere Elektrode (16, 38) auf einer Substratoberfläche (18, 36);
    b) eine wenigstens eine eigenleitende und eine n-leitende Zone enthaltende Halbleiterschicht (20, 40);
    c) eine obere Elektrode (22, 42); und
    d) Mittel zum elektrischen Verbinden der oberen Elektrode (22, 42) einer Einzelsolarzelle (12, 32) mit der unteren Elektrode (16, 38) der nächstbenachbarten Einzelsolarzelle, wobei zu den elektrischen Verbindungsmitteln ein Metallstreifen auf der Oberfläche der erstgenannten Einzelsolarzelle und ein sich dornartig von dem Metallstreifen aus zu der unteren Elektrode der benachbarten Einzelsolarzelle erstreckender Zwischenelektrodenkontakt (26, 46) gehören.
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  2. 2. Soiarzellenbatterie nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Haibleiterschicht (20) aus amorphem Silizium besteht.
  3. 3. Solarzellenbatterie nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Zwischenelektrodenkontakt (26, 46) eine Aluminiumspitze bzw. -zinke besitzt.
  4. A. So 1 ar'zc LI enbn Lter i e nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzelehne L , daß der zw i «ebene 1 ek L rodenkon takt ( 26 , 46 ) eine Goidspitze bzw. -zinke besitzt.
  5. 5. Solarzellenbatterie nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Zwischenelektrodenkontakt (26) eine Kupferspitze bzw. -zinke besitzt.
  6. 6. Verfahren zum Herstellen einer Batterie (10, 30) in Reihe geschalteter Einzelsolarzellen (12, 32), bei dem
    a) auf einem isolierenden Substrat (14, 34) mehrere leitende, untere Elektroden (16, 38) gebildet werden;
    b) auf die Oberflächen der unteren Elektroden (16, 38) und des Substrats (14, 34) eine Halbleiterschicht (20) aufgebracht wird; und
    c) auf der Oberfläche der Halbleiterschicht (20) mehrere leitende, obere Elektroden (22, 42) gebildet werden,
    dadurch gekennzeichnet, daß ein elektrisch leitender Zwischenelektrodenkontakt (26, 46) von der oberen Elektrode (22, 42) einer Einzelsolarzelie (12, 32) zu der unteren Elektrode (16, 38) einer nächstbenachbarten Einzelsolarzelle zinken-, nadel- bzw. dornartig spitz durch die Halbleiterschicht (20, 40) hindurch gebildet wird.
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  7. 7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß zum Herstellen der Zwischenelektrodenkontakte (26, 46) Metallstreifen (22, 42) auf die Oberfläche der Halbleiterschicht (20, 40) aufgebracht und erwärmt werden.
  8. 8. Verfahren nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß zum Herstellen der unteren Elektroden (16) eine einzige leitende Schicht gebildet und anschließend durch Anreißen bzw. Ritzen (28) in elektrisch voneinander getrennte Bereiche unterteiJt wird (Fig. 2 und 3).
  9. 9. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß zum Herstellen der oberen Elektroden (22) eine einzige leitende Schicht gebildet und anschließend durch Anreißen bzw. Ritzen in elektrisch voneinander getrennte Bereiche unterteilt wird (Fig. 3 und 4).
  10. 10. Verfahren nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, daß das Anreißen bzw. Ritzen mit einem Laserstrahl ausgeführt wird.
  11. 11. Verfahren nach Anspruch 6 oder 7, gekennzeichnet durch folgende Verfahrensschritte zum Herstellen der unteren Elektroden (38):
    a) Aufbringen dicker Streifenmuster (48) auf die Oberfläche (36) des Substrats (34);
    b) Aufbringen einer diskontinuierlichen leitenden Schicht (38) auf die Oberfläche der dicken Streifenmuster (48); und
    : / ι 0 7 42
    c) Entfernen der Streifenmuster (48) zusammen mit der auf ihrer Oberfläche befindlichen leitenden Schicht (38), so daß mehrere elektrisch voneinander getrennte Elektroden (38) auf der Substratoberfläche (36) zurückbleiben (Fig. 6).
  12. 12. Verfahren nach Anspruch 6 oder 7, gekennzeichnet durch folgende Verfahrensschritte zum Herstellen der oberen leitenden Elektroden (42):
    a) Aufbringen dicker Streifenmuster (49) auf die Oberfläche der Halbleiterschicht (40);
    b) Aufbringen einer diskontinuierlichen leitenden Schicht (42) auf die Oberfläche der dicken Streifenmuster (49); und
    c) Entfernen der dicken Streifenmuster (49) zusammen mit der auf ihrer Oberfläche befindlichen leitenden Schicht (42), derart, daß mehrere elektrisch getrennte Elektroden (42) auf der Oberfläche der Halbleiterschicht (40) zurückbleiben.
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