JPS61241981A - 薄膜太陽電池の製造方法 - Google Patents
薄膜太陽電池の製造方法Info
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- JPS61241981A JPS61241981A JP60082172A JP8217285A JPS61241981A JP S61241981 A JPS61241981 A JP S61241981A JP 60082172 A JP60082172 A JP 60082172A JP 8217285 A JP8217285 A JP 8217285A JP S61241981 A JPS61241981 A JP S61241981A
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 39
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 23
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 23
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 19
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 abstract description 7
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 abstract description 7
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 abstract description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N Ascorbic acid Chemical compound OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 109
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 57
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 16
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 5
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 5
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002065 alloy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000032823 cell division Effects 0.000 description 1
- 210000003850 cellular structure Anatomy 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000001017 electron-beam sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229940071182 stannate Drugs 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
- H01L31/03921—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including only elements of Group IV of the Periodic Table
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［利用分野］
本発明は非晶質シリコン層を光起電力層とする薄膜太陽
電池の製造方法に関する。更に詳細には電気絶縁性基板
上に形成された下部電極層／非晶質シリコン層／上部電
極層からなる光起電積層体 □を分割して集積化
する薄膜太陽電池の製造方法に関する。
電池の製造方法に関する。更に詳細には電気絶縁性基板
上に形成された下部電極層／非晶質シリコン層／上部電
極層からなる光起電積層体 □を分割して集積化
する薄膜太陽電池の製造方法に関する。
［従来技術］
非晶質シリコン半導体膜はシランガス等のグロー放電分
解法によって、低い基板温度で広い面積に均一に堆積で
き、基板もガラス、高分子フィルム、セラミック板、金
属フォイル等の各種基板が選択出来る為、太陽電池用半
導体膜として広く研究されている。非晶質シリコン太陽
電池の基本構造としては上記各種基板上に設けられた金
属電極層／非晶質シリコン半導体層／透明電極層の積層
構造が知られている。
解法によって、低い基板温度で広い面積に均一に堆積で
き、基板もガラス、高分子フィルム、セラミック板、金
属フォイル等の各種基板が選択出来る為、太陽電池用半
導体膜として広く研究されている。非晶質シリコン太陽
電池の基本構造としては上記各種基板上に設けられた金
属電極層／非晶質シリコン半導体層／透明電極層の積層
構造が知られている。
非晶質シリコン層堆積の特徴を生かして、上記基本構造
の太陽電池を大面積に設ける事は容易であるが、このま
までは面積によらず最大出力電圧は０．６〜５■程度で
あり電力用途に必要な１００Ｖ以上の出力電圧を得る事
は出来ない。このような実用的な電圧を得る為には複数
の太陽電池セルを接続する集積化が必要で、かかる集積
化技術としては■所定の小面積の太陽電池セルを小面積
基板上に設けその後このセルを所定個直列接続する方法
、■大面積基板上に設けた大面積の太陽電池を、エツチ
ング等により基板をそこなう事なく所定の小面積のセル
に分割し、その後該セルを所定個直列接続する方法、■
大面積基板上にマスク等を用いて分割した状態で所定の
小面積の太陽電池セルを堆積し、その後該セルを所定個
直列接続する方法が知られている。これらの方法の中で
■の方法は非晶質シリコン層堆積の特徴を生かした犬山
生産方式に適さず、又、直列接続する工程、モジュール
化する工程が複雑になる。■の方法についてはレジスト
塗布とエツチングの組合わせによって可能であるが、レ
ジスト塗布、露光、洗浄、エツチング等の多数の工程が
必要であり安価に犬山に太陽電池を製造するのには適さ
ない。■の方法については、一般に金属マスクを基板上
に密着させて太陽電池構成層を順次堆積する事が行なわ
れるが、大面積化の場合、基板とマスクの熱膨張率の違
いによって各層堆積時に基板とマスクの密着性が悪くな
り各層での堆積成分の回り込みの生じる事が多く、良好
な分割パターンが得られない。又、該マスク堆積法によ
る分割の場合、マスクの位置合わせがむつかしくその誤
差を０．５ｍ＋程度以下に小さくする事はむつかしい。
の太陽電池を大面積に設ける事は容易であるが、このま
までは面積によらず最大出力電圧は０．６〜５■程度で
あり電力用途に必要な１００Ｖ以上の出力電圧を得る事
は出来ない。このような実用的な電圧を得る為には複数
の太陽電池セルを接続する集積化が必要で、かかる集積
化技術としては■所定の小面積の太陽電池セルを小面積
基板上に設けその後このセルを所定個直列接続する方法
、■大面積基板上に設けた大面積の太陽電池を、エツチ
ング等により基板をそこなう事なく所定の小面積のセル
に分割し、その後該セルを所定個直列接続する方法、■
大面積基板上にマスク等を用いて分割した状態で所定の
小面積の太陽電池セルを堆積し、その後該セルを所定個
直列接続する方法が知られている。これらの方法の中で
■の方法は非晶質シリコン層堆積の特徴を生かした犬山
生産方式に適さず、又、直列接続する工程、モジュール
化する工程が複雑になる。■の方法についてはレジスト
塗布とエツチングの組合わせによって可能であるが、レ
ジスト塗布、露光、洗浄、エツチング等の多数の工程が
必要であり安価に犬山に太陽電池を製造するのには適さ
ない。■の方法については、一般に金属マスクを基板上
に密着させて太陽電池構成層を順次堆積する事が行なわ
れるが、大面積化の場合、基板とマスクの熱膨張率の違
いによって各層堆積時に基板とマスクの密着性が悪くな
り各層での堆積成分の回り込みの生じる事が多く、良好
な分割パターンが得られない。又、該マスク堆積法によ
る分割の場合、マスクの位置合わせがむつかしくその誤
差を０．５ｍ＋程度以下に小さくする事はむつかしい。
［発明の目的］
ところで、本発明者らは、従来技術のこれらの欠点を解
決する方法として先に特願昭６０−２６４２６＠（昭６
０．２．１５出願）において以下の分割加工方法を提案
した。この方法は、非晶質シリコン半導体層を光起電層
とした、金属電極層、非晶質シリコン半導体層、透明電
極層の積層構造を基板上に形成した非晶質太陽電池をレ
ーザー光により所定のパターンに分割加工するに際し、
あらかじめ前記パターンの金属電極層と非晶質シリコン
半導体層の界面あるいは非晶質シリコン半導体層と透明
電極層の界面に電気絶縁性の樹脂層を形成しておくこと
を特徴とする非晶質太陽電池の分割加工方法であり、上
部電極層とレーザスクライブにより結晶化した非晶質シ
リコン半導体層及び下部電極層との短絡が防止ができ、
分割後の太陽電池特性の低下を防止出来るばかりではな
く、レーザ光のパワーの切換えと不透明な樹脂層の使用
で照射側のみの表層切断とその反対側まで含めた表裏層
切断の選択的分割ができ、一層で２種類のバターニング
ができる優れた方法である。
決する方法として先に特願昭６０−２６４２６＠（昭６
０．２．１５出願）において以下の分割加工方法を提案
した。この方法は、非晶質シリコン半導体層を光起電層
とした、金属電極層、非晶質シリコン半導体層、透明電
極層の積層構造を基板上に形成した非晶質太陽電池をレ
ーザー光により所定のパターンに分割加工するに際し、
あらかじめ前記パターンの金属電極層と非晶質シリコン
半導体層の界面あるいは非晶質シリコン半導体層と透明
電極層の界面に電気絶縁性の樹脂層を形成しておくこと
を特徴とする非晶質太陽電池の分割加工方法であり、上
部電極層とレーザスクライブにより結晶化した非晶質シ
リコン半導体層及び下部電極層との短絡が防止ができ、
分割後の太陽電池特性の低下を防止出来るばかりではな
く、レーザ光のパワーの切換えと不透明な樹脂層の使用
で照射側のみの表層切断とその反対側まで含めた表裏層
切断の選択的分割ができ、一層で２種類のバターニング
ができる優れた方法である。
この方法によって、大面積基板上に設けた大面積の非晶
質太陽電池を基板をそこなう事なく簡単な工程で高速に
分割溝を隔てた任意の形状のセルに分割加工することが
可能となり、これらを直列接続して集積化することによ
って任意の電圧を発生する集積型の薄膜太陽電池を製造
することができる。
質太陽電池を基板をそこなう事なく簡単な工程で高速に
分割溝を隔てた任意の形状のセルに分割加工することが
可能となり、これらを直列接続して集積化することによ
って任意の電圧を発生する集積型の薄膜太陽電池を製造
することができる。
ところで、隣接するセルの直列接続を行なうためには、
一方のセルの下部電極層と他方のセルの上部電極層を導
電性の接続層によって接続しなければならないがこの場
合接続層がレーザスクライブによって形成された分割溝
を跨ぐことが必須となる。
一方のセルの下部電極層と他方のセルの上部電極層を導
電性の接続層によって接続しなければならないがこの場
合接続層がレーザスクライブによって形成された分割溝
を跨ぐことが必須となる。
一方分割された下部電極層の端部は分割溝の下部側壁に
露出しており、場合により接続層を介して上部電極層と
下部電極層が短絡し良好な太陽電池が得られないことが
あった。
露出しており、場合により接続層を介して上部電極層と
下部電極層が短絡し良好な太陽電池が得られないことが
あった。
本発明は上述の問題点を解決せんとしなされたもので、
任意の形状に分割加工された各セルを確実に上８ＩＳ電
極層と下部電極層の短絡なしに直列接続して集積化でき
る薄膜太陽電池の製造方法を提供することを目的とする
。
任意の形状に分割加工された各セルを確実に上８ＩＳ電
極層と下部電極層の短絡なしに直列接続して集積化でき
る薄膜太陽電池の製造方法を提供することを目的とする
。
［発明の構成９作用］
すなわち本発明は、電気絶縁性基板上に形成された下部
電極層、非晶質シリコン層、下部電極層からなる連続し
た光起電力積層体を罫書いて分割溝を形成し、複数のセ
ルに分割し、次いでセル間を電気接続して集積化するに
際し、分割溝を形成後分割溝に電気絶縁性の樹脂を充填
し、次いでセル間を電気接続することを特徴とする薄膜
太陽電池の製造方法である。
電極層、非晶質シリコン層、下部電極層からなる連続し
た光起電力積層体を罫書いて分割溝を形成し、複数のセ
ルに分割し、次いでセル間を電気接続して集積化するに
際し、分割溝を形成後分割溝に電気絶縁性の樹脂を充填
し、次いでセル間を電気接続することを特徴とする薄膜
太陽電池の製造方法である。
上述の通り、本発明は、分割溝に電気絶縁性の樹脂を充
填するので、セル間の電気接続のため分割溝を跨いで接
続層を形成しても、分割溝内に接続層が入って下部電極
層と接続層紙いては上部電極層とが電気接続されること
はなく、セルを短絡することなくセル間接続ができるの
である。
填するので、セル間の電気接続のため分割溝を跨いで接
続層を形成しても、分割溝内に接続層が入って下部電極
層と接続層紙いては上部電極層とが電気接続されること
はなく、セルを短絡することなくセル間接続ができるの
である。
ところで、本発明の罫書き法としては、光起電力積層体
を所定のセルに分割する分割溝を形成できるものであれ
ば特に限定されず、機械加工法やエネルギービーム利用
が用いられるが、好ましくは以下に例示するレーザスク
ライブ法が用いられる。すなわちレーザー光を使用する
分割加工法は光学系を調整する事によってその分割部分
の幅は数十μ〜数百μの間で自由に変更する事が出来、
又、コンピューター制御方式の採用によって予め所定の
パターンをプログラムしておくことによって正確に再現
性よく任意形状の分割が可能である。
を所定のセルに分割する分割溝を形成できるものであれ
ば特に限定されず、機械加工法やエネルギービーム利用
が用いられるが、好ましくは以下に例示するレーザスク
ライブ法が用いられる。すなわちレーザー光を使用する
分割加工法は光学系を調整する事によってその分割部分
の幅は数十μ〜数百μの間で自由に変更する事が出来、
又、コンピューター制御方式の採用によって予め所定の
パターンをプログラムしておくことによって正確に再現
性よく任意形状の分割が可能である。
更に、光学系内のミラー移動あるいは光学ファイバーグ
ラスを用いれば連続的に走行する広幅基板フィルム上の
太陽電池も分割加工可能で、全体として生産性の良い分
割加工プロセスが実現できる。
ラスを用いれば連続的に走行する広幅基板フィルム上の
太陽電池も分割加工可能で、全体として生産性の良い分
割加工プロセスが実現できる。
特に、非晶質太陽電池の非晶質シリコン半導体層と金属
電極層の間あるいは非晶質シリコン半導体層と透明電極
層の間に電気絶縁性樹脂層を介在させて、基板以外のす
べての構成層をレーザ光を用いて分割することにより、
分割された太陽電池内での透明電極層と結晶化した非晶
質シリコン半導体層及び金属電極層との短絡が防止でき
、分割後の太陽電池特性の低下を防止出来る歩留りの良
い分割加工プロセスが達成できる。
電極層の間あるいは非晶質シリコン半導体層と透明電極
層の間に電気絶縁性樹脂層を介在させて、基板以外のす
べての構成層をレーザ光を用いて分割することにより、
分割された太陽電池内での透明電極層と結晶化した非晶
質シリコン半導体層及び金属電極層との短絡が防止でき
、分割後の太陽電池特性の低下を防止出来る歩留りの良
い分割加工プロセスが達成できる。
又、本発明において分割溝に充填する樹脂は、電気絶縁
性であればとくに限定されず、エポキシ樹脂、ポリアミ
ド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂等を用いる
事が出来る。なお、分割溝に充填するに際しては、コー
ティング法、スクリーン印刷法等公知の方法が適用でき
るが生産性面からスクリーン印刷法が好ましい。又前述
した作用から、分割溝への樹脂の充填は下部電極層と接
続層の電気接続が防止できるものであれば、良く、分割
溝に充満させる必要はない。しかし、接続層の安定形成
面からはセル表面と略同−とすることが好ましく、実用
上はセル表面に対して±１００μｍ以下、好ましくは±
５０μｍ以下になるように充填すると良い。
性であればとくに限定されず、エポキシ樹脂、ポリアミ
ド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂等を用いる
事が出来る。なお、分割溝に充填するに際しては、コー
ティング法、スクリーン印刷法等公知の方法が適用でき
るが生産性面からスクリーン印刷法が好ましい。又前述
した作用から、分割溝への樹脂の充填は下部電極層と接
続層の電気接続が防止できるものであれば、良く、分割
溝に充満させる必要はない。しかし、接続層の安定形成
面からはセル表面と略同−とすることが好ましく、実用
上はセル表面に対して±１００μｍ以下、好ましくは±
５０μｍ以下になるように充填すると良い。
ところで、本発明が適用できる薄膜太陽電池は、特に限
定されず、非晶質シリコン半導体層を起電力層としたも
のであれば良く、公知のものが全て適用できる。
定されず、非晶質シリコン半導体層を起電力層としたも
のであれば良く、公知のものが全て適用できる。
例えば電気絶縁性基板としては、高分子フィルム、セラ
ミック板、ガラス板あるいは絶縁性層を表面に設けた金
属フォイルが使用出来、特に連続膜形成及び分割加工が
適用できる長尺可撓性基板が有利である。又、その上に
設ける金属電極層してもＴｉ 、ＡＵ 、Ｗ、Ｐｔ 、
Ｎｉ 、Ｃｏ 、クロム。
ミック板、ガラス板あるいは絶縁性層を表面に設けた金
属フォイルが使用出来、特に連続膜形成及び分割加工が
適用できる長尺可撓性基板が有利である。又、その上に
設ける金属電極層してもＴｉ 、ＡＵ 、Ｗ、Ｐｔ 、
Ｎｉ 、Ｃｏ 、クロム。
ニクロムなどの単体金属１合金金属が使用出来る。
又起電力層の非晶質シリコン半導体層の構成としてもｐ
ｉｎの他、ｐｉｎ ／ｐｉｎ 、 ｐｉｎ ／ｐｉｎ
／ｐｉｎ等の多層タンデム構造はもちろんのこと、非晶
質シリコンゲルマニウム、非晶質シリコンカーバイトな
どのナローバンドギャップあるいはワイドバンドギャッ
プの非晶質シリコン半導体層を適時用いる事も出来る。
ｉｎの他、ｐｉｎ ／ｐｉｎ 、 ｐｉｎ ／ｐｉｎ
／ｐｉｎ等の多層タンデム構造はもちろんのこと、非晶
質シリコンゲルマニウム、非晶質シリコンカーバイトな
どのナローバンドギャップあるいはワイドバンドギャッ
プの非晶質シリコン半導体層を適時用いる事も出来る。
さらに透明電極層としては酸化スズ、スズ酸カドミウム
等公知の透明導電層が適用できる。
等公知の透明導電層が適用できる。
又、本発明に、おける分割されたセル間を電気接続する
方法としては、接続する一方のセルの上部電極と他方の
セルの下部電極とを電気的に接続できるものであれば、
特に限定されず、リード線で接続する方法、ＰＶＤ法等
により金ａ薄躾からなる接続層を形成する方法、スクリ
ーン印刷法により導電性樹脂層よりなる接続層を形成す
る方法等公知の方法が適用できる。中でも生産性面、設
備面からスクリーン印刷法による電気接続が好ましく適
用される。
方法としては、接続する一方のセルの上部電極と他方の
セルの下部電極とを電気的に接続できるものであれば、
特に限定されず、リード線で接続する方法、ＰＶＤ法等
により金ａ薄躾からなる接続層を形成する方法、スクリ
ーン印刷法により導電性樹脂層よりなる接続層を形成す
る方法等公知の方法が適用できる。中でも生産性面、設
備面からスクリーン印刷法による電気接続が好ましく適
用される。
以下本発明を実施例に基いて説明する。
［実施例］
第１図は実施例の非晶質シリコン薄膜太陽電池の側断面
図である。基板１として、ロールツーロール法によって
太陽電池構成層を順次長尺の走行する基板上に堆積出来
、大量生産に適した高分子フィルムを用いた例である。
図である。基板１として、ロールツーロール法によって
太陽電池構成層を順次長尺の走行する基板上に堆積出来
、大量生産に適した高分子フィルムを用いた例である。
高分子フィルムとしては非晶質シリコン堆積に必要な耐
熱性を有する高分子フィルムなどどれでも良いが好まし
くは、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム
。
熱性を有する高分子フィルムなどどれでも良いが好まし
くは、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム
。
ポリイミドフィルムなどが用いられる。図の例はＰＥＴ
フィルムを用いである。
フィルムを用いである。
金属電極層２として０．５μ瓦程度のＡｎ層２ａと３０
０人〜１０人程度のステンレス層２ｂを順次スパッタリ
ング法を用いて堆積したＡＭ／ステンレス積層体を用い
た。
０人〜１０人程度のステンレス層２ｂを順次スパッタリ
ング法を用いて堆積したＡＭ／ステンレス積層体を用い
た。
光起電力層の非晶質シリコン半導体層３は周知のｐｉｎ
形構成を採用し、特開昭５９−３４６６８号公報に開示
のものと同様なシランガス等のグロー放電分解法を用い
て金属電極層２上に堆積した。
形構成を採用し、特開昭５９−３４６６８号公報に開示
のものと同様なシランガス等のグロー放電分解法を用い
て金属電極層２上に堆積した。
次にレーザスクライブ法による分割時の電極間短絡防止
のために非晶質シリコン半導体３と透明電極層４との界
面に設ける電気絶縁性の絶縁樹脂層５として、非晶質シ
リコン半導体層３上にエポキシ樹脂をスクリーン印刷法
を用いてレーザーで分割加工する第２図に太線で示す所
定のパターン形状に１０μｍの厚さに設けた。
のために非晶質シリコン半導体３と透明電極層４との界
面に設ける電気絶縁性の絶縁樹脂層５として、非晶質シ
リコン半導体層３上にエポキシ樹脂をスクリーン印刷法
を用いてレーザーで分割加工する第２図に太線で示す所
定のパターン形状に１０μｍの厚さに設けた。
次に透明電極層４として酸化インジューム（ＩＴｏ）層
を電子ビーム蒸着あるいはスパッタリング法によって６
００人程度に堆積し、第１図に示すＰＥＴ／ＡＵ／ＳＵ
Ｓ／非晶質シリコンＩ）ｉｎ ／パターン化したエポキ
シ樹脂層／ＩＴＯ構造の非晶質薄膜太陽電池を得た。
を電子ビーム蒸着あるいはスパッタリング法によって６
００人程度に堆積し、第１図に示すＰＥＴ／ＡＵ／ＳＵ
Ｓ／非晶質シリコンＩ）ｉｎ ／パターン化したエポキ
シ樹脂層／ＩＴＯ構造の非晶質薄膜太陽電池を得た。
次いで、このＰＥＴ／Ａｌｌ／５ＬＩＳ／非晶質シリコ
ンｐｉｎ ／パターン化したエポキシ樹脂１１／ＩＴｏ
構造の非晶質太陽電池の１０１×１０ｃｍ角セルをＹＡ
Ｇレーザーで、エポキシ樹脂層からなる電気絶縁性高分
子樹脂層５上を走査して太陽電池成分若しくは透明電極
層４を溶融・蒸発させて第１図の如く基板１若しくは絶
縁樹脂層５までの分割溝６ａ、 ６ｂを形成して、第２
図の如く３個の略３ｃＩＲ×１０ｆｆ角のセルＣに分割
した。なお、ＹＡＧレーザーはＱスイッチパルスレーザ
−で平均レーザーパワーを下部の金属電極層２まで分割
する分割溝６ａの場合は００ａＷ 、透明電極層４のみ
を分割する分割溝６ｂの場合は０．２Ｗとし、共にパル
ス周波数２ＫＨｚで太陽電池表面上に照射し、速度８０
ｊＩｌ／ｓｅｃで走査させた。
ンｐｉｎ ／パターン化したエポキシ樹脂１１／ＩＴｏ
構造の非晶質太陽電池の１０１×１０ｃｍ角セルをＹＡ
Ｇレーザーで、エポキシ樹脂層からなる電気絶縁性高分
子樹脂層５上を走査して太陽電池成分若しくは透明電極
層４を溶融・蒸発させて第１図の如く基板１若しくは絶
縁樹脂層５までの分割溝６ａ、 ６ｂを形成して、第２
図の如く３個の略３ｃＩＲ×１０ｆｆ角のセルＣに分割
した。なお、ＹＡＧレーザーはＱスイッチパルスレーザ
−で平均レーザーパワーを下部の金属電極層２まで分割
する分割溝６ａの場合は００ａＷ 、透明電極層４のみ
を分割する分割溝６ｂの場合は０．２Ｗとし、共にパル
ス周波数２ＫＨｚで太陽電池表面上に照射し、速度８０
ｊＩｌ／ｓｅｃで走査させた。
この分割された３個のセルＣを直列接続する為には各セ
ルＣの分割溝６８と６ｂで挾まれた接続部所（第２図の
斜線部）Ｓの金ｉ電極層２を露出させる必要があり、ス
テンレス類のナイフを用いセルＣの上面に対して垂直に
保持した状態で所定接圧で押圧しつつ繰返し水平方向に
移動させることにより接続個所Ｓの金属電極層２．非晶
質シリコン層３及び透明電極層４を除去してその全面に
わたり約１００μｍ幅の７字状溝７を均一密度で形成し
、金属電極層２を露出させた。
ルＣの分割溝６８と６ｂで挾まれた接続部所（第２図の
斜線部）Ｓの金ｉ電極層２を露出させる必要があり、ス
テンレス類のナイフを用いセルＣの上面に対して垂直に
保持した状態で所定接圧で押圧しつつ繰返し水平方向に
移動させることにより接続個所Ｓの金属電極層２．非晶
質シリコン層３及び透明電極層４を除去してその全面に
わたり約１００μｍ幅の７字状溝７を均一密度で形成し
、金属電極層２を露出させた。
次に本発明に従って電気絶縁性樹脂としてエポキシ樹脂
を用い、これをスクリーン印刷法を用いて、絶縁樹脂層
５と同じ第２図に示す所定のパターン形状に１０μｍの
厚さに設け、分割溝６ａ、 ６ｂに充填し、充填樹脂層
８を形成した。
を用い、これをスクリーン印刷法を用いて、絶縁樹脂層
５と同じ第２図に示す所定のパターン形状に１０μｍの
厚さに設け、分割溝６ａ、 ６ｂに充填し、充填樹脂層
８を形成した。
その後各セルを直列接続させる接続層９として第３図に
示すフィンガ一部Ｆとバスバ一部Ｂとからなる収集電極
パターンをそのバスパ一部Ｂが接続個所Ｓと一致するよ
う・に導電性樹脂層をスクリ ゛−ン印刷法を用
いて露出した金属層２上及び透明導電層４上に設はセル
０間接続と収集電極とを兼用させた。なお図のＢ′は電
流取り出し用電極となる接続層である。
示すフィンガ一部Ｆとバスバ一部Ｂとからなる収集電極
パターンをそのバスパ一部Ｂが接続個所Ｓと一致するよ
う・に導電性樹脂層をスクリ ゛−ン印刷法を用
いて露出した金属層２上及び透明導電層４上に設はセル
０間接続と収集電極とを兼用させた。なお図のＢ′は電
流取り出し用電極となる接続層である。
この３直列モジュールの性能をＡＭｌ（１００ｍＷ／ｃ
ｄ’）ソーラシミュレータ売上で測定した結果を表１に
示した。
ｄ’）ソーラシミュレータ売上で測定した結果を表１に
示した。
比較の為充填樹脂層８を設けない点を除いて上述の実施
例と同じ構成の３直列モジュールを作成し、同様にＡＭ
Ｉソーラシュレータ光下で測定したところ、出力電圧は
零であった。この原因は分割溝内での短絡発生によるも
のであった。
例と同じ構成の３直列モジュールを作成し、同様にＡＭ
Ｉソーラシュレータ光下で測定したところ、出力電圧は
零であった。この原因は分割溝内での短絡発生によるも
のであった。
表１の結果は本発明の製造方法によって、分割溝での短
絡を発生させることなく分割されたセルの直列接続が確
実にできる事を示している。
絡を発生させることなく分割されたセルの直列接続が確
実にできる事を示している。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施例の側断面図、第２図は、実施例
のセルの分割パターンを示す平面図、第３図は実施例の
セル間接続電極のパターンを示す平面図である。 １；基 板 ２：金属電極層 ３：非晶質シリコン層 ４：透明電極層５：絶縁樹脂層
５ ： ６ａ、 ６ｂ：分割溝８：樹脂層 ９：接続
層 第 １ 図
のセルの分割パターンを示す平面図、第３図は実施例の
セル間接続電極のパターンを示す平面図である。 １；基 板 ２：金属電極層 ３：非晶質シリコン層 ４：透明電極層５：絶縁樹脂層
５ ： ６ａ、 ６ｂ：分割溝８：樹脂層 ９：接続
層 第 １ 図
Claims (3)
- （１）電気絶縁性基板上に形成された下部電極層、非晶
質シリコン層、上部電極層からなる連続した光起電力積
層体を罫書いて分割溝を形成し、複数のセルに分割し、
次いでセル間を電気接続して集積化するに際し、分割溝
を形成後分割溝に電気絶縁性の樹脂を充填し、次いでセ
ル間を電気接続することを特徴とする薄膜太陽電池の製
造方法。 - （２）前記の分割溝を形成するための罫線書き法がレー
ザスクライブ法である特許請求の範囲第１項記載の薄膜
太陽電池。 - （３）前記樹脂をスクリーン印刷法により充填する特許
請求の範囲第１項若しくは第２項記載の薄膜太陽電池の
製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60082172A JPS61241981A (ja) | 1985-04-19 | 1985-04-19 | 薄膜太陽電池の製造方法 |
| US06/828,197 US4697041A (en) | 1985-02-15 | 1986-02-10 | Integrated solar cells |
| FR868602039A FR2577716B1 (fr) | 1985-02-15 | 1986-02-14 | Piles solaires integrees et leur procede de fabrication |
| DE19863604894 DE3604894A1 (de) | 1985-02-15 | 1986-02-15 | Integrierte solarzellen und verfahren zu ihrer herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60082172A JPS61241981A (ja) | 1985-04-19 | 1985-04-19 | 薄膜太陽電池の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61241981A true JPS61241981A (ja) | 1986-10-28 |
Family
ID=13767010
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60082172A Expired - Lifetime JPS61241981A (ja) | 1985-02-15 | 1985-04-19 | 薄膜太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61241981A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006049541A (ja) * | 2004-08-04 | 2006-02-16 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 太陽電池モジュールとその製造方法 |
| JP2006319081A (ja) * | 2005-05-12 | 2006-11-24 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 太陽電池モジュール及びその製造方法 |
| CN100426534C (zh) * | 2006-12-31 | 2008-10-15 | 高文秀 | 硅片表面金属电极制作方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5753986A (ja) * | 1980-07-25 | 1982-03-31 | Eastman Kodak Co | |
| JPS57176778A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-30 | Rca Corp | Solar battery array |
| JPS5935487A (ja) * | 1982-08-24 | 1984-02-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 光半導体装置の製造方法 |
| JPS59103383A (ja) * | 1982-12-03 | 1984-06-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置の製造方法 |
-
1985
- 1985-04-19 JP JP60082172A patent/JPS61241981A/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5753986A (ja) * | 1980-07-25 | 1982-03-31 | Eastman Kodak Co | |
| JPS57176778A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-30 | Rca Corp | Solar battery array |
| JPS5935487A (ja) * | 1982-08-24 | 1984-02-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 光半導体装置の製造方法 |
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| JP2006319081A (ja) * | 2005-05-12 | 2006-11-24 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 太陽電池モジュール及びその製造方法 |
| CN100426534C (zh) * | 2006-12-31 | 2008-10-15 | 高文秀 | 硅片表面金属电极制作方法 |
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Legal Events
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