DE4325634A1 - Verfahren zur Herstellung einer integrierten dünnen Solarzelle (Integrale Dünne Solarzelle) - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer integrierten dünnen Solarzelle (Integrale Dünne Solarzelle)

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Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer integrierten dünnen Solarzelle (IDSZ) nach dem Oberbegriff von Anspruch 1 und 2 (Integrale Dünne Solarzelle).
In der DE 41 32 903 A1, ist eine dünne Solarzelle be­ schrieben, deren Körper im wesentlichen aus den photoak­ tiven Halbleiterschichten besteht, vorzugsweise Galliumarse­ nid-Zelle. Wie aus Fig. 1 zu ersehen ist, weist der Halblei­ terkörper 1 auf seiner vorderseitigen Lichteinfallseite ein gridförmiges Kontaktsystem (Vorderseitenkontakt) 2, eine Antireflex-Schicht 3 und ein mittels Kleberschicht 5 be­ festigtes Deckglas 4 sowie auf seiner Rückseite einen Rück­ seitenkontakt 6 auf. Zum Anschluß von eine Serien- und/oder Parallelverbindung von mehreren Solarzellen ermöglichenden Solarzellen-Verbindern 7, 71 sind Verschaltungspunkte 8, 81 (Verschaltungsflächen) vorgesehen, von denen einer mit dem Vorderseitenkontakt 2 und der andere mit dem Rückseitenkon­ takt 6 in elektrisch leitender Verbindung steht. Die Ver­ schaltungspunkte 8, 81 befinden sich von dem Halbleiterkör­ per 1 entfernt auf einer Seite der Solarzelle, vorzugsweise sind sie auf der dem Halbleiterkörper zugewandten Seite des Deckglases 4 derart angeordnet, daß die zum Verschalten offenen Flächen der Verschaltungspunkte 8, 81 zum Halb­ leiterkörper 1 hinweisen.
Diese Kontakte, die die Verbindung der Solarzelle "nach außen" z. B. zur Herstellung von Modulen aus Solarzellen ermöglichen, werden im folgenden als Kontakte oder Verbin­ dungen "nach außen" bezeichnet. Die elektrischen Verbin­ dungen zwischen Kontakten und zugehörigen Verschaltungs­ punkten 8, 81 sind durch Brückenkontakte 61, 62 herge­ stellt. Weiterhin sind die Stirnseiten des Halbleiterkör­ pers 1 durch ein Dielektrikum 9, 91 passiviert. Die mit 31 bezeichnete Antireflex-Schicht ist für den Fall vorge­ sehen, daß es sich bei dem Halbleiterkörper 1 um eine als Bi-facial-Solarzelle verwendbare Epitaxie-Schichtenfolge handelt, ebenso wie ein rückseitiges Deckglas und ein rückseitiger Kleber (in den Fig. 1 bis 3 nicht darge­ stellt).
Diese dünne Solarzelle (SZ) ermöglicht trotz ihrer gerin­ gen Dicke und damit verbundenen verhältnismäßig leichten Zerbrechlichkeit hohe Stabilität aufgrund der Herstellung auf dem Deckglas, sowie eine einwandfreie und sichere Ver­ schaltung "nach außen" mittels der Verbinder 7, 71 zu groß­ flächigen leichten Solarmodulen.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die dünne Solarzelle hoher Stabilität und sicherer Verschalt­ barkeit weiter zu verbessern und das Verfahren zur Her­ stellung dieser dünnen Solarzelle zur Herstellung "inte­ graler dünner Solarzellen" erster und zweiter Art zu er­ weitern.
Dabei entsteht die "integrale dünne Solarzelle" (IDSZ) erster Art aus einem in seinen Eigenschaften (z. B. Epi­ taxie) gleichen, zu Prozeßbeginn zusammenhängenden Halb­ leiterkörper auf einem Substrat wie die "dünne Solarzel­ le", mit im Design abweichender, in gleicher Weise fer­ tiggestellter Vorderseite (Kontakte, AR-Schicht) und wird wie diese danach auf dem Träger befestigt und ganz oder teilweise vom Substrat getrennt, dann aber in mindestens zwei, dem Design der Vorderseite entsprechende, im Halb­ leiterkörper getrennte kleinere, nicht notwendig gleich­ große Einzelkörper (Einzelzellen) zerteilt und im weite­ ren Prozeß wieder elektrisch parallel und/oder seriell durch metallische Kontakte, die in ihrem Aufbau im wesent­ lichen den Kontakten der dünnen Solarzellen "nach außen" zur Anbringung der Verbinder entsprechen, miteinander verbunden ("innere" Verschaltung mittels "inneren" Kon­ takten). Durch diese Zerteilung und elektrische Re-Inte­ gration des Halbleiterkörpers auf dem Träger (Deckglas) entsteht eine neue Art Zelle, eben die "integrale dünne Solarzelle" (IDSZ) erster Art. Die Kontakte, die die Ver­ bindung der Einzelkörper der Solarzelle (IDSZ) unterein­ ander herstellen, werden im folgenden als "innere Kontakte" oder "innere Verbindungen" bezeichnet.
Die "integrale dünne Solarzelle" (IDSZ) zweiter Art ent­ steht dadurch, daß mehrere in gleicher Weise auf der Vor­ derseite fertiggestellte, jedoch von unbrauchbaren Rand­ bereichen befreite, Halbleiterkörper auf Substraten ge­ meinsam in geringem Abstand voneinander auf einem Träger (Deckglas) ausgerichtet befestigt, ganz oder teilweise von ihren Substraten getrennt und dann in gleicher Weise wie die Solarzelle (IDSZ) erster Art evtl. weiter unter­ teilt und schließlich elektrisch seriell und/oder paral­ lel miteinander verbunden werden.
Die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe wird durch folgende Verfahrensschritte gelöst:
  • Aa) auf einem Trägersubstrat wird eine als großflächige Solarzelle verwendbare photoaktive Schichtenfolge (Halbleiterkörper) hergestellt,
  • Ab) auf die vorderseitige Lichteinfallseite des Halblei­ terkörpers werden dem Enddesign der Solarzelle (IDSZ) entsprechende Kontaktsysteme aufgebracht,
  • Ac) auf die vorderseitige Lichteinfallseite des Halblei­ terkörpers zusammen mit den Kontaktsystemen wird ein Deckglas als späterer Träger der fertiggestellten Solarzelle (IDSZ) aufgebracht,
  • Ad) das Trägersubstrat und gegebenenfalls vorhandene Zwi­ schenschichten werden ganz oder teilweise von dem Halbleiterkörper entfernt,
  • Ae) durch einen oder mehrere Prozesse werden einerseits die unbrauchbaren Ränder des Halbleiterkörpers ent­ fernt und es wird der Halbleiterkörper durch Gräben vollständig durchtrennt und dadurch in Einzelkörper zerlegt, so daß entsprechend der Anzahl und den Ab­ messungen der vorderseitigen Kontaktsysteme mehrere kleinere vorzugsweise mehrheitlich photoaktive Solar­ zellen (Einzelzellen) entstehen, des weiteren wer­ den (soweit erforderlich) Teilbereiche des Halblei­ terkörpers von einem bis allen Einzelkörpern entfernt zur Freilegung zumindest eines Teils des zugehörigen vorderseitigen Kontaktsystems zwecks Herstellung einer elektrischen Verbindung mit Brückenkontakten,
  • Af) auf die vom Trägersubstrat ganz oder teilweise und gegebenenfalls von Zwischenschichten befreiten Rück­ seiten der Einzelkörper werden elektrisch leitende Schichten als Rückseitenkontakte aufgebracht, die sich, gegenüber den Stirnseiten der Einzelkörper isoliert, bis auf die dem Halbleiterkörper zuge­ wandte Seite des Deckglases bzw. bis auf eine zwi­ schen Deckglas und Halbleiterkörper befindliche dielektrische Zwischenschicht erstrecken und dort entweder Kontaktflächen für die Verbindung des Rück­ seitenkontakts "nach außen" bilden oder "innere" Verbindungen, wobei durch Weiterführung der elektri­ schen Schichten von den isolierten Stirnseiten bis auf die freigelegten Teile des Vorderseitenkontakts einer nächsten Einzelzelle eine serielle Verbindung von Einzelzellen und durch Zusammenführung der Rück­ seitenkontakte zweier Einzelzellen eine parallele Verbindung entstehen, und
  • Ag) im gleichen oder einem weiteren Prozeß werden frei­ gelegte Teile des Vorderseitenkontakts durch elek­ trisch leitende Schichten kontaktiert und entweder ebenfalls bis auf die dem Halbleiterkörper zuge­ wandte Seite des Deckglases bzw. bis auf eine zwi­ schen Deckglas und Halbleiterkörper befindliche dielektrische Zwischenschicht geführt, um dort die Kontaktflächen für die Verbindung des Vorderseiten­ kontakts "nach außen" zu bilden oder durch Weiter­ führung der elektrischen Schichten bis zu einem an­ deren freigelegten Teil des Vorderseitenkontakts eines nächsten Einzelkörpers eine parallele "innere" Verbindung der Einzelkörper herzustellen.
Die Aufgabe wird erfindungsgemäß auch durch folgende Ver­ fahrensschritte gelöst:
  • Ba) auf Trägersubstraten werden als Solarzelle verwend­ bare photoaktive Schichtenfolgen (Halbleiterkörper) hergestellt,
  • Bb) auf die vorderseitige Lichteinfallseite der Halblei­ terkörper auf ihren Trägersubstraten werden dem End­ design der Solarzelle (IDSZ) entsprechende Kontakt­ systeme aufgebracht,
  • Bc) die unbrauchbaren Ränder der Halbleiterkörper mit den darunterliegenden Teilen der Trägersubstrate werden abgetrennt und mehrere der so entstandenen Einzelkörper werden mit ihren vorderseitigen Licht­ einfallseiten, dem Maskendesign der in den folgen­ den Prozessen herzustellenden Rückseiten- und Ver­ bindungskontakte entsprechend, auf ein Deckglas als Träger der Solarzelle (IDSZ) laminiert,
  • Bd) die Trägersubstrate und gegebenenfalls vorhandene Zwischenschichten werden ganz oder teilweise von den Halbleiterkörpern entfernt,
  • Be) des weiteren werden (soweit erforderlich) Teilbe­ reiche des Halbleiterkörpers von einigen bis allen Einzelkörpern entfernt zur Freilegung zumindest eines Teils des zugehörigen vorderseitigen Kontakt­ systems zwecks Herstellung einer elektrischen Ver­ bindung mit Brückenkontakten,
  • Bf) auf die vom Trägersubstrat ganz oder teilweise und gegebenenfalls von Zwischenschichten befreiten Rück­ seiten der Einzelkörper werden elektrisch leitende Schichten als Rückseitenkontakte aufgebracht, die sich, gegenüber den Stirnseiten der Einzelkörper isoliert, bis auf die dem Halbleiterkörper zuge­ wandte Seite des Deckglases bzw. bis auf eine zwi­ schen Deckglas und Halbleiterkörper befindliche dielektrische Zwischenschicht erstrecken und dort entweder Kontaktflächen für die Verbindung des Rück­ seitenkontakts "nach außen" bilden oder "innere" Verbindungen, wobei durch Weiterführung der elektri­ schen Schichten von den isolierten Stirnseiten bis auf die freigelegten Teile des Vorderseitenkontakts einer nächsten Einzelzelle eine serielle Verbindung von Einzelzellen und durch Zusammenführung der Rück­ seitenkontakte zweier Einzelzellen eine parallele Verbindung entstehen, und
  • Bg) im gleichen oder einem weiteren Prozeß werden frei­ gelegte Teile des Vorderseitenkontakts durch elek­ trisch leitende Schichten kontaktiert und entweder ebenfalls bis auf die dem Halbleiterkörper zuge­ wandte Seite des Deckglases bzw. bis auf eine zwi­ schen Deckglas und Halbleiterkörper befindliche dielektrische Zwischenschicht geführt, um dort die Kontaktflächen für die Verbindung des Vorderseiten­ kontakts "nach außen" zu bilden oder durch Weiter­ führung der elektrischen Schichten bis zu einem an­ deren freigelegten Teil des Vorderseitenkontakts eines nächsten Einzelkörpers eine parallele "innere" Verbindung der Einzelkörper herzustellen.
Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen 2 bis 14 beschrieben.
Ein Vorteil der erfindungsgemäßen Verfahren liegt darin, daß mit entsprechenden Maskensätzen alle nur möglichen Verbindungen von Einzelsolarzellen der Solarzelle (IDSZ) beliebiger Vielfalt auf einem Träger (Deckglas) nach innen und außen hergestellt werden können. Dabei ergeben Vorder­ seitenkontakt (VS) und Rückseitenkontakt (RS) folgende Ver­ bindungen: (siehe Fig. 2 und Fig. 3).
VSn - VSm und RSn - RSm parallele Verschaltungen und
VSn - RSm und VSm - RSo serielle Verschaltung
Die Verbindung nach außen ist auch bei der integrierten Solarzelle (IDSZ) eine Verbindung mit Kontaktinseln für die Verbinder separiert von dem Halbleiterkörper auf der Rückseite des Trägerglases.
Parallele Verschaltung kann Verwendung finden z. B. zur Reduzierung der Gefahr der Rißbildung aufgrund starker Verspannungen großflächiger "dünner Solarzellen" durch Zerteilung der großen Zelle in kleinere geringer ver­ spannte Einzelzellen im Herstellungsprozeß und anschlie­ ßender paralleler elektrischer Wiederverbindung der Ein­ zelzellen durch obige Kontakttechnologie (IDSZ erster Art), oder zur Herstellung großflächiger Zellen niederer elek­ trischer Spannung (IDSZ zweiter Art).
Während parallel verschaltete Zellen bei geringer elek­ trischer Spannung hohen Strom liefern, kann serielle Ver­ schaltung der Erhöhung der elektrischen Spannung der So­ larzelle (IDSZ) dienen, wobei die Einzelzellen der großen Solarzelle seriell miteinander verbunden werden (IDSZ erster und zweiter Art).
Eine weitere Anwendungsmöglichkeit bietet sich an mit der Integration auch anderer Bauelemente, die sich aus dem Halbleiterkörper herstellen lassen, z. B. von "shunt-Di­ oden". Hierbei werden zusätzlich möglichst kleine Teile des Halbleiterkörpers (der einen p/n Übergang enthält) separiert (Diode) und mit den Einzelzellen (oder gemein­ sam mehreren bis allen) in inverser Richtung zurückverbun­ den (zwei serielle Verbindungen je Diode). Ein Schutz der Zellen vor Durchbruch in Sperrichtung aber auch ein ge­ ringerer Leistungsverlust eines Moduls bei Teilabschat­ tung wird dadurch erreicht.
Auch "blocking-Dioden" zum Schutz vor Strom-Richtungsum­ kehr sind in entsprechender Weise integrierbar.
In der Zeichnung (Fig. 2 und Fig. 3) sind Ausführungsbei­ spiele der Verschaltung von Einzelkörpern einer nach den erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten Solarzelle (IDSZ) dargestellt, und zwar zeigt:
Fig. 2 ein erstes Kontaktsystem zur Verbindung von Ein­ zelkörpern, wobei
Fig. 2A einen seriellen Kontakt von Vorder- und Rücksei­ te,
Fig. 2B einen parallelen Rückseitenkontakt und
Fig. 2C einen parallelen Vorderseitenkontakt zeigen, sowie,
Fig. 3 modifizierte Kontaktsysteme zur Verbindung von Einzelkörpern mit,
Fig. 3D als seriellem Kontakt,
Fig. 3E als parallelem Rückseitenkontakt,
Fig. 3F als parallelem Vorderseitenkontakt und
Fig. 3G ebenfalls als parallelem Vorderseitenkontakt.
In den Fig. 2A bis 3G werden für die einzelnen Bauele­ mente die aus Fig. 1 ersichtlichen und in der Beschrei­ bungseinleitung erläuterten Bezugszeichen verwendet, wobei diese aus Ziffern bestehenden Bezugszeichenteile entspre­ chend ihrer zugehörigen Fig. 2A bis 3G durch einen voran­ gestellten oder nachgestellten Kleinbuchstaben a bis g ergänzt worden sind. Beispielsweise werden durch das Be­ zugszeichen a1 der Halbleiterkörper von Fig. 2A und durch das Bezugszeichen e4 das Deckglas von Fig. 3E bezeichnet. Die Kleinbuchstaben a bis g geben somit einen Hinweis auf die Figur, während mit den einzelnen Ziffern folgende Bau­ elemente bezeichnet sind:
1 Halbleiterkörper
2 Vorderseitenkontakt (gridförmiges Kontaktsystem)
3, 31 Antireflex-Schicht
4 Deckglas
5 Deckglaskleber
6 Rückseitenkontakt
61, 62 Brückenkontakt
8, 81 Verschaltungsflächen nach außen
82 Verbindungssohle der Kontakte nach innen
9, 91 Passivierung, Brücke
Die Herstellung der Solarzelle (IDSZ), ersichtlich aus den Fig. 2A bis 3G, erfolgt nach den oben beschriebenen und in den Hauptansprüchen beanspruchten Verfahren. Zur Entfer­ nung der in den Figuren nicht dargestellten Substrate und gegebenenfalls vorhandener Zwischen- und Epitaxieschichten wird der an sich bekannte CLEFT-Prozeß, eine Abhebetechnik über eine chemisch selektiv ätzbare epitaktisch gewachse­ ne Zwischenschicht, eine Ätzschicht mit Abätzen des Trä­ gersubstrates und gegebenenfalls vorhandener Zwischen- und Epitaxieschichten bis zu einer epitaktisch gewachse­ nen Stop-Schicht, eine Abläpp- und/oder Poliertechnik oder auch eine Ätztechnik ganz oder nahezu bis zu den photoelektrisch aktiven Schichtbereichen angewandt.
Für die Herstellung einer Bi-facial-Solarzelle sind noch folgende besondere Verfahrensschritte durchzuführen:
  • - auf das Trägersubstrat wird eine als großflächiges Bi­ facial-Solarmodul verwendbare Epitaxie-Schichtenfolge aufgebracht,
  • - auf die vom Trägersubstrat und gegebenenfalls von vor­ handenen Zwischenschichten befreite Rückseite werden gridförmige Rückseitenkontaktsysteme 6 entsprechend der Anzahl und den Abmessungen der Solarzellen und eine An­ tireflex-Schicht 31 aufgebracht, und
  • - auf die Rückseiten der Solarzellen wird ein Deckglas 41 aufgebracht.
Hierbei können - ebenso wie für das einfache Solarmodul - die Deckgläser 4, mittels eines Klebers 5 oder durch ein direktes Anschmelzen (direct glasing) aufgebracht werden.

Claims (14)

1. Verfahren zur Herstellung einer integrierten dünnen Solarzelle (IDSZ), wobei diese Solarzelle aus mehreren nicht notwendig gleichgroßen im Halbleiterkörper (1) ge­ trennten Einzelkörpern, im wesentlichen aus einem Halb­ leitermaterial, besteht, vorzugsweise Galliumarsenid, das einen p/n-Übergang enthält und vorzugsweise zur Absorp­ tion von Sonnenlicht ausgelegt ist und dann auf seiner Vorderseite ein gridförmiges Kontaktsystem (2) und eine Antireflex-Schicht (3) enthält, die auf einem Träger (4), vorzugsweise dem Deckglas mit ihrer Vorderseite befestigt sind und die elektrisch über metallische Verbindungen (61, 62) miteinander seriell und/oder parallel gekoppelt sind, gekennzeichnet durch folgende Verfahrensschritte:
  • Aa) auf einem Trägersubstrat wird eine als großflächige Solarzelle verwendbare photoaktive Schichtenfolge (Halbleiterkörper (1)) hergestellt,
  • Ab) auf die vorderseitige Lichteinfallseite des Halblei­ terkörpers (1) werden dem Enddesign der Solarzelle (IDSZ) entsprechende Kontaktsysteme (2) aufgebracht,
  • Ac) auf die vorderseitige Lichteinfallseite des Halblei­ terkörpers (1) zusammen mit den Kontaktsystemen (2) wird ein Deckglas als späterer Träger der fertigge­ stellten Solarzelle (IDSZ) aufgebracht,
  • Ad) das Trägersubstrat und gegebenenfalls vorhandene Zwi­ schenschichten werden ganz oder teilweise von dem Halbleiterkörper (1) entfernt,
  • Ae) durch einen oder mehrere Prozesse werden einerseits die unbrauchbaren Ränder des Halbleiterkörpers (1) entfernt und es wird der Halbleiterkörper (1) durch Gräben vollständig durchtrennt und dadurch in Einzel­ körper zerlegt, so daß entsprechend der Anzahl und den Abmessungen der vorderseitigen Kontaktsysteme (2) mehrere kleinere vorzugsweise mehrheitlich photoak­ tive Solarzellen (Einzelzellen) entstehen, des wei­ teren werden (soweit erforderlich) Teilbereiche des Halbleiterkörpers (1) von einem bis allen Einzelkör­ pern entfernt zur Freilegung zumindest eines Teils des zugehörigen vorderseitigen Kontaktsystems (2), zwecks Herstellung einer elektrischen Verbindung mit Brückenkontakten (61, 62),
  • Af) auf die vom Trägersubstrat ganz oder teilweise und gegebenenfalls von Zwischenschichten befreiten Rück­ seiten der Einzelkörper werden elektrisch leitende Schichten als Rückseitenkontakte (6) aufgebracht, die sich, gegenüber den Stirnseiten der Einzelkör­ per isoliert, bis auf die dem Halbleiterkörper (1) zugewandte Seite des Deckglases (4) bzw. bis auf eine zwischen Deckglas (4) und Halbleiterkörper (1) befindliche dielektrische Zwischenschicht erstrecken und dort entweder Kontaktflächen (81) für die Verbin­ dung des Rückseitenkontakts (6) "nach außen" bilden, oder "innere" Verbindungen, wobei durch Weiterführung (82) der elektrischen Schichten von den isolierten Stirnseiten bis auf die freigelegten Teile des Vor­ derseitenkontakts (2) einer nächsten Einzelzelle eine serielle Verbindung von Einzelzellen und durch Zusam­ menführung (82) der Rückseitenkontakte (6) zweier Einzelzellen eine parallele Verbindung entstehen, und
  • Ag) im gleichen oder einem weiteren Prozeß werden frei­ gelegte Teile des Vorderseitenkontakts (2) durch elektrisch leitende Schichten (61) kontaktiert und entweder ebenfalls bis auf die dem Halbleiterkörper (1) zugewandte Seite des Deckglases (4) bzw. bis auf eine zwischen Deckglas (4) und Halbleiterkörper (1) befindliche dielektrische Zwischenschicht ge­ führt, um dort die Kontaktflächen (8) für die Ver­ bindung des Vorderseitenkontakts (2) "nach außen" zu bilden, oder durch Weiterführung (82) der elek­ trischen Schichten bis zu einem anderen freigeleg­ ten Teil des Vorderseitenkontakts (2) eines nächsten Einzelkörpers eine parallele "innere" Verbindung der Einzelkörper herzustellen.
2. Verfahren zur Herstellung einer integrierten dünnen Solarzelle (IDSZ), wobei diese Solarzelle aus mehreren nicht notwendig gleichgroßen im Halbleiterkörper (1) ge­ trennten Einzelkörpern, im wesentlichen aus einem Halb­ leitermaterial, besteht, vorzugsweise Galliumarsenid, das einen p/n-Übergang enthält und vorzugsweise zur Absorp­ tion von Sonnenlicht ausgelegt ist und dann auf seiner Vorderseite ein gridförmiges Kontaktsystem (2) und eine Antireflex-Schicht (3) enthält, die auf einem Träger (4), vorzugsweise dem Deckglas mit ihrer Vorderseite befestigt sind und die elektrisch über metallische Verbindungen (61, 62) miteinander seriell und/oder parallel gekoppelt sind, gekennzeichnet durch folgende Verfahrensschritte:
  • Ba) auf Trägersubstraten werden als Solarzelle verwend­ bare photoaktive Schichtenfolgen (Halbleiterkörper (1)) hergestellt,
  • Bb) auf die vorderseitige Lichteinfallseite der Halblei­ terkörper (1) auf ihren Trägersubstraten werden dem Enddesign der Solarzelle (IDSZ) entsprechende Kontakt­ systeme (2) aufgebracht,
  • Bc) die unbrauchbaren Ränder der Halbleiterkörper (1) mit den darunterliegenden Teilen der Trägersubstrate wer­ den abgetrennt und mehrere der so entstandenen Einzel­ körper werden mit ihren vorderseitigen Lichteinfall­ seiten, dem Maskendesign der in den folgenden Prozes­ sen herzustellenden Rückseiten- (6) und Verbindungs­ kontakte (61, 62, 8, 81) entsprechend, auf ein Deck­ glas als Träger der Solarzelle (IDSZ) laminiert,
  • Bd) die Trägersubstrate und gegebenenfalls vorhandene Zwischenschichten werden ganz oder teilweise von den Halbleiterkörpern (1) entfernt,
  • Be) des weiteren werden (soweit erforderlich) Teilberei­ che des Halbleiterkörpers (1) von einigen bis allen Einzelkörpern entfernt zur Freilegung zumindest eines Teils des zugehörigen vorderseitigen Kontaktsystems (2) zwecks Herstellung einer elektrischen Verbindung mit Brückenkontakten (61, 62),
  • Bf) auf die vom Trägersubstrat ganz oder teilweise und gegebenenfalls von Zwischenschichten befreiten Rück­ seiten der Einzelkörper werden elektrisch leitende Schichten als Rückseitenkontakte (6) aufgebracht, die sich, gegenüber den Stirnseiten der Einzelkör­ per isoliert, bis auf die dem Halbleiterkörper (i) zugewandte Seite des Deckglases (4) bzw. bis auf eine zwischen Deckglas (4) und Halbleiterkörper (1) befindliche dielektrische Zwischenschicht erstrecken und dort entweder Kontaktflächen (81) für die Verbin­ dung des Rückseitenkontakts (6) "nach außen" bilden, oder "innere" Verbindungen, wobei durch Weiterführung (82) der elektrischen Schichten von den isolierten Stirnseiten bis auf die freigelegten Teile des Vor­ derseitenkontakts (2) einer nächsten Einzelzelle eine serielle Verbindung von Einzelzellen und durch Zusam­ menführung (82) der Rückseitenkontakte (6) zweier Einzelzellen eine parallele Verbindung entstehen, und
  • Bg) im gleichen oder einem weiteren Prozeß werden frei­ gelegte Teile des Vorderseitenkontakts (2) durch elektrisch leitende Schichten (61) kontaktiert und entweder ebenfalls bis auf die dem Halbleiterkörper (1) zugewandte Seite des Deckglases (4) bzw. bis auf eine zwischen Deckglas (4) und Halbleiterkörper (1) befindliche dielektrische Zwischenschicht ge­ führt, um dort die Kontaktflächen (8) für die Ver­ bindung des Vorderseitenkontakts (2) "nach außen" zu bilden, oder durch Weiterführung (82) der elek­ trischen Schichten bis zu einem anderen freigeleg­ ten Teil des Vorderseitenkontakts (2) eines nächsten Einzelkörpers eine parallele "innere" Verbindung der Einzelkörper herzustellen.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß durch einen oder mehrere Prozesse die Halbleiterkörper (1) weiter durch Gräben vollständig durchgetrennt und dadurch in weitere Einzelkörper zerlegt werden, so daß entsprechend der Anzahl und den Abmessungen der vorder­ seitigen Kontaktsysteme (2) mehrere kleinere vorzugs­ weise mehrheitlich photoaktive Solarzellen (Einzelzel­ len) entstehen.
4. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3, gekennzeichnet durch die Verwendung von gridförmigen Kontaktsystemen (2).
5. Verfahren nach Anspruch 1, 2, 3 oder 4, dadurch gekenn­ zeichnet, daß auf den Kontaktsystemen (2) eine Antireflex- Schicht (3) aufgebracht wird.
6. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die nach den Verfahrensschritten A e) oder B e) hergestellten Ränder (Stirnseiten) des Halbleiterkör­ pers (1) passiviert werden.
7. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeich­ net, daß zur Entfernung des Trägersubstrates und gegebenen­ falls vorhandener Zwischen- und Epitaxieschichten der an sich bekannte CLEFT-Prozeß verwendet wird.
8. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeich­ net, daß das Trägersubstrat und gegebenenfalls vorhandene Zwischen- und Epitaxieschichten mittels Abhebetechnik über eine chemisch selektiv ätzbare epitaktisch gewach­ sene Zwischenschicht von dem Halbleiterkörper (1) ent­ fernt werden.
9. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet, durch eine Ätztechnik mit Abätzen des Trägersubstrates und gegebenenfalls vorhandener Zwischen- und Epitaxieschichten bis zu einer epitaktisch gewachsenen Stop-Schicht.
10. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeich­ net, daß das Trägersubstrat und gegebenenfalls vorhandene Zwischenschichten ganz oder teilweise von dem Halbleiter­ körper (1) durch Abläppen und/oder -polieren und/oder -ätzen ganz oder nahezu bis zu den photoelektrisch aktiven Schichtbereichen entfernt werden.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß auf das (oder die) Trägersubstrat(e) eine als Bi-facial-Solarmodul verwendbare Epitaxie-Schich­ tenfolge aufgebracht wird, daß auf die vom Trägersubstrat und gegebenenfalls vorhandenen Zwischenschichten befreite Rückseite der Einzelzellen gridförmige Rückseitenkontakt­ systeme (6) entsprechend der Anzahl und Abmessungen der Solarzellen und Antireflex-Schichten (31) aufgebracht werden, und daß auf die Rückseiten der Solarzellen ein Deckglas aufgebracht wird.
12. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 11, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Deckgläser (4, 41) mittels eines tempe­ raturbeständigen Deckglasklebers (5) aufgebracht werden.
13. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 11, gekennzeichnet durch ein direktes Anschmelzen der Deckgläser (4) auf die Solarzelle (IDSZ).
14. Verfahren nach Anspruch 1 bis 13, dadurch gekennzeich­ net, daß nicht der Stromgewinnung durch Licht dienende, aus dem Halbleiterkörper (1) nach den Verfahren gemäß Anspruch 1 oder 2 herstellbare Halbleiterbauelemente wie Shunt-Dioden und Blocking-Dioden in die Solarzelle (IDSZ) integriert wer­ den.
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