CN102362366B - 两个太阳能电池的背接触和互连 - Google Patents

两个太阳能电池的背接触和互连 Download PDF

Info

Publication number
CN102362366B
CN102362366B CN2010800063161A CN201080006316A CN102362366B CN 102362366 B CN102362366 B CN 102362366B CN 2010800063161 A CN2010800063161 A CN 2010800063161A CN 201080006316 A CN201080006316 A CN 201080006316A CN 102362366 B CN102362366 B CN 102362366B
Authority
CN
China
Prior art keywords
silicon
solar cell
layer
area
contact
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN2010800063161A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102362366A (zh
Inventor
埃里克·萨乌尔
安德烈亚斯·本特森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Renewable Energy Corp ASA
Original Assignee
Renewable Energy Corp ASA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Renewable Energy Corp ASA filed Critical Renewable Energy Corp ASA
Publication of CN102362366A publication Critical patent/CN102362366A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102362366B publication Critical patent/CN102362366B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02S—GENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
    • H02S40/00—Components or accessories in combination with PV modules, not provided for in groups H02S10/00 - H02S30/00
    • H02S40/30—Electrical components
    • H02S40/34—Electrical components comprising specially adapted electrical connection means to be structurally associated with the PV module, e.g. junction boxes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • H01L31/0682—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells back-junction, i.e. rearside emitter, solar cells, e.g. interdigitated base-emitter regions back-junction cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
    • H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02008—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • H01L31/0516—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module specially adapted for interconnection of back-contact solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H01L31/056—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means the light-reflecting means being of the back surface reflector [BSR] type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
    • H01L31/1864—Annealing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
    • H01L31/1868—Passivation
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52—PV systems with concentrators
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明提供了一种制造硅太阳能电池(100)上的背接触和硅太阳能电池(100)之间的互连的方法，其中完全处理前表面且其背表面处理为所述太阳能电池(100)可在该背表面上接触，该方法还包括：a)将该太阳能电池(100)附接至透明覆板(104)上，由此形成结构(120)；b)在该结构(120)的背表面上沉积钝化层(113)；c)在该结构(120)的背表面上沉积硅材料层(108)；d)由第一区域(C)分隔该硅材料层(108)；e)在区域(B)中提供接触部位；f)在该结构(120)的背表面上沉积金属层(109)；g)加热该结构(120)以形成硅化物(110)；h)可选地，在区域(C)中将该金属层(109)开口；i)在该硅化物(110)上沉积金属(112)。还提供了一种包括具有由上述方法制造的背接触和互连的太阳能电池(100)的器件。

Description

两个太阳能电池的背接触和互连
技术领域
本发明涉及在太阳能电池上同时制造分隔的背接触和硅太阳能电池之间的互连的方法。
背景技术
当前，太阳能电池的制造以及太阳能模块中的太阳能电池的互连处理是两个分离的处理。在第一个处理中，完全形成太阳能电池的接触，且在第二个处理中，需要另外的金属化步骤来连接模块中的一系列太阳能电池。这就在太阳能电池的排列对准以及在接触焊接时可能发生的电池破损方面产生难题。
本发明描述了一种方法，通过其能在制造背结太阳能电池的背接触的同时形成太阳能电池的互连。
本发明通过提供结构化硅表面来解决上述难题，其中在硅表面变成金属导体基材的同时，所有非硅表面都将变为接触的分隔区域。优选地，由反射材料形成非硅表面。
现有技术
专利申请WO2008/039078A2描述了背接触硅太阳能电池的有成本低廉的方法。在该方法中，将铝背接触施加至整个背面，且随后通过适当方法分隔上述接触。
专利申请WO2006/110048A1描述了一种使用由非晶硅底层和非晶氮化硅顶层构成的钝化层结构的方法。专利申请WO2006/110048A1并未公开对该钝化层进行构图。
发明内容
一种制造硅太阳能电池上的背接触和硅太阳能电池之间的互连的方法，其中已经完全处理了前表面且背表面已经被处理到所述太阳能电池可在背表面上接触的位置。该方法还包括：
a)将太阳能电池附接至透明覆板(superstrate)上，由此形成结构
b)在该结构的背表面上沉积钝化层
c)在该结构的背表面上沉积硅材料层
d)由第一区域分隔该硅材料层
e)在第二区域中提供接触部位
f)在该结构的背表面上沉积金属层
g)加热该结构以形成硅化物
h)可选地，在第三区域中将金属层开口
i)在该硅化物上沉积金属
根据本发明，还提供一种太阳能电池模块，其包括通过根据本发明的方法制造的背接触和互连。
发明目的
本发明的主要目的是提供一种能够同时生成背接触硅太阳能电池上的局部定义的接触和位于模块覆板上的硅太阳能电池之间的互连的有效方法。
本发明的目的可通过以下说明书以及随附权利要求及附图中所述特征得以实现。
本发明的说明
本发明涉及制造背结硅太阳能电池的背接触结构和一系列电池之间的互连的方法，其中该方法包括使用硅太阳能电池，其通常掺杂具有基础浓度的P型或N型掺杂剂并具有P型和/或N型导电性的掺杂区域，该方法包括在硅太阳能电池上沉积钝化层并利用结构化硅表面作为基础而形成分隔的金属接触。
本发明还涉及将硅太阳能电池附接至模块覆板上的方法以及在所述硅太阳能电池的背侧上生成构图的背接触结构并同时利用低温硅化物形成工艺在所述硅太阳能电池之间生成互连的方法。
本发明可采用任何硅晶圆或硅薄膜。包括单晶硅、微晶硅、纳米晶硅以及多晶硅的晶圆或薄膜，以及背侧上的P掺杂和N掺杂区域的任何已知或可想象到的构造。
术语“前侧”是指太阳能电池暴露于阳光的一侧。术语“背侧”是指与前侧相反的一侧，且术语“背接触”是指所有连接器都位于太阳能电池的背侧上。
术语“P掺杂区域”是指在太阳能电池的表面区域中，将导致正电荷载流子数量增加的掺杂材料加入进表面下方一定距离的硅材料中，从而形成具有P型导电性的表面层的太阳能电池的区域。术语“N掺杂区域”是指在太阳能电池的表面区域中，将导致负电荷载流子(移动电子)数量增加的掺杂材料加入进表面下方一定距离的硅材料中，从而形成具有N型导电性的表面层的晶圆的区域。
本发明涉及制造硅太阳能电池上的背接触和硅太阳能电池之间的互连的方法，其中已经完全处理了前表面且背表面处理到所述太阳能电池可在背表面上接触的位置。该方法还包括：
a)将太阳能电池附接至透明覆板上，由此形成结构
b)在该结构的背表面上沉积钝化层
c)在该结构的背表面上沉积硅材料层
d)由第一区域分隔该硅材料层
e)在第二区域中提供接触部位
f)在该结构的背表面上沉积金属层
g)加热该结构以形成硅化物
h)可选地，在第三区域中将金属层开口
i)在该硅化物上沉积金属
本发明还涉及一种器件，其包括由上述方法制造的具有背接触和互连的太阳能电池。
术语“硅材料”是指在适当的热处理条件下与沉积金属层109形成金属硅化物的任何含硅材料。包括晶体硅、非晶硅、微晶硅和纳米晶硅。该硅材料可含有0-40原子百分比的氢。该硅材料可为本征或以浓度为0-1021cm-3的n型或p型掺杂剂掺杂的硅材料。
术语“暴露的硅表面”是指暴露到环境中的硅材料。
本文所述术语“接触部位”是指太阳能电池的表面上的、太阳能电池要接触的区域。该区域可设置在n掺杂区域、p掺杂区域、n型硅材料或p型硅材料上。
术语“提供接触部位”是指以下述方式处理结构：在接触部位和要沉积的金属层之间，仅在接触部位顶部上存在硅材料。重点在于无论先前步骤如何，仅在接触部位处存在硅材料。
术语“硅化物”是指一种化合物，其具有硅和多种带正电的元素。这些元素通常可例如为镍、钯、钛、银、金、铝、铜、钨、钒、铬。
术语“太阳能电池”是指具有至少一个另一种导电性的掺杂区域的一种类型的导电性的掺杂硅衬底，无论是否已经为其提供了接触或互连。
术语“结构”是指处于任意处理步骤中的器件。
背接触太阳能电池应在其背侧上具有至少一个掺杂区域，该掺杂区域的掺杂与衬底的掺杂相反，但通常具有以交错形式而具有交替导电性的若干掺杂区域。
本发明提供了一种同时生成太阳能电池的背接触结构和在模块覆板上设置的太阳能电池之间的互连的方法，而无论在使用本文所述的方法之前采取怎样的前表面处理和背表面处理。本发明还涉及背接触结构以及包括该背接触结构的太阳能电池。
详细地说，本发明涉及一种结构120，其包括硅太阳能电池100，该硅太阳能电池100已经进行了完全的前表面处理并被制造成可以进行背接触。
本发明的方法可采用能制造成太阳能电池并可进行背接触的任何硅材料衬底，而无论所使用的技术和方法如何。
附图说明
在附图中，图示以前侧面向页面底部，且背侧面向页面顶部的方式给出。图示是示意的且并未按比例绘制。附图示出了本发明的实施例。
以下将参考示出本发明实施例的附图详细说明本发明，其中：
图1a-e示意性说明了根据本发明的方法的第一实施例
图2a-e示意性说明了根据本发明的方法的第二实施例
图3a-f示意性说明了根据本发明的方法的第三实施例
图4a-f示意性说明了根据本发明的方法的第四实施例
具体实施方式
太阳能电池100前侧向下而设置在模块覆板104上并通过附接层105附接至该模块覆板104。这种结构例如示于图1a中。附接层105通常可包括透明粘合剂或热塑性材料，该热塑性材料在热处理条件下变得具有粘性。该附接例如可通过在模块覆板104上、硅太阳能电池100的前侧上或同时在上述两者上涂敷透明粘合剂实现。附接层105可位于或可不位于太阳能电池之间的区域A中，这取决于涂敷方法。
当太阳能电池100准备好进行背侧处理时，在整个结构120(包括太阳能电池100之间的区域A中)上沉积钝化层113。
或者，钝化层113可在太阳能电池100附接至模块覆板104之前施加在太阳能电池100的背侧上。在这种情况下，钝化层113不会存在于太阳能电池100之间的区域A中。
钝化层113通常包括非晶硅底层106，其上沉积非晶氮化硅层107。
如果钝化层113是双层层叠结构，则底层106通常可包括非晶碳化硅、非晶氧化硅、非晶氮化硅、氧化铝、非晶硅、微晶硅或纳米晶硅。顶层107通常可包括非晶碳化硅、非晶氧化硅、非晶氮化硅或氧化铝。
钝化层113还可包括单层，例如非晶碳化硅、非晶氧化硅、非晶氮化硅、氧化铝或硅材料。
钝化层113并不以任何方式限于上述材料。钝化层113并不限于单层或双层。其还可包括三层或更多层。
在结构120上沉积硅材料层108，以便其覆盖钝化层113以及太阳能电池100之间的区域A。
在钝化层113是包括硅材料的单层的情况下，钝化层113和硅材料层108实际上仅为一层硅材料。在这种情况下，钝化层113的沉积以及硅材料层108的沉积实际上同时进行。
通常，下一步是在区域B中提供接触部位，如上所述。
在钝化层113包括非硅材料的情况下，例如其包括非晶氮化硅，则所述非硅材料层需要从区域B完全去除。这可在硅材料层108的沉积之前或之后进行。
在钝化层113和硅材料层108实际上为相同的单层(如上所述)的情况下，则已经提供了接触部位。
在下文说明的本发明的方法的实施例中，钝化层113包括非晶硅层106和非晶氮化硅层107。此外，硅材料层108包括非晶硅。
在钝化层113包括非晶碳化硅、非晶氧化硅、非晶氮化硅、非晶硅、微晶硅或纳米晶硅的情况下，钝化层可通过等离子体增强化学气相沉积(PE-CVD)、热丝CVD(HW-CVD)、膨胀热等离子体CVD(ETP-CVD)、电子回旋共振(ECR)、溅射或其他适当技术来沉积。
可通过原子层沉积(ALD)来沉积氧化铝。
钝化层113的典型厚度为1-1000nm，优选5-200nm且最优选10-150nm。
下一步通常是通过去除区域C中的硅材料层108或在区域C中在硅材料层108上施加非硅材料116来对暴露的硅表面进行构图。非硅材料通常为反射增强材料，例如包括反射增强添加剂的聚合物或树脂。反射增强材料通常通过喷墨印刷或丝网印刷来施加。
在通过去除区域C中的硅材料层108来对暴露的硅表面进行构图的情况下，通常可通过喷射蚀刻或激光消蚀来进行上述去除。
除上述技术之外，硅材料层108可通过喷墨沉积。在这种情况下，同时进行对暴露的硅表面的沉积和构图。
在本发明的方法的两个实施例中，随后通过选择性沉积技术沉积金属层109，以便金属仅沉积在暴露的硅表面上。通常将沉积于区域C之外的所有区域上。该步骤致使电池实现背接触且被彼此互连。
金属层109的选择性沉积技术包括化学镀或电镀。或者，金属沉积步骤可包括借助掩模的蒸镀或溅镀。
在本发明的方法的另两个实施例中，金属层109通过非选择性方法沉积，诸如，溅镀或蒸镀。在这种情况下，金属层109沉积在整个结构120上。
在施加金属层109之后，对该结构120实施合适的退火步骤，以便有助于在金属层109接触硅材料处的硅化物110的形成，该硅化物110基本上处于除区域C之外的所有区域中。硅化物通常可在175℃至550℃、更优选225℃至500℃、最优选275℃至450℃的温度范围下处理5至60秒而制得，这取决于所使用的金属。这种热处理可包括随时间线性或非线性变化的温度分布(profile)。例如可通过快速热退火进行温度处理步骤。
在金属层109已通过非选择性方法沉积的情况下，如上所述，没有形成硅化物的金属(多余的金属)应被去除，以便分隔接触。这通常可通过使用具有高选择性的蚀刻溶液来实现。因此，蚀刻多余金属109的蚀刻速率明显高于蚀刻硅化物110的蚀刻速率。这种溶液可包括硝酸或硝酸和氢氟酸的混合物。
在通过在硅材料层108上施加反射层116而构图了暴露的硅表面且多余金属109已通过上述化学处理被去除的情况下，反射层116应能耐受所述化学处理直至所述化学处理后，所述反射层116仍存在区域C中。
为了提高硅化物接触110的导电性，金属112例如通过电镀沉积在硅化物接触110上。沉积金属通常包括铜。
本发明的实施例
应注意，本发明并不限于下述这些实施例，而是在下述权利要求的范围内可进行变化。还应注意，某些实施例的要素显然可与其他实施例的要素相组合。
第一实施例
本发明的方法的第一实施例由附图1a-1e说明。
本发明的方法的第一实施例开始于硅太阳能电池100。硅太阳能电池100可为p型或n型。硅太阳能电池100已被掺杂而形成了具有n型导电性的区域101和具有p型导电性的区域102的区域。硅太阳能电池100已经进行了全面的前侧处理，从而形成表面区域103，其制造方法包括破损蚀刻、表面粗化和表面钝化。图1a示出了两个硅太阳能电池100，其前侧向下设置于其上施加了附接层105的模块覆板104上。
图1a中的区域A是指要进行互连的太阳能电池之间的区域。
背表面可以是平坦的或例如通过湿法化学或等离子体处理而形成为粗糙的。
结构120例如首先通过暴露于H2SO4和H2O2的混合物、HCI、H2O2和H2O的混合物或NH4OH、H2O2和H2O的混合物被清洗，接着进行氧化物去除，例如浸入稀释的HF中。
在结构120上，即硅太阳能电池100的背侧以及太阳能电池100之间的区域A中，沉积氢化非晶硅(a-Si:H)层106。在a-Si:H层106上，沉积氢化非晶氮化硅a-SiNx:H层107。上述两个层将构成钝化层113。
钝化层113的典型厚度为1-1000nm，优选5-200nm且最优选10-150nm。
钝化层106和107可利用等离子体增强化学气相沉积(PE-CVD)或适用于此目的的诸如热丝CVD(HW-CVD)、膨胀热等离子体CVD(ETP-CVD)、电子回旋共振(ECR)、溅射或类似技术之类的其他沉积技术来施加。
在a-SiNx:H层107上，利用如上述步骤中使用的相同技术沉积a-Si:H层108。该层将作为后续金属层沉积的籽晶层。该步骤可利用上述方法实施，并可独立实施或与钝化层的施加在相同的工序中实施。图1a中示出此步骤中的结构120。
随后，在区域B中，在至少一些a-Si:H层106未受损的情况下，去除a-Si:H层108和a-SiN:H层107，由此在区域B中提供接触部位。
可通过喷射蚀刻、激光消蚀、丝网印刷蚀刻或施加构图的蚀刻掩模，之后蚀刻并接着去除蚀刻掩模实现上述去除。
类似地，在区域C中，在至少一些SiNx:H层107保持原样的情况下，去除a-Si:H层108，从而形成将没有金属沉积的开口图案115，且因此定义了接触的分隔。因此通过第一区域C实现硅材料层108的分隔处理。参见图1b。
随后，通过选择性沉积技术施加金属层109，以致金属仅沉积在由a-Si:H覆盖的表面上，即暴露的硅表面上。也就是说，金属必须沉积在除区域C之外的各处，如图1c中所示，且形成后续将要形成硅化物的区域。
该方法可采用电镀或化学镀。或者，该方法可采用借助掩模的蒸镀或借助掩模的溅镀。
用于电镀和化学镀的合适金属包括镍、钯、银、金、铬、锡或这些材料的任意组合。本发明并不限于上述金属的这些选择，而是可应用任何与硅材料形成导电硅化物或硅合金并形成硅化物或硅合金与硅材料之间的欧姆接触的金属。
如图1c中所示，沉积金属以致在一个太阳能电池的一极的接触部位与另一太阳能电池的另一极的接触部位之间形成互连。因此，同时制造了单个电池的接触结构与各太阳能电池之间的互连。
在施加金属层109之后，对结构120实施适当退火步骤，以便有助于金属层109与硅材料接触之处的硅化物110的形成(图1d)。硅化物通常可在175℃至550℃、更优选225℃至500℃、最优选275℃至450℃的温度范围下处理5至60秒而制得，这取决于所使用的金属。这种热处理可以包括随时间线性或非线性变化的温度分布。例如可通过快速热退火进行温度处理步骤。
为了提高接触和互连110的导电性，例如通过电镀将金属112沉积在硅化物上(参见图1e)。应注意，图1e中所示的金属层112在区域C中的中断形成接触的分隔。
第二实施例
本发明的方法的第二实施例与第一实施例开始于相同步骤，如图2a中所示。
在施加a-Si:H层108之后，去除区域B中的a-Si:H层108和a-SiNx:H层107，同时保持区域B中的至少一些a-Si:H层106不被损伤，由此在区域B中提供接触部位。
这可通过喷射蚀刻、激光消蚀、丝网印刷蚀刻或使用构图的蚀刻掩模，随后蚀刻并接着去除蚀刻掩模来实现。
接着，通过喷墨印刷、丝网印刷或其他合适技术来施加反射材料116。施加反射材料116的区域中定义了没有金属接触存在的区域，因此通过第一区域C实现了分隔硅材料层108的处理，如图2b中所示。
反射层116的材料通常可包括树脂或还包括诸如氧化钛颗粒的反射增强添加剂的聚合物。
反射材料116可能需要通过使用略高的温度或通过光处理工艺来固化，诸如暴露于紫外光。
应用反射材料的目的在于：
-允许太阳能电池接触和互连的分隔，以及
-增强太阳能电池的背侧反射，且由此提高太阳能电池的电流。
最后两个处理步骤(将钝化层开口以及施加反射材料)的顺序并不重要。
施加反射材料116之后，通过任何选择性沉积技术施加金属层109，如本发明第一实施例中所述，并且如图2c所示。金属层109仅沉积在暴露的硅表面上。
施加金属层109之后，对结构120实施适当的退火步骤，以便有助于金属层109接触硅材料之处的硅化物110的形成(图1d)。硅化物通常可在175℃至550℃、更优选225℃至500℃、最优选275℃至450℃的温度范围下处理5至60秒而制得，这取决于所使用的金属。这种热处理可包括随时间线性或非线性变化的温度分布。例如可通过快速热退火进行温度处理步骤。
为了提高硅化物接触和互连110的导电性，金属112例如通过电镀沉积在硅化物110上(参见图2e)。应注意，在图2e中，金属层112在区域C中的中断形成接触的分隔。
第三实施例
直到金属沉积步骤之前，第三实施例与第二实施例开始于相同步骤，如图3a和3b中所示。
在本发明的第三实施例中，通过非选择性技术沉积金属层109，诸如蒸镀或溅镀，致使金属层109覆盖整个结构120，如图3c中所示。
用于蒸镀或后续硅化物形成的合适金属包括镍、钯、钛、银、金、铝、钨、钒、铬或这些金属的任意组合。
施加金属层109之后，对结构120实施适当的退火步骤，以便有助于金属层109接触硅材料之处的硅化物110的形成(图3d)。硅化物通常可在175℃至550℃、更优选225℃至500℃、最优选275℃至450℃的温度范围下处理5至60秒而制得，这取决于所使用的金属。这种热处理可包括随时间线性或非线性变化的温度分布。例如可通过快速热退火进行温度处理步骤。
下一步是在区域C处分隔接触，如图3e中所示。可通过激光消蚀未形成硅化物110的金属层109来实现上述步骤。或者，可通过使用具有较高选择性的蚀刻溶液来实现上述步骤。因此，蚀刻多余金属109的蚀刻速率明显高于蚀刻硅化物110的蚀刻速率。这种溶液通常可包括硝酸或硝酸和氢氟酸的混合物。
反射材料116必须能耐受所述选择性蚀刻，以致其不会在选择性蚀刻处理期间被蚀刻掉或蚀刻的反射材料散布到结构120的任何其他部分。
为了提高接触和互连110的导电性，金属112例如通过电镀沉积在硅化物上(参见图3f)。应注意，图3e中所示的金属层112在区域C中的中断形成接触的分隔。
第四实施例
直到金属沉积步骤之前，第四实施例在与第一实施例开始于相同步骤，如图4a和4b中所示。
在本发明的第四实施例中，通过非选择性技术沉积金属层109，诸如蒸镀或溅镀，致使金属层109覆盖整个结构120，如图4c中所示。
施加金属层109之后，对结构120实施适当的退火步骤，以便有助于金属层109接触硅材料之处的硅化物110的形成(图4d)。硅化物通常可在175℃至550℃、更优选225℃至500℃、最优选275℃至450℃的温度范围下处理5至60秒而制得，这取决于所使用的金属。这种热处理可包括随时间线性或非线性变化的温度分布。例如可通过快速热退火进行温度处理步骤。
下一步是在区域C处分隔接触，如图4e中所示。可通过激光消蚀未形成硅化物110的金属层109来实现上述步骤。或者，可通过使用具有较高选择性的蚀刻溶液来实现上述步骤。因此，蚀刻多余金属109的蚀刻速率明显高于蚀刻硅化物110的蚀刻速率。这种溶液通常可包括硝酸或硝酸和氢氟酸的混合物。
为了提高接触和互连110的导电性，金属112例如通过电镀沉积在硅化物上(参见图4f)。应注意，图4e中所示的金属层112在区域C中的中断形成接触的分隔。
本发明的方法并不局限于实施例中所述的处理。

Claims (25)

1.一种制造硅太阳能电池（100）上的背接触和硅太阳能电池（100）之间的互连的方法，其中已经完全处理了所述太阳能电池（100）的前表面且其背表面已经处理到所述太阳能电池（100）能在所述背表面上接触的位置，其特征在于：
a）将所述太阳能电池（100）附接至透明覆板（104）上，由此形成结构（120）
b）在所述结构（120）的背表面上沉积钝化层（113）
c）在所述结构（120）的背表面上沉积硅材料层（108）
d）由第一区域（C）分隔所述硅材料层（108）
e）在第二区域（B）中提供接触部位
f）除了在所述第一区域（C）之外，在所述结构（120）的背表面上沉积金属层（109）
g）加热所述结构（120）以形成硅化物（110）
h）在所述硅化物（110）上沉积金属（112）。
2.根据权利要求1所述的方法，特征在于分隔所述硅材料层（108）的步骤d）包括：将所述第一区域（C）开口到以致去除所述第一区域（C）中的暴露的硅表面的程度。
3.根据权利要求1所述的方法，特征在于通过在所述第一区域（C）上沉积构图的反射材料（116）来执行分隔所述硅材料层（108）的步骤d）。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，特征在于能够同时进行步骤b）和步骤c）。
5.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，特征在于步骤a）在步骤b）之后执行。
6.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，特征在于步骤c）和步骤d）同时执行。
7.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，特征在于步骤e）在步骤c）之前执行。
8.根据权利要求1中任一项所述的方法，特征在于所述钝化层（113）是非晶硅层（106）和沉积在所述非晶硅层（106）上的非晶氮化硅层（107）。
9.根据权利要求8所述的方法，特征在于通过至少去除所述氮化硅层（107）而执行步骤e）。
10.根据权利要求1中任一项所述的方法，特征在于通过化学镀、电镀、借助掩模的蒸镀或借助掩模的溅镀来执行步骤f）中的所述金属层（109）的沉积。
11.根据权利要求1中任一项所述的方法，特征在于通过电镀铜来执行步骤h）中的沉积所述金属（110）。
12.包括背接触和互连的器件，特征在于通过如权利要求1-11中任一项所述的方法来提供所述背接触和互连。
13.一种制造硅太阳能电池（100）上的背接触和硅太阳能电池（100）之间的互连的方法，其中已经完全处理了所述太阳能电池（100）的前表面且其背表面已经处理到所述太阳能电池（100）能在所述背表面上接触的位置，其特征在于：
a）将所述太阳能电池（100）附接至透明覆板（104）上，由此形成结构（120）
b）在所述结构（120）的背表面上沉积钝化层（113）
c）在所述结构（120）的背表面上沉积硅材料层（108）
d）由第一区域（C）分隔所述硅材料层（108）
e）在第二区域（B）中提供接触部位
f）在所述结构（120）的背表面上沉积金属层（109）
g）加热所述结构（120）以形成硅化物（110）
h）在所述第一区域（C）中将所述金属层（109）开口
i）在所述硅化物（110）上沉积金属（112）。
14.根据权利要求13所述的方法，特征在于分隔所述硅材料层（108）的步骤d）包括：将所述第一区域（C）开口到以致所述第一区域（C）中没有硅材料留存的程度。
15.根据权利要求13所述的方法，特征在于分隔所述硅材料层（108）的步骤d）包括：在所述第一区域（C）上沉积构图的反射材料（116）。
16.根据权利要求13-15中任一项所述的方法，特征在于步骤b）和步骤c）能够在同一步骤中进行。
17.根据权利要求13中任一项所述的方法，特征在于步骤a）在步骤b）之后执行。
18.根据权利要求13中任一项所述的方法，特征在于同时执行步骤c）和步骤d）。
19.根据权利要求13中任一项所述的方法，特征在于步骤e）在步骤c）之前执行。
20.根据权利要求13中任一项所述的方法，特征在于所述钝化层（113）包括非晶硅层（106）和沉积在所述非晶硅层（106）上的非晶氮化硅层（107）。
21.根据权利要求20所述的方法，特征在于步骤e）包括至少去除所述氮化硅层（107）。
22.根据权利要求13所述的方法，特征在于通过在所述第一区域（C）中对金属层（109）进行激光消蚀来执行步骤h）中的将所述金属层（109）开口。
23.根据权利要求13所述的方法，特征在于通过使所述结构（120）经受选择性蚀刻来执行步骤h）中的将所述金属层（109）开口。
24.根据权利要求13中任一项所述的方法，特征在于通过电镀铜来执行步骤i）中的沉积所述金属（110）。
25.包括太阳能电池的器件，所述太阳能电池包括背接触和互连，特征在于通过如权利要求13-24中任一项所述的方法来提供所述背接触和互连。
CN2010800063161A 2009-01-30 2010-01-20 两个太阳能电池的背接触和互连 Active CN102362366B (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14841609P 2009-01-30 2009-01-30
US61/148,416 2009-01-30
GB0901605A GB2467361A (en) 2009-01-30 2009-01-30 Contact and interconnect for a solar cell
GB0901605.6 2009-01-30
PCT/NO2010/000023 WO2010087712A2 (en) 2009-01-30 2010-01-20 Back contacting and interconnection of two solar cells

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102362366A CN102362366A (zh) 2012-02-22
CN102362366B true CN102362366B (zh) 2013-11-20

Family

ID=40469386

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2010800063161A Active CN102362366B (zh) 2009-01-30 2010-01-20 两个太阳能电池的背接触和互连

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20120024368A1 (zh)
JP (1) JP2012516566A (zh)
CN (1) CN102362366B (zh)
DE (1) DE112010000831T5 (zh)
GB (1) GB2467361A (zh)
TW (1) TW201036192A (zh)
WO (1) WO2010087712A2 (zh)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102439728B (zh) * 2009-04-21 2015-08-19 泰特拉桑有限公司 形成太阳能电池中的结构的方法
KR101091475B1 (ko) * 2009-06-30 2011-12-07 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 이의 제조방법
US9202960B2 (en) * 2010-03-30 2015-12-01 Sunpower Corporation Leakage pathway layer for solar cell
JP5750727B2 (ja) * 2010-09-16 2015-07-22 国立研究開発法人産業技術総合研究所 ナノ結晶半導体材料及びその製造方法
GB201115223D0 (en) * 2011-09-02 2011-10-19 Dow Corning Method of fabricating solar modules
GB2503515A (en) * 2012-06-29 2014-01-01 Rec Cells Pte Ltd A rear contact heterojunction solar cell
EP2757593B1 (en) * 2013-01-17 2018-10-17 ATOTECH Deutschland GmbH Plated electrical contacts for solar modules
US20150096613A1 (en) * 2013-06-24 2015-04-09 Sino-American Silicon Products Inc. Photovoltaic device and method of manufacturing the same
KR101867855B1 (ko) 2014-03-17 2018-06-15 엘지전자 주식회사 태양 전지
US9312140B2 (en) 2014-05-19 2016-04-12 International Business Machines Corporation Semiconductor structures having low resistance paths throughout a wafer
WO2016068052A1 (ja) * 2014-10-31 2016-05-06 シャープ株式会社 光電変換素子、それを備えた太陽電池モジュールおよび太陽光発電システム
US20160284917A1 (en) * 2015-03-27 2016-09-29 Seung Bum Rim Passivation Layer for Solar Cells
JP7076376B2 (ja) * 2016-12-08 2022-05-27 株式会社カネカ 太陽電池モジュール
JP2020088081A (ja) * 2018-11-21 2020-06-04 セイコーエプソン株式会社 光電変換装置、光電変換モジュール、電子機器及び光電変換装置の製造方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0482511A1 (en) * 1990-10-17 1992-04-29 Showa Shell Sekiyu Kabushiki Kaisha Integrated photovoltaic device
DE4325634A1 (de) * 1993-07-30 1995-02-02 Deutsche Aerospace Verfahren zur Herstellung einer integrierten dünnen Solarzelle (Integrale Dünne Solarzelle)
US5951786A (en) * 1997-12-19 1999-09-14 Sandia Corporation Laminated photovoltaic modules using back-contact solar cells
US6423568B1 (en) * 1999-12-30 2002-07-23 Sunpower Corporation Method of fabricating a silicon solar cell
DE102004010115A1 (de) * 2004-02-27 2005-09-29 Bayerisches Zentrum für angewandte Energieforschung eV, ZAE Bayern Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschaltung aus einzelnen diskreten Halbleiterbauelementen und nach diesem Verfahren hergestellte Halbleiterschaltungen
KR100852700B1 (ko) * 2002-04-03 2008-08-19 삼성에스디아이 주식회사 고효율 태양전지 및 그 제조 방법

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1270931C (en) * 1984-06-15 1990-06-26 HEAT-INSENSITIVE THIN-FILM PHOTOELECTRIC CONVERTER WITH AN ANTI-DIFFUSION LAYER
US4751191A (en) * 1987-07-08 1988-06-14 Mobil Solar Energy Corporation Method of fabricating solar cells with silicon nitride coating
JP2004266023A (ja) * 2003-02-28 2004-09-24 Sharp Corp 太陽電池およびその製造方法
FR2880989B1 (fr) * 2005-01-20 2007-03-09 Commissariat Energie Atomique Dispositif semi-conducteur a heterojonctions et a structure inter-digitee
EP1872413A1 (en) 2005-04-14 2008-01-02 Renewable Energy Corporation ASA Surface passivation of silicon based wafers
US7503713B2 (en) 2006-09-27 2009-03-17 William Thomas Large Accessible technology keyboard
GB2442254A (en) 2006-09-29 2008-04-02 Renewable Energy Corp Asa Back contacted solar cell
US7741225B2 (en) * 2007-05-07 2010-06-22 Georgia Tech Research Corporation Method for cleaning a solar cell surface opening made with a solar etch paste
US20090159111A1 (en) * 2007-12-21 2009-06-25 The Woodside Group Pte. Ltd Photovoltaic device having a textured metal silicide layer
GB2459274A (en) * 2008-04-15 2009-10-21 Renewable Energy Corp Asa Wafer based solar panels
TWI362759B (en) * 2008-06-09 2012-04-21 Delsolar Co Ltd Solar module and system composed of a solar cell with a novel rear surface structure
US7897434B2 (en) * 2008-08-12 2011-03-01 International Business Machines Corporation Methods of fabricating solar cell chips
US20100037933A1 (en) * 2008-08-12 2010-02-18 Harold John Hovel Solar cell panels and method of fabricating same

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0482511A1 (en) * 1990-10-17 1992-04-29 Showa Shell Sekiyu Kabushiki Kaisha Integrated photovoltaic device
DE4325634A1 (de) * 1993-07-30 1995-02-02 Deutsche Aerospace Verfahren zur Herstellung einer integrierten dünnen Solarzelle (Integrale Dünne Solarzelle)
US5951786A (en) * 1997-12-19 1999-09-14 Sandia Corporation Laminated photovoltaic modules using back-contact solar cells
US6423568B1 (en) * 1999-12-30 2002-07-23 Sunpower Corporation Method of fabricating a silicon solar cell
KR100852700B1 (ko) * 2002-04-03 2008-08-19 삼성에스디아이 주식회사 고효율 태양전지 및 그 제조 방법
DE102004010115A1 (de) * 2004-02-27 2005-09-29 Bayerisches Zentrum für angewandte Energieforschung eV, ZAE Bayern Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschaltung aus einzelnen diskreten Halbleiterbauelementen und nach diesem Verfahren hergestellte Halbleiterschaltungen

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP特开2004-266023A 2004.09.24

Also Published As

Publication number Publication date
US20120024368A1 (en) 2012-02-02
GB2467361A (en) 2010-08-04
TW201036192A (en) 2010-10-01
JP2012516566A (ja) 2012-07-19
GB0901605D0 (en) 2009-03-11
WO2010087712A3 (en) 2010-11-25
DE112010000831T5 (de) 2012-05-31
WO2010087712A2 (en) 2010-08-05
CN102362366A (zh) 2012-02-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102362366B (zh) 两个太阳能电池的背接触和互连
US20120085403A1 (en) Method for producing a contact, a contact and solar cell comprising a contact
CN101889348B (zh) 使用图案化蚀刻剂物质以形成太阳能电池接点的工艺
CN101622717B (zh) 背接触型太阳能电池
EP2212915B1 (en) Method of fabrication of a back-contacted photovoltaic cell, and back-contacted photovoltaic cell made by such a method
US7820472B2 (en) Method of forming front contacts to a silicon solar cell without patterning
US10290750B2 (en) Systems and methods for forming foil contact rear emitter solar cell
US20090139568A1 (en) Crystalline Solar Cell Metallization Methods
US20090223549A1 (en) solar cell and fabrication method using crystalline silicon based on lower grade feedstock materials
US20140360567A1 (en) Back contact solar cells using aluminum-based alloy metallization
JP2006523025A (ja) 太陽電池用金属コンタクト構造体及び製法
CN111108609A (zh) 具有p型导电性的指叉背接触式太阳能电池
CN102403401A (zh) 导电电极结构的形成方法、太阳能电池及其制造方法
WO2017173385A1 (en) Metallization of solar cells with differentiated p-type and n-type region architectures
KR20100052503A (ko) 태양 전지의 후방 표면 상에 콘택을 제공하기 위한 방법, 그리고 이러한 방법에 따른 콘택을 가진 태양 전지
CN114005908A (zh) 一种太阳能电池以及太阳能电池的制备方法
KR20140146633A (ko) 알루미늄계 합금 금속화를 이용하는 후면 접촉 태양 전지
US8852990B2 (en) Method of fabricating solar cell
US20230335663A1 (en) Back-contact solar cell, and production thereof
CN109155341B (zh) 太阳能电池制造方法、用该方法制造的太阳能电池和衬底座
AU2021268445A1 (en) Back-side contact solar cell
JPH11330511A (ja) 薄膜太陽電池とその形成法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: RUIKESI SOLAR POWER PRIVATE LIMITED COMPANY

Free format text: FORMER OWNER: RENEWABLE ENERGY CORP. AS

Effective date: 20131226

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20131226

Address after: Singapore Singapore

Patentee after: RENEWABLE ENERGY CORPORATION ASA

Address before: Norway sandvika

Patentee before: Renewable Energy Corp. AS