DE4325634C2 - Verfahren zur Herstellung einer integrierten dünnen Solarzelle - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer integrierten dünnen Solarzelle

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Description

Die Erfindung betrifft Verfahren zur Herstellung einer integrierten dünnen Solarzelle, wobei diese Solarzelle aus mehreren Einzelkörpern im Wesentlichen aus einem Halbleitermaterial, das einen p/n-Übergang aufweist, besteht, die auf ihrer Vorderseite ein gridförmiges Kon­ taktsystem und eine Antireflex-Schicht aufweisen, die mit ihrer Vorderseite auf einem Deck­ glas als Träger befestigt sind und die elektrisch über metallische Verbindungen miteinander seriell und/oder parallel gekoppelt sind.
In der DE 41 32 903 A1 ist eine dünne Solarzeile beschrieben, deren Körper im Wesentli­ chen aus den photoaktiven Halbleiterschichten besteht, vorzugsweise Galliumarsenid-Zelle. Wie aus Fig. 1 zu ersehen ist, weist der Halbleiterkörper 1 auf seiner vorderseitigen Licht­ einfallseite ein gridförmiges Kontaktsystem (Vorderseitenkontakt) 2, eine Antireflex-Schicht 3 und ein mittels Kleberschicht 5 befestigtes Deckglas 4 sowie auf seiner Rückseite einen Rückseitenkontakt 6 auf. Zum Anschluss von eine Serien- und/oder Parallelverbindung von mehreren Solarzellen ermöglichenden Solarzellen-Verbindern 7, 71 sind Verschaltungspunkte 8, 81 (Verschaltungsflächen) vorhanden, von denen einer mit dem Vorderseitenkontakt 2 und der andere mit dem Rückseitenkontakt 6 in elektrisch leitender Verbindung steht. Die Ver­ schaltungspunkte 8, 81 befinden sich von dem Halbleiterkörper 1 entfernt auf einer Seite der Solarzelle, vorzugsweise sind sie auf der dem Halbleiterkörper zugewandten Seite des Deck­ glases 4 derart angeordnet, dass die zum Verschalten offenen Flächen der Verschaltungs­ punkte zum Halbleiterkörper hinweisen.
Diese Kontakte, die die Verbindung der Solarzellen "nach außen", z. B. zur Herstellung von Modulen aus Solarzellen, ermöglichen, werden im Folgenden als Kontakte oder Verbindun­ gen "nach außen" bezeichnet. Die elektrischen Verbindungen zwischen Kontakten und zugehörigen Verschaltungspunkten 8, 81 sind in Fig. 1 durch Brückenkontakte 61, 62 herge­ stellt. Weiterhin sind die Stirnseiten des Halbleiterkörpers 1 durch ein Dielektrikum 9, 91 passiviert. Eine Antireflex-Schicht 31 ist für den Fall vorgesehen, dass es sich bei dem Halbleiterkörper 1 um eine als Bi-facial-Solarzelle verwendbare Epitaxie-Schichtenfolge handelt, ebenso wie ein rückseitiges Deckglas und ein rückseitiger Kleber (in den Fig. 1 bis 3 nicht dargestellt).
Diese dünne Solarzelle (SZ) ermöglicht trotz ihrer geringen Dicke und damit verbundenen verhältnismäßig leichten Zerbrechlichkeit hohe Stabilität aufgrund der Herstellung auf dem Deckglas sowie eine einwandfreie und sichere Verschaltung "nach außen" mittels der Verbinder zu großflächigen leichten Solarmodulen.
Die JP 4-91 482 A bezieht sich auf die Herstellung einzelner Solarzellen. Dabei werden zwei Substrate bzw. Träger verwendet, von denen einer verworfen wird. Auf einem ersten Träger, dem eigentlichen Substrat, werden der einen Schichtaufbau aufweisende Halbleiterkörper sowie die Vorderseitenelektrode abgeschieden. Anschließend wird auf dieser Vorderseiten­ elektrode ein Deckglas als (zweiter) Träger aufgeklebt. Schließlich wird das Substrat entfernt und die Rückseitenelektrode aufgebracht.
Aus der DE 36 04 917 A1 ist ein Verfahren zur Herstellung eines integralen Verbundes in Reihe geschalteter Dünnschicht-Solarzellen bekannt. Dabei wird ein großflächiges Substrat zur Abscheidung sämtlicher für die Funktion der Solarzelle erforderlicher Schichten inklusive der Vorder- und Rückseitenelektrode verwendet, wobei dieses Substrat gleichzeitig die Funktion des Deckglases übernimmt.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zu Grunde, das Verfahren zur Herstellung der bekannten dünnen Solarzelle zur Herstellung "integraler dünner Solarzellen" zu erweitern.
Die der Erfindung zu Grunde liegende Aufgabe wird zum einen durch das folgende Verfah­ ren gelöst:
  • 1. auf einem Trägersubstrat wird ein als großflächige Solarzelle verwendbarer, eine photoaktive Schichtenfolge enthaltender Halbleiterkörper hergestellt;
  • 2. auf eine vorderseitige Lichteinfallseite des Halbleiterkörpers werden Kon­ taktsysteme aufgebracht;
  • 3. auf die vorderseitige Lichteinfallseite des Halbleiterkörpers zusammen mit den Kontaktsystemen wird ein Deckglas als späterer Träger der fertiggestellten Solarzelle aufgebracht;
  • 4. das Trägersubstrat und gegebenenfalls vorhandene Zwischenschichten werden ganz oder teilweise von dem Halbleiterkörper entfernt;
  • 5. durch einen oder mehrere Prozesse werden einerseits die unbrauchbaren Ränder des Halbleiterkörpers entfernt und es wird der Halbleiterkörper durch Gräben vollständig durchtrennt und dadurch in die Einzelkörper zerlegt, so dass entsprechend der Anzahl und den Abmessungen der vorderseitigen Kontaktsysteme mehrere kleinere Solarzellen als Einzelzellen entstehen, desweiteren werden, soweit erforderlich, Teilbereiche des Halbleiterkörpers von einem bis allen Einzelkörpern entfernt zur Freilegung zumindest eines Teils des zugehörigen vorderseitigen Kontaktsystems zwecks Herstellung einer elektrischen Verbindung mit Brückenkontakten;
  • 6. auf die vom Trägersubstrat ganz oder teilweise und gegebenenfalls von Zwi­ schenschichten befreiten Rückseiten der Einzelkörper werden elektrisch leitende Schichten als Rückseitenkontakte aufgebracht, die sich, gegenüber den Stirnseiten der Einzelkörper isoliert, bis auf die dem Halbleiterkörper zu­ gewandte Seites des Deckglases bzw. bis auf eine zwischen Deckglas und Halbleiterkörper befindliche dielektrische Zwischenschicht erstrecken und dort Kontaktflächen entweder für die Verbindung des Rückseitenkontaktes "nach außen" oder für "innere" Verbindungen bilden, wobei durch Weiterführung der elektrischen Schichten von den isolierten Stirnseiten bis auf die freigelegten Teile des Vorderseitenkontaktes einer nächsten Einzelzelle eine serielle Ver­ bindung von Einzelzellen und durch Zusammenführung der Rückseitenkon­ takte zweier Einzelzellen eine parallele Verbindung entstehen; und
  • 7. im gleichen oder einem weiteren Prozess werden freigelegte Teile des Vorder­ seitenkontaktes durch elektrisch leitende Schichten kontaktiert und entweder ebenfalls bis auf die dem Halbleiterkörper zugewandte Seite des Deckglases bzw. bis auf eine zwischen Deckglas und Halbleiterkörper befindliche dielek­ trische Zwischenschicht geführt, um dort die Kontaktflächen für die Ver­ bindung des Vorderseitenkontaktes "nach außen" zu bilden, oder durch Weiter­ führung der elektrischen Schichten bis zu einem anderen freigelegten Teil des Vorderseitenkontaktes eines nächsten Einzelkörpers eine parallele "innere" Verbindung der Einzelkörper herzustellen.
Die Aufgabe wird erfindungsgemäß auch durch das folgende Verfahren gelöst:
  • 1. auf Trägersubstraten werden als Solarzelle verwendbare, photoaktive Schich­ tenfolgen enthaltende Halbleiterkörper hergestellt;
  • 2. auf die vorderseitige Lichteinfallseite der Halbleiterkörper auf ihren Träger­ substraten werden Kontaktsysteme aufgebracht;
  • 3. die unbrauchbaren Ränder der Halbleiterkörper mit den darunterliegenden Teilen der Trägersubstrate werden abgetrennt und mehrere der so entstandenen Einzelkörper werden mit ihren vorderseitigen Lichteinfallseiten, dem Masken­ design der in den folgenden Prozessen herzustellenden Rückseiten- und Verbindungskontakte entsprechend, auf ein Deckglas als Träger der Solarzelle laminiert;
  • 4. die Trägersubstrate und gegebenenfalls vorhandene Zwischenschichten werden ganz oder teilweise von den Halbleiterkörpern entfernt;
  • 5. des Weiteren werden, soweit erforderlich, Teilbereiche des Halbleiterkörpers von einigen bis allen Einzelkörpern entfernt zur Freilegung zumindest eines Teils des zugehörigen vorderseitigen Kontaktsystems zwecks Herstellung einer elektrischen Verbindung mit Brückenkontakten;
  • 6. auf die vom Trägersubstrat ganz oder teilweise und gegebenenfalls von Zwi­ schenschichten befreiten Rückseiten der Einzelkörper werden elektrisch leiten­ de Schichten als Rückseitenkontakte aufgebracht, die sich, gegenüber den Stirnseiten der Einzelkörper isoliert, bis auf die dem Halbleiterkörper zu­ gewandte Seite des Deckglases bzw. bis auf eine zwischen Deckglas und Halbleiterkörper befindliche dielektrische Zwischenschicht erstrecken und dort Kontaktflächen entweder für die Verbindung des Rückseitenkontaktes "nach außen" oder für "innere" Verbindungen bilden, wobei durch Weiterführung der elektrischen Schichten von den isolierten Stirnseiten bis auf die freigeleg­ ten Teile des Vorderseitenkontaktes einer nächsten Einzelzelle eine serielle Verbindung von Einzelzellen und durch Zusammenführung der Rückseiten­ kontakte zweier Einzelzellen eine parallele Verbindung entstehen; und
  • 7. im gleichen oder einen weiteren Prozess werden freigelegte Teile des Vor­ derseitenkontaktes durch elektrisch leitende Schichten kontaktiert und entweder ebenfalls bis auf die dem Halbleiterkörper zugewandte Seite des Deck­ glases bzw. bis auf eine zwischen Deckglas und Halbleiterkörper befindliche dielektrische Zwischenschicht geführt, um dort die Kontaktflächen für die Verbindung des Vorderseitenkontaktes "nach außen" zu bilden, oder durch Weiterführung der elektrischen Schichten bis zu einem anderen freigelegten Teil des Vorderseitenkontaktes eines nächsten Einzelkörpers eine parallele "innere" Verbindung der Einzelkörper herzustellen.
Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen 3 bis 14 beschrieben.
Ein Vorteil der erfindungsgemäßen Verfahren liegt darin, dass mit entsprechenden Masken­ sätzen alle nur möglichen Verbindungen von Einzelsolarzellen der Solarzelle (IDSZ) beliebi­ ger Vielfalt auf einem Träger (Deckglas) nach innen und außen hergestellt werden können.
Parallele Verschaltung kann Verwendung finden z. B. zur Reduzierung der Gefahr der Rissbildung aufgrund starker Verspannungen großflächiger "dünner Solarzellen" durch Zerteilung der großen Zelle in kleinere geringer verspannte Einzelzellen im Herstellungs­ prozess und anschließender paralleler elektrischer Wiederverbindung der Einzelzellen durch obige Kontakttechnologie oder zur Herstellung großflächiger Zellen niederer elektrischer Spannung.
Während parallel verschaltete Zellen bei geringer elektrischer Spannung hohen Strom liefern, kann serielle Verschaltung der Erhöhung der elektrischen Spannung der Solarzelle (IDSZ) dienen, wobei die Einzelzellen der großen Solarzelle seriell miteinander verbunden werden.
Eine weitere Anwendungsmöglichkeit bietet sich an mit der Integration auch anderer Bauelemente, die sich aus dem Halbleiterkörper herstellen lassen, z. B. von "shunt-Di­ oden". Hierbei werden zusätzlich möglichst kleine Teile des Halbleiterkörpers (der einen p/n Übergang enthält) separiert (Diode) und mit den Einzelzellen (oder gemein­ sam mehreren bis allen) in inverser Richtung zurückverbun­ den (zwei serielle Verbindungen je Diode). Ein Schutz der Zellen vor Durchbruch in Sperrichtung aber auch ein ge­ ringerer Leistungsverlust eines Moduls bei Teilabschat­ tung wird dadurch erreicht.
Auch "blocking-Dioden" zum Schutz vor Strom-Richtungsum­ kehr sind in entsprechender Weise integrierbar.
In der Zeichnung (Fig. 2 und Fig. 3) sind Ausführungsbei­ spiele der Verschaltung von Einzelkörpern einer nach den erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten Solarzelle (IDSZ) dargestellt, und zwar zeigt:
Fig. 2 ein erstes Kontaktsystem zur Verbindung von Ein­ zelkörpern, wobei
Fig. 2A einen seriellen Kontakt von Vorder- und Rücksei­ te,
Fig. 2B einen parallelen Rückseitenkontakt und
Fig. 2C einen parallelen Vorderseitenkontakt zeigen, sowie
Fig. 3 modifizierte Kontaktsysteme zur Verbindung von Einzelkörpern mit
Fig. 3D als seriellem Kontakt,
Fig. 3E als parallelem Rückseitenkontakt,
Fig. 3F als parallelem Vorderseitenkontakt und
Fig. 3G ebenfalls als parallelem Vorderseitenkontakt.
In den Fig. 2A bis 3G werden für die einzelnen Bauele­ mente die aus Fig. 1 ersichtlichen und in der Beschrei­ bungseinleitung erläuterten Bezugszeichen verwendet, wobei diese aus Ziffern bestehenden Bezugszeichenteile entspre­ chend ihrer zugehörigen Fig. 2A bis 3G durch einen voran­ gestellten oder nachgestellten Kleinbuchstaben a bis g ergänzt worden sind. Beispielsweise werden durch das Be­ zugszeichen a1 der Halbleiterkörper von Fig. 2A und durch das Bezugszeichen e4 das Deckglas von Fig. 3E bezeichnet. Die Kleinbuchstaben a bis g geben somit einen Hinweis auf die Figur, während mit den einzelnen Ziffern folgende Bau­ elemente bezeichnet sind:
Bezugszeichenliste
  • 1. 1 Halbleiterkörper
  • 2. 2 Vorderseitenkontakt (gridförmiges Kontaktsystem)
  • 3. 3, 31 Antireflex-Schicht
  • 4. 4 Deckglas
  • 5. 5 Deckglaskleber
  • 6. 6 Rückseitenkontakt
  • 7. 61, 62 Brückenkontakt
  • 8. 8, 81 Verschaltungsflächen nach außen
  • 9. 82 Verbindungssohle der Kontakte nach innen
  • 10. 9, 91 Passivierung, Brücke
Die Herstellung der Solarzelle (IDSZ), ersichtlich aus den Fig. 2A bis 3G, erfolgt nach den oben beschriebenen und in den Hauptansprüchen beanspruchten Verfahren. Zur Entfer­ nung der in den Figuren nicht dargestellten Substrate und gegebenenfalls vorhandener Zwischen- und Epitaxieschichten wird der an sich bekannte CLEFT-Prozeß, eine Abhebetechnik über eine chemisch selektiv ätzbare epitaktisch gewachse­ ne Zwischenschicht, eine Ätzschicht mit Abätzen des Trä­ gersubstrates und gegebenenfalls vorhandener Zwischen- und Epitaxieschichten bis zu einer epitaktisch gewachse­ nen Stop-Schicht, eine Abläpp- und/oder Poliertechnik oder auch eine Ätztechnik ganz oder nahezu bis zu den photoelektrisch aktiven Schicht­ bereichen angewandt.
Für die Herstellung einer Bi-facial-Solarzelle sind noch folgende besondere Verfahrensschritte durchzuführen:
  • - auf das Trägersubstrat wird eine als großflächiges Bi-facial-Solarmodul verwendbare Epitaxie-Schichtenfolge aufgebracht,
  • - auf die vom Trägersubstrat und gegebenenfalls von vorhandenen Zwischenschichten befreite Rückseite werden gridförmige Rückseitenkontaktsysteme 6 entsprechend der Anzahl und den Abmessungen der Solarzellen und eine Antireflex-Schicht 31 aufge­ bracht, und
  • - auf die Rückseiten der Solarzellen wird ein Deckglas 41 aufgebracht.
Hierbei können - ebenso wie für das einfache Solarmodul - die Deckgläser 4 mittels eines Klebers 5 oder durch ein direktes Anschmelzen aufgebracht werden.

Claims (14)

1. Verfahren zur Herstellung einer integrierten dünnen Solarzelle, wobei diese Solarzelle aus mehreren getrennten Einzelkörpern im Wesentlichen aus einem Halbleitermaterial, das einen p/n-Übergang aufweist, besteht, die auf ihrer Vorderseite ein gridförmiges Kontaktsystem (2) und eine Antireflex-Schicht (3) aufweisen, die mit ihrer Vor­ derseite auf einem Deckglas als Träger (4) befestigt sind und die elektrisch über metallische Verbindungen (61, 62) miteinander seriell und/oder parallel gekoppelt sind, wobei folgende Verfahrensschritte zur Anwendung kommen:
  • 1. auf einem Trägersubstrat wird ein als großflächige Solarzelle verwendbarer, eine photoaktive Schichtenfolge enthaltender Halbleiterkörper (1) hergestellt;
  • 2. auf eine vorderseitige Lichteinfallseite des Halbleiterkörpers (1) werden Kontaktsysteme (2) aufgebracht;
  • 3. auf die vorderseitige Lichteinfallseite des Halbleiterkörpers (1) zusammen mit den Kontaktsystemen (2) wird ein Deckglas als späterer Träger der fertigge­ stellten Solarzelle aufgebracht,
  • 4. das Trägersubstrat und gegebenenfalls vorhandene Zwischenschichten werden ganz oder teilweise von dem Halbleiterkörper (1) entfernt;
  • 5. durch einen oder mehrere Prozesse werden einerseits die unbrauchbaren Ränder des Halbleiterkörpers (1) entfernt und es wird der Halbleiterkörper (1) durch Gräben vollständig durchtrennt und dadurch in die Einzelkörper zerlegt, so dass entsprechend der Anzahl und den Abmessungen der vorderseitigen Kontaktsysteme (2) mehrere kleinere Solarzellen als Einzelzellen entstehen, desweiteren werden, soweit erforderlich, Teilbereiche des Halbleiterkörpers (1) von einem bis allen Einzelkörpern entfernt zur Freilegung zumindest eines Teils des zugehörigen vorderseitigen Kontaktsystems (2) zwecks Herstellung einer elektrischen Verbindung mit Brückenkontakten (61, 62);
  • 6. auf die vom Trägersubstrat ganz oder teilweise und gegebenenfalls von Zwi­ schenschichten befreiten Rückseiten der Einzelkörper werden elektrisch leitende Schichten als Rückseitenkontakte (6) aufgebracht, die sich, gegenüber den Stirnseiten der Einzelkörper isoliert, bis auf die dem Halbleiterkörper (1) zugewandte Seite des Deckglases (4) bzw. bis auf eine zwischen Deckglas (4) und Halbleiterkörper (1) befindliche dielektrische Zwischenschicht erstrecken und dort Kontaktflächen (81) entweder für die Verbindung des Rückseitenkon­ taktes (6) "nach außen" oder für "innere" Verbindungen bilden, wobei durch Weiterführung (82) der elektrischen Schichten von den isolierten Stirnseiten bis auf die freigelegten Teile des Vorderseitenkontaktes (2) einer nächsten Einzelzelle eine serielle Verbindung von Einzelzellen und durch Zusammen­ führung (82) der Rückseitenkontakte (6) zweier Einzelzellen eine parallele Verbindung entstehen; und
  • 7. im gleichen oder einem weiteren Prozess werden freigelegte Teile des Vorder­ seitenkontaktes (2) durch elektrisch leitende Schichten (61) kontaktiert und entweder ebenfalls bis auf die dem Halbleiterkörper (1) zugewandte Seite des Deckglases (4) bzw. bis auf eine zwischen Deckglas (4) und Halbleiterkörper (1) befindliche dielektrische Zwischenschicht geführt, um dort die Kontakt­ flächen (8) für die Verbindung des Vorderseitenkontaktes (2) "nach außen" zu bilden, oder durch Weiterführung (82) der elektrischen Schichten bis zu einem anderen freigelegten Teil des Vorderseitenkontaktes (2) eines nächsten Einzel­ körpers eine parallele "innere" Verbindung der Einzelkörper herzustellen.
2. Verfahren zur Herstellung einer integrierten dünnen Solarzelle, wobei diese Solarzelle aus mehreren getrennten Einzelkörpern im Wesentlichen aus einem Halbleitermaterial, das einen p/n-Übergang aufweist, besteht, die auf ihrer Vorderseite ein gridförmiges Kontaktsystem (2) und eine Antireflex-Schicht (3) aufweisen, die mit ihrer Vor­ derseite auf einem Deckglas als Träger (4) befestigt sind und die elektrisch über metallische Verbindungen (61, 62) miteinander seriell und/oder parallel gekoppelt sind, wobei folgende Verfahrensschritte zur Anwendung kommen:
  • 1. auf Trägersubstraten werden als Solarzelle verwendbare, photoaktive Schich­ tenfolgen enthaltende Halbleiterkörper (1) hergestellt;
  • 2. auf die vorderseitige Lichteinfallseite der Halbleiterkörper (1) auf ihren Trägersubstraten werden Kontaktsysteme (2) aufgebracht;
  • 3. die unbrauchbaren Ränder der Halbleiterkörper (1) mit den darunterliegenden Teilen der Trägersubstrate werden abgetrennt und mehrere der so entstandenen Einzelkörper werden mit ihren vorderseitigen Lichteinfallseiten, dem Masken­ design der in den folgenden Prozessen herzustellenden Rückseiten- (6) und Verbindungskontakte (61, 62, 8, 81) entsprechend, auf ein Deckglas als Träger der Solarzelle laminiert;
  • 4. die Trägersubstrate und gegebenenfalls vorhandene Zwischenschichten werden ganz oder teilweise von den Halbleiterkörpern (1) entfernt;
  • 5. desweiteren werden, soweit erforderlich, Teilbereiche des Halbleiterkörpers (1) von einigen bis allen Einzelkörpern entfernt zur Freilegung zumindest eines Teils des zugehörigen vorderseitigen Kontaktsystems (2) zwecks Herstellung einer elektrischen Verbindung mit Brückenkontakten (61, 62);
  • 6. auf die vom Trägersubstrat ganz oder teilweise und gegebenenfalls von Zwi­ schenschichten befreiten Rückseiten der Einzelkörper werden elektrisch leiten­ de Schichten als Rückseitenkontakte (6) aufgebracht, die sich, gegenüber den Stirnseiten der Einzelkörper isoliert, bis auf die dem Halbleiterkörper (1) zugewandte Seite des Deckglases (4) bzw. bis auf eine zwischen Deckglas (4) und Halbleiterkörper (1) befindliche dielektrische Zwischenschicht erstrecken und dort Kontaktflächen (81) entweder für die Verbindung des Rückseiten­ kontaktes (6) "nach außen" oder für "innere" Verbindungen bilden, wobei durch Weiterführung (82) der elektrischen Schichten von den isolierten Stirn­ seiten bis auf die freigelegten Teile des Vorderseitenkontaktes (2) einer nächsten Einzelzelle eine serielle Verbindung von Einzelzellen und durch Zu­ sammenführung (82) der Rückseitenkontakte (6) zweier Einzelzellen eine parallele Verbindung entstehen; und
  • 7. im gleichen oder einen weiteren Prozess werden freigelegte Teile des Vor­ derseitenkontaktes (2) durch elektrisch leitende Schichten (61) kontaktiert und entweder ebenfalls bis auf die dem Halbleiterkörper (1) zugewandte Seite des Deckglases (4) bzw. bis auf eine zwischen Deckglas (4) und Halbleiterkörper (1) befindliche dielektrische Zwischenschicht geführt, um dort die Kontakt­ flächen (8) für die Verbindung des Vorderseitenkontaktes (2) "nach außen" zu bilden, oder durch Weiterführung (82) der elektrischen Schichten bis zu einem anderen freigelegten Teil des Vorderseitenkontaktes (2) eines nächsten Einzel­ körpers eine parallele "innere" Verbindung der Einzelkörper herzustellen.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Verfahrensschritt Bb) durch einen oder mehrere Prozesse die Halbleiterkörper (1) weiter durch Gräben vollständig durchtrennt und dadurch in weitere Einzelkörper zerlegt werden, so dass entsprechend der Anzahl und den Abmessungen der vorderseitigen Kontaktsyteme (2) mehrere kleinere vorzugsweise mehrheitlich photoaktive Einzelzellen entstehen.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, gekennzeichnet durch die Verwen­ dung von gridförmigen Kontaktsystemen (2).
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass auf den Kontaktsystemen (2) eine Antireflex-Schicht (3) aufgebracht wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die nach den Verfahrensschritten Ae) oder Be) hergestellten Ränder des Halbleiter­ körpers (1) passiviert werden.
7. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass zur Entfernung des Trägersubstrates und gegebenenfalls vorhandener Zwischen- und Epitaxie­ schichten der an sich bekannte CLEFT-Prozeß verwendet wird.
8. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Trägersub­ strat und gegebenenfalls vorhandene Zwischen- und Epitaxieschichten mittels Abhebetechnik über eine chemisch selektiv ätzbare epitaktisch gewachsene Zwischenschicht von dem Halbleiterkörper (1) entfernt werden.
9. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch eine Ätztechnik mit Abätzen des Trägersubstrates und gegebenenfalls vorhandener Zwischen- und Epitaxieschichten bis zu einer epitaktisch gewachsenen Stop-Schicht.
10. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Träger­ substrat und gegebenenfalls vorhandene Zwischenschichten ganz oder teilweise von dem Halbleiterkörper (1) durch Abläppen und/oder -polieren und/oder -ätzen ganz oder nahezu bis zu den photoelektrisch aktiven Schichtbereichen entfernt werden.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass auf das (oder die) Trägersubstrat(e) eine als Bi-facial-Solarmodul verwendbare Epitaxie-Schichtenfolge aufgebracht wird, dass auf die vom Trägersubstrat und gegebenenfalls vorhandenen Zwischenschichten befreite Rückseite der Einzel­ zellen gridförmige Rückseitenkontaktsysteme (6) entsprechend der Anzahl und Abmessungen der Solarzellen und Antireflex-Schichten (31) aufgebracht werden, und dass auf die Rückseiten der Solarzellen ein Deckglas aufgebracht wird.
12. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Deck­ gläser (4, 41) mittels eines temperaturbeständigen Deckglasklebers (5) aufge­ bracht werden.
13. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 11, gekennzeichnet durch ein direktes Anschmelzen der Deckgläser (4) auf die Solarzelle.
14. Verfahren nach Anspruch 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass nicht der Stromgewinnung durch Licht dienende, aus dem Halbleiterkörper (1) nach den Verfahren gemäß Anspruch 1 oder 2 herstellbare Halbleiterbauelemente, wie Shunt-Dioden und Blocking-Dioden, in die Solarzelle integriert werden.
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DE3604917A1 (de) * 1986-02-17 1987-08-27 Messerschmitt Boelkow Blohm Verfahren zur herstellung eines integrierten verbandes in reihe geschalteter duennschicht-solarzellen
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