KR101573675B1 - 박막형 태양전지 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기판의 표면 형상을 통해 전면전극에 형성되는 요철패턴의 형상을 제어하여 태양전지의 효율을 향상시킬 수 있도록 한 박막형 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 박막형 태양전지의 제조방법은 기판 상에 일정한 간격으로 마스크 패턴을 형성하는 제 1 공정; 상기 마스크 패턴을 마스크로 하여 상기 기판의 표면을 제거하여 제 1 요철패턴을 형성하는 제 2 공정; 상기 마스크 패턴을 제거하는 제 3 공정; 상기 제 1 요철패턴을 포함하도록 상기 기판 상에 전면전극을 형성하는 제 4 공정; 상기 전면전극을 일정한 간격으로 제거하여 제 1 분리부를 형성하는 제 5 공정; 상기 제 1 분리부를 포함하도록 상기 전면전극 상에 반도체층을 형성하는 제 6 공정; 상기 반도체층을 제거하여 상기 전면전극의 제 1 영역을 노출시키는 콘택부를 형성하는 제 7 공정; 상기 콘택부를 통해 상기 전면전극에 연결되도록 상기 반도체층 상에 후면전극을 형성하는 제 8 공정; 및 상기 후면전극과 상기 반도체층을 제거하여 상기 전면전극의 제 2 영역을 노출시켜 상기 후면전극을 분리하는 제 2 분리부를 형성하는 제 9 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
태양전지, 요철패턴, 기판, 물리적 에칭, 화학적 에칭
Description
본 발명은 태양전지에 관한 것으로, 보다 구체적으로, 기판의 표면 형상을 통해 전면전극에 형성되는 요철패턴의 형상을 제어하여 태양전지의 효율을 향상시킬 수 있도록 한 박막형 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것이다.
태양전지는 반도체의 성질을 이용하여 빛 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 장치이다.
태양전지의 구조 및 원리에 대해서 간단히 설명하면, 태양전지는 P(Positive)형 반도체와 N(Negative)형 반도체를 접합시킨 PN접합 구조를 하고 있으며, 이러한 구조의 태양전지에 태양광이 입사되면, 입사된 태양광이 가지고 있는 에너지에 의해 상기 반도체 내에서 정공(Hole) 및 전자(Electron)가 발생하고, 이때, PN접합에서 발생한 전기장에 의해서 상기 정공(+)는 P형 반도체쪽으로 이동하고 상기 전자(-)는 N형 반도체쪽으로 이동하게 되어 전위가 발생하게 됨으로써 전력을 생산할 수 있게 되는 원리이다.
이와 같은 태양전지는 기판형 태양전지와 박막형 태양전지로 구분할 수 있 다.
기판형 태양전지는 실리콘과 같은 반도체 물질 자체를 기판으로 이용하여 태양전지를 제조한 것으로, 박막형 태양전지에 비하여 효율이 다소 우수하지만, 공정상 두께를 최소화하는데 한계가 있고 고가의 반도체 기판을 이용하기 때문에 제조비용이 상승되는 단점이 있다.
박막형 태양전지는 유리 등과 같은 기판 상에 박막의 형태로 반도체를 형성하여 태양전지를 제조한 것으로, 기판형 태양전지에 비하여 효율이 다소 떨어지지만, 얇은 두께로 제조가 가능하고 저가의 재료를 이용할 수 있어 제조비용이 감소되는 장점이 있어 대량생산에 적합하다.
이하, 도면을 참조로 종래의 박막형 태양전지의 제조방법에 대해서 설명하기로 한다.
도 1a 내지 도 1f는 종래의 박막형 태양전지의 제조공정을 도시한 단면도이다.
우선, 도 1a에 도시된 바와 같이, 투명전도물질에 따라 PVD(Physical Vapor Deposition) 또는 CVD(Chemical vapor deposition) 공정을 이용하여 기판(10) 상에 피라미드 형태의 요철패턴(22)을 가지는 전면전극(20)을 형성한다. 이때, PVD 공정을 이용하는 경우에는 먼저 기판(10) 상에 전면전극(20)을 증착한 후, 별도의 화학적 에칭 공정을 통해 전면전극(20) 표면에 요철패턴(22)을 형성한다. 반면에, CVD 공정을 이용하는 경우에는 CVD 공정 조건에 따라 요철패턴(22)을 가지는 전면전극(20)이 기판(10) 상에 증착된다.
다음, 도 1b에 도시된 바와 같이, 요철패턴(22)을 가지는 전면전극(20) 상에 반도체층(30)을 증착한다.
다음, 도 1c에 도시된 바와 같이, 반도체층(30) 상에 버퍼층(40)을 증착한다.
다음 도 1d에 도시된 바와 같이, 버퍼층(40) 상에 후면전극(50)을 증착한다.
상술한 바와 같은 종래의 박막형 태양전지의 제조방법에서는 반도체층(30) 내부로 입사된 빛의 경로를 길게 하여 전자와 정공의 밀도를 증가시켜 태양전지의 효율을 향상시키기 위하여 전면전극(20) 상에 요철패턴(22)을 형성하게 된다.
그러나, 상술한 바와 같이, CVD 공정을 통해 요철패턴(22)을 가지는 전면전극(20)을 형성할 경우에는, 피라미드 형태의 결정상을 갖는 요철패턴(22)으로 인하여 반도체층(30)에서의 결함발생율이 증가하게 되며, 공정 조건에 의해 요철패턴(22)의 형태가 결정되기 때문에 요철패턴(22)의 결정 방향, 크기 등의 원하는 특정한 형태로 형성할 수 없다는 문제점이 있다.
그리고, PVD 공정을 통해 요철패턴(22)을 가지는 전면전극(20)을 형성하는 경우에는 다음과 같은 문제점이 있다.
첫째, PVD 공정에 의해 전면전극(20)의 표면이 평탄하게 형성되기 때문에 별도의 화학적 에칭 공정을 통해 요철패턴(22)을 형성해야 한다는 문제점이 있다.
둘째, 화학적 에칭 공정의 균일도 및 재현성이 낮아 대면적 태양전지의 제조에 적합하지 않다는 문제점이 있다.
셋째, 전면전극(20)을 에칭하기 위해 염산과 같은 화학물질의 사용으로 인하 여 별도의 공정관리 비용이 증가하게 되고, 환경오염을 유발시킨다는 문제점이 있다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 기판의 표면 형상을 통해 전면전극에 형성되는 요철패턴의 형상을 제어하여 태양전지의 효율을 향상시킬 수 있도록 한 박막형 태양전지 및 그 제조방법을 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.
또한, 본 발명은 대면적 기판 상에 요철패턴을 가지는 전면전극을 형성할 수 있도록 한 박막형 태양전지 및 그 제조방법을 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 실시 예에 따른 박막형 태양전지의 제조방법은 기판 상에 일정한 간격으로 마스크 패턴을 형성하는 제 1 공정; 상기 마스크 패턴을 마스크로 하여 상기 기판의 표면을 제거하여 제 1 요철패턴을 형성하는 제 2 공정; 상기 마스크 패턴을 제거하는 제 3 공정; 상기 제 1 요철패턴을 포함하도록 상기 기판 상에 전면전극을 형성하는 제 4 공정; 상기 전면전극을 일정한 간격으로 제거하여 제 1 분리부를 형성하는 제 5 공정; 상기 제 1 분리부를 포함하도록 상기 전면전극 상에 반도체층을 형성하는 제 6 공정; 상기 반도체층을 제거하여 상기 전면전극의 제 1 영역을 노출시키는 콘택부를 형성하는 제 7 공정; 상기 콘택부를 통해 상기 전면전극에 연결되도록 상기 반도체층 상에 후면전극을 형성하는 제 8 공정; 및 상기 후면전극과 상기 반도체층을 제거하여 상기 전면전극의 제 2 영역을 노출시켜 상기 후면전극을 분리하는 제 2 분리부를 형성하는 제 9 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 전면전극의 표면에는 상기 제 1 요철패턴에 대응되는 제 2 요철패턴이 형성된 것을 특징으로 한다.
상기 제 1 분리부와 상기 콘택부 및 상기 제 2 분리부 각각은 상기 마스크 패턴이 제거된 상기 기판 상의 평탄부 상에 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 제 1 분리부와 상기 콘택부 및 상기 제 2 분리부 중 적어도 하나는 상기 평탄부 상에 조사되는 레이저 빔에 의해 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 박막형 태양전지의 제조방법은 상기 제 6 공정 내지 제 9 공정 중 어느 하나의 공정 이후에 수소 가스 및 중수소 가스 중 어느 하나의 열처리 가스를 이용한 가압열처리 공정을 통해 상기 반도체층에 존재하는 Si 결함을 제거하는 공정을 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 실시 예에 따른 박막형 태양전지의 제조방법은 기판의 표면을 제거하여 제 1 요철패턴을 형성하는 제 1 공정; 상기 제 1 요철패턴을 포함하는 상기 기판 상에 전면전극을 형성하는 제 2 공정; 상기 전면전극 상에 반도체층을 형성하는 제 3 공정; 및 상기 반도체층 상에 후면전극을 형성하는 제 4 공정을 포함하여 이루어지며, 상기 전면전극의 표면에는 상기 제 1 요철패턴에 대응되는 제 2 요철패턴이 형성된 것을 특징으로 한다.
상기 제 1 요철패턴을 형성하는 공정은 연마제를 이용한 물리적 에칭 방법 또는 에칭용액을 이용한 화학적 에칭 방법을 통해 상기 기판의 표면을 직접적으로 제거하여 상기 제 1 요철패턴을 형성하는 것을 특징으로 한다.
상기 박막형 태양전지의 제조방법은 상기 제 3 공정 또는 제 4 공정 이후에 수소 가스 및 중수소 가스 중 어느 하나의 열처리 가스를 이용한 가압열처리 공정을 통해 상기 반도체층에 존재하는 Si 결함을 제거하는 공정을 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 실시 예에 따른 박막형 태양전지의 제조방법은 기판의 표면을 제거하여 제 1 요철패턴을 형성하는 공정; 및 상기 제 1 요철패턴에 대응되는 제 2 요철패턴을 포함하는 태양전지 셀을 상기 제 1 요철패턴 상에 형성되는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 실시 예에 따른 박막형 태양전지는 기판; 상기 기판의 표면이 제거되어 형성된 제 1 요철패턴; 상기 제 1 요철패턴을 포함하는 상기 기판 상에 형성된 전면전극; 상기 전면전극 상에 형성된 반도체층; 및 상기 반도체층 상에 형성된 후면전극을 포함하며, 상기 전면전극의 표면에는 상기 제 1 요철패턴에 대응되는 제 2 요철패턴이 형성된 것을 특징으로 한다.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 실시 예에 따른 박막형 태양전지는 기판; 상기 기판의 표면에 일정한 간격으로 마련된 평탄부; 상기 기판의 표면이 제거되어 상기 평탄부 사이에 형성된 제 1 요철패턴; 상기 평탄부와 상기 제 1 요철패턴을 포함하도록 상기 기판 상에 형성된 전면전극; 상기 평탄부 상에 형성되어 상기 전면전극을 일정한 간격으로 분리하는 제 1 분리부; 상기 제 1 분리부를 포함하도록 상기 전면전극 상에 형성된 반도체층; 상기 반도체층을 관통하도록 상 기 평탄부 상에 형성되어 상기 전면전극의 제 1 영역을 노출시키는 콘택부; 상기 콘택부를 통해 상기 전면전극에 연결되도록 상기 반도체층 상에 형성된 후면전극; 및 상기 후면전극과 상기 반도체층을 관통하도록 상기 평탄부 상에 형성되어 상기 전면전극의 제 2 영역을 노출시켜 상기 후면전극을 분리하는 제 2 분리부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
상기 전면전극의 표면에는 상기 제 1 요철패턴에 대응되는 제 2 요철패턴이 형성된 것을 특징으로 한다.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 실시 예에 따른 박막형 태양전지는 기판의 표면이 제거되어 형성된 제 1 요철패턴; 및 상기 제 1 요철패턴에 대응되는 제 2 요철패턴을 포함하도록 상기 제 1 요철패턴 상에 형성된 태양전지 셀을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
상술한 바와 같이 본 발명은 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 기판 상에 원하는 형태의 요철패턴을 형성한 후, 전면전극을 형성하여 전면전극 상에 최적화된 형태의 요철패턴을 형성함으로써 반도체층의 결함을 최소화하면서 빛의 산란을 최대화시켜 태양전지의 효율을 향상시킬 수 있다는 효과가 있다.
둘째, 기판에 형성된 요철패턴을 통해 전면전극에 요철패턴을 형성하여 재현성이 높고 균일한 대면적 전면전극을 형성할 수 있으므로 대면적 태양전지의 제조에 적합하고, 생산성을 크게 향상시킬 수 있다는 효과가 있다.
셋째, 환경오염을 유발하는 화학물질을 사용하지 않으므로 화학적 오염물질을 배출하지 않아 화학물질의 관리 및 처리비용이 필요 없어 생산 비용을 줄일 수 있다는 효과가 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 대해 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 박막형 태양전지를 설명하기 위한 도면이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 박막형 태양전지는 기판(110); 기판(110)의 표면에 형성된 제 1 요철패턴(112); 제 1 요철패턴(112)에 대응되는 제 2 요철패턴(122)을 가지도록 제 1 요철패턴(112) 상에 형성되는 전면전극(120); 전면전극(120) 상에 형성되는 반도체층(130); 반도체층(130) 상에 형성되는 버퍼층(140); 및 버퍼층(140) 상에 형성되는 후면전극(150)을 포함하여 구성된다.
기판(110)은 유리(Glass), 스테인리스(Stainless), PET(Polyethylene Terephthalate), PEN(Polyethylenenaphthelate), PP(Polypropylene), PI(Polyamide), 또는 TAC(Tri Acetyl Cellulose) 등이 될 수 있으며, 바람직하게는 유리가 될 수 있다.
제 1 요철패턴(112)은 기판(110)의 표면에 특정한 형상을 가지도록 형성된다. 이때, 제 1 요철패턴(112)은 1 ~ 3㎛ 크기의 오목한 형태로 형성될 수 있다.
이러한, 제 1 요철패턴(112)의 형성 방법은 투사체를 이용한 물리적 에칭 방 법 또는 에칭용액을 이용한 화학적 에칭 방법에 의해 형성될 수 있다.
물리적 에칭 방법은 기판(110)의 경도보다 높은 경도를 가지는 투사체를 고압으로 기판(110) 표면에 투사시켜 원하는 제 1 요철패턴(112)을 형성한다. 이때, 기판(110)이 유리 재질일 경우 투사체는 SiC4, Sl2O3 또는 SiO2 등의 재질로 이루어질 수 있다. 이러한, 물리적 에칭 방법은 투사체의 입자 크기, 투사 압력, 투사 속도, 투가 거리, 노즐의 이동 속도, 온도, 습도 등을 조절함으로써 기판(110) 표면에 미세한 단차를 가지는 제 1 요철패턴(112)을 원하는 특정한 형태로 형성할 수 있다.
화학적 에칭 방법은 에칭용액이 수용된 용기에 기판(110)을 침지시키거나 에칭용액을 기판(110)에 분사함으로써 기판(110) 표면에 원하는 제 1 요철패턴(112)을 형성한다. 이때, 기판(110)이 유리 재질일 경우 에칭용액은 불소가 될 수 있다. 이러한, 화학적 에칭 방법은 에칭용액의 농도 및 침지시간(또는 분사시간)을 조절함으로써 기판(110) 표면에 미세한 단차를 가지는 제 1 요철패턴(112)을 원하는 특정한 형태로 형성할 수 있다.
전면전극(120)은 제 1 요철패턴(112)이 형성된 기판(110) 전면에 형성된다. 이때, 전면전극(120)은 Ag, Al, Ag+Al, Ag+Mg, Ag+Mn, Ag+Sb, Ag+Zn, Ag+Mo, Ag+Ni, Ag+Cu, 또는 Ag+Al+Zn 등과 같은 금속물질을 이용하여 형성하거나, ITO(Indium Tin Oxide), FTO(Fluorine doped Tin Oxide), ZnO, ZnO:B, ZnO:Al, Ag, SnO2, SnO2:F, ZnO:Ga2O3, ZnO:Al2O3, SnO2:Sb2O3 등과 같은 투명한 도전물질(TCO, Transparent Conductive Oxide)을 이용하여 형성할 수 있다. 여기서, 전면전극(120)은 물질 특정에 따라 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 공정, PECVD(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) 공정, APCVD(Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition) 공정, LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 공정, HPCVD(High Pressure Chemical Vapor Deposition), 또는 스퍼터링(Sputtering)과 같은 증착 공정에 의해 형성될 수 있다.
이러한, 전면전극(120)은 증착 공정을 통해 기판(110) 전면에 형성되기 때문에 전면전극(120)의 표면에는 제 1 요철패턴(112)에 대응되는 제 2 요철패턴(122)이 형성된다.
반도체층(130)은 제 2 요철패턴(122)이 형성된 전면전극(120) 상에 형성된다. 이때, 반도체층(130)은 실리콘계 반도체 물질을 이용하여 형성할 수 있다. 여기서, 반도체층(130)은 P형 반도체층, I형 반도체층 및 N형 반도체층이 순서대로 적층된 PIN구조로 형성하는데, 이와 같이 반도체층(130)을 PIN구조로 형성하게 되면, I형 반도체층이 P형 반도체층과 N형 반도체층에 의해 공핍(Depletion)이 되어 내부에 전기장이 발생하게 되고, 태양광에 의해 생성되는 정공 및 전자가 전기장에 의해 드리프트(Drift)되어 각각 P형 반도체층 및 N형 반도체층에서 수집된다.
한편, 반도체층(130)을 PIN구조로 형성할 경우에는 전면전극(120) 상부에 P형 반도체층을 형성하고 이어서 I형 반도체층 및 N형 반도체층을 형성하는 것이 바람직하다. 그 이유로는 일반적으로 정공의 드리프트 이동도(Drift Mobility)가 전자의 드리프트 이동도에 의해 낮기 때문에 입사광에 의한 수집효율을 극대화하기 위해서 P형 반도체층을 수광면에 가깝게 형성하기 위함이다.
버퍼층(140)은 반도체층(130) 상에 형성된다. 이러한, 버퍼층(140)은 ITO, FTO, ZnO, ZnO:B, ZnO:Al, Ag, SnO2, SnO2:F, ZnO:Ga2O3, ZnO:Al2O3, SnO2:Sb2O3 등과 같은 투명한 도전물질로 이루어질 수 있다. 한편, 버퍼층(140)은 생략될 수 있지만, 태양전지의 효율증진을 위해서는 형성되는 것이 바람직하다. 즉, 버퍼층(140)을 형성할 경우에는 반도체층(130)을 투과한 태양광이 버퍼층(140)을 통과하면서 산란을 통해 다양한 각으로 진행하게 되어 후면전극(150)에 의해 반사되어 반도체층(130)으로 재입사되는 광의 비율이 증가되어 태양전지의 효율이 향상된다.
후면전극(150)은 버퍼층(140) 상에 형성된다. 이때, 후면전극(150)은 Ag, Al, Ag+Al, Ag+Mg, Ag+Mn, Ag+Sb, Ag+Zn, Ag+Mo, Ag+Ni, Ag+Cu, 또는 Ag+Al+Zn 등과 같은 금속물질을 이용하여 형성하거나, ITO, FTO, ZnO, ZnO:B, ZnO:Al, Ag, SnO2, SnO2:F, ZnO:Ga2O3, ZnO:Al2O3, SnO2:Sb2O3 등과 같은 투명한 도전물질로 형성될 수 있다. 여기서, 후면전극(150)은 물질 특성에 따라 MOCVD 공정, PECVD 공정, 또는 스퍼터링 공정 등에 의해 형성될 수 있다.
이와 같은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 박막형 태양전지는 기판(110) 상에 원하는 형태의 제 1 요철패턴(112)을 형성한 후, 전면전극(120)을 형성함으로써 전면전극(120) 상에 최적화된 형태의 제 2 요철패턴(120)을 형성하여 반도체층(130)의 결함을 최소화하면서 빛의 산란을 최대화시킬 수 있다.
도 3은 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 박막형 태양전지를 설명하기 위한 도 면이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 박막형 태양전지는 기판(210); 기판(210)의 표면에 일정한 간격으로 형성된 제 1 요철패턴(212); 제 1 요철패턴(212)에 대응되는 제 2 요철패턴(222)을 가지도록 제 1 요철패턴(212) 상에 형성된 전면전극(220); 전면전극(220)을 일정한 간격으로 분리하기 위한 제 1 분리부(225); 제 1 분리부(225)를 포함하도록 전면전극(220) 상에 형성된 반도체층(230); 반도체층(230) 상에 형성되는 버퍼층(240); 전면전극(220)의 제 1 영역을 노출시키기 위한 콘택부(245); 콘택부(245)를 포함하도록 버퍼층(240) 상에 형성된 후면전극(250); 및 전면전극(220)의 제 2 영역을 노출시켜 태양전지 셀을 분리하는 제 2 분리부(255)를 포함하여 구성된다.
기판(110)은 유리(Glass), 스테인리스(Stainless), PET(Polyethylene Terephthalate), PEN(Polyethylenenaphthelate), PP(Polypropylene), PI(Polyamide), 또는 TAC(Tri Acetyl Cellulose) 등이 될 수 있으며, 바람직하게는 유리가 될 수 있다.
제 1 요철패턴(212)은 기판(210)의 표면에 특정한 형상을 가지도록 평탄부(214)를 사이에 두고 일정한 간격으로 형성된다. 이러한, 제 1 요철패턴(212)은 기판(210)의 표면에 평탄부(214)를 사이에 두고 일정한 간격을 가지도록 형성되는 것을 제외하고는 상술한 제 1 실시 예와 동일한 방식으로 형성된다. 여기서, 기판(210)의 평탄부(214)에는 제 1 요철패턴(212)의 형성시 별도의 마스크 패턴에 의해 보호되어 제 1 요철패턴(212)이 형성되지 않는다.
전면전극(220)은 제 1 요철패턴(212)과 평탄부(214)가 형성된 기판(210) 전면에 형성되는 것으로, 상술한 제 1 실시 예에서 동일한 방식으로 형성된다.
제 1 분리부(225)는 레이저 빔을 이용한 레이저 스크라이빙(Laser Scribing) 공정에 의해 기판(210)의 평탄부(214) 상에 형성된 전면전극(220)의 소정 영역이 제거됨으로써 전면전극(220)을 일정한 간격으로 분리한다. 여기서, 레이저 스크라이빙 공정시 레이저 빔이 조사되는 영역에 제 1 요철패턴(212)이 형성되어 있으면 레이저 빔이 굴절되어 제 1 분리부(225)를 형성할 수 없게 된다. 따라서, 제 1 분리부(225)는 제 1 요철패턴(212)이 형성되지 않은, 즉 평탄부(214) 상에 형성된다.
반도체층(230)은 제 1 분리부(225)와 제 2 요철패턴(222)을 덮도록 전면전극(220) 상에 형성되는 것으로, 상술한 제 1 실시 예에서 동일한 방식으로 형성된다.
버퍼층(240)은 반도체층(230) 상에 형성되는 것으로, 상술한 제 1 실시 예에서 동일한 방식으로 형성된다.
콘택부(245)는 기판(210)의 평탄부(214) 상에 형성된 반도체층(230)과 버퍼층(240)의 소정 영역이 제거됨으로써 반도체층(230)을 일정한 간격으로 분리한다. 이러한, 콘택부(245)의 형성 공정은 레이저 빔을 이용한 레이저 스크라이빙 공정에 의해 형성되는데, 상술한 바와 동일한 이유로, 콘택부(245)는 기판(210)의 평탄부(214)와 대응하는 위치에 형성된다.
후면전극(150)은 콘택부(245)를 포함하도록 버퍼층(240) 상에 형성되는 것으로, 상술한 제 1 실시 예에서 동일한 방식으로 형성된다.
제 2 분리부(255)는 기판(210)의 평탄부(214) 상에 형성된 후면전극(250)과 반도체층(230)과 버퍼층(240)의 소정 영역이 제거됨으로써 전면전극(220)과 반도체층(230)과 버퍼층(240) 및 후면전극(250)을 포함하는 태양전지 셀을 분리한다. 이러한, 제 2 분리부(255)의 형성 공정은 레이저 빔을 이용한 레이저 스크라이빙 공정에 의해 형성되는데, 상술한 바와 동일한 이유로, 제 2 분리부(255)는 기판(210)의 평탄부(214)와 대응하는 위치에 형성된다.
이와 같은 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 박막형 태양전지는 기판(110) 상에 원하는 형태의 제 1 요철패턴(212)을 형성한 후, 전면전극(220)을 형성함으로써 전면전극(220) 상에 최적화된 형태의 제 2 요철패턴(220)을 형성하여 반도체층(230)의 결함을 최소화하면서 빛의 산란을 최대화시킬 수 있다. 또한, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 박막형 태양전지는 레이저 빔을 통해 요철패턴(212)이 형성되지 않는 평탄부(214) 상에 제 1 및 제 2 분리부(225, 255)와 콘택부(245)를 형성함으로써 레이저 빔이 요철패턴으로 인해 굴절되는 것을 방지하여, 제 1 및 제 2 분리부(225, 255)와 콘택부(245)를 정확한 위치에 형성할 수 있다.
도 4a 내지 도 4f는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 박막형 태양전지의 제조방법을 단계적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 4a 내지 도 4f를 참조하여, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 박막형 태양전지의 제조방법을 단계적으로 설명하면 다음과 같다.
우선, 도 4a에 도시된 바와 같이, 기판(110)을 준비한다. 여기서, 기판(110)은 유리, 스테인리스, PET, PEN, PP, PI, 또는 TAC 등이 될 수 있으며, 바 람직하게는 유리가 될 수 있다.
다음, 도 4b에 도시된 바와 같이, 기판(110)의 표면에 특정한 형상을 가지는 제 1 요철패턴(112)을 형성한다. 이러한, 제 1 요철패턴(112)은 투사체를 이용한 물리적 에칭 방법 또는 에칭용액을 이용한 화학적 에칭 방법을 통해 형성될 수 있다. 이때, 제 1 요철패턴(112)은 1 ~ 3㎛ 크기의 오목한 형태로 형성될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 물리적 에칭 방법은 기판(110)의 경도보다 높은 경도를 가지는 투사체를 고압으로 기판(110) 표면에 투사시켜 원하는 제 1 요철패턴(112)을 형성한다. 이때, 기판(110)이 유리 재질일 경우 투사체는 SiC4, Sl2O3 또는 SiO2 등의 재질로 이루어질 수 있다. 이러한, 물리적 에칭 방법에서는 투사체의 입자 크기, 투사 압력, 투사 속도, 투가 거리, 노즐의 이동 속도, 온도, 습도 등을 조절함으로써 기판(110) 표면에 미세한 단차를 가지는 제 1 요철패턴(112)을 원하는 특정한 형태로 형성한다.
다른 실시 예에 있어서, 화학적 에칭 방법은 에칭용액이 수용된 용기에 기판(110)을 침지시키거나 에칭용액을 기판(110)에 분사함으로써 기판(110) 표면에 원하는 제 1 요철패턴(112)을 형성한다. 이때, 기판(110)이 유리 재질일 경우 에칭용액은 불소가 될 수 있다. 이러한, 화학적 에칭 방법에서는 에칭용액의 농도 및 침지시간(또는 분사시간)을 조절함으로써 기판(110) 표면에 미세한 단차를 가지는 제 1 요철패턴(112)을 원하는 특정한 형태로 형성할 수 있다.
다음, 도 4c에 도시된 바와 같이, 제 1 요철패턴(112)이 형성된 기판(110) 전면에 전면전극(120)을 형성한다. 이러한, 전면전극(120)은 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 공정, PECVD(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) 공정, APCVD(Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition) 공정, LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 공정, HPCVD(High Pressure Chemical Vapor Deposition), 또는 스퍼터링(Sputtering)과 같은 증착 공정에 의해 형성될 수 있다. 이때, 전면전극(120)은 증착 공정에 따라 Ag, Al, Ag+Al, Ag+Mg, Ag+Mn, Ag+Sb, Ag+Zn, Ag+Mo, Ag+Ni, Ag+Cu, 또는 Ag+Al+Zn 등과 같은 금속물질이거나, ITO, FTO, ZnO, ZnO:B, ZnO:Al, Ag, SnO2, SnO2:F, ZnO:Ga2O3, ZnO:Al2O3, SnO2:Sb2O3 등과 같은 투명한 도전물질이 될 수 있다.
이와 같은, 전면전극(120)은 증착 공정을 통해 기판(110) 전면에 형성되기 때문에 전면전극(120)의 표면에는 제 1 요철패턴(112)에 대응되는 제 2 요철패턴(122)이 형성된다. 즉, CVD(Chemical vapor deposition) 공정을 통해 전면전극(120)을 형성할 경우 전면전극(120) 표면에 최적화된 특정한 형태(또는 표면 거칠기)를 가지는 제 2 요철패턴(122)을 형성할 수 있으며, PVD(Physical Vapor Deposition) 공정을 통해 전면전극(120)을 형성할 경우 별도의 화학적 에칭 공정 없이 전면전극(120) 표면에 최적화된 특정한 형태(또는 표면 거칠기)를 가지는 제 2 요철패턴(122)을 형성할 수 있다.
다음, 도 4d에 도시된 바와 같이, 제 2 요철패턴(122)이 형성된 전면전극(120) 상에 반도체층(130)을 형성한다. 이러한, 반도체층(130)은 실리콘계 반도 체 물질을 이용한 PECVD 공정을 통해 형성될 수 있다. 여기서, 반도체층(130)은 P형 반도체층, I형 반도체층 및 N형 반도체층이 순서대로 적층된 PIN구조로 형성하는데, 이와 같이 반도체층(130)을 PIN구조로 형성하게 되면, I형 반도체층이 P형 반도체층과 N형 반도체층에 의해 공핍(Depletion)이 되어 내부에 전기장이 발생하게 되고, 태양광에 의해 생성되는 정공 및 전자가 전기장에 의해 드리프트(Drift)되어 각각 P형 반도체층 및 N형 반도체층에서 수집된다.
한편, 반도체층(130)을 PIN구조로 형성할 경우에는 전면전극(120) 상부에 P형 반도체층을 형성하고 이어서 I형 반도체층 및 N형 반도체층을 형성하는 것이 바람직하다. 그 이유로는 일반적으로 정공의 드리프트 이동도(Drift Mobility)가 전자의 드리프트 이동도에 의해 낮기 때문에 입사광에 의한 수집효율을 극대화하기 위해서 P형 반도체층을 수광면에 가깝게 형성하기 위함이다.
다음, 도 4e에 도시된 바와 같이, 반도체층(130) 상에 버퍼층(140)을 형성한다. 이러한, 버퍼층(140)은 MOCVD 공정을 통해 형성될 수 있다. 이때, 버퍼층(140)은 ITO, FTO, ZnO, ZnO:B, ZnO:Al, Ag, SnO2, SnO2:F, ZnO:Ga2O3, ZnO:Al2O3, SnO2:Sb2O3 등과 같은 투명한 도전물질로 이루어질 수 있다. 한편, 버퍼층(140)은 생략될 수 있지만, 태양전지의 효율증진을 위해서는 형성되는 것이 바람직하다. 즉, 버퍼층(140)을 형성할 경우에는 반도체층(130)을 투과한 태양광이 버퍼층(140)을 통과하면서 산란을 통해 다양한 각으로 진행하게 되어 후면전극(150)에 의해 반사되어 반도체층(130)으로 재입사되는 광의 비율이 증가되어 태양전지의 효율이 향 상된다.
다음, 도 4f에 도시된 바와 같이, 버퍼층(140) 상에 후면전극(150)을 형성한다. 이러한, 후면전극(150)은 MOCVD 공정, PECVD 공정, 또는 스퍼터링 공정 등의 증착 공정에 의해 형성될 수 있다. 이때, 후면전극(150)은 증착 공정에 따라 Ag, Al, Ag+Al, Ag+Mg, Ag+Mn, Ag+Sb, Ag+Zn, Ag+Mo, Ag+Ni, Ag+Cu, 또는 Ag+Al+Zn 등과 같은 금속물질이거나, ITO, FTO, ZnO, ZnO:B, ZnO:Al, Ag, SnO2, SnO2:F, ZnO:Ga2O3, ZnO:Al2O3, SnO2:Sb2O3 등과 같은 투명한 도전물질이 될 수 있다.
이와 같은, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 박막형 태양전지의 제조방법은 기판(110) 상에 원하는 형태의 제 1 요철패턴(112)을 형성한 후, 전면전극(120)을 형성함으로써 전면전극(120) 상에 최적화된 형태의 제 2 요철패턴(120)을 형성하여 반도체층(130)의 결함을 최소화하면서 빛의 산란을 최대화시킬 수 있다. 또한, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 박막형 태양전지의 제조방법은 전면전극(120)의 증착 공정만으로 제 2 요철패턴(122)을 형성함으로써 전면전극(120)의 특성 저하를 방지할 수 있다. 결과적으로, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 박막형 태양전지의 제조방법은 반도체층(130)에 입사된 산란된 빛의 경로를 증가시켜 태양전지의 효율을 크게 향상시킬 수 있다.
한편, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 박막형 태양전지의 제조방법은 반도체층(130) 내부에 존재하는 댕글링 본드(Dangling bond) 또는 준안정 상태의 Si 결함을 안정화시키는 가압열처리 공정을 더 포함하여 이루어질 수 있다. 이러한, 가압 열처리 공정을 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
먼저, 상술한 도 4a 내지 도 4d에 따른 공정을 통해 반도체층(130)이 형성된 기판(110)을 챔버로 로딩시킨다.
다음, 도 5에 도시된 바와 같이, 챔버 내부에 10 ~ 20ATM 범위의 수소(H2) 가스 또는 중수소(D2) 가스를 공급하여 챔버 내부에 형성된 가스 분위기에서 상온 ~ 250℃ 범위의 온도로 일정 시간 동안 기판(110)을 가압열처리함으로써 열처리 가스의 수소 이온(H)을 반도체층(130) 내부로 침투시킨다. 이때, 열처리 가스의 수소 이온(H)의 추진력(Driving Force)은 가압열처리 공정의 열과 압력에 의해 수백배까지 상승하게 되므로 쉽게 침투하게 된다. 여기서, 수소 이온의 침투 깊이는 열처리 가스의 농도, 온도, 압력, 및 공정 시간에 따라 조절될 수 있다.
이에 따라, 상기의 가압열처리 공정에서는 고온 및 고압 열처리 공정을 통해 열처리 가스의 수소 이온(H)를 반도체층(130)의 내부에 침투시킴으로써 반도체층(130) 내부의 존재하는 댕글링 본딩 및 준안정 상태의 Si에 수소 이온을 결합시켜 반도체층(130)에 존재하는 Si 결함을 제거하여 안정화시킨다.
다른 한편, 상술한 가압열처리 공정은, 도 6에 도시된 바와 같이, 도 4a 내지 도 4e에 따른 공정을 통해 버퍼층(140)이 형성된 기판(110)에 대하여 수행될 수 있다. 이때, 가압열처리 공정에서는 열처리 가스의 농도, 온도, 압력, 및 공정 시간을 조절하여 수소 이온이 버퍼층(140)을 통해 반도체층(130)의 내부에 침투되도록 한다.
다른 한편, 상술한 가압열처리 공정은, 도 7에 도시된 바와 같이, 도 4a 내지 도 4f에 따른 공정을 통해 후면전극(150)이 형성된 기판(110)에 대하여 수행될 수 있다. 이때, 가압열처리 공정에서는 열처리 가스의 농도, 온도, 압력, 및 공정 시간을 조절하여 수소 이온이 후면전극(150) 및 버퍼층(140)을 통해 반도체층(130)의 내부에 침투되도록 한다.
도 8a 내지 도 8k는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 박막형 태양전지의 제조방법을 단계적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 8a 내지 도 8k를 참조하여, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 박막형 태양전지의 제조방법을 단계적으로 설명하면 다음과 같다.
우선, 도 8a에 도시된 바와 같이, 기판(210)을 준비한다. 여기서, 기판(210)은 유리, 스테인리스, PET, PEN, PP, PI, 또는 TAC 등이 될 수 있으며, 바람직하게는 유리가 될 수 있다.
다음, 도 8b에 도시된 바와 같이, 기판(210)의 평탄부(214) 상에 일정한 간격을 가지는 복수의 마스크 패턴(300)을 형성한다. 여기서, 마스크 패턴(300)은 금속 재질이거나 포토레지스트(Photoresist)가 될 수 있다. 이러한, 마스크 패턴(300)은 재질에 따라 포토리소그라피법(photolithography), 스크린 인쇄법(Screen Printing), 잉크젯 인쇄법(Inkjet Printing), 그라비아 인쇄법(Gravure Printing) 또는 미세접촉 인쇄법(Microcontact Printing)을 통해 형성될 수 있다.
다음 도 8c에 도시된 바와 같이, 마스크 패턴(300)이 형성된 평탄부(214)를 제외한 기판(110) 표면에 특정한 형상을 가지는 제 1 요철패턴(212)을 형성한다. 이러한, 제 1 요철패턴(212)은 투사체를 이용한 물리적 에칭 방법 또는 에칭용액을 이용한 화학적 에칭 방법을 통해 형성될 수 있다. 이때, 제 1 요철패턴(212)은 1 ~ 3㎛ 크기의 오목한 형태로 형성될 수 있다. 이와 같은, 제 1 요철패턴(212)은 마스크 패턴(300)에 의해 마스킹된 영역을 제외한 기판(210)의 표면에 형성되는 것을 제외하고는, 상술한 제 1 실시 예의 제조방법과 동일한 방식에 의해 형성된다.
다음, 도 8d에 도시된 바와 같이, 기판(210)의 평탄부(214) 상에 형성된 마스크 패턴(300)을 제거한다.
다음, 도 8e에 도시된 바와 같이, 평탄부(214)와 제 1 요철패턴(112)을 포함하는 기판(110) 전면에 전면전극(120)을 형성한다. 이러한, 전면전극(120)은 상술한 제 1 실시 예의 제조방법과 동일한 방식에 의해 형성된다.
다음, 도 8f에 도시된 바와 같이, 레이저 빔을 이용한 레이저 스크라이빙(Laser Scribing) 공정을 통해 기판(210)의 평탄부(214) 상에 형성된 전면전극(220)의 소정 영역이 제거함으로써 전면전극(220)을 일정한 간격으로 분리하는 제 1 분리부(225)를 형성한다. 여기서, 레이저 스크라이빙 공정시 레이저 빔이 조사되는 영역에 제 1 요철패턴(212)이 형성되어 있으면 레이저 빔이 굴절되어 제 1 분리부(225)를 형성할 수 없게 된다. 따라서, 제 1 분리부(225)는 제 1 요철패턴(212)이 형성되지 않은, 즉 평탄부(214) 상에 형성된다.
다음, 도 8g에 도시된 바와 같이, 제 1 분리부(225)와 제 2 요철패턴(222)을 덮도록 전면전극(220) 상에 반도체층(230)을 형성한다. 이러한, 반도체층(230)은 상술한 제 1 실시 예의 제조방법과 동일한 방식에 의해 형성된다.
다음, 도 8h에 도시된 바와 같이, 반도체층(230) 상에 버퍼층(240)을 형성한다. 이러한, 버퍼층(240)은 상술한 제 1 실시 예의 제조방법과 동일한 방식에 의해 형성된다.
다음, 도 8i에 도시된 바와 같이, 기판(210)의 평탄부(214) 상에 형성된 반도체층(230)과 버퍼층(240)의 소정 영역이 제거됨으로써 반도체층(230)을 일정한 간격으로 분리하는 콘택부(245)를 형성한다. 이러한, 콘택부(245)의 형성 공정은 레이저 빔을 이용한 레이저 스크라이빙 공정에 의해 형성되는데, 상술한 바와 동일한 이유로, 콘택부(245)는 기판(210)의 평탄부(214)와 대응하는 위치에 형성된다.
다음, 도 8j에 도시된 바와 같이, 콘택부(245)를 포함하도록 버퍼층(240) 상에 후면전극(250)을 형성한다. 이러한, 후면전극(250)은 상술한 제 1 실시 예의 제조방법과 동일한 방식에 의해 형성된다.
다음, 도 8k에 도시된 바와 같이, 기판(210)의 평탄부(214) 상에 형성된 후면전극(250)과 반도체층(230)과 버퍼층(240)의 소정 영역이 제거됨으로써 전면전극(220)과 반도체층(230)과 버퍼층(240) 및 후면전극(250)을 포함하는 태양전지 셀을 분리하는 제 2 분리부(255)를 형성한다. 이러한, 제 2 분리부(255)의 형성 공정은 레이저 빔을 이용한 레이저 스크라이빙 공정에 의해 형성되는데, 상술한 바와 동일한 이유로, 제 2 분리부(255)는 기판(210)의 평탄부(214)와 대응하는 위치에 형성된다.
이와 같은 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 박막형 태양전지의 제조방법은 기판(210) 상에 원하는 형태의 제 1 요철패턴(212)을 형성한 후, 전면전극(220)을 형 성함으로써 전면전극(220) 상에 최적화된 형태의 제 2 요철패턴(220)을 형성하여 반도체층(230)의 결함을 최소화하면서 빛의 산란을 최대화시킬 수 있다. 또한, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 박막형 태양전지의 제조방법은 레이저 빔을 통해 요철패턴(212)이 형성되지 않는 평탄부(214) 상에 제 1 및 제 2 분리부(225, 255)와 콘택부(245)를 형성함으로써 레이저 빔이 요철패턴으로 인해 굴절되는 것을 방지하여, 제 1 및 제 2 분리부(225, 255)와 콘택부(245)를 정확한 위치에 형성할 수 있다.
한편, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 박막형 태양전지의 제조방법은 반도체층(130) 내부에 존재하는 댕글링 본드(Dangling bond) 또는 준안정 상태의 Si 결함을 안정화시키는 가압열처리 공정을 더 포함하여 이루어질 수 있다.
이러한, 가압열처리 공정은 상술한 본 발명의 제 1 실시 예의 제조방법과 동일한 방식에 따라 도 8g 내지 도 8k 공정 중 어느 하나의 공정 이후에 수행됨으로써 반도체층(230) 내부의 존재하는 댕글링 본딩 및 준안정 상태의 Si에 수소 이온을 결합시켜 반도체층(230)에 존재하는 Si 결함을 제거하여 안정화시킨다.
본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
도 1a 내지 도 1f는 종래의 박막형 태양전지의 제조공정을 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 박막형 태양전지를 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 박막형 태양전지를 설명하기 위한 도면이다.
도 4a 내지 도 4f는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 박막형 태양전지의 제조방법을 단계적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 박막형 태양전지의 제조방법에 있어서, 일 실시 예에 따른 가압열처리 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 박막형 태양전지의 제조방법에 있어서, 다른 실시 예에 따른 가압열처리 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 박막형 태양전지의 제조방법에 있어서, 또 다른 실시 예에 따른 가압열처리 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 8a 내지 도 8k는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 박막형 태양전지의 제조방법을 단계적으로 설명하기 위한 도면이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호설명 >
110, 210: 기판 112, 212: 제 1 요철패턴
120, 220: 전면전극 122, 222: 제 2 요철패턴
130, 230: 반도체층 140, 240: 버퍼층
150, 250: 후면전극 214: 평탄부
225: 제 1 분리부 245: 콘택부
255: 제 2 분리부 300: 마스크 패턴
Claims (13)
- 기판 상에 일정한 간격으로 마스크 패턴을 형성하는 제 1 공정;상기 마스크 패턴을 마스크로 하여 상기 기판의 표면을 제거해 상기 마스크 패턴 사이사이에 제 1 요철패턴을 형성하는 제 2 공정;상기 마스크 패턴을 제거하는 제 3 공정;상기 제 1 요철패턴을 포함하도록 상기 기판 상에 전면전극을 형성하는 제 4 공정;상기 전면전극을 일정한 간격으로 제거하여 제 1 분리부를 형성하는 제 5 공정;상기 제 1 분리부를 포함하도록 상기 전면전극 상에 반도체층을 형성하는 제 6 공정;상기 반도체층을 제거하여 상기 전면전극의 제 1 영역을 노출시키는 콘택부를 형성하는 제 7 공정;상기 콘택부를 통해 상기 전면전극에 연결되도록 상기 반도체층 상에 후면전극을 형성하는 제 8 공정; 및상기 후면전극과 상기 반도체층을 제거하여 상기 전면전극의 제 2 영역을 노출시켜 상기 후면전극을 분리하는 제 2 분리부를 형성하는 제 9 공정을 포함하며,상기 제 1 분리부와 상기 콘택부 및 상기 제 2 분리부 각각은 상기 마스크 패턴이 제거된 상기 기판 상의 평탄부 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 전면전극의 표면에는 상기 제 1 요철패턴에 대응되는 제 2 요철패턴이 형성된 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 분리부와 상기 콘택부 및 상기 제 2 분리부 중 적어도 하나는 상기 평탄부 상에 조사되는 레이저 빔에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 6 공정 내지 제 9 공정 중 어느 하나의 공정 이후에 수소 가스 및 중수소 가스 중 어느 하나의 열처리 가스를 이용한 가압열처리 공정을 통해 상기 반도체층에 존재하는 Si 결함을 제거하는 공정을 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 기판;상기 기판의 표면에 일정한 간격으로 마련된 평탄부;상기 기판의 표면이 제거되어 상기 평탄부 사이사이에 형성된 제 1 요철패턴;상기 평탄부와 상기 제 1 요철패턴을 포함하도록 상기 기판 상에 형성된 전면전극;상기 평탄부 상에 형성되어 상기 전면전극을 일정한 간격으로 분리하는 제 1 분리부;상기 제 1 분리부를 포함하도록 상기 전면전극 상에 형성된 반도체층;상기 반도체층을 관통하도록 상기 평탄부 상에 형성되어 상기 전면전극의 제 1 영역을 노출시키는 콘택부;상기 콘택부를 통해 상기 전면전극에 연결되도록 상기 반도체층 상에 형성된 후면전극; 및상기 후면전극과 상기 반도체층을 관통하도록 상기 평탄부 상에 형성되어 상기 전면전극의 제 2 영역을 노출시켜 상기 후면전극을 분리하는 제 2 분리부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지.
- 제 11 항에 있어서,상기 전면전극의 표면에는 상기 제 1 요철패턴에 대응되는 제 2 요철패턴이 형성된 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지.
- 삭제
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