KR101649850B1 - 태양전지와 그 제조방법 및 태양전지 제조용 식각장비 - Google Patents

태양전지와 그 제조방법 및 태양전지 제조용 식각장비 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 기판 상에 제1 전극, 반도체층, 및 제2 전극을 형성하는 공정; 및 태양전지 내부로 수분이 침투하는 것을 방지하기 위해서, 상기 기판의 가장자리에 형성된 제1 전극, 반도체층, 및 제2 전극의 소정 영역을 제거하는 공정을 포함하여 이루어지고, 상기 제1 전극, 반도체층, 및 제2 전극의 소정 영역을 제거하는 공정은 습식 식각 공정을 이용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법에 관한 것으로서,
본 발명에 따르면 기판의 가장자리에 형성된 제1 전극, 반도체층, 투명도전층 및 제2 전극의 소정 영역을 제거함으로써, 기판의 가장자리 영역을 통해 태양전지 내부로 수분이 침투하는 것을 방지할 수 있어 전지효율이 저하되지 않고, 특히, 본 발명은 습식 식각 공정을 이용하여 상기 기판의 가장자리에 형성된 제1 전극, 반도체층, 투명도전층 및 제2 전극의 소정 영역을 제거함으로써, 공정시간이 단축되어 생산성이 향상될 수 있고, 기판이 식각되는 것을 차단할 수 있고, 또한 식각 공정 이후 별도의 파티클(particle) 제거 공정을 추가로 수행할 필요가 없는 장점이 있다.

Description

태양전지와 그 제조방법 및 태양전지 제조용 식각장비{Solar Cell and method for manufacturing the same and etching apparatus for manufacturing the same}
본 발명은 태양전지(Solar Cell)에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 박막형 태양전지에 관한 것이다.
태양전지는 반도체의 성질을 이용하여 빛 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 장치이다.
태양전지는 P(positive)형 반도체와 N(negative)형 반도체를 접합시킨 PN접합 구조를 하고 있으며, 이러한 구조의 태양전지에 태양광이 입사되면, 입사된 태양광이 가지고 있는 에너지에 의해 상기 반도체 내에서 정공(hole) 및 전자(electron)가 발생하고, 이때, PN접합에서 발생한 전기장에 의해서 상기 정공(+)는 P형 반도체쪽으로 이동하고 상기 전자(-)는 N형 반도체쪽으로 이동하게 되어 전위가 발생하게 됨으로써 전력을 생산할 수 있게 된다.
이와 같은 태양전지는 일반적으로 기판형 태양전지와 박막형 태양전지로 구분할 수 있다.
상기 기판형 태양전지는 실리콘과 같은 반도체물질 자체를 기판으로 이용하여 태양전지를 제조한 것이고, 상기 박막형 태양전지는 유리나 플라스틱 등과 같은 기판 상에 박막의 형태로 반도체를 형성하여 태양전지를 제조한 것이다.
상기 기판형 태양전지는 상기 박막형 태양전지에 비하여 효율이 다소 우수한 장점이 있고, 상기 박막형 태양전지는 상기 기판형 태양전지에 비하여 제조비용이 감소되는 장점이 있다.
이하 도면을 참조로 종래의 박막형 태양전지에 대해서 설명하기로 한다.
도 1은 종래의 박막형 태양전지의 개략적인 단면도이다.
도 1에서 알 수 있듯이, 종래의 박막형 태양전지는, 기판(10), 제1 전극(20), 반도체층(30), 및 제2 전극(40)을 포함하여 이루어진다.
상기 제1 전극(20)은 상기 기판(10) 상에 형성되며 제1 분리부(25)를 사이에 두고 복수 개가 소정 간격으로 이격되어 있다.
상기 반도체층(30)은 상기 제1 전극(20) 상에 형성되며, 콘택부(35) 또는 제2 분리부(45)를 사이에 두고 복수 개가 소정 간격으로 이격되어 있다.
상기 제2 전극(40)은 상기 반도체층(30) 상에 형성되며, 상기 콘택부(35)를 통해 상기 제1 전극(20)과 전기적으로 연결되어 있고, 또한 제2 분리부(45)를 사이에 두고 복수 개가 소정 간격으로 이격되어 있다. 이와 같이, 상기 제1 전극(20)과 제2 전극(40)이 상기 콘택부(35)를 통해 전기적으로 연결됨으로써 전체적으로 복수 개의 단위셀이 직렬로 연결된 구성을 갖는다.
한편, 상기 기판(10)의 외곽 부분에는 격리부(50)가 형성되어 있다. 상기 격리부(50)는 외곽부에 위치하는 제1 전극(20), 반도체층(30) 및 제2 전극(40)의 소정 영역을 제거하여 형성되며, 이와 같은 격리부(50)는 박막 태양전지를 모듈화하기 위해서 소정의 하우징을 박막 태양전지에 연결하게 될 때 상기 하우징과 박막 태양전지 사이에 쇼트가 발생되는 것을 방지하는 역할을 한다.
도 2a 내지 도 2g는 종래의 박막형 태양전지의 제조공정을 도시한 개략적인 단면도이다.
우선, 도 2a에서 알 수 있듯이, 기판(10) 상에 제1 전극층(20a)을 형성한다.
다음, 도 2b에서 알 수 있듯이, 상기 제1 전극층(20a)의 소정 영역을 제거하여 제1 분리부(25)을 형성하고, 그에 따라 상기 제1 분리부(25)를 사이에 두고 소정 간격으로 이격되는 복수 개의 제1 전극(20)이 형성된다. 상기 제1 분리부(25)를 형성하는 공정은 레이저 스크라이빙 공정을 이용한다.
다음, 도 2c에서 알 수 있듯이, 상기 제1 전극(20)을 포함한 기판 전면에 반도체층(30)을 형성한다.
다음, 도 2d에서 알 수 있듯이, 상기 반도체층(30)의 소정 영역을 제거하여 콘택부(35)를 형성한다. 상기 콘택부(35)를 형성하는 공정은 레이저 스크라이빙 공정을 이용한다.
다음, 도 2e에서 알 수 있듯이, 상기 반도체층(30)을 포함한 기판 전면에 제2 전극층(40a)을 형성한다.
다음, 도 2f에서 알 수 있듯이, 상기 제2 전극층(40a) 및 반도체층(30)의 소정 영역을 제거하여 제2 분리부(45)을 형성하고, 그에 따라 상기 제2 분리부(45)를 사이에 두고 소정 간격으로 이격되는 복수 개의 제2 전극(40)이 형성된다. 상기 제2 분리부(45)를 형성하는 공정은 레이저 스크라이빙 공정을 이용한다.
다음, 도 2g에서 알 수 있듯이, 상기 기판(10)의 외곽 부분에 격리부(50)를 형성한다. 상기 격리부(50)는 외곽부에 위치하는 제1 전극(20), 반도체층(30) 및 제2 전극(40)의 소정 영역을 제거하여 형성한다. 이와 같은 격리부(50)는 레이저 스크라이빙 공정을 이용하여 형성한다.
그러나, 이와 같은 종래의 박막형 태양전지는 대기에 노출될 경우 수분이 침투하여 전지효율이 저하될 수 있는 문제점이 있다.
즉, 태양전지 내부로 수분이 침투할 경우 태양전지의 효율이 저하되기 때문에 일반적으로 상기 제2 전극(40) 상에 수분 침투를 방지하기 위한 EVA(Ethylene vinyl acetate)필름을 적층하게 되는데, 이와 같이 EVA필름을 적층하였다 하더라도 태양전지의 측면을 통해 태양전지 내부로 수분이 침투할 수 있고 그로 인해서 전지효율이 저하되는 문제점이 있다.
본 발명은 전술한 종래의 태양전지의 문제점을 해결하기 위해 고안된 것으로서, 본 발명은 태양전지의 측면을 통해 태양전지 내부로 수분이 침투하는 것을 방지함으로써 수분으로 인해 전지효율이 저하되는 것을 방지할 수 있는 태양전지 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 상기와 같은 태양전지를 제조하기 위한 장비로서 태양전지 내부로 수분이 침투하지 못하도록 기판 상의 소정층을 식각하여 제거하기 위한 태양전지 제조용 식각장비를 제공하는 것을 다른 목적으로 한다.
본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해서, 기판 상에 제1 전극, 반도체층, 및 제2 전극을 형성하는 공정; 및 태양전지 내부로 수분이 침투하는 것을 방지하기 위해서, 상기 기판의 가장자리에 형성된 제1 전극, 반도체층, 및 제2 전극의 소정 영역을 제거하는 공정을 포함하여 이루어지고, 상기 제1 전극, 반도체층, 및 제2 전극의 소정 영역을 제거하는 공정은 습식 식각 공정을 이용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법을 제공한다.
상기 제1 전극, 반도체층, 및 제2 전극을 형성하는 공정은, 상기 기판 상에 제1 분리부를 사이에 두고 이격되는 복수 개의 제1 전극을 형성하는 공정; 상기 제1 전극 상에 반도체층을 형성한 후 상기 반도체층의 소정 영역을 제거하여 콘택부를 형성하는 공정; 상기 콘택부를 통해 상기 제1 전극과 연결되며, 제2 분리부를 사이에 두고 이격되는 복수 개의 제2 전극을 형성하는 공정; 및 상기 기판의 외곽부에 위치하는 제1 전극, 반도체층, 및 제2 전극의 소정 영역을 제거하여 격리부를 형성하는 공정을 포함할 수 있으며, 이 경우, 상기 기판의 가장자리에 형성된 제1 전극, 반도체층, 및 제2 전극의 소정 영역을 제거하는 공정은, 상기 격리부에 의해 격리된 기판의 최외곽 영역에 존재하는 제1 전극, 반도체층, 투명도전층 및 제2 전극의 소정 영역을 제거하는 공정으로 이루어질 수 있다.
상기 습식 식각 공정은 NaOH, KOH, HCl, HNO3, H2SO4, H3PO3, H2O2, 및 C2H2O4로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 식각물질을 포함하며 그 온도가 20 ~ 200 ℃ 범위인 식각액을 이용하여 수행할 수 있다.
상기 습식 식각 공정은 상기 기판의 가장자리 이외의 영역을 마스크로 가리는 공정 및 상기 기판의 가장자리에 식각액을 접촉시키는 공정을 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 습식 식각 공정은 상기 기판의 가장자리에 식각액을 접촉시키는 공정 이후에 상기 식각액을 제거하기 위한 세정 공정 및 건조 공정을 추가로 포함할 수 있다. 또한, 상기 기판의 가장자리 이외의 영역을 마스크로 가리는 공정은 상기 기판 상에 상기 마스크를 정렬하는 공정 및 상기 정렬된 마스크를 가압하는 공정을 포함할 수 있고, 상기 마스크를 정렬하는 공정 및 상기 정렬된 마스크를 가압하는 공정은 상기 마스크가 결합된 가압부를 이용하여 연속 공정으로 수행할 수 있다. 또한, 상기 기판의 가장 자리에 식각액을 접촉시키는 공정은 상기 기판에 상기 식각액을 분사하는 공정으로 이루어질 수 있고, 이때, 상기 기판에 상기 식각액을 분사하는 공정은 상기 기판의 가장자리 영역에 배치된 다수의 노즐을 이용할 수 있다. 또한, 상기 기판의 가장자리에 식각액을 접촉시키는 공정은 소정의 수조에 저장되어 있는 식각액에 상기 기판을 담그는 공정으로 이루어질 수 있고, 이때, 상기 기판을 담그는 공정은 소정의 지그를 이용하여 상기 기판을 홀딩하는 공정 및 상기 기판의 가장자리를 상기 식각액에 담그는 공정을 포함하여 이루어질 수 있다.
상기 습식 식각 공정은 소정의 지그를 이용하여 상기 기판을 홀딩하는 공정 및 소정의 수조에 저장되어 있는 식각액에 상기 기판의 가장자리를 접촉시키는 공정을 포함하여 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 기판을 홀딩하는 공정은 복수 개의 기판을 동시에 홀딩할 수 있는 카세트 형태의 지그를 이용하여 수행할 수 있다. 또한, 상기 식각액에 상기 기판의 가장자리를 접촉시키는 공정 이후에 상기 지그를 이용하여 상기 기판을 회전시키는 공정을 추가로 포함할 수 있다.
상기 제1 전극, 반도체층, 및 제2 전극의 소정 영역을 제거하는 공정 이후에, 상기 제2 전극 상에 EVA(Ethylene vinyl acetate)필름 또는 PVB(Polyvinyl butyral)필름을 부착하는 공정을 추가로 포함할 수 있다.
상기 습식 식각 공정은 소정의 식각 장비를 이용하여 수행하며, 상기 소정의 식각 장비는, 챔버; 상기 챔버 내에 형성되며, 그 위에 상기 기판이 안착되는 서셉터; 상기 서셉터에 안착되는 기판의 가장자리 이외의 영역을 가리기 위한 마스크; 상기 마스크와 결합되어 있으며 상하로 이동가능하게 구성되어 상기 마스크를 상기 기판에 가압할 수 있는 가압부; 및 상기 서셉터에 안착되는 기판의 가장자리로 식각액을 분사하기 위한 식각액 분사부를 포함하여 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 습식 식각 공정은 상기 서셉터 상에 상기 기판을 안착시키는 공정; 상기 가압부를 하강시켜 상기 기판의 가장자리 이외의 영역을 마스크로 가리는 공정; 및 상기 식각액 분사부를 이용하여 상기 기판의 가장자리에 식각액을 분사하는 공정을 포함하여 이루어질 수 있다.
본 발명은 또한, 기판 상에 제1 분리부를 사이에 두고 이격 형성된 복수 개의 제1 전극; 상기 제1 전극 상에서 콘택부를 구비하도록 형성된 반도체층; 및 상기 콘택부를 통해 상기 제1 전극과 연결되며, 제2 분리부를 사이에 두고 이격되는 복수 개의 제2 전극을 포함하여 이루어지고, 상기 기판의 외곽부에 위치하는 제1 전극, 반도체층, 및 제2 전극의 소정 영역에는 격리부가 형성되어 있고, 상기 격리부 외곽에 해당하는 기판의 가장자리에는 상기 제1 전극, 반도체층, 및 제2 전극이 제거되어 기판이 노출되어 있는 것을 특징으로 하는 태양전지를 제공한다.
상기 제2 전극 상에 EVA(Ethylene vinyl acetate)필름 또는 PVB(Polyvinyl butyral)필름이 부착될 수 있다.
본 발명은 또한, 챔버; 상기 챔버 내에 형성되며, 그 위에 기판이 안착되는 서셉터; 상기 서셉터에 안착되는 기판의 가장자리 이외의 영역을 가리기 위한 마스크; 상기 마스크와 결합되어 있으며 상하로 이동가능하게 구성되어 상기 마스크를 상기 기판에 가압할 수 있는 가압부; 및 상기 서셉터에 안착되는 기판의 가장자리로 식각액을 분사하기 위한 식각액 분사부를 포함하여 이루어진 태양전지 제조용 식각 장비를 제공한다.
상기 마스크는 탄성이 있는 물질로 이루어질 수 있다.
상기 식각액 분사부는 식각액 저장부와 연결된 제1 배관, 상기 제1 배관에서 연장되며 상기 기판의 가장자리에 대응되도록 배열된 제2 배관, 상기 제2 배관에 연결되어 기판의 가장자리에 식각액을 분사하는 복수 개의 노즐을 포함하여 이루어질 수 있다.
상기 기판의 가장자리에 잔존하는 식각액을 세정하기 위한 세정액을 공급하는 세정액 공급부 및 상기 세정액을 제거하기 위한 에어를 공급하는 에어 공급부를 추가로 포함하여 이루어질 수 있다.
상기 구성에 의한 본 발명에 따르면 다음과 같은 효과가 있다.
본 발명에 따르면 기판의 가장자리에 형성된 제1 전극, 반도체층, 투명도전층 및 제2 전극의 소정 영역을 제거함으로써, 기판의 가장자리 영역을 통해 태양전지 내부로 수분이 침투하는 것을 방지할 수 있어 전지효율이 저하되는 종래의 문제점을 해결할 수 있는 효과가 있다.
특히, 본 발명은 습식 식각 공정을 이용하여 상기 기판의 가장자리에 형성된 제1 전극, 반도체층, 투명도전층 및 제2 전극의 소정 영역을 제거함으로써, 공정시간이 단축되어 생산성이 향상될 수 있고, 식각액을 적절히 조절하여 기판이 식각되는 것을 차단할 수 있고, 또한 식각 공정 이후 별도의 파티클(particle) 제거 공정을 추가로 수행할 필요가 없는 장점이 있다.
도 1은 종래의 박막형 태양전지의 개략적인 단면도이다.
도 2a 내지 도 2g는 종래의 박막형 태양전지의 제조공정을 도시한 개략적인 단면도이다.
도 3a 내지 도 3g는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 제조공정을 도시한 개략적인 단면도이다.
도 4a 내지 도 4d는 본 발명의 일 실시예에 따른 습식 식각 공정을 이용하여 기판의 가장자리에 형성된 소정의 층을 제거하는 공정을 도시한 개략적인 평면도이다.
도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 습식 식각 공정을 이용하여 기판의 가장자리에 형성된 소정의 층을 제거하는 공정을 도시한 개략적인 단면도이다.
도 6a 및 도 6b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 습식 식각 공정을 이용하여 기판의 가장자리에 형성된 소정의 층을 제거하는 공정을 도시한 개략도이다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 기판을 홀딩하는 지그의 개략도이다.
이하, 도면을 참조로 본 발명에 따른 바람직한 실시예에 대해서 상세히 설명하기로 한다.
도 3a 내지 도 3g는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 제조공정을 도시한 개략적인 단면도이다.
우선, 도 3a에서 알 수 있듯이, 기판(100) 상에 제1 전극(200)을 형성한다.
상기 기판(100)은 유리 또는 투명한 플라스틱을 이용할 수 있다.
상기 제1 전극(200)은 ZnO, 3족 원소를 포함하는 물질로 도핑된 ZnO(예컨대, ZnO:B, ZnO:Al), 수소 원소를 포함하는 물질로 도핑된 ZnO(예컨대, ZnO:H), 또는 ITO(Indium Tin Oxide) 등과 같은 투명한 도전물질을 이용할 수 있다.
상기 제1 전극(200)은 상기 기판(100) 상에서 제1 분리부(250)를 사이에 두고 복수 개가 이격되도록 형성할 수 있으며, 이와 같은 제1 전극(200)은 상기와 같은 투명한 도전물질을 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)법 또는 스퍼터링(Sputtering)법을 이용하여 상기 기판(100) 상에 적층한 후, 레이저 스크라이빙(Laser Scribing)법을 이용하여 상기 적층한 도전물질의 소정 영역을 제거하여 제1 분리부(250)를 형성하는 공정을 통해 얻을 수 있다.
상기 제1 전극(200)은 텍스처(texturing) 가공공정을 통해 그 표면을 요철구조로 형성할 수 있다. 상기 텍스처 가공공정이란 물질 표면을 울퉁불퉁한 요철구조로 형성하여 마치 직물의 표면과 같은 형상으로 가공하는 공정으로서, 포토리소그라피법(photolithography)을 이용한 식각공정, 화학용액을 이용한 이방성 식각공정(anisotropic etching), 또는 기계적 스크라이빙(mechanical scribing)을 이용한 홈 형성 공정 등을 이용하여 수행할 수 있다.
다음, 도 3b에서 알 수 있듯이, 상기 제1 전극(200)을 포함한 기판 전면에 반도체층(300) 및 투명도전층(400)을 차례로 형성한다.
상기 반도체층(300)은 비정질 실리콘 또는 결정질 실리콘과 같은 실리콘계 물질을 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)법을 이용하여 형성할 수 있다. 상기 반도체층(300)은 상기 제1 전극(200) 상에 SiH4, H2, 및 B2H6를 원료가스로 하여 P(Positive)형 반도체층을 형성하고, 상기 P형 반도체층 상에 SiH4 및 H2를 원료가스로 하여 I(Intrinsic)형 반도체층을 형성하고, 상기 I형 반도체층 상에 SiH4, H2 및 PH3를 원료가스로 하여 N형 반도체층을 형성하는 공정을 통해 PIN구조로 형성할 수 있다.
또한, 상기 반도체층(300)은 제1 반도체층, 버퍼층, 및 제2 반도체층을 순서대로 적층하여 소위 탠덤(tandem)구조로 형성할 수 있다. 이 경우, 상기 제1 반도체층 및 제2 반도체층 각각은 전술한 PIN구조로 형성할 수 있으며, 특히, 상기 제1 반도체층은 PIN구조의 비정질 반도체물질로 형성하고, 상기 제2 반도체층은 PIN구조의 미세결정질 반도체물질로 형성할 수 있다. 상기 비정질 반도체물질은 단파장의 광을 잘 흡수하고 상기 미세결정질 반도체물질은 장파장의 광을 잘 흡수하는 특성이 있기 때문에, 비정질 반도체물질과 미세결정질 반도체물질을 조합할 경우 광흡수효율이 증진될 수 있다. 다만, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 상기 제1 반도체층으로서 비정질반도체/게르마늄, 미세결정질 반도체물질, 결정질 반도체물질 등 다양하게 변경 이용할 수 있고, 상기 제2 반도체층으로서 비정질 반도체물질, 비정질반도체/게르마늄, 결정질 반도체물질 등 다양하게 변경 이용할 수 있다.
상기 버퍼층은 상기 제1 반도체층 및 제2 반도체층의 사이에서 터널접합을 통해 정공 및 전자의 이동을 원활히 하는 역할을 하는 것으로서, ZnO, 3족 원소를 포함하는 물질로 도핑된 ZnO(예컨대, ZnO:B, ZnO:Al), 수소 원소를 포함하는 물질로 도핑된 ZnO(예컨대, ZnO:H), SnO2, SnO2:F, 또는 ITO(Indium Tin Oxide) 등의 투명한 물질을 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)법 또는 스퍼터링(Sputtering)법을 이용하여 형성할 수 있다.
또한, 상기 반도체층(300)은 탠덤(tandem)구조 이외에, 제1반도체층, 제2반도체층, 제3반도체층, 및 각각의 반도체층 사이에 형성된 버퍼층을 포함하는 트리플(triple) 구조로 형성할 수도 있다.
상기 투명도전층(400)은 ZnO, 3족 원소를 포함하는 물질로 도핑된 ZnO(예컨대, ZnO:B, ZnO:Al), 수소 원소를 포함하는 물질로 도핑된 ZnO(예컨대, ZnO:H), SnO2, SnO2:F, 또는 ITO(Indium Tin Oxide) 등의 투명한 물질을 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)법 또는 스퍼터링(Sputtering)법을 이용하여 형성할 수 있다.
이와 같은 투명도전층(400)은 생략하는 것도 가능하지만, 태양전지의 효율증진을 위해서는 상기 투명도전층(400)을 형성하는 것이 바람직하다. 그 이유는 상기 투명도전층(400)을 형성하게 되면 상기 반도체층(300)을 투과한 태양광이 상기 투명도전층(400)을 통과하면서 산란을 통해 다양한 각으로 진행하게 되어, 후술하는 제2 전극(도 3d의 도면부호 500 참조)에서 반사되어 상기 반도체층(300)으로 재입사되는 광의 비율이 증가될 수 있기 때문이다.
다음, 도 3c에서 알 수 있듯이, 상기 반도체층(300) 및 투명도전층(400)의 소정 영역을 제거하여 콘택부(350)를 형성한다.
상기 콘택부(350)를 형성하는 공정은 레이저 스크라이빙 공정을 이용할 수 있다.
다음, 도 3d에서 알 수 있듯이, 상기 투명도전층(400) 상에 제2 전극층(500a)을 형성한다.
상기 제2 전극층(500a)은 Ag, Al, Ag+Al, Ag+Mg, Ag+Mn, Ag+Sb, Ag+Zn, Ag+Mo, Ag+Ni, Ag+Cu, Ag+Al+Zn 등과 같은 금속물질을 스퍼터링(Sputtering)법 등을 이용하여 적층할 수 있다. 또는, 상기 제2 전극층(500a)은 상기 금속물질의 페이스트(Paste)를 스크린인쇄법(screen printing), 잉크젯인쇄법(inkjet printing), 그라비아인쇄법(gravure printing) 또는 미세접촉인쇄법(microcontact printing) 등과 같은 인쇄법을 이용하여 형성할 수도 있다.
다음, 도 3e에서 알 수 있듯이, 상기 제2 전극층(500a), 투명도전층(400), 및 반도체층(300)의 소정 영역을 제거하여 제2 분리부(450)를 형성한다. 그리하면, 상기 제2 분리부(450)에 의해 이격되며, 상기 콘택부(350)를 통해 상기 제1 전극(200)과 전기적으로 연결되는 복수 개의 제2 전극(500)이 형성된다.
상기 제2 분리부(450)를 형성하는 공정은 레이저 스크라이빙 공정을 이용할 수 있다.
다음, 도 3f에서 알 수 있듯이, 상기 기판(100)의 외곽부에 격리부(550)를 형성한다.
상기 격리부(550)는 외곽부에 위치하는 제1 전극(200), 반도체층(300), 투명도전층(400) 및 제2 전극(500)의 소정 영역을 제거하여 형성한다. 이와 같은 격리부(550)는 레이저 스크라이빙 공정을 이용하여 형성할 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 습식 식각 공정을 이용하여 형성할 수도 있다.
다음, 도 3g에서 알 수 있듯이, 상기 기판(100)의 가장자리(110)에 형성된 제1 전극(200), 반도체층(300), 투명도전층(400) 및 제2 전극(500)의 소정 영역을 제거한다. 이는 상기 격리부(550)에 의해 격리된 영역 중에서 최외곽 영역에 존재하는 제1 전극(200), 반도체층(300), 투명도전층(400) 및 제2 전극(500)을 제거함으로써, 기판(100)의 가장자리(110) 영역을 통해 태양전지 내부로 수분이 침투하는 것을 방지하기 위함이다.
상기 기판(100)의 가장자리(110)에 형성된 제1 전극(200), 반도체층(300), 투명도전층(400) 및 제2 전극(500)의 소정 영역을 제거하는 공정은 당업계에 공지된 다양한 방법을 이용할 수 있지만, 습식 식각 공정을 이용하여 수행하는 것이 바람직하다.
상기 기판(100)의 가장자리(110)에 형성된 제1 전극(200), 반도체층(300), 투명도전층(400) 및 제2 전극(500)의 소정 영역을 제거하기 위해서, 레이저 스크라이빙 공정을 이용할 수도 있지만 이 경우 레이저 스크라이빙 공정을 수차례 반복해야하므로 생산성이 떨어지게 되며, 또한, 샌드 블라스트(sand blast) 공정을 이용할 수도 있지만 이 경우 공정 제어가 용이하지 않아 기판(100)까지 제거되어 기판(100)의 물성 저하를 초래할 수 있고 또한 잔존하는 샌드(sand) 제거를 위해 추가적인 세정 장치가 필요하게 되어 장치의 구성이 복잡해진다.
따라서, 본 발명에서는 습식 식각 공정을 이용하여 상기 기판(100)의 가장자리(110)에 형성된 제1 전극(200), 반도체층(300), 투명도전층(400) 및 제2 전극(500)의 소정 영역을 제거함으로써, 공정시간이 단축되어 생산성이 향상될 수 있고, 식각액을 적절히 조절하여 기판(100)이 식각되는 것을 차단할 수 있고, 또한 식각 공정 이후 별도의 파티클(particle) 제거 공정을 추가로 수행할 필요가 없는 장점이 있다.
이하에서는 상기 습식 식각 공정을 이용하여 상기 기판(100)의 가장자리(110)에 형성된 제1 전극(200), 반도체층(300), 투명도전층(400) 및 제2 전극(500)의 소정 영역을 제거하는, 본 발명에 따른 다양한 실시예에 대해서 설명하기로 한다.
도 4a 내지 도 4d는 본 발명의 일 실시예에 따른 습식 식각 공정을 이용하여 기판의 가장자리에 형성된 소정의 층을 제거하는 공정을 도시한 개략적인 평면도이다.
우선, 도 4a는 습식 식각 공정 이전의 모습을 도시한 것으로서, 이는 전술한 도 3f에 도시한 태양전지의 평면도에 해당한다.
즉, 도 4a에서 알 수 있듯이, 기판(100) 상에 제1 전극(200), 반도체층(300), 투명도전층(400), 및 제2 전극(500)이 차례로 형성되어 있고, 상기 제2 전극(500)은 제2 분리부(450)에 의해 소정 간격으로 이격되어 있으며, 상기 기판(100)의 외곽부에는 격리부(550)가 형성되어 있다.
다음, 도 4b에서 알 수 있듯이, 상기 기판(100)의 가장자리(110a, 110b, 110c, 110d) 이외의 영역을 마스크(600)로 가린다. 즉, 식각되지 않는 영역은 마스크(600)로 가리고, 식각되는 영역은 마스크(600)로 가리지 않고 외부로 노출되도록 한다. 이때, 상기 외부로 노출되는 기판(100)의 가장자리(110a, 110b, 110c, 110d) 영역은 상기 격리부(도 4a의 도면부호 550 참조)의 외곽 영역에 해당하며, 네개의 가장자리(110a, 110b, 110c, 110d)의 폭은 적절히 조절할 수 있다.
다음, 도 4c에서 알 수 있듯이, 상기 기판(100)의 가장자리(110a, 110b, 110c, 110d)에 식각액을 접촉시킨다. 그리하면, 상기 기판(100)의 가장자리(110a, 110b, 110c, 110d)에 형성된 제1 전극(200), 반도체층(300), 투명도전층(400), 및 제2 전극(500)이 제거되어 기판(100)이 노출되게 된다.
상기 기판(100)의 가장자리(110a, 110b, 110c, 110d)에 식각액을 접촉시키는 공정은 상기 기판(100)에 식각액을 분사하는 스프레이(spray) 공정을 이용할 수도 있고, 또는, 소정의 수조에 저장되어 있는 식각액에 상기 기판(100)을 담그는 디핑(dipping) 공정을 이용할 수도 있다.
이때, 상기 식각액으로 NaOH, KOH, HCl, HNO3, H2SO4, H3PO3, H2O2, 및 C2H2O4로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 식각물질을 포함하는 식각액을 이용하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 식각액은 그 온도를 20 ~ 200 ℃로 유지하는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 식각액의 온도를 50 ~ 100 ℃로 유지하는 것이다. 식각액의 온도를 20 ℃ 미만으로 유지할 경우에는 식각이 원활히 이루어지지 않을 수 있고 식각공정 시간이 장시간 소요될 수 있으며, 식각액의 온도를 200 ℃ 초과할 경우에는 식각이 급속하게 진행되어 식각공정 컨트롤이 어려워질 수 있다.
한편, 상기 기판(100)의 가장자리(110a, 110b, 110c, 110d)에 식각액을 접촉시킨 후에는, 상기 기판(100)에 잔존하는 식각액을 제거하기 위한 세정 공정 및 건조 공정을 추가로 수행할 수 있다. 상기 식각액을 제거하기 위한 세정 공정은 DI(Deionized Water)를 이용하여 수행할 수 있고, 상기 건조 공정은 공기(air)를 이용하여 수행할 수 있다.
다음, 도 4d에서 알 수 있듯이, 상기 마스크(600)를 제거한다. 그리하면, 상기 기판(100)의 가장자리(110a, 110b, 110c, 110d)에서 제1 전극(200), 반도체층(300), 투명도전층(400), 및 제2 전극(500)이 제거됨으로써, 기판(100)의 가장자리(110a, 110b, 110c, 110d)를 통해 수분침투가 차단되는 본 발명에 따른 태양전지가 완성된다. 한편, 도시하지는 않았지만, 상기 마스크(600)를 제거한 후에는 상기 제2 전극(500) 상에 EVA(Ethylene vinyl acetate)필름 또는 PVB(Polyvinyl butyral)필름을 부착하여 태양전지 내부로 수분이 침투하는 것을 차단하게 된다.
도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 습식 식각 공정을 이용하여 기판의 가장자리에 형성된 소정의 층을 제거하는 공정을 도시한 개략적인 단면도이다.
우선, 도 5a에서 알 수 있듯이, 소정의 습식 식각 장비(700)를 준비한다.
상기 습식 식각 장비(700)는, 챔버(710), 서셉터(720), 마스크(730), 가압부(740), 식각액 분사부(750), 세정액 공급부(760), 에어 공급부(770), 및 드레인부(780a, 780b)를 포함하여 이루어진다.
상기 서셉터(720)는 상기 챔버(710) 내부에 형성되며, 그 위에 습식 식각 대상이 되는 기판이 안착된다.
상기 마스크(730)는 상기 서셉터(720)에 안착되는 기판의 식각되지 않는 영역, 즉, 기판의 가장자리 이외의 영역을 가리는 역할을 하며, 식각액에 의해 식각되지 않으면서 탄성이 있는 물질로 이루어지는 것이 바람직하다.
상기 가압부(740)는 상기 마스크(730)를 가압하여 상기 마스크(730)와 기판 사이의 밀착성을 증진시킴으로써, 기판의 식각되지 않는 영역을 보다 정밀하게 가릴 수 있도록 한다. 상기 가압부(740)는 상하로 이동할 수 있고 또한 상기 마스크(730)와 결합 구성될 수 있다.
상기 식각액 분사부(750)는 기판의 가장자리에 식각액을 분사하는 역할을 하는 것으로서, 제1 배관(752), 제2 배관(754) 및 제1 밸브(756)를 포함하여 이루어진다. 상기 제1 배관(752)은 식각액이 이동하는 배관으로서 그 일단은 식각액 저장부와 연결되어 있다. 상기 제2 배관(754)은 상기 제1 배관(752)에서 연장되어 기판의 식각되는 영역, 즉 기판의 가장자리 영역에 대응하도록 배열되어 있다. 또한 상기 제2 배관(754)에는 다수의 노즐들이 연결되어 있어 다수의 노즐들을 통해 식각액이 기판의 가장자리 영역으로 분사될 수 있다. 즉, 기판의 가장자리 영역에 배치된 다수의 노즐을 이용하여 식각액이 분사될 수 있다. 상기 제1 밸브(756)는 상기 제1 배관(752)에 연결되어 식각액의 이동을 조절하게 된다.
상기 세정액 공급부(760)는 기판의 가장자리에 잔존하는 식각액을 세정하기 위해서 세정액을 공급하는 역할을 하는 것으로서, 제3 배관(762) 및 제2 밸브(766)을 포함하여 이루어진다. 상기 제3 배관(762)는 상기 제1 배관(752)과 연결되어 있고 그 일단은 세정액 저장부와 연결되어 있다. 상기 제2 밸브(766)는 상기 제3 배관(762)에 연결되어 세정액의 이동을 조절하게 된다.
상기 에어 공급부(770)는 기판의 가장자리에 잔존하는 세정액을 제거하기 위해서 에어를 공급하는 역할을 하는 것으로서, 제4 배관(772) 및 제3 밸브(776)을 포함하여 이루어진다. 상기 제4 배관(772)는 상기 제3 배관(762)을 경유하여 상기 제1 배관(752)과 연결되어 있고 그 일단은 에어 저장부와 연결되어 있다. 다만, 상기 제4 배관(772)이 상기 제3 배관(762)을 경유하지 않고 상기 제1 배관(752)에 직접 연결될 수도 있다. 상기 제3 밸브(776)는 상기 제4 배관(772)에 연결되어 에어의 이동을 조절하게 된다.
상기 드레인부(780a, 780b)는 식각액을 드레인하기 위한 제1 드레인부(780a) 및 세정액을 드레인하기 위한 제2 드레인부(780b)를 포함하여 이루어진다.
이상 설명한 습식 식각 장비(700)를 이용하여 기판의 가장자리를 식각하게 되며, 구체적인 공정은 다음과 같다.
다음, 도 5b에서 알 수 있듯이, 상기 습식 식각 장비(700)의 서셉터(720) 상에 기판(100)을 안착시키고, 상기 기판(100)의 가장자리 이외의 영역을 마스크(730)로 가린다.
상기 기판(100) 상에는 제1 전극(200), 반도체층(300), 투명도전층(400) 및 제2 전극(500)이 전술한 도 3e에 도시한 바와 같이 패턴형성되어 있으나, 편의상 구체적인 패턴 모습은 생략하였다.
상기 기판(100)의 가장자리 이외의 영역을 마스크(730)로 가리는 공정은 상기 마스크(730)와 결합되어 있는 가압부(740)를 하강시켜 마스크(730)를 기판(100) 상에 정렬하고 이어서 상기 마스크(730)를 가압하여 상기 마스크(730)를 기판(100)에 밀착시키는 연속 공정으로 이루어진다. 이와 같은 밀착 공정을 위해서 상기 마스크(730)는 탄성이 있는 재료로 이루어진 것이 바람직하다.
다음, 도 5c에서 알 수 있듯이, 상기 기판(100)의 가장자리(110)에 식각액을 분사하여 상기 기판(100)의 가장자리(110)에 형성된 제1 전극(200), 반도체층(300), 투명도전층(400), 및 제2 전극(500)을 제거한다.
상기 식각액을 분사하는 공정은 상기 식각액 분사부(750)에 의해 수행되며, 구체적으로는, 제1 밸브(756)를 열어 식각액이 제1 배관(752)을 경유하여 제2 배관(754)으로 이동하도록 하여 제2 배관(754)에 연결된 다수의 노즐을 통해 기판(100)의 가장자리에 식각액이 분사되도록 한다. 상기 식각액의 조성 및 온도 등은 전술한 실시예와 동일하다.
이와 같이 식각액을 분사한 이후에는 상기 세정액 공급부(760)를 통해 세정액을 공급하여 기판(100)에 잔존하는 식각액을 세정하게 된다. 구체적으로는, 상기 제2 밸브(766)를 열어 제3 배관(762)을 통해 세정액을 공급함으로써, 공급한 세정액이 상기 제1 배관(752) 및 제2 배관(754)을 경유하여 다수의 노즐을 통해 기판(100)의 가장자리로 분사되도록 하여 기판(100) 상에 잔존하는 식각액을 제거할 수 있다.
이와 같이 세정액을 분사한 이후에는 상기 에어 공급부(770)를 통해 에어를 공급하여 기판(100)에 잔존하는 세정액을 제거하게 된다. 구체적으로는, 제3 밸브(776)를 열어 제4 배관(772)을 통해 공기를 공급함으로써, 공급한 공기가 상기 제3 배관(762), 제1 배관(752) 및 제2 배관(754)을 경유하여 다수의 노즐을 통해 기판(100)의 가장자리로 분사되도록 하여 기판(100) 상에 잔존하는 세정액을 제거할 수 있다.
한편, 도시하지는 않았지만, 이상과 같이, 기판(100)의 가장자리(110)에 형성된 제1 전극(200), 반도체층(300), 투명도전층(400), 및 제2 전극(500)의 제거를 완료한 이후에는, 상기 마스크(730)와 결합되어 있는 가압부(740)를 상승시킨 후 서셉터(720)에 안착되어 있는 기판(100)을 챔버(710) 밖으로 언로딩하고, 이어서, 전술한 바와 같이 EVA(Ethylene vinyl acetate)필름 또는 PVB(Polyvinyl butyral)필름을 부착한다.
도 6a 및 도 6b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 습식 식각 공정을 이용하여 기판의 가장자리에 형성된 소정의 층을 제거하는 공정을 도시한 개략도이다.
우선, 도 6a에서 알 수 있듯이, 제1 전극(200), 반도체층(300), 투명도전층(400) 및 제2 전극(500)이 차례로 형성된 기판(100)을 소정의 지그(800)를 이용하여 홀딩한다.
상기 지그(800)는 다양한 형태로 구성될 수 있고, 특히 도시된 바와 같이 기판(100)의 네 모서리부를 홀딩하도록 구성될 수 있다.
다음, 도 6b에서 알 수 있듯이, 소정의 수조(810)에 저장되어 있는 식각액에 상기 기판(100)의 가장자리(110)를 담그는 공정을 반복 수행하여, 기판(100)의 네 가장자리(110) 모두에서 제1 전극(200), 반도체층(300), 투명도전층(400), 및 제2 전극(500)을 제거한다.
즉, 상기 지그(800)를 이용하여 기판(100)을 하강시킴으로써 기판(100)의 일 가장자리(110)를 상기 수조(810)에 저장되어 있는 식각액에 담그어 식각공정을 수행하고, 이어서 상기 지그(800)를 이용하여 기판(100)을 상승시킴으로써 상기 기판(100)을 상기 식각액에서 빼내게 된다. 그 이후, 기판(100)을 90도 회전시킨 후 전술한 공정을 반복시켜 기판(100)의 다른 가장자리(100)에 대한 식각공정을 수행하게 되고, 이와 같은 공정을 반복함으로써 기판(100)의 네 가장자리 모두에서 제1 전극(200), 반도체층(300), 투명도전층(400), 및 제2 전극(500)을 제거할 수 있다.
한편, 이상과 같은 도 6a 및 도 6b에 따른 공정은 기판(100)의 가장자리 이외의 영역을 마스크로 가린 상태에서 수행할 필요는 없지만, 경우에 따라서 기판(100)의 가장자리 이외의 영역을 마스크로 가린 후에 도 6a 및 도 6b에 따른 공정을 수행할 수도 있다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 기판을 홀딩하는 지그의 개략도이다.
도 7에서와 같이, 지그(800)는 제1 전극(200), 반도체층(300), 투명도전층(400) 및 제2 전극(500)이 차례로 형성된 기판(100)의 네 변을 홀딩하도록 구성될 수도 있고, 도 8에서와 같이, 지그(800)는 복수 개의 기판(100)을 동시에 홀딩할 수 있는 카세트 형태로 구성될 수도 있다.
도 7 및 도 8에 도시한 지그(800)를 이용하여 기판(100)을 홀딩한 상태에서, 전술한 도 6b에 따른 공정을 통해 기판(100)의 네 가장자리 모두에서 제1 전극(200), 반도체층(300), 투명도전층(400), 및 제2 전극(500)을 제거할 수 있는 것이다.
100: 기판 110: 기판의 가장자리
200: 제1 전극 250: 제1 분리부
300: 반도체층 350: 콘택부
400: 투명도전층 450: 제2 분리부
500: 제2 전극 550: 격리부
600, 730: 마스크 700: 습식 식각 장비
710: 챔버 720: 서셉터
740: 가압부 750: 식각액 분사부
752: 제1 배관 754: 제2 배관
756: 제1 밸브 760: 세정액 공급부
762: 제3 배관 766: 제2 밸브
770: 에어 공급부 772: 제4 배관
776: 제3 밸브 780a, 780b: 드레인부
800: 지그 810: 수조

Claims (24)

  1. 기판 상에 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 반도체층, 및 상기 반도체층 상에 제2 전극을 형성하는 공정; 및
    태양전지 내부로 수분이 침투하는 것을 방지하기 위해서, 상기 기판의 가장자리에 형성된 상기 제1 전극, 상기 반도체층, 및 상기 제2 전극의 소정 영역을 제거하는 공정을 포함하여 이루어지고,
    상기 제1 전극, 상기 반도체층, 및 상기 제2 전극의 소정 영역을 제거하는 공정은 습식 식각 공정을 이용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극, 상기 반도체층, 및 상기 제2 전극을 형성하는 공정은,
    상기 기판 상에 제1 분리부를 사이에 두고 이격되는 복수 개의 상기 제1 전극을 형성하는 공정;
    상기 제1 전극 상에 상기 반도체층을 형성한 후 상기 반도체층의 소정 영역을 제거하여 콘택부를 형성하는 공정;
    상기 콘택부를 통해 상기 제1 전극과 연결되며, 제2 분리부를 사이에 두고 이격되는 복수 개의 상기 제2 전극을 형성하는 공정; 및
    상기 기판의 외곽부에 위치하는 상기 제1 전극, 상기 반도체층, 및 상기 제2 전극의 소정 영역을 제거하여 격리부를 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 기판의 가장자리에 형성된 상기 제1 전극, 상기 반도체층, 및 상기 제2 전극의 소정 영역을 제거하는 공정은, 상기 격리부에 의해 격리된 상기 기판의 최외곽 영역에 존재하는 상기 제1 전극, 상기 반도체층, 및 상기 제2 전극의 소정 영역을 제거하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 습식 식각 공정은 NaOH, KOH, HCl, HNO3, H2SO4, H3PO3, H2O2, 및 C2H2O4로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 식각물질을 포함하며 그 온도가 20 ~ 200 ℃ 범위인 식각액을 이용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 습식 식각 공정은 상기 기판의 가장자리 이외의 영역을 마스크로 가리는 공정 및 상기 기판의 가장자리에 식각액을 접촉시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 습식 식각 공정은 상기 기판의 가장자리에 식각액을 접촉시키는 공정 이후에 상기 식각액을 제거하기 위한 세정 공정 및 건조 공정을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 기판의 가장자리 이외의 영역을 마스크로 가리는 공정은 상기 기판 상에 상기 마스크를 정렬하는 공정 및 상기 정렬된 마스크를 가압하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 마스크를 정렬하는 공정 및 상기 정렬된 마스크를 가압하는 공정은, 상기 마스크가 결합된 가압부를 이용하여 연속 공정으로 수행하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
  9. 제5항에 있어서,
    상기 기판의 가장 자리에 식각액을 접촉시키는 공정은 상기 기판에 상기 식각액을 분사하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 기판에 상기 식각액을 분사하는 공정은 상기 기판의 가장자리 영역에 배치된 다수의 노즐을 이용하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
  11. 제5항에 있어서,
    상기 기판의 가장자리에 식각액을 접촉시키는 공정은 소정의 수조에 저장되어 있는 식각액에 상기 기판을 담그는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 기판을 담그는 공정은 소정의 지그를 이용하여 상기 기판을 홀딩하는 공정 및 상기 기판의 가장자리를 상기 식각액에 담그는 공정을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 습식 식각 공정은 소정의 지그를 이용하여 상기 기판을 홀딩하는 공정 및 소정의 수조에 저장되어 있는 식각액에 상기 기판의 가장자리를 접촉시키는 공정을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 기판을 홀딩하는 공정은 복수 개의 기판을 동시에 홀딩할 수 있는 카세트 형태의 지그를 이용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 식각액에 상기 기판의 가장자리를 접촉시키는 공정 이후에 상기 지그를 이용하여 상기 기판을 회전시키는 공정을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극, 상기 반도체층, 및 상기 제2 전극의 소정 영역을 제거하는 공정 이후에, 상기 제2 전극 상에 EVA(Ethylene vinyl acetate)필름 또는 PVB(Polyvinyl butyral)필름을 부착하는 공정을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
  17. 제1항에 있어서,
    상기 습식 식각 공정은 소정의 식각 장비를 이용하여 수행하며,
    상기 소정의 식각 장비는,
    챔버;
    상기 챔버 내에 형성되며, 그 위에 상기 기판이 안착되는 서셉터;
    상기 서셉터에 안착되는 기판의 가장자리 이외의 영역을 가리기 위한 마스크;
    상기 마스크와 결합되어 있으며 상하로 이동가능하게 구성되어 상기 마스크를 상기 기판에 가압할 수 있는 가압부; 및
    상기 서셉터에 안착되는 기판의 가장자리로 식각액을 분사하기 위한 식각액 분사부를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 습식 식각 공정은
    상기 서셉터 상에 상기 기판을 안착시키는 공정;
    상기 가압부를 하강시켜 상기 기판의 가장자리 이외의 영역을 마스크로 가리는 공정; 및
    상기 식각액 분사부를 이용하여 상기 기판의 가장자리에 식각액을 분사하는 공정을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
  19. 기판 상에 제1 분리부를 사이에 두고 이격 형성된 복수 개의 제1 전극;
    상기 제1 전극 상에서 콘택부를 구비하도록 형성된 반도체층; 및
    상기 콘택부를 통해 상기 제1 전극과 연결되며, 제2 분리부를 사이에 두고 이격되는 복수 개의 제2 전극을 포함하여 이루어지고,
    상기 기판의 외곽부에 위치하는 상기 제1 전극, 상기 반도체층, 및 상기 제2 전극의 소정 영역에는 격리부가 형성되어 있고, 상기 격리부 외곽에 해당하는 상기 기판의 가장자리에는 상기 제1 전극, 상기 반도체층, 및 상기 제2 전극이 제거되어 기판이 노출되어 있는 것을 특징으로 하는 태양전지.
  20. 청구항 20은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제19항에 있어서,
    상기 제2 전극 상에 EVA(Ethylene vinyl acetate)필름 또는 PVB(Polyvinyl butyral)필름이 부착되어 있는 것을 특징으로 하는 태양전지.
  21. 챔버;
    상기 챔버 내에 형성되며, 그 위에 기판이 안착되는 서셉터;
    상기 서셉터에 안착되는 기판의 가장자리 이외의 영역을 가리기 위한 마스크;
    상기 마스크와 결합되어 있으며 상하로 이동가능하게 구성되어 상기 마스크를 상기 기판에 가압할 수 있는 가압부; 및
    상기 서셉터에 안착되는 기판의 가장자리로 식각액을 분사하기 위한 식각액 분사부를 포함하여 이루어진 태양전지 제조용 식각 장비.
  22. 청구항 22은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제21항에 있어서,
    상기 마스크는 탄성이 있는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 태양전지 제조용 식각 장비.
  23. 제21항에 있어서,
    상기 식각액 분사부는 식각액 저장부와 연결된 제1 배관, 상기 제1 배관에서 연장되며 상기 기판의 가장자리에 대응되도록 배열된 제2 배관, 상기 제2 배관에 연결되어 기판의 가장자리에 식각액을 분사하는 복수 개의 노즐을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 태양전지 제조용 식각 장비.
  24. 제21항에 있어서,
    상기 기판의 가장자리에 잔존하는 식각액을 세정하기 위한 세정액을 공급하는 세정액 공급부 및 상기 세정액을 제거하기 위한 에어를 공급하는 에어 공급부를 추가로 포함하여 이루어진 태양전지 제조용 식각 장비.
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