JPS60243278A - 透明電極形成方法 - Google Patents
透明電極形成方法Info
- Publication number
- JPS60243278A JPS60243278A JP59096249A JP9624984A JPS60243278A JP S60243278 A JPS60243278 A JP S60243278A JP 59096249 A JP59096249 A JP 59096249A JP 9624984 A JP9624984 A JP 9624984A JP S60243278 A JPS60243278 A JP S60243278A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent electrode
- organic
- solvent
- comp
- electrode forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/14—Decomposition by irradiation, e.g. photolysis, particle radiation or by mixed irradiation sources
- C23C18/143—Radiation by light, e.g. photolysis or pyrolysis
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野］
本発明は、ガラス等の基板に有機金属化合物を含む透明
電極形成液を塗布して焼成する透明電極形成方法に関す
る。
電極形成液を塗布して焼成する透明電極形成方法に関す
る。
［従来技術およびその問題点」
ガラス、セラミ・ンクス等の基板上に形成した酸化イン
ジウム、酸化スズ、酸化カドミウムなどか１？ｌ・ス鹸
イｌ−物締瞭を士系岨で良好な導電性を示すことが知ら
れており、液晶表示素子、半導体素子などの電極として
使用されたり、窓ガラスなどの結露防止用電極として使
用されている。
ジウム、酸化スズ、酸化カドミウムなどか１？ｌ・ス鹸
イｌ−物締瞭を士系岨で良好な導電性を示すことが知ら
れており、液晶表示素子、半導体素子などの電極として
使用されたり、窓ガラスなどの結露防止用電極として使
用されている。
このような透明電極の形成方法として、金属酸化物を直
接基板にコーティングして被膜を形成する真空蒸着法や
、有機金属化合物を含む透明電極形成液を基板に塗布し
これを焼成して被膜を形成するスクリーン印刷法、ディ
ッピング法などが知られている。しかしながら、真空蒸
着法では特殊な設備を要し、バッチ式なので量産に適さ
ない欠点がある。一方、スクリーン印刷法やディッピン
グ法は、比較的大がかりな設備を要せず、量産に適して
いるが、均一な膜厚および膜質を得にくい欠点がある。
接基板にコーティングして被膜を形成する真空蒸着法や
、有機金属化合物を含む透明電極形成液を基板に塗布し
これを焼成して被膜を形成するスクリーン印刷法、ディ
ッピング法などが知られている。しかしながら、真空蒸
着法では特殊な設備を要し、バッチ式なので量産に適さ
ない欠点がある。一方、スクリーン印刷法やディッピン
グ法は、比較的大がかりな設備を要せず、量産に適して
いるが、均一な膜厚および膜質を得にくい欠点がある。
「発明の目的」
本発明の目的は、透明電極形成液を基板に塗布して焼成
する透明電極形成方法において、均一な膜厚および膜質
な有する透明電極が得られるようにすることにある 「発明の構成」 本発明の透明電極形成方法は、有機金属化合物と有機バ
インダーと溶媒とを含む透明電極形成液を基板に塗布し
、近赤外線を照射することにより焼成を行ない、ヒーテ
ィングレイト（基板表面の温度が１００℃から５００℃
に達するまでの時間）を０．５〜３分とする方法である
。
する透明電極形成方法において、均一な膜厚および膜質
な有する透明電極が得られるようにすることにある 「発明の構成」 本発明の透明電極形成方法は、有機金属化合物と有機バ
インダーと溶媒とを含む透明電極形成液を基板に塗布し
、近赤外線を照射することにより焼成を行ない、ヒーテ
ィングレイト（基板表面の温度が１００℃から５００℃
に達するまでの時間）を０．５〜３分とする方法である
。
このように、本発明においては、近赤外線を照射して焼
成を行なうことにより、放射あるいは輻射方式による基
板の直接加熱が可能となる。そして、ヒーティングレイ
ト（Ｈｅａｔｉｎｇ Ｒａｔｅ） （基板表面の温度が
１００℃から５００℃に達するまでの時間）を０．５〜
３分とすることにより、溶媒の揮発と有機金属の熱分解
とを同時に行なうことができる。したがって、膜厚およ
び膜質が均一な透明電極を形成することができる。
成を行なうことにより、放射あるいは輻射方式による基
板の直接加熱が可能となる。そして、ヒーティングレイ
ト（Ｈｅａｔｉｎｇ Ｒａｔｅ） （基板表面の温度が
１００℃から５００℃に達するまでの時間）を０．５〜
３分とすることにより、溶媒の揮発と有機金属の熱分解
とを同時に行なうことができる。したがって、膜厚およ
び膜質が均一な透明電極を形成することができる。
本発明において使用する透明電極形成液としては、イン
ジウムとスズとを含む非加水分解性の有機金属化合物と
、有機バインダーと、溶媒とからなる組成のものが好ま
しい。
ジウムとスズとを含む非加水分解性の有機金属化合物と
、有機バインダーと、溶媒とからなる組成のものが好ま
しい。
インジウムとスズとを含む非加水分解性の有機金属化合
物としては、例えばトリスアセチルアセトナートインジ
ウムＩｎ（ａｃａｃ）３、ビスアセチルアセトナートジ
ブチルスズ５ｎＢｕ７ （ａｃａｃ）２などが挙げられ
る。この場合、スズ成分は有機金属化合物中、７．５〜
１５重量％が適当である。そして、有機金属化合物の含
有量は全組成物中３〜８重量％が好ましい。
物としては、例えばトリスアセチルアセトナートインジ
ウムＩｎ（ａｃａｃ）３、ビスアセチルアセトナートジ
ブチルスズ５ｎＢｕ７ （ａｃａｃ）２などが挙げられ
る。この場合、スズ成分は有機金属化合物中、７．５〜
１５重量％が適当である。そして、有機金属化合物の含
有量は全組成物中３〜８重量％が好ましい。
有機バインダーとしては、例えばニトロセルロース、エ
チルセルロース、ヘンシルセルロースなどのセルロース
化合物が使用できる。有機バインダーの含有量は、スク
リーン印刷用のペーストの場合、全組成物中５〜２５重
気％、ディッピング用の液の場合、全組成物中１〜４重
量％が適当である。
チルセルロース、ヘンシルセルロースなどのセルロース
化合物が使用できる。有機バインダーの含有量は、スク
リーン印刷用のペーストの場合、全組成物中５〜２５重
気％、ディッピング用の液の場合、全組成物中１〜４重
量％が適当である。
溶媒としては、スクリーン印刷用のペーストの場合は例
えばベンジルアルコール、ジプロピレングリコール、ベ
ンジルアセテートなどの高沸点溶媒が主として用いられ
、ディッピング用の液の場合は例えばメチルエチルケト
ンなどの低沸点溶媒が主として用いられる。なお、情意
を調整するため、スクリーン印刷用のペーストの場合に
微量の低沸点溶媒を添加し、あるいはディッピング用の
液の場合に微量の高沸点溶媒を添加してもよい。
えばベンジルアルコール、ジプロピレングリコール、ベ
ンジルアセテートなどの高沸点溶媒が主として用いられ
、ディッピング用の液の場合は例えばメチルエチルケト
ンなどの低沸点溶媒が主として用いられる。なお、情意
を調整するため、スクリーン印刷用のペーストの場合に
微量の低沸点溶媒を添加し、あるいはディッピング用の
液の場合に微量の高沸点溶媒を添加してもよい。
これらの溶媒は有機金属化合物、有機バインダーを除い
た残りの主たる成分をなすようにする。
た残りの主たる成分をなすようにする。
そして、上記のような透明電極形成液をスクリーン印刷
やディッピングにより基板に塗布する。その際、有機金
属化合物として上記のような非加水分解性のものを使用
した場合には、湿度条件を特に限定する必要がなく、ま
た、透明電極形成液の保存寿命も向上する。
やディッピングにより基板に塗布する。その際、有機金
属化合物として上記のような非加水分解性のものを使用
した場合には、湿度条件を特に限定する必要がなく、ま
た、透明電極形成液の保存寿命も向上する。
本発明の好ましい態様においては、透明電極形成液を塗
布した後、紫外線を照射する。紫外線としては、好まし
くは１８４．９ｒ＋ｍから２５３．７ｒ＋＋ｗに波長の
ピークを持つものが使用され、これを例えば３．５分へ
ｍｗ／ｃｍ’の割合で基板に照射して、発生するオゾン
（０３）により有機鎖分解と強制酸化を行ない、有機成
分を燃えやすくする。これによって、膜質が均一・化す
る。なお、この紫外線照射は本発明において必ずしも必
要なものではなく、上記のように透明電極形成液を基板
に塗布した後、そのまま焼成を行なってもよい。
布した後、紫外線を照射する。紫外線としては、好まし
くは１８４．９ｒ＋ｍから２５３．７ｒ＋＋ｗに波長の
ピークを持つものが使用され、これを例えば３．５分へ
ｍｗ／ｃｍ’の割合で基板に照射して、発生するオゾン
（０３）により有機鎖分解と強制酸化を行ない、有機成
分を燃えやすくする。これによって、膜質が均一・化す
る。なお、この紫外線照射は本発明において必ずしも必
要なものではなく、上記のように透明電極形成液を基板
に塗布した後、そのまま焼成を行なってもよい。
最後に、近赤外線を基板に照射し、好ましくは４００〜
６００°Ｃの温度で焼成を行なう。ここで近赤外線とは
可視光線に近い赤外線のことで、波長ｏ、ｅ ＩＬから
２６５ｗ程度のものをさす。近赤外線照射により基板は
放射あるいは輻射による直接加熱がなされ、ヒーティン
グレイト（基板表面の温度が１００℃から５００℃に達
するまでの時間）が短縮される。これにより、溶媒や有
機バインダー成分の揮発と、有機金属化合物の熱分解と
がほぼ同時に進行し、膜質および膜厚がさらに均一化さ
れる。本発明では、ヒーティングレイトな０．５〜３分
の間に調整する。ヒーティングレイトが０．５分未満で
はガラス等の基板を用いた場合、基板が割れる虞れがあ
り、３分を超えると透明電極の膜厚を均一にする効果が
乏しくなる。 − なお、本発明のさらに好ましい態様によれば、近赤外線
照射による焼成工程の前半を酸素の豊富な雰囲気下、例
えば空気中で行ない、焼成工程の後半を酸素の乏しい雰
囲気下１例えばＮ２：０２＝９：ｌの気体中で行なうよ
うにする。この場合、Ｎ２： ０２＝ｌ］：ｌ とする
には空気中にＮ２が８０％含まれていることから、空気
二窒素＝１＝１の割合とすればよい。このように、焼成
工程の前半と後半とで酸素の含有量を変化させることに
より、有機金属の酸化をコントロールして低抵抗の透明
電極を形成することが可能となる。
６００°Ｃの温度で焼成を行なう。ここで近赤外線とは
可視光線に近い赤外線のことで、波長ｏ、ｅ ＩＬから
２６５ｗ程度のものをさす。近赤外線照射により基板は
放射あるいは輻射による直接加熱がなされ、ヒーティン
グレイト（基板表面の温度が１００℃から５００℃に達
するまでの時間）が短縮される。これにより、溶媒や有
機バインダー成分の揮発と、有機金属化合物の熱分解と
がほぼ同時に進行し、膜質および膜厚がさらに均一化さ
れる。本発明では、ヒーティングレイトな０．５〜３分
の間に調整する。ヒーティングレイトが０．５分未満で
はガラス等の基板を用いた場合、基板が割れる虞れがあ
り、３分を超えると透明電極の膜厚を均一にする効果が
乏しくなる。 − なお、本発明のさらに好ましい態様によれば、近赤外線
照射による焼成工程の前半を酸素の豊富な雰囲気下、例
えば空気中で行ない、焼成工程の後半を酸素の乏しい雰
囲気下１例えばＮ２：０２＝９：ｌの気体中で行なうよ
うにする。この場合、Ｎ２： ０２＝ｌ］：ｌ とする
には空気中にＮ２が８０％含まれていることから、空気
二窒素＝１＝１の割合とすればよい。このように、焼成
工程の前半と後半とで酸素の含有量を変化させることに
より、有機金属の酸化をコントロールして低抵抗の透明
電極を形成することが可能となる。
「発明の実施例」
トリスアセチルアセトナートインジウム８７．５重量％
、ビスアセチル７、セトナートジブチルスズ１２．５重
量％からなる有機金属化合物５．５重量％、ニトロセル
ロース２．５重量％、ベンジルアルコ′−ル２．０重量
％、メチルエチルケトン８０．０重景％からなる透明電
極形成液を作成した。
、ビスアセチル７、セトナートジブチルスズ１２．５重
量％からなる有機金属化合物５．５重量％、ニトロセル
ロース２．５重量％、ベンジルアルコ′−ル２．０重量
％、メチルエチルケトン８０．０重景％からなる透明電
極形成液を作成した。
この液にガラス基板を浸漬して引き上げ、液をガラス基
板に塗布した。
板に塗布した。
次に、紫外線を３．５分７４ｍｗ／ｃｒｎ’の割合で基
板に照射した。
板に照射した。
さらに、近赤外線を照射して焼成を行なった。
その場合、ヒーティングレイトは２分とし、温度上昇後
、前半の２０分間は５００℃とし、後半の１５分間は温
度を徐々に低下させた。このようすを第１図に示す。図
中、Ａはヒーティングレイトの時間、Ｂは前半の焼成の
時間、Ｃは後半の焼成の時間である。そして、前半Ｂの
焼成は空気中で行ない、後半Ｃの焼成はＮ２： ０２＝
９：Ｉの気体中で行なった。
、前半の２０分間は５００℃とし、後半の１５分間は温
度を徐々に低下させた。このようすを第１図に示す。図
中、Ａはヒーティングレイトの時間、Ｂは前半の焼成の
時間、Ｃは後半の焼成の時間である。そして、前半Ｂの
焼成は空気中で行ない、後半Ｃの焼成はＮ２： ０２＝
９：Ｉの気体中で行なった。
こうして得られた透明電極は均一な膜質および膜厚を有
し、透明度が゛良好であった。なお、膜厚は３００人、
シート抵抗はＩＫΩ／口であった。
し、透明度が゛良好であった。なお、膜厚は３００人、
シート抵抗はＩＫΩ／口であった。
「発明の効果」
以上説明したように、本発明によれば、透明電極形成液
を基板に塗布した後、近赤外線によって焼成を行ない、
ヒーティングレイトを０．５〜３分としたので、均一な
膜質および膜厚を有する透明電極を形成することができ
る。
を基板に塗布した後、近赤外線によって焼成を行ない、
ヒーティングレイトを０．５〜３分としたので、均一な
膜質および膜厚を有する透明電極を形成することができ
る。
第１図は本発明の実施例における焼成温度および時間を
示す図表である。
示す図表である。
Claims (1)
- 有機金属化合物と有機バインダーと溶媒とを含む透明電
極形成液を基板に塗布して焼成する透明電極形成方法に
おいて、近赤外線を照射することにより焼成を行ない、
ヒーティングレイト（基板表面の温度が１００℃から５
００℃に達するまでの時間）を０，５〜３分とすること
を特徴とする透明電極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59096249A JPS60243278A (ja) | 1984-05-14 | 1984-05-14 | 透明電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59096249A JPS60243278A (ja) | 1984-05-14 | 1984-05-14 | 透明電極形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60243278A true JPS60243278A (ja) | 1985-12-03 |
Family
ID=14159941
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59096249A Pending JPS60243278A (ja) | 1984-05-14 | 1984-05-14 | 透明電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60243278A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62297470A (ja) * | 1986-06-18 | 1987-12-24 | Nippon Soda Co Ltd | 金属酸化物薄膜形成用ペ−スト |
-
1984
- 1984-05-14 JP JP59096249A patent/JPS60243278A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62297470A (ja) * | 1986-06-18 | 1987-12-24 | Nippon Soda Co Ltd | 金属酸化物薄膜形成用ペ−スト |
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