JP4892181B2 - Ito透明電極膜形成方法 - Google Patents
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という式がなりたつ。
この式(2)から空孔率pを算出することができる。本発明の場合は、屈折率1.52〜1.74程度の多孔質膜が得られているので、空孔率p=10.2〜27.8%となる。
(比較例1)
Claims (4)
- 基板上にITO透明電極膜を作製する透明電極膜形成方法であって、 インジウム、錫およびアルコールを有機溶媒に溶解させてなる有機溶液と界面活性剤との混合物を基板上に塗布して処理基板を得る工程と、 この処理基板を加熱処理して、アルコール、界面活性剤を蒸発せしめ、基板上に多孔質膜を形成する工程と、 加熱処理後の処理基板を、真空中または窒素雰囲気中で且つ500℃以上の温度でアニール処理して1.74以下の屈折率および1Ω・cm以下の抵抗率を有する多孔質透明電極膜を形成する工程とを含み、 前記有機溶液は、オクチル酸インジウム1〜15重量%、オクチル酸錫0.05〜2重量%、エチルアルコール5〜15重量%、キシレン60〜80重量%および酢酸ブチル5〜15重量%からなる組成を有することを特徴とするITO透明電極膜形成方法。
- 前記界面活性剤が、ノニルフェノールエトキシレート、オクチルフェノールエトキシレート、フェノールエトキシレート、アルコールエトキシレート、ポリオキシエチレングリコールオレアートソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレングリコール、ポリオキシエチレングリコールオレアートソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシアルキレンタロエート、グリセライドエトキシレート、ヤシ脂肪酸ジエタノールアマイド、ヤシ脂肪酸モノエタノールアマイドエトキシレート、およびポリグリセリン脂肪酸エステルから選ばれた少なくとも1種のノニオン界面活性剤であることを特徴とする請求項1記載のITO透明電極膜形成方法。
- 前記有機溶液に対して、界面活性剤を5〜20重量%添加することを特徴とする請求項1または2記載のITO透明電極膜形成方法。
- 前記ITO透明電極膜が、10.2〜27.8%の空孔率を有していることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項記載のITO透明電極膜形成方法。
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