DE2246193A1 - Verfahren zur aufbringung von zinnoxidueberzuegen auf transparentes basismaterial - Google Patents
Verfahren zur aufbringung von zinnoxidueberzuegen auf transparentes basismaterialInfo
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Dipl.-lng. H. Seiler Dipi.-Ing. J. Pfenning Dipl.-Phys. K. H. Meinig
1 Berlin 19
Oldenburgallee 10 Tel. 0311/304 55 21 304 55 22
Drahtwort: Seilwehrpatent Postscheckkto. Bln.W.5938
18. September 1972 Me/St
LIBBEY-OWENS-FORD COMPANY 811 Madison Avenue, Toledo, Ohio, USA
Verfahren zur Aufbringung von Zinnoxidüberzügen auf transparentes Basismaterial
Die Erfindung bezieht sich ganz allgemein auf ein verbessertes
Verfahren zur Herstellung transparenter elektrisch leitender Materialien und im besonderen auf neue Zusammensetzungen,
die in Verbindung mit erhitzten Oberflächen auf einer Keramikbasis oder Substraten hiervon bzw. entsprechenden
Materialien aufgebracht werden können.
Es ist weitläufig bekannt, daß durchsichtige, also transparen te und elektrisch leitende filmartige Überzüge auf einem
feuerfesten Basismaterial, wie etwa Glas bei Erwärmung der Glasoberfläche auf eine erhöhte Temperatur, beispielsweise
über 427 C, wobei jedoch diese Temperatur unterhalb der Schmelztemperatur des Basismaterials liegen muß, aufgebracht
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werden können, indem das erhitzte Glas mit verschiedenartigen Zinnverbindungen in bestimmter Weise reagiert. So wird
beispielsweise Zinntetrachlorid als eine verhältnismäßig verbreitete Zinnverbindung in diesem Zusammenhang zur Anwendung
gebracht, die jedoch neben einer Reihe von Vorteilen auch bestimmte Nachteile mit sich bringt. So fördert beispielsweise
die Anwesenheit eines Chlorids in einer den Filmüberzug ausbildenden Verbindung einen hohen spezifischen
Widerstand an der Grenzfläche zwischen der an das Basismaterial anzulegenden Elektrode und der Oberfläche der Verbindung.
Der genannte hohe Widerstandswert zwischen Film-Überzug und Elektrode ist besonders,dann groß, wenn die
Elektrode aus Silberfritte besteht. Bei der Aufbringung von Zinntetrachlorid bewirkt des weiteren die Ausbildung von
Dampf der hydrochlorischen Säure bei Berührung mit der heißen Glasoberfläche, daß sich gewisse Trübungen bzw. Schattenflecke
in dem Film bilden.
Derartige Unscharfen oder Schattenflecke wirken sich besonders
nachteilig auf die optische Klarsicht durch den Film hindurch aus und sind besonders dann zu beanstanden, wenn
der Film auf Glasscheiben aufgebracht wird, welche in der Flugzeugindustrie,für Automobile oder dergleichen verwendet
werden. Das gleiche gilt für Glasscheiben von Instrumenten, bei denen gleichfalls die klare Durchsichtigkeit von primärer
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Bedeutung ist. Um den genannten Schwierigkeiten aus dem Wege
zu gehen, ist vorgeschlagen, verschiedene organische Zinnverbindungen
zur Anwendung zu bringen. Die Verwendung von organischen Zinnverbindungen führt andererseits jedoch zu
einer Herabsetzung der spezifischen Leitfähigkeit der Filmschicht und insbesondere auch zu erhöhten Kosten pro Flächeneinheit
des herzustellenden Zinnoxidfilmes.
Auch sind bereits verschiedene Verfahren in Vorschlag gebracht worden, um die Verwendung preiswerterer anorganischer
Verbindungen, wie etwa Zinntetrachlorid, zu ermöglichen und hierbei gleichzeitig höhere elektrisch leitende Eigenschaften
des Zinnoxidfilmes ohne Trübung der Schicht zu ermöglichen. Bei diesen vorgeschlagenen Verfahren ist es jedoch wieder
erforderlich, zunächst eine Art Siegelschicht in Form eines Metalloxides auf die Glasoberfläche aufzubringen, bevor diese
mit dem durchsichtigen Zinnoxidüberzug versehen werden kann. Eine derartige Metallbehandlung bzw. auch entsprechende
Beizverfahren, denen die Glasoberfläche zuvor unterworfen ' wird, setzen den Alkalimetallgehalt der Glasoberfläche herab,
und es sind hierbei auch verhältnismäßig aufwendige Beiüftungs- und Ventilationsprozeduren durchzuführen, um den
durch das Aufsprühen der Lösung sich bildenden Dampf unmittelbar zu beseitigen.
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AIl die genannten Verfahren kommen jedoch nicht ohne den
Schritt der Vorbehandlung der Glasoberfläche oder wenigstens einer Reihe von Verfahrensschritten aus, wenn ein hochleitender
Zinnoxidfilm auf einer erhitzten Glasoberfläche durch Anwendung von Zinntetrachlorid herzustellen ist»oder anderweitig
zur Anwendung gebrachte Verbindungen, die nicht von Halogenverbindungen ausgehen, führen zu Filmüberzügen mit
niedrigen spezifischen Leitfähigkeiten.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren der genannten Art zu schaffen, bei dem im Unterschied
zu der bekannten Verwendung von organischen Zinnverbindungen und auch bei den mehrstufigen anderen Verfahrensweisen auf
einfachere und vorteilhaftere Weise ein Zinnoxidüberzug hergestellt
werden kann, der sich durch hohe Leitfähigkeit und durch das Nichtvorhandensein von Schattenflecken oder der-■gleichen
Trübungen auszeichnen soll.
Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung eines transparenten
elektrisch leitenden Filmüberztiges auf einer Oberfläche
eines Substrates oder Basismaterials, welches zunächst auf eine erhöhte Temperatur gebracht wird, die im Bereich
zwischen 427°C bis 7040C liegen kann, kennzeichnet sich dadurch,
daß auf die erhitzte Oberfläche eine Lösung eines Organozinnfluoresters aufgebracht wird.
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Erfindungsgemäß wird eine eine Filmschicht ausbildende Verbindung geschaffen, die sich durch zwei bis 70 Gew.-% eines
Organozinnsalzes der Trifluoressigsäure und durch 30 bis 98 Gew.-% einer Lösung dieses Salzes kennzeichnet.
Es ist eine externe Aktivierung der organischen oder anorganischen
Verbindungen, die den Zinnoxidfilm bilden sollen, durch Zugabe von Fluor oder Fluor enthaltende Verbindungen
und/oder Chlor oder einer Chlor enthaltenden Verbindung vorgeschlagen worden. Derartige äußere Aktivierungen werden
normalerweise durch Mischung der Aktivierungsmittel in der Lösung,zusammen mit der den Filmüberzug ausbildenden Verbindung
hergestellt oder auch durch gleichzeitiges Versprühen des Aktivierungsmittels, zusammen mit einem Versprühen der
Verbindung, die den genannten Film bilden soll, wobei beide Verbindungen aus verschiedenen Sprühpistolen ausgebracht
werden und hierbei eine maximale Mischung vorgegeben werden kann. Während derartige externe Aktivierungsverfahren die
Leitfähigkeit der sich ergebenden Zinnoxidschicht erhöhen, ist es hierbei jedoch erforderlich, eine der vorgenannten
Oberflächenbehandlungen des Basismaterials vor dem Aufsprühen des Überzuges vorzunehmen, um schattenfreie Überzüge zu erhalten.
Des weiteren verbessert die externe Aktivierung die Geschwindigkeit,mit der sich der Film auszubilden vermag, in
keiner Weise und sie verhindert auch nicht das Auftreten
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sogenannter heißer Punkte auf dem Film, bzw. auf und zwischen den Stromzuführungsschienen, die gewöhnlich entlang
der äußeren Randkanten des Basismaterials vorgesehen werden.
Erfindungsgemäß wird eine Mehrzahl neuartiger Verbindungen zur Ausbildung eines Filmüberzuges geschaffen, mit der die
bisherige Verfahrenstechnik verbessert werden kann, welche zur Herstellung von Zinnoxidüberzügen benutzt wird. Die nach
dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten Zinnoxidfilme sind hochgradig transparent, zeichnen sich durch hohe elektrische
Leitfähigkeit, gute elektrische Kontaktgabe mit den Stromzuführungsschienen und durch den Wegfall zusätzlicher
Verfahrensschritte aus. Die Rate, mit der sich die Filmausbildung entwickelt, wird gleichzeitig verbessert und der
Film ist frei von Trübungen, ohne daß eine besondere Oberflächenbearbeitung
des Basismaterials erfolgen muß.
Die erfindungsgemäßen Verbindungen sind solche, die sich selbst aktivieren, wobei Fluor in das gleiche Molekül eingebracht
ist, in der sich auch das Zinn befindet. Nach dem erfindungsgemäßen Verfahren wird ein Substrat bzw. ein Basismaterial auf eine Temperatur erhitzt, die im Bereich von
427°C bis 7040C liegen kann, woraufhin auf eine auf diese
Temperatur gebrachte Oberfläche die Lösung einer Verbindung aufgebracht wird, die aus der Verbindungsgruppe ausgewählt
wird, welche sich durch folgende Strukturformel kennzeichnet:
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RSn(O-G-R' )γ
und
R_ - Sn - 0 - Sn - Ra
R_ - Sn - 0 - Sn - Ra
0-C-R' 0-G«R·
I I
Hierbei bedeutet R eine aliphatische oder aromatische Gruppe,
R' einen Fluorkohlenstoff, der Formel: CnF2n l' n stellt
eine ganze Zahl dar, χ ist ein Wert von 0 bis 3 und y ein solcher von 1 bis 2, jedoch wenigstens 2,- wenn χ = ο ist*
Glasscheiben, die mit den erfindungsgemäßen Verbindungen übersprüht worden sind, und auf denen sich ein Zinnoxidfilm
ausgebildet hat, können als Verglasungseinheiten entweder in Form laminierter Gläser oder nicht geschichteter, getemperter
Glasscheiben Anwendung finden» Die überzogenen Oberflächen können etwa die Aufgabe haben, statische Ladungen abzuführen
oder für den Fall, daß sie mit Zuführungsschienen entlang
zweier sich gegenüberliegender Randkanten versehen sind, können sie bei Anlegen einer Spannung an diese Schienen der
Stromleitung durch den Filmüberzug hindurch dienen. Im letztgenannten Ausführungsbeispiel dienen derartige Glasscheiben
etwa zur Entfrostung, wenn sie als Verglasungseinheiten in
-8-
309812/1172
Fahrzeugen verwendet werden. Die transparenten, elektrisch leitenden Überzüge können auch für Kathodenstrahlröhren benutzt
werden, für Raumerhitzer, elektroluminiszente Tafeln und dergleichen mehr. Es ist eine Vielzahl von Anwendungsmöglichkeiten für die durchsichtigen elektrisch leitenden
Metall- oder Metalloxidüberzüge auf Glas und anderen Keramikmaterialien
denkbar.
Das Basismaterial oder das Substrat, auf welches die elek^
trisch leitenden Filme normalerweise aufgebracht werden, ist Alkali-Kalkkieselsäureglas, welches nach dem Float-Verfahren
oder anderweitig hergestellt werden kann. Selbstverständlich können die erfindungsgemäßen Überzüge auch auf andere widerstandsfähige
und feuerfeste Materialien, die verschiedene Keramiken, Glaskeramiken, Erzellan und andere kieselhaltige
Materialien enthalten, und deren Schmelzpunkt über etwa 482 C liegt, aufgebracht werden.
Beispiele organischer Zinnverbindungen, welche in Verbindung mit der vorliegenden Erfindung besonders vorteilhaft verwendet
worden sind und die zu ausgezeichneten elektrisch leitenden
Überzügen führten, enthielten Zinn(II)trifluorazetat (stannous trifluoroacetate), Tributylzinn-Trifluorazetat,
Triphenylzinn-Trifluorazetat, 1,1,3,3-Tetrabutyl, 1,3-üitrifluorazetat-Distannoxan
und die Fluorester der Heptafluorbuttersäure und Pentafluor-Propionsäure.
-9-
309812/1172
Die Erfindung soll nachfolgend anhand einzelner Beispiele verständlicher gemacht werden, wobei es sich jedoch nur um
Beispiele handelt, auf die die Erfindung keineswegs beschränkt ist. Bei allen nachfolgenden Beispielen werden
transparente, trübungsfreie Filme erhalten, die auf Oberflächen aufgebracht sind, welche keiner Vorbehandlung bedürfen,
insbesondere keinem Beizverfahren oder einer Metallbeschichtung zu unterwerfen sind. Die nachfolgenden Beispiele
wurden erhalten, indem eine Sprühpistole (DeVilbiss type P-AGA) ca. 40,64 cm von der zu besprühenden Oberfläche entfernt
aufgestellt wurde bei einem Gefäßdruck von 15 p.s.i.g.
ο
(1,05 kg/cm ) und einem Zerstäubungsdruck an der Pistole von
(1,05 kg/cm ) und einem Zerstäubungsdruck an der Pistole von
35 p.s.i.g. (2,46 kg/cm ).
Zinn(II)trifluorazetat wurde durch Erhitzen einer Mischung
von 40 Gramm (0,296 mole) Zinn(II)oxid und 114 Gramm (1 mole)
Trifluoressigsäure unter Rückflußbedingungen für eine Dauer
von vier Stunden und in einer Stickstoffatmosphäre synthetisiert.
Nach Filtrierung und Destillierung des Überschusses an Trifluoressigsäure unter herabgesetztem Druck, entstand
eine gelbe, sirupartige Masse.
38 Gramm des resultierenden Zinn(II)trifluorazetats wurde
dann in Methyl-Äthyl-K^eton gelöst und hierbei eine Lösung
-10-
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von 100 cm hergestellt.
Eine Float-Glasscheibe von 30,5 cm Breite und 30,5 cm Länge
sowie 3,18 mm Dicke wurde entlang zweier gegenüberliegender Außenkanten mit dünnen Streifen keramischen Silbers beaufschlagt,
um nachfolgend in einem Glühofen bei 677 C für 115 Se1 k
erhitzt zu werden. Durch die Erhitzung brannten die keramischen Silberstreifen in die Scheibenoberfläche ein,bzw.
sinterten mit dieser zusammen und bildeten Stromzuführungsschienen. Die Scheibe wurde nunmehr aus dem Ofen entnommen
und unmittelbar der Sprühpistole zugeführt, über welche die mit den Stromzuführungskanten versehene Scheibe nunmehr gleichmäßig
mit 68 cm Sn(CF3COO)2~Lösung übersprüht. Die derart
mit dem Film überzogene Scheibe war vollständig trübungsfrei und z.eigte einen Oberflächenwiderstand von 32 Ohm/Quadrat
und eine Lichtdurchlässigkeit 11C" (illuminant) von 76 %.
Weitere Lösungen von Zinn(II)trifluorazetat wurden, wie oben
beschrieben, hergestellt und auf Glassubstrate von 30,5 χ 30,5 cm mit einer Dicke von 3,18 mm aufgesprüht, wobei auch
diese zuvor mit Stromzuführungsschienen versehen und erhitzt worden sind, wie oben beschrieben. Höhere Ziehgeschwindigkeiten
für die Sprühpistole oder Bewegungsgeschwindigkeiten der Scheiben an der Pistole vorbei, führten jedoch zu den !
folgenden Ergebnissen:
- 11-
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verwendetes Lö sung svolumen |
Ohm/Quadrat | Dicke | in Ä' | Lichtdurch |
3 in cm |
49 | 2600 | lässigkeit 11C" in % |
|
41 | 100 | • 1200 | 80 | |
20 | 86 | |||
Die erzeugten Filme waren trübungsfrei und. zeigten ausgezeichnete
elektrische Kontaktfähigkeit mit den elektrischen Zuführungsschienen.
Die erfindungsgemäßen Lösungen ergeben erstens eine höhere
Lichtdurchlässigkeit bei gleichen Widerstandswerten und zweitens bessere Eigenwiderstandsfähigkeit; als die bisher bekannten
Lösungeniintrinsic resistivities).
1,1,3,3-Tetrabutyl 1,3-Ditrifluorazetat-Distannoxan wurde
nach folgenden drei Verfahren synthetisiert:
a) eine Mischung von 138 Gramm (0,39 mole) des Dibutyl-Zinn-
Diazetats und 100 Gramm (0,88 mole) der Trifluoressigsäure wurden unter Rückflußbedingungen für zwei Stunden erhitzt.
Die erzeugte Essigsäure und der Überschuß an Trifluoressigsäure wurden durch Destillation entfernt, und zwar unter
reduzierten Durckbedingungen. Das erhaltene Produkt wurde
rekristallisiert.
-12-
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b) Eine Mischung von 49,2 Gramm (0,2 mole) des Dibutyl-Zinnoxids
und 23 Gramm (0,2 mole) der Trifluoressigsäure wurde in 100 cm Benzol für zwei Tage auf Rückflußtemperatur
erhitzt und mit einem Dean-Stark-Extraktor behandelt, in
3
welchem 2 cm Wasser gesammelt wurden. Nach Beseitigung aller flüchtigen Bestandteile unter herabgesetztem Druck, wurde die Verbindung rekristallisiert, wobei 52,4 Gramm
welchem 2 cm Wasser gesammelt wurden. Nach Beseitigung aller flüchtigen Bestandteile unter herabgesetztem Druck, wurde die Verbindung rekristallisiert, wobei 52,4 Gramm
des Produktes vorlageniwas recrystallized, yielding 52,4
grams of product).
Die gleiche Reaktion wurde wiederholt unter Verwendung eines 1:2—und 1:3-Verhältnisses an Oxid zu Säure. In jedem Fall
wurde das gleiche Produkt erhalten.
c) 25 (0,1 mole) Dibutyl-Zinn-Oxid und 50 Gramm (0,24 mole)
Trifluoressigsäure-Anhydrid wurden für 1 Stunde unter Rückflußbedingungen gehalten. Nach Entfernung des überschüssigen
Anhydrids wurde die Verbindung rückkristallisiert.
Alle genannten Verbindungen, die nach den Verfahren a), b)
und c) hergestellt worden sind, wurden auf Rückflußtemperatur erhitzt und aus Petroleumäther (30 bis 600C) umkristallisiert
und zeigten ein gleiches Infrarotspektrum. Das Molekulargewicht wurde mit einem Durchschnittswert von 1245 ermittelt
und der Schmelzpunkt lag bei etwa 168°C bis 1700C.
-13-
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100 Gramm der Substanz wurde dann in Methyl-Äthyl-Kxeton
3
gelöst und die Lösung auf 200 cm gebracht.
gelöst und die Lösung auf 200 cm gebracht.
Fünf Glasscheiben mit einer Länge und Breite von 30s5 cm
und von einer Dicke, die 3,18 mm beträgt, wurden mit dünnen Silberkeramikstreifen beaufschlagt; und zwar entlang zweier
sich gegenüberliegender äußerer Seitenkanten, um nachfolgend wiederum in einem Glühofen auf 677°C gebracht zu werden. Die
Scheiben wurden nach 115SeI^ in denen sie der Wärme ausgesetzt
waren, dem Ofen entnommen und unmittelbar der Sprühpistole zugeführt; und zwar jeweils mit unterschiedlichen
Durchlaufgeschwindigkeiten (rack speed). Alle drei auf die Scheiben aufgesprühten Filmüberzüge waren trübungsfrei und
zeigten ausgezeichnete elektrische Kontaktgabe zwischen Zuführungsschiene und leitender Filmschicht. Im einzelnen wurden
folgende Ergebnisse erzielt:
Lichtdurchlässigkeit "C"
76 79 82 84 87
verwendetes Lösungsvolumen in cm |
Ohm/Quadrat | Dicke |
51 | 31 | 5000 |
41 | 42 | 4000 |
25 | 57 | 2600 |
17 | 85 | 1700 |
14 | 113 | 1400 |
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Um die optimale Konzentration der verwendeten Sprühlösung zu bestimmen, wurden unterschiedliche Substanzmengen in Methyl·-
Äthyl-KVeton gelöst, so daß sich Lösungen unterschiedlicher
Konzentration ergaben. Die hierbei erhaltenen Widerstandswerte wurden in Abhängigkeit von den Konzentrationen in
einem Diagramm oder dergleichen aufgetragen. Hierbei zeigte sich eine kontinuierliche Verringerung der Widerstandswerte
bei Vergrößerung der Konzentrationen. Beispielsweise ergaben 0,65 Gramm von 1,1,3,3^-Tetrabutyl 1,3-Ditrifluoressigsäureüistannoxan
/cm Methyl-Äthyl-KVeton einen Widerstandswert
von 49 Ohm/Quadrat. Die Stärken dieser Proben wurden gleichfalls in Abhängigkeit von der Konzentration der Lösungen
aufgetragen. Hierbei zeigte sich oberhalb von 0,5 Gramm/cm , daß die sich in einer Schleife ändernde Kurve abflacht, d.h.,
es ergab sich oberhalb dieser Konzentration keine merkliche Verbesserung der Effektivität des Filmes.
Ganz allgemein wurden zufriedenstellende Ergebnisse bei der Verwendung von Lösungen erhalten, die so wenig wie 2 Gew.-%
eines Organozinnfluoresters und so viel wie 70 Gew.-% dieses
Esters enthielten.
Auch wurden Versuche durchgeführt, bei denen unterschiedliche Temperaturen zur Anwendung gelangten,und die zeigten,
daß eine Vergrößerung der Dicke mit einer Verkleinerung des Widerstandes bei Erhöhung der Temperaturen erzielt wurden.
-15-
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Diese Versuchsergebnisse wurden durchgeführt, indem die Ofentemperaturen von 427°C bis 732°C variiert wurden; und
zwar in Intervallen von jeweils 28°C. Bei Temperaturen oberhalb von.7 32°C zeigten sich Verwerfungen im Glas, so daß hier
keine sinnvollen Meßergebnisse mehr zu erhalten waren. Wenn alle Faktoren zusammengenommen werden, dann zeigt sich, daß
eine Temperatur von 677°C eine bevorzugte Temperatur darstellt, weil höhere Temperaturen die erzeugten Widerstandswerte
herabsetzen.
Die Effektivität der Filmausbildung und die Eigenleitfähigkeit des sich ergebenden Oxidfilmes kann variieren, wenn man
die Lösungen ändert, indem in diese bestimmte Wassermengen eingebracht werden. So führt beispielsweise die Verwendung
von Methyl-Äthyl-K^eton als Lösungsmittel bei gleicher Sprühgeschwindigkeit
zu dickeren Filmschichten und insgesamt niedrigeren Widerstandswerten. Demgegenüber ergibt sich bei
der Verwendung von Methanol als Lösungsmittel mit 1 % Wasser eine dünnere Filmschicht, aber eine bessere Leitfähigkeit, .
d.h. ein Film mit niedrigerer Eigenleitfähigkeit. Die diversen Unterschiede in der Benutzung unterschiedlicher Lösungsmittel
begründen jedoch nicht, daß es sich bei den Lösungsmitteln um besonders kritische Merkmale nach der Erfindung
handelt; in jedem Fall bleibt die Verwendung von Methyl-Äthyl-K\eton
bevorzugt und vorteilhaft, da dieses Lösungsmittel besonders günstig auf die Filmausbildung Einfluß
nimmt. -16-
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-16-BEISPIEL III
Tributylzinn-Trifluoressigsäure wurde für eine Stunde auf
Rückflußtemperatur erhitzt; und zwar 298 Gramm (0,5 mole) des Bis(tributylzinn)oxids und 114 Gramm (1 mole) der Trifluoressigsäure.
Die Lösung wurde dann unter herabgesetztem Druck zur Entfernung der nicht in Reaktion getretenen Trifluoressigsäure
und des gebildeten Wassers destilliert. Das erhaltene Produkt wurde aus Petroleumäther (30 bis 600C) umkristallisiert,
wobei sich 200 Gramm ergaben (yielding 200 grams) bei einem Schmelzpunkt zwischen 63 bis 64°C.
88 Gramm Tributylzinn-Trifluorazetat wurden in Methyl-Äthyl-Keton
gelöst und die Lösung auf 2oo cm verdünnt.
Eine Glasscheibe von 30,5 cm Länge und 30,5 cm Breite, sowie einer Dicke von 3,18 mm wurde - wie bereits beschrieben - mit
einem Keramikstreifen beaufschlagt und in einem Ofen auf eine Temperatur von 677°C über 115Sekgehalten. Die Scheibe wurde
nach Entnahme aus dem Ofen unmittelbar mit der Tributylzinnazetatlösung
übersprüht und zwar so, daß sich eine
Filmdicke von 1300 8 ergab. Der Widerstandswert des erhaltene)
Filmes betrug 65 Ohm/Quadrat und die Lichtdurchlässigkeit lag bei 87 %. Der aufgetragene Film war frei von jeglichen Trübungen
und zeigte einen sehr guten elektrischen Kontakt mit den Stromzuführungsschienen.
309812/1 172
. Die obige Verfahrensweise wurde wiederholt mit der Ausnahme, daß die Konzentration des Tributylzinn-Trifluorazetats
geändert wurde, und zwar auf 132 Gramm, die im gleichen Volumen Methyl-Äthyl-Keton gelöst wurden. Der sich
hierdurch ergebende Film hatte einen Widerstandswert von 54 Ohm/Quadrat und eine Lichtdurchlässigkeit von 84 %, sowie
eine Dicke von 1600 A. Ein Vergleich dieser Beträge mit den erhaltenen Werten bzw. den Lösungen gemäß Beispiel I
und II zeigt, daß Tributylzinn-Trifluorazetat einen Film
ergibt, welcher die beste Eigenleitfähigkeit zeigt.
Fluorester der Keptafluorbuttersäure und Pentafluorpropionsäure wurden auf Rückflußtemperatur gebracht, und zwar 1 Mo 3
des Dibutylzinnoxids mit 2 Molen der entsprechenden Säure für eine Zeitdauer von 2 Stunden und dann rekristallisiertj
indem die oben bereits genannten Verfahren Anwendung finden. Daraufhin wurden folgende Lösungen hergestellt:
Lösungen A und B - 50 Gramm und 146 Gramm des Heptafluorbuttersäure-Esters
in Methyl-Äthyl-Keton gelöst und auf ein Gesamtvolumen von 200 cm verdünnt.
Lösungen C und D - 82 Gramm und 122 Gramm des Pentafluorpropion-Esters gelöst in Methyl-Äthyl-Keton und auf ein
3
Gesamtvolumen von 200 cm gebracht.
Gesamtvolumen von 200 cm gebracht.
Vier Floatglasscheiben mit einer Länge von 30,5 und einer Breite von 30,5 sowie einer Dicke von 3,18 mm wurden,
-18-
309812/1172
nachdem sie mit dünnen Silberkeramikstreifen versehen worden sind, die sich entlang zweier gegenüberliegender Randkanten
erstreckten, in einem Ofen auf 677°C gebracht. Jede Scheibe wurde nach einer Temperatureinwirkzeit von 115 Sek. dem Ofen
entnommen und an der Sprühpistole vorbeibewegt, um mit den verschiedenen Lösungen besprüht zu werden. Hierbei ergaben
sich Filme mit folgenden Eigenschaften:
Lösung Ohm/Quadrat Dicke Lichtdurchlässigkeit "CM(%-)>
A | 220 | 1000 S | 87 |
B | 132 | 1400 R | 86 |
C | 230 | 1000 S | 88 |
D | 167 | 1700 8 | 85 |
Alle auf diese Weise hergestellten Filme waren frei von jeglichen Trübungen und zeigten gute elektrische Leitfähigkeit
gegen die Stromzuführungsleisten.
Während die in der oben beschriebenen Weise hergestellten Filmüberzüge zufriedenstellende Ergebnisse und durchaus
akzeptierbare elektrische und optische Eigenschaften zeigten
ergaben diese Ergebnisse auch, daß die Wirksamkeit der Aus-
bildung des Films, beispielsweise für üibutylzinn-Trifluor- j
azetat oder andere Salze der Trifluoressigsäure, sich ver-
-19-
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ringerte bei Verlängerung bzw. Vergrößerung der fluorirten
G-ruppe.
Die erfindungsgemäß verwendeten Verbindungen führten zu
geringen vViderstandswerte, guten elektrischen leitfähigen
-Filmen- bei nur einem Durchgang der Glasscheiben durch den
Ufen und durch die Sprühkammer, ohne daß irgendwelche Vorbehandlungen
der (ilasoberflachen erforderlich sind. Auch sind
keine speziellen Techniken zur Verbesserung der Filmeigenschaften und insbesondere des Filmes gegenüber der Stromzuführungsstreif
en erforderlich. Auch ist es möglich, eine Temperung des ülases vorzunehmen*? äaß e.s em zweites Mal durch
den Wärmeofen hindurchgeschickt weruen muß, um, wie bisher, Verwerfungen auszuschließen. Schließlich beseitigt die selbstaktivierte
bprühlösung auch dao Problem der Zersetzung, wie
es bisher für organische,elektrisch leitende filmscmchten
ausbildende Lösungen gegeoen ist.
-20-
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Claims (3)
1. Verfahren zur Herstellung eines transparenten elektrisch
leitenden Filmes auf einer Überfläche eines Subtrates bzw. Baaismuterialsjbei dem das Basismaterial zunächst
auf eine Temperatur erhitzt wird, die im Bereich zwischen 427°U bis 704° C liegt, dadurch gekennzeichnet
, dab auf die erhitzte Überfläche eine Lösung exnea ürganozinn-Fluoresters aufgebracht wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
der üster exn ürganozinnsalz der Trifluoreesigsäure ist.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der üster ein Zinn(II)-Trifluoracetat (stannous trifluoroacetate)
ist.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
der jister aus einer Gruppe ausgewählt worden iet, deren
allgemeine Strukturformel:
HxSn (üiö-ft')y
und
, -8η -O -Sn-H,
Ο-C-fi« 0-C-H1
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-21-
ist, wobei R eine aliphatische oder aromatische Gruppe
und Hf ein ELuorkohlenstoff der Strukturformel C Ϊ'
ist mit η als ganze Zahl und χ als ein "wert von 0 bis 3
und-y als ein v/ert von 1 bis 2, jedoch wenigstens 2 wenn
x=0 ist.
5. Verfahren nach Anspruch 1 bis 4» dadurch gekennzeichnet,
daia das Substrat bzw. das Basismaterial Alkali-Kalk-Kieselsäureglas
ist und daß die Oberfläche dieses Materials auf eine Temperatur von annähernd 677°0 (125O0JJ1) erhitzt
wird.
6. Verfahren nach Anspruch 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet,
daß die Lösung .auf die Oberfläche gesprüht wird, während das Basismaterial an der Sprühvorrichtung vorbeibewegt wird
7. Verbindung zur Ausbildung eines filmartigen Überzuges gemäß dem Verfahren nach Anspruch 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet,
daß die Verbindung »uac 2 bis 70 Gewichtsprozent
eines Organozinnsalzes der i'rifluoressigsäure
und 30 bis 90 Gewichtsprozent einer Lösung dieses Salzes enthält.
-22-
3098 12/1172
8. Verbindung nach Anspruch 71 dadurch gekennzeicnnet, daß
das Organoziniisalz Zinn(Ii)-Trii'luuracetat ist.
9. Verbindung nach Anspruch 7i dadurch gekennzeichnet, daß
das Ürganozinnsalz 1, 1, 3» jS-'-Cetrabutyl 1,3-Uitriiluoracetat-Distannoxan.istir
lü. Verbindung nach Anspruch 9>
dadurch gekennzeichnet, daß das Lösungsmittel Methyl-Äthyl-Keton ibt und daß die
Konzentration der Lösung bei annähernd 0,5 Gramm dea ^alzes pro cm Löaungümittel liegt.
Konzentration der Lösung bei annähernd 0,5 Gramm dea ^alzes pro cm Löaungümittel liegt.
11. Verbindung nach Anspruch 7» dadurcn gekennzeichnet, daß
das balz aus einer Gruppe ausgewählt worden ist, deren
allgemeine btrukturformei wie i'olgt darzusteilen ist:
allgemeine btrukturformei wie i'olgt darzusteilen ist:
H ün(0~ü-xi' )y
und
und
-C-R'
wobei R eine aliphatische oder aromatische Gruppe und
ti1 ein ii'luorkohleristoff der Strukturformel 0 Β1,-, , iut
η £?n t-i
mit η als eine ganze Zahl, χ a Lu em Betrag von O biu j
3 0 9 8 12/1172
und y ein Wert von 1 bis 2, jedoch wenigstens 2 wenn x = Ü ist.
12. Verbindung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß das Lösungsmittel Methyl-Äthyl-Keton ist.
Seilet, FiuiVaxc, Mo
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