JPH05120933A - 透明導電膜の形成方法 - Google Patents
透明導電膜の形成方法Info
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- JPH05120933A JPH05120933A JP28445691A JP28445691A JPH05120933A JP H05120933 A JPH05120933 A JP H05120933A JP 28445691 A JP28445691 A JP 28445691A JP 28445691 A JP28445691 A JP 28445691A JP H05120933 A JPH05120933 A JP H05120933A
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/1204—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
- C23C18/1208—Oxides, e.g. ceramics
- C23C18/1216—Metal oxides
-
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 低抵抗で高透過率の透明導電膜を安定して形
成することが可能な透明導電膜の形成方法を提供するこ
とを目的とする。 【構成】 インジウムとスズのそれぞれの熱分解性化合
物、またはスズの熱分解性化合物を含む透明導電膜形成
用組成物を基板２の表面に担持し、透明導電膜形成用組
成物を輻射熱により加熱熱分解する、基板２上への透明
導電膜の形成方法である。
成することが可能な透明導電膜の形成方法を提供するこ
とを目的とする。 【構成】 インジウムとスズのそれぞれの熱分解性化合
物、またはスズの熱分解性化合物を含む透明導電膜形成
用組成物を基板２の表面に担持し、透明導電膜形成用組
成物を輻射熱により加熱熱分解する、基板２上への透明
導電膜の形成方法である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はガラス、セラミックス等
の基板上に、透明導電膜を形成するための形成方法に関
するものである。
の基板上に、透明導電膜を形成するための形成方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示素子、エレクトロルミネッセン
ス（ＥＬ）表示素子などの表示素子類の電極や、自動
車、航空機、建築物などの窓ガラスの防曇または氷結防
止のための発熱抵抗体において、可視光に対して高透過
性を有する電極材料が使用されている。
ス（ＥＬ）表示素子などの表示素子類の電極や、自動
車、航空機、建築物などの窓ガラスの防曇または氷結防
止のための発熱抵抗体において、可視光に対して高透過
性を有する電極材料が使用されている。
【０００３】このような透明導電性材料として、酸化ス
ズ、酸化スズ・酸化アンチモン系（ＡＴＯ）、酸化イン
ジウム・酸化スズ系（ＩＴＯ）などが知られており、こ
れらの金属酸化物はガラスまたはセラミック基板上に容
易に被膜を形成し、透明導電膜とすることができる。
ズ、酸化スズ・酸化アンチモン系（ＡＴＯ）、酸化イン
ジウム・酸化スズ系（ＩＴＯ）などが知られており、こ
れらの金属酸化物はガラスまたはセラミック基板上に容
易に被膜を形成し、透明導電膜とすることができる。
【０００４】透明導電膜の形成方法としては、次の方法
が知られている。 (1)真空蒸着法 酸化スズをＥＢ法などにより直接基板に蒸着成膜する方
法である。 (2)スパッタリング法 ＩＴＯなどをターゲットにしてＲＦスパッタリング法で
成膜する方法である。 (3)ＣＶＤ法・熱分解法 ＳｎＣｌ2などを加熱した基板に塗布する事によりＳｎ
Ｏ2膜などを形成する方法である。 (4)塗布法 ＳｎやＩｎの有機化合物をバインダなどを添加して増粘
しペースト状にしてこれをスクリーン印刷熱分解する方
法である。 (5)ディップ法 ＳｎやＩｎの化合物を溶剤に溶かし、これに基板をディ
ップして加熱熱分解する方法である。
が知られている。 (1)真空蒸着法 酸化スズをＥＢ法などにより直接基板に蒸着成膜する方
法である。 (2)スパッタリング法 ＩＴＯなどをターゲットにしてＲＦスパッタリング法で
成膜する方法である。 (3)ＣＶＤ法・熱分解法 ＳｎＣｌ2などを加熱した基板に塗布する事によりＳｎ
Ｏ2膜などを形成する方法である。 (4)塗布法 ＳｎやＩｎの有機化合物をバインダなどを添加して増粘
しペースト状にしてこれをスクリーン印刷熱分解する方
法である。 (5)ディップ法 ＳｎやＩｎの化合物を溶剤に溶かし、これに基板をディ
ップして加熱熱分解する方法である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の(1)、
(2)、(3)の方法は、装置が複雑かつ高価で、コストと量
産性に問題がある。また、(4)、(5)の方法は、上記の
(1)、(2)、(3)の方法の問題点を解決する可能性を有し
ているものの、実用に耐えうる膜を形成することが困難
であった。特にこれまでは(4)、(5)の熱分解法では基板
に担持した熱分解性組成物を非加圧雰囲気で対流伝熱に
よって加熱していた。この方法では、熱分解組成物が表
面から加熱乾燥され、皮膜の表面部分に半硬化スキン層
が形成される。さらに加熱が進むと熱分解組成物の膜の
内部が熱分解されこの時発生する分解ガスが先の半硬化
スキン層を破って膜の外に出ようとするために、得られ
た膜に亀裂ができたり、膜の電気抵抗値や光透過性に不
均一性が見られた。
(2)、(3)の方法は、装置が複雑かつ高価で、コストと量
産性に問題がある。また、(4)、(5)の方法は、上記の
(1)、(2)、(3)の方法の問題点を解決する可能性を有し
ているものの、実用に耐えうる膜を形成することが困難
であった。特にこれまでは(4)、(5)の熱分解法では基板
に担持した熱分解性組成物を非加圧雰囲気で対流伝熱に
よって加熱していた。この方法では、熱分解組成物が表
面から加熱乾燥され、皮膜の表面部分に半硬化スキン層
が形成される。さらに加熱が進むと熱分解組成物の膜の
内部が熱分解されこの時発生する分解ガスが先の半硬化
スキン層を破って膜の外に出ようとするために、得られ
た膜に亀裂ができたり、膜の電気抵抗値や光透過性に不
均一性が見られた。
【０００６】例えば、硝酸インジウム、塩化インジウ
ム、塩化第２スズ等の無機化合物の有機溶液を使用し、
これを加熱した場合は、形成された膜に白濁を生じた
り、得られた膜の機械的強度が不足で容易に傷がつい
た。また、オクチル酸インジウム等のイオン結合性の強
い有機酸インジウムを用いる方法においては、有機酸イ
ンジウムが加水分解し易く、比較的容易に化学変化する
ために、塗布液のゲル化が生じる等の欠点がある。これ
を対流伝熱加熱すると良質な膜が得られない。さらに、
インジウムやスズの有機錯体を使用する方法において
も、従来の熱分解法では基板に塗布した後の塗膜の熱分
解時において、スズ化合物の蒸散等により、膜の均一化
が阻害されるために、低抵抗の均質膜が得られない等の
欠点がある。
ム、塩化第２スズ等の無機化合物の有機溶液を使用し、
これを加熱した場合は、形成された膜に白濁を生じた
り、得られた膜の機械的強度が不足で容易に傷がつい
た。また、オクチル酸インジウム等のイオン結合性の強
い有機酸インジウムを用いる方法においては、有機酸イ
ンジウムが加水分解し易く、比較的容易に化学変化する
ために、塗布液のゲル化が生じる等の欠点がある。これ
を対流伝熱加熱すると良質な膜が得られない。さらに、
インジウムやスズの有機錯体を使用する方法において
も、従来の熱分解法では基板に塗布した後の塗膜の熱分
解時において、スズ化合物の蒸散等により、膜の均一化
が阻害されるために、低抵抗の均質膜が得られない等の
欠点がある。
【０００７】本発明は、従来のこのような課題を解決す
るもので、低抵抗で高透過率の透明導電膜を安定して形
成することが可能な透明導電膜の形成方法を提供するこ
とを目的とする。
るもので、低抵抗で高透過率の透明導電膜を安定して形
成することが可能な透明導電膜の形成方法を提供するこ
とを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１の本発明は、イ
ンジウムとスズのそれぞれの熱分解性化合物、またはス
ズの熱分解性化合物を含む透明導電膜形成用組成物を基
板の表面に担持し、透明導電膜形成用組成物を輻射熱に
より加熱熱分解する、基板上への透明導電膜の形成方法
である。
ンジウムとスズのそれぞれの熱分解性化合物、またはス
ズの熱分解性化合物を含む透明導電膜形成用組成物を基
板の表面に担持し、透明導電膜形成用組成物を輻射熱に
より加熱熱分解する、基板上への透明導電膜の形成方法
である。
【０００９】請求項４の本発明は、インジウムとスズの
それぞれの熱分解性化合物、またはスズの熱分解性化合
物を含む透明導電膜形成用組成物を基板の表面に担持
し、透明導電膜形成用組成物を半密閉雰囲気によって加
圧して、輻射熱により加熱熱分解する、基板上への透明
導電膜の形成方法である。
それぞれの熱分解性化合物、またはスズの熱分解性化合
物を含む透明導電膜形成用組成物を基板の表面に担持
し、透明導電膜形成用組成物を半密閉雰囲気によって加
圧して、輻射熱により加熱熱分解する、基板上への透明
導電膜の形成方法である。
【００１０】
【作用】請求項１の本発明は、輻射伝熱によって熱分解
性組成物が均一に加熱され、皮膜の表面部分に半硬化ス
キン層が形成されにくい。
性組成物が均一に加熱され、皮膜の表面部分に半硬化ス
キン層が形成されにくい。
【００１１】請求項４の本発明は、熱分解によって発生
するガスが、半密閉雰囲気の空間で熱分解反応を自動的
に加圧制御するため、突発的な熱分解反応の進行が抑制
され亀裂などの欠陥の無い均一な特性の透明導電膜が速
やかに得られる。
するガスが、半密閉雰囲気の空間で熱分解反応を自動的
に加圧制御するため、突発的な熱分解反応の進行が抑制
され亀裂などの欠陥の無い均一な特性の透明導電膜が速
やかに得られる。
【００１２】
【実施例】以下に、本発明の実施例について図面を参照
して説明する。
して説明する。
【００１３】（実施例１）１リッターの三角フラスコ
に、45ｇの硝酸インジウム（化１）を秤量し、50ｇのア
セチルアセトンを加えて、室温で混合・溶解させた。そ
の溶液に、０［（数１）で０wt％］〜8.1ｇ［（数１）
で30wt％］のシュウ酸第１スズ（化２）とアセトンを加
えて還流した。その還流後の溶液を、室温付近まで冷却
し、10ｇのグリセリンを加えて、撹拌・混合し、透明導
電膜形成用組成物を合成した。
に、45ｇの硝酸インジウム（化１）を秤量し、50ｇのア
セチルアセトンを加えて、室温で混合・溶解させた。そ
の溶液に、０［（数１）で０wt％］〜8.1ｇ［（数１）
で30wt％］のシュウ酸第１スズ（化２）とアセトンを加
えて還流した。その還流後の溶液を、室温付近まで冷却
し、10ｇのグリセリンを加えて、撹拌・混合し、透明導
電膜形成用組成物を合成した。
【００１４】
【化１】In(NO3)3・3H2O
【００１５】
【化２】SnC2O4 このようにして得られた透明導電膜形成用組成物に、Si
O2コート並ガラス基板を60cm/minの引き上げ速度でディ
ップコートした。基板を５分間室温で放置し、100℃で
５分間乾燥した後、図１に示す電気炉の炉室１中に前記
基板２を配置し、室温から３０℃／分の速度で５００℃
まで加熱昇温し、５００℃で１時間保持した。但し、本
実施例においては電気炉の材質は厚さが１０ｍｍのステ
ンレス鋼で、電気炉の底部３に温度センサ５及び電熱ヒ
ータ４が設置されている。温度センサ５及び電熱ヒータ
４は、炉室１内の温度を制御するために、温度制御回路
６に接続されている。電気炉の横部７、８と蓋部９とに
は加熱ヒータは設けられていない。蓋部９には炉室１内
と外部とを連結する小孔１０が設けられ、熱分解時に発
生するガスによる炉室１内のガス圧が５〜１００mmH2O
になるように設計されている。
O2コート並ガラス基板を60cm/minの引き上げ速度でディ
ップコートした。基板を５分間室温で放置し、100℃で
５分間乾燥した後、図１に示す電気炉の炉室１中に前記
基板２を配置し、室温から３０℃／分の速度で５００℃
まで加熱昇温し、５００℃で１時間保持した。但し、本
実施例においては電気炉の材質は厚さが１０ｍｍのステ
ンレス鋼で、電気炉の底部３に温度センサ５及び電熱ヒ
ータ４が設置されている。温度センサ５及び電熱ヒータ
４は、炉室１内の温度を制御するために、温度制御回路
６に接続されている。電気炉の横部７、８と蓋部９とに
は加熱ヒータは設けられていない。蓋部９には炉室１内
と外部とを連結する小孔１０が設けられ、熱分解時に発
生するガスによる炉室１内のガス圧が５〜１００mmH2O
になるように設計されている。
【００１６】（実施例２）実施例１において、基板２を
予め５００℃に加熱した電気炉の炉室に配置し３０分間
保持した。
予め５００℃に加熱した電気炉の炉室に配置し３０分間
保持した。
【００１７】（実施例３）図２に示すように、実施例１
と同様の電気炉に、さらに蓋部１２に電熱ヒータ１４及
び温度センサ１６を設置し、それら温度センサ５及び電
熱ヒータ４を温度制御回路１８に接続した。底部１１に
は、実施例１の電気炉と同じように電熱ヒータ１３及び
温度センサ１５が設けられ、それらには温度制御回路１
７が接続され、蓋部１２には炉室１内と外部とを連結す
る小孔１０が設けられている。
と同様の電気炉に、さらに蓋部１２に電熱ヒータ１４及
び温度センサ１６を設置し、それら温度センサ５及び電
熱ヒータ４を温度制御回路１８に接続した。底部１１に
は、実施例１の電気炉と同じように電熱ヒータ１３及び
温度センサ１５が設けられ、それらには温度制御回路１
７が接続され、蓋部１２には炉室１内と外部とを連結す
る小孔１０が設けられている。
【００１８】上述の電気炉を用いて、基板２の表面およ
び裏面の温度が同じパターンで昇温するように、それぞ
れの炉壁の温度を個別に制御した。
び裏面の温度が同じパターンで昇温するように、それぞ
れの炉壁の温度を個別に制御した。
【００１９】（実施例４）実施例１と同じ透明導電膜形
成用組成物を用いてこれを担持した基板２５を図３に示
すような蓋部２０に小孔２１を有するアルミナ製の箱２
２に配置し、この箱２２を図４に示すトンネル式の連続
加熱炉中を搬送ベルト２３により連続的に移動させて、
加熱用ヒータ２４によって加熱する。この時の最高到達
温度は５００℃で加熱時間は約２０分である。
成用組成物を用いてこれを担持した基板２５を図３に示
すような蓋部２０に小孔２１を有するアルミナ製の箱２
２に配置し、この箱２２を図４に示すトンネル式の連続
加熱炉中を搬送ベルト２３により連続的に移動させて、
加熱用ヒータ２４によって加熱する。この時の最高到達
温度は５００℃で加熱時間は約２０分である。
【００２０】（実施例５）１リッターの三角フラスコ
に、45ｇの硝酸インジウム（化１）と5.4ｇ［（数１）
で10wt％］の塩化第２スズ（化３）とアセトンを加え
て、撹拌・混合し、透明導電膜形成用組成物を合成し
た。その透明導電膜形成用組成物に、SiO2コート並ガラ
ス基板を60cm/minの引き上げ速度でディップコートし
た。その基板を５分間室温で放置し、100℃で５分間乾
燥した後、実施例２と同じ方法で加熱焼成した。
に、45ｇの硝酸インジウム（化１）と5.4ｇ［（数１）
で10wt％］の塩化第２スズ（化３）とアセトンを加え
て、撹拌・混合し、透明導電膜形成用組成物を合成し
た。その透明導電膜形成用組成物に、SiO2コート並ガラ
ス基板を60cm/minの引き上げ速度でディップコートし
た。その基板を５分間室温で放置し、100℃で５分間乾
燥した後、実施例２と同じ方法で加熱焼成した。
【００２１】
【化３】SnCl4・5H2O 本発明の比較例を以下に示す。
【００２２】（比較例１）実施例１と同じ透明導電膜形
成用組成物を基板にディップ法で担持し、これを対流伝
導伝熱が主体の電気炉中で５００℃で１時間保持して透
明導電膜を得た。
成用組成物を基板にディップ法で担持し、これを対流伝
導伝熱が主体の電気炉中で５００℃で１時間保持して透
明導電膜を得た。
【００２３】（比較例２）実施例５と同じ透明導電膜形
成用組成物を基板にディップ法で担持し、これを比較例
１と同じ電気炉と条件で加熱熱分解した。
成用組成物を基板にディップ法で担持し、これを比較例
１と同じ電気炉と条件で加熱熱分解した。
【００２４】表１に結果を示す。なお得られた膜の膜厚
はいずれも５０ｎｍであった。
はいずれも５０ｎｍであった。
【００２５】
【表１】
【００２６】なお、本発明の半密閉雰囲気は前述のよう
に透明導電膜形成用組成物の熱分解反応を制御するもの
で、反応圧を抑制するための最適な雰囲気ガス圧が必要
である。種々検討の結果、次のような炉の設計値が最適
な熱分解反応をもたらすことが判明した。
に透明導電膜形成用組成物の熱分解反応を制御するもの
で、反応圧を抑制するための最適な雰囲気ガス圧が必要
である。種々検討の結果、次のような炉の設計値が最適
な熱分解反応をもたらすことが判明した。
【００２７】(1)半密閉雰囲気の空間の体積（Ｖ）とガ
ス排気のための小孔の面積（Ａ）との比（Ｖ／Ａ）が50
〜2000 cm3/cm2の範囲であること。
ス排気のための小孔の面積（Ａ）との比（Ｖ／Ａ）が50
〜2000 cm3/cm2の範囲であること。
【００２８】(2)熱分解時に発生する分解ガス量（Ｂ）
とガス排気のための小孔の面積（Ａ）との比（Ｂ／Ａ）
が100〜10000 ml/cm2の範囲であること。
とガス排気のための小孔の面積（Ａ）との比（Ｂ／Ａ）
が100〜10000 ml/cm2の範囲であること。
【００２９】(3)熱分解時に発生する分解ガス量（Ｂ）
と半密閉雰囲気の空間の体積（Ｖ）との比（Ｂ／Ｖ）が
0.01〜1000 ml/cm3の範囲であること。
と半密閉雰囲気の空間の体積（Ｖ）との比（Ｂ／Ｖ）が
0.01〜1000 ml/cm3の範囲であること。
【００３０】(4)熱分解中の半密閉雰囲気の空間の圧力
が5〜100 mmH2Oの範囲であること。
が5〜100 mmH2Oの範囲であること。
【００３１】また、無機インジウム化合物に対する有機
スズ化合物の配合比は、（数１）で5〜20wt％の範囲で
あることが望ましい。
スズ化合物の配合比は、（数１）で5〜20wt％の範囲で
あることが望ましい。
【００３２】また、本発明に用いる透明導電膜形成用組
成物としては、種々のものが効果を示すが、特に、無機
インジウム化合物と有機スズ化合物と、インジウムとス
ズのいずれにも配位可能な例えば、β−シ゛ケトン類、α−
またはβ−ケトン酸類、前記ケトン酸類のエステル類、α−または
β−アミノアルコール類からなる群から選ばれる有機化合物とか
らなる有機溶液を加熱処理して部分的に加水分解させ、
前記有機溶液に多価アルコール類を混合したものである
ものが望ましい。この液は、加熱処理により、有機化合
物が１部配位した無機インジウム化合物と有機スズ化合
物と無機インジウム化合物が含有する結晶水が反応し、
有機スズ化合物が部分的に加水分解されて、インジウム
とスズの中間複合化合物を形成する。これによって従来
の課題であったスズの蒸散による膜の不均一化を抑え、
得られる膜の低抵抗率と高透過率を与える。また、多価
アルコール類の添加により、溶液の増粘効果と、前記組
成物を基板に塗布・乾燥して得られる被膜の安定性が得
られる。
成物としては、種々のものが効果を示すが、特に、無機
インジウム化合物と有機スズ化合物と、インジウムとス
ズのいずれにも配位可能な例えば、β−シ゛ケトン類、α−
またはβ−ケトン酸類、前記ケトン酸類のエステル類、α−または
β−アミノアルコール類からなる群から選ばれる有機化合物とか
らなる有機溶液を加熱処理して部分的に加水分解させ、
前記有機溶液に多価アルコール類を混合したものである
ものが望ましい。この液は、加熱処理により、有機化合
物が１部配位した無機インジウム化合物と有機スズ化合
物と無機インジウム化合物が含有する結晶水が反応し、
有機スズ化合物が部分的に加水分解されて、インジウム
とスズの中間複合化合物を形成する。これによって従来
の課題であったスズの蒸散による膜の不均一化を抑え、
得られる膜の低抵抗率と高透過率を与える。また、多価
アルコール類の添加により、溶液の増粘効果と、前記組
成物を基板に塗布・乾燥して得られる被膜の安定性が得
られる。
【００３３】また、上記実施例では、輻射加熱によって
透明導電膜を形成する場合に、半密閉雰囲気において加
圧したが、これに代えて、加圧装置によって大気圧より
高い圧力で加圧してもよい。あるいは加圧はせずに大気
圧中で輻射加熱を行ってもよい。
透明導電膜を形成する場合に、半密閉雰囲気において加
圧したが、これに代えて、加圧装置によって大気圧より
高い圧力で加圧してもよい。あるいは加圧はせずに大気
圧中で輻射加熱を行ってもよい。
【００３４】また、上記実施例では、加熱は輻射加熱を
用いたが、加圧装置によって大気圧より高い圧力で加圧
して、例えば対流加熱で加熱してもよい。
用いたが、加圧装置によって大気圧より高い圧力で加圧
して、例えば対流加熱で加熱してもよい。
【００３５】また、上記実施例４では、透明導電膜形成
用組成物を加熱するために用いた箱はアルミナ製であっ
たが、これに限らず、同様の機能を有する他のセラミッ
ク材料、あるいは又金属やガラスを用いてもよい。
用組成物を加熱するために用いた箱はアルミナ製であっ
たが、これに限らず、同様の機能を有する他のセラミッ
ク材料、あるいは又金属やガラスを用いてもよい。
【００３６】また、上記実施例では、電気炉の壁はステ
ンレス製であったが、セラミック材料やガラスであって
もよい。
ンレス製であったが、セラミック材料やガラスであって
もよい。
【００３７】また、本発明の透明導電膜形成方法を用い
れば、特にガラス基板などの透明な基板の両面に透明導
電膜を形成する方法としては最適であり、ＥＬタッチパ
ネルなどの用途が考えられる。
れば、特にガラス基板などの透明な基板の両面に透明導
電膜を形成する方法としては最適であり、ＥＬタッチパ
ネルなどの用途が考えられる。
【００３８】また、上記実施例では、透明導電膜を形成
するのに輻射加熱を用いたが、例えば基板の片面に透明
導電膜を形成する場合は、伝導加熱を用いてもよい。
するのに輻射加熱を用いたが、例えば基板の片面に透明
導電膜を形成する場合は、伝導加熱を用いてもよい。
【００３９】
【発明の効果】以上述べたところから明らかなように本
発明は、膜に亀裂が無く、透過性に優れた、非常に均質
な特性を有する透明導電膜が得られ、低抵抗で高透過率
の透明導電膜を安定して形成することができるという長
所を有する。
発明は、膜に亀裂が無く、透過性に優れた、非常に均質
な特性を有する透明導電膜が得られ、低抵抗で高透過率
の透明導電膜を安定して形成することができるという長
所を有する。
【図１】 本発明にかかる透明導電膜の形成方法に用い
る電気炉の一例の構成図である。
る電気炉の一例の構成図である。
【図２】 本発明の他の実施例に用いる電気炉の構成図
である。
である。
【図３】 本発明の他の実施例に用いる熱分解雰囲気を
作るための箱を示す図である。
作るための箱を示す図である。
【図４】 本発明の図３の箱を加熱するために用いるト
ンネル式電気炉の構成図である。
ンネル式電気炉の構成図である。
１ 炉室 ２ 基板 ４ 電熱ヒータ ５ 温度センサ ６ 温度制御回路 １０ 小孔
Claims (18)
- 【請求項１】 インジウムとスズのそれぞれの熱分解性
化合物、またはスズの熱分解性化合物を含む透明導電膜
形成用組成物を基板の表面に担持し、前記透明導電膜形
成用組成物を輻射熱により加熱熱分解する、前記基板上
への透明導電膜の形成方法。 - 【請求項２】 インジウムとスズのそれぞれの熱分解性
化合物、またはスズだけの熱分解性化合物を含む透明導
電膜形成用組成物を基板の表面に担持し、前記透明導電
膜形成用組成物を大気圧よりも高い圧力に加圧して、加
熱熱分解する、前記基板上への透明導電膜の形成方法。 - 【請求項３】 インジウムとスズのそれぞれの熱分解性
化合物、またはスズの熱分解性化合物を含む透明導電膜
形成用組成物を基板の表面に担持し、前記透明導電膜形
成用組成物を大気圧よりも高い圧力に加圧して、輻射熱
により加熱熱分解する、前記基板上への透明導電膜の形
成方法。 - 【請求項４】 加圧は、半密閉雰囲気で行われることを
特徴とする請求項３記載の透明導電膜の形成方法。 - 【請求項５】 透明導電膜形成用組成物が、無機インジ
ウム化合物と有機スズ化合物と、インジウムとスズのい
ずれにも配位可能な有機化合物とからなる有機溶液を加
熱処理して部分的に加水分解させ、前記有機溶液に多価
アルコール類を混合したものであることを特徴とする請
求項１、２、３、又は４記載の透明導電膜の形成方法。 - 【請求項６】 半密閉雰囲気での加熱熱分解が、金属、
ガラス、またはセラミック材料より成る壁で囲まれ、か
つ前記壁にガス排気のための小孔を有する半密閉の空間
で行われ、前記壁のガス排気のための前記小孔の面積
（Ａ）と透明導電膜形成用組成物の熱分解時に発生する
分解ガス量（Ｂ）との比により、前記半密閉の空間内の
雰囲気圧力が自己制御されることを特徴とする請求項４
記載の透明導電膜の形成方法。 - 【請求項７】 半密閉の空間を構成している上・下・横
部の壁温度が、基板の表部、裏部に形成される透明導電
膜の特性が均一になるように個別に制御されることを特
徴とする請求項４記載の透明導電膜の形成方法。 - 【請求項８】 半密閉加熱が、炉壁からの直接加熱、ま
たは炉壁からの受熱により加熱された半密閉加熱箱の
中、のいずれかで行うことを特徴とする請求項４記載の
透明導電膜の形成方法。 - 【請求項９】 熱分解中の半密閉雰囲気の空間の圧力が
5〜100mmH2Oの範囲であることを特徴とする請求項６記
載の透明導電膜の形成方法。 - 【請求項１０】 半密閉雰囲気の空間の体積（Ｖ）とガ
ス排気のための小孔の面積（Ａ）との比（Ｖ／Ａ）が50
〜2000cm3/cm2の範囲であることを特徴とする請求項６
記載の透明導電膜の形成方法。 - 【請求項１１】 熱分解時に発生する分解ガス量（Ｂ）
とガス排気のための小孔の面積（Ａ）との比（Ｂ／Ａ）
が100〜10000ml/cm2の範囲であることを特徴とする請求
項６記載の透明導電膜の形成方法。 - 【請求項１２】 熱分解時に発生する分解ガス量（Ｂ）
と半密閉雰囲気の空間の体積（Ｖ）との比（Ｂ／Ｖ）が
0.01〜1000ml/cm3の範囲であることを特徴とする請求項
６記載の透明導電膜の形成方法。 - 【請求項１３】 無機インジウム化合物に対する有機ス
ズ化合物の配合比が、（数１）で5〜20wt％の範囲にあ
ることを特徴とする請求項５記載の透明導電膜の形成方
法。 【数１】Sn/(In+Sn)×100 - 【請求項１４】 無機インジウム化合物が、硝酸インジ
ウムまたは塩化インジウムであることを特徴とする請求
項５記載の透明導電膜の形成方法。 - 【請求項１５】 有機スズ化合物が、カルボン酸塩また
はジカルボン酸塩であることを特徴とする請求項５記載
の透明導電膜の形成方法。 - 【請求項１６】 配位可能な有機化合物が、β−シ゛ケトン
類、α−またはβ−ケトン酸類、前記ケトン酸類のエステル類、α
−またはβ−アミノアルコール類からなる群から選ばれるもので
あることを特徴とする請求項５記載の透明導電膜の形成
方法。 - 【請求項１７】 透明導電膜形成用組成物を基板の表面
に担持し、前記透明導電膜形成用組成物を輻射熱により
加熱熱分解する、前記基板上への透明導電膜の形成方
法。 - 【請求項１８】 透明導電膜形成用組成物を基板の表面
に担持し、前記透明導電膜形成用組成物を大気圧よりも
高い圧力に加圧して、加熱熱分解する、前記基板上への
透明導電膜の形成方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28445691A JPH05120933A (ja) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | 透明導電膜の形成方法 |
| EP92112620A EP0524630B1 (en) | 1991-07-24 | 1992-07-23 | Composition for use in a transparent and electrically conductive film and a method for making the film |
| DE69223186T DE69223186T2 (de) | 1991-07-24 | 1992-07-23 | Zusammensetzung zur Verwendung in einem transparenten elektrisch leitenden Film sowie Verfahren zur Herstellung dieses Films |
| US08/478,342 US5578248A (en) | 1991-07-24 | 1995-06-07 | Composition for use in a transparent and electrically conductive film and a method for making the film |
| US08/697,512 US5998011A (en) | 1991-07-24 | 1996-08-26 | Composition for use in a transparent and electrically conductive film and a method for making the film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28445691A JPH05120933A (ja) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | 透明導電膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05120933A true JPH05120933A (ja) | 1993-05-18 |
Family
ID=17678776
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28445691A Pending JPH05120933A (ja) | 1991-07-24 | 1991-10-30 | 透明導電膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05120933A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP4148162A1 (de) * | 2021-09-13 | 2023-03-15 | Behzad Sahabi | Beschichtungsverfahren und vorrichtung zum ausbilden einer barriereschicht zur erhöhung der impermeabilität und korrosionsbeständigkeit, beschichtung und gebinde zur einbettung und versiegelung radioaktiver körper für die endlagerung, sowie verfahren zur herstellung des gebindes |
-
1991
- 1991-10-30 JP JP28445691A patent/JPH05120933A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP4148162A1 (de) * | 2021-09-13 | 2023-03-15 | Behzad Sahabi | Beschichtungsverfahren und vorrichtung zum ausbilden einer barriereschicht zur erhöhung der impermeabilität und korrosionsbeständigkeit, beschichtung und gebinde zur einbettung und versiegelung radioaktiver körper für die endlagerung, sowie verfahren zur herstellung des gebindes |
| WO2023036489A3 (de) * | 2021-09-13 | 2023-05-04 | Behzad Sahabi | Beschichtungsverfahren und vorrichtung zum ausbilden einer barriereschicht zur erhöhung der impermeabilität und korrosionsbeständigkeit, beschichtung und gebinde zur einbettung und versiegelung radioaktiver körper für die endlagerung, sowie verfahren zur herstellung des gebindes |
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