JPS58115025A - 酸化錫膜の形成方法 - Google Patents
酸化錫膜の形成方法Info
- Publication number
- JPS58115025A JPS58115025A JP21020681A JP21020681A JPS58115025A JP S58115025 A JPS58115025 A JP S58115025A JP 21020681 A JP21020681 A JP 21020681A JP 21020681 A JP21020681 A JP 21020681A JP S58115025 A JPS58115025 A JP S58115025A
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- Japan
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- tin oxide
- glass plate
- oxide film
- tin
- hydride compound
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はガラス表面に酸化錫膜を形成する方法に関し、
更に詳しくは高温に加熱したガラス表面に錫化合物を接
触させることによりガラス表面に酸化錫膜を形成する方
法に関する。
更に詳しくは高温に加熱したガラス表面に錫化合物を接
触させることによりガラス表面に酸化錫膜を形成する方
法に関する。
一般に酸化錫膜はすぐれた硬度を有していることから、
ビン製品２食器などの表面の傷つき防止に広く用いられ
ている。また、酸化錫膜の半導体的性質を利用した応用
例も多く、例えば、酸化錫膜を形成したガラスは液晶セ
ルの透明電極板、防曇ガラスなど透明な電導体としての
用途に広く使用されており、更にはその可視光゛透過率
と赤外線反射率が大なるところから太陽熱集熱器のカバ
ー・ガラスとしても極めて有用である。
ビン製品２食器などの表面の傷つき防止に広く用いられ
ている。また、酸化錫膜の半導体的性質を利用した応用
例も多く、例えば、酸化錫膜を形成したガラスは液晶セ
ルの透明電極板、防曇ガラスなど透明な電導体としての
用途に広く使用されており、更にはその可視光゛透過率
と赤外線反射率が大なるところから太陽熱集熱器のカバ
ー・ガラスとしても極めて有用である。
酸化錫膜なガラス表面に付着させる方法としては種々あ
るが、量産に適した方法として古くから四塩化錫を有機
溶媒に溶かした溶液を高温のガラス表面に吹付ける方法
が用いられてきた。そして近年、西塩化錫またはジメチ
ルニ塩化錫を加熱蒸発させて得られる蒸気を高温のガラ
ス表面に接触させるいわゆるＯＶＤ法も広く採用されて
いる。
るが、量産に適した方法として古くから四塩化錫を有機
溶媒に溶かした溶液を高温のガラス表面に吹付ける方法
が用いられてきた。そして近年、西塩化錫またはジメチ
ルニ塩化錫を加熱蒸発させて得られる蒸気を高温のガラ
ス表面に接触させるいわゆるＯＶＤ法も広く採用されて
いる。
しかしながら、これらの方法で形成される酸化錫膜は一
般にヘーズと呼ばれる曇りを有するものが多く、特に被
膜厚味を厚くした場合ヘーズが悪化し、著るしく美観を
損うのが最大の難点であった。
般にヘーズと呼ばれる曇りを有するものが多く、特に被
膜厚味を厚くした場合ヘーズが悪化し、著るしく美観を
損うのが最大の難点であった。
このため錫化合物を含む溶液または錫化合物蒸気を高温
のガラスに吹付ける際のノズル構造、吹付圧、あるいは
錫化合物の熱分解後の排ガス吸引方法などに種々の改良
が提案されているが、必ずしも十分ではなかった。
のガラスに吹付ける際のノズル構造、吹付圧、あるいは
錫化合物の熱分解後の排ガス吸引方法などに種々の改良
が提案されているが、必ずしも十分ではなかった。
本発明者らは、酸化錫膜のヘーズに関し鋭意研究の結果
、従来よりも大巾にヘーズ率（曇率）のすぐれた酸化錫
膜の形成方法を見出すに至った。
、従来よりも大巾にヘーズ率（曇率）のすぐれた酸化錫
膜の形成方法を見出すに至った。
すなわち本発明は高温に加熱したガラス表面に錫化合物
を含む溶液または錫化合物の蒸気を接触させて熱分解反
応によりガラス表面に酸化錫膜を形成する方法において
、前記錫化合物としてＲｘ８ｎＨ４−ｘ（ｘ−０，／、
２またはＪ、Ｘ個のＲは同一または異なった炭化水素基
）で表わされる水素化錫化合物を使用することを特徴と
する。この水素化錫化合物とガラス基体を接触させるに
当たっては水素化錫化合物をアルコール類・トルエン・
酢酸エチルなどの有機溶媒で稀釈したものをスプレーガ
ンなどによりガラス面に吹付けるのが好適である。また
、水素化錫化合物の蒸気とガラス基体を接触させる方法
においては、キャリアガスに当該蒸気を混入してキャリ
アガスの圧力でもってガラス基体面、に吹付けるのがよ
い。この場合、キャリアガスとしては空気を用いること
もできるが、高温で水素化錫化合物が酸化され易いこと
を考慮し窒素またばアルゴンなどの不活性ガスを用いる
ことが好ましい。また、酸化錫膜の成膜速度を上げるた
め、水素化錫化合物を減圧下で使用することもできる。
を含む溶液または錫化合物の蒸気を接触させて熱分解反
応によりガラス表面に酸化錫膜を形成する方法において
、前記錫化合物としてＲｘ８ｎＨ４−ｘ（ｘ−０，／、
２またはＪ、Ｘ個のＲは同一または異なった炭化水素基
）で表わされる水素化錫化合物を使用することを特徴と
する。この水素化錫化合物とガラス基体を接触させるに
当たっては水素化錫化合物をアルコール類・トルエン・
酢酸エチルなどの有機溶媒で稀釈したものをスプレーガ
ンなどによりガラス面に吹付けるのが好適である。また
、水素化錫化合物の蒸気とガラス基体を接触させる方法
においては、キャリアガスに当該蒸気を混入してキャリ
アガスの圧力でもってガラス基体面、に吹付けるのがよ
い。この場合、キャリアガスとしては空気を用いること
もできるが、高温で水素化錫化合物が酸化され易いこと
を考慮し窒素またばアルゴンなどの不活性ガスを用いる
ことが好ましい。また、酸化錫膜の成膜速度を上げるた
め、水素化錫化合物を減圧下で使用することもできる。
本発明によれば、従来の方法により形成された増しても
その効果が減することはない。
その効果が減することはない。
なお、前記のＲで表わされる炭化水素基の具体例をあげ
れば、メチル、エチル、プロピル、ブチル、オクチルな
どのアルキル基、シクロアキルなどのシクロアルキル基
、アリルなどのアルケニル基、フェニルなどのアリール
基、ベンジルなどのアラルキル基がある。
れば、メチル、エチル、プロピル、ブチル、オクチルな
どのアルキル基、シクロアキルなどのシクロアルキル基
、アリルなどのアルケニル基、フェニルなどのアリール
基、ベンジルなどのアラルキル基がある。
以下に本発明の詳細な説明する。
実施例１
（０４Ｈｇ）３ＳｎＨを１９％（重量比）含むメチルア
ルコール溶液をコンプレッサーのエアーを噴霧媒体とす
るスプレーガンで、大きさが ／ ｊ Ｏｍｍ Ｘ／
ｊ Ｏｍｍ ＋厚味がＪ ｍｍの３７１°Ｃに加熱され
たガラス板表面に吹付け、吹付時間を変えることで種々
の膜厚の酸化錫膜を該ガラス表面に形成した。
ルコール溶液をコンプレッサーのエアーを噴霧媒体とす
るスプレーガンで、大きさが ／ ｊ Ｏｍｍ Ｘ／
ｊ Ｏｍｍ ＋厚味がＪ ｍｍの３７１°Ｃに加熱され
たガラス板表面に吹付け、吹付時間を変えることで種々
の膜厚の酸化錫膜を該ガラス表面に形成した。
また、比較例として（０４Ｈ９）３８ｎＨのメチルアル
コール溶液に代え、８ｎＯ・１４・ＪＨ２０を７０重量
％含むメチルアルコール溶液を用いた外は前述の方法と
全く同じ方法を用いてガラス表面に種々の膜厚の酸化錫
膜％：影形成た。
コール溶液に代え、８ｎＯ・１４・ＪＨ２０を７０重量
％含むメチルアルコール溶液を用いた外は前述の方法と
全く同じ方法を用いてガラス表面に種々の膜厚の酸化錫
膜％：影形成た。
得られた本発明による被覆ガラスと比較例による被覆ガ
ラスとのヘーズ率と膜厚とを測定し、結果を第１表に示
した。
ラスとのヘーズ率と膜厚とを測定し、結果を第１表に示
した。
この結果から本発明の方法〔錫化合物：（０４Ｈ９）３
Ｓ ｎ Ｈ）が比較例の方法〔錫化合物： ８ｎＣ１４
・ｔＨ２０）に比べ、はるかにヘーズ率にすぐれ、がつ
８ｎ０２膜厚が増した場合においてもヘーズが悪化しな
いことが明らかである。
Ｓ ｎ Ｈ）が比較例の方法〔錫化合物： ８ｎＣ１４
・ｔＨ２０）に比べ、はるかにヘーズ率にすぐれ、がつ
８ｎ０２膜厚が増した場合においてもヘーズが悪化しな
いことが明らかである。
実施例２
第１図において、ｌは酸化錫膜形成用の錫化合物の蒸気
を発生させるための蒸発器で、この蒸発器ｌに加圧され
たキャリアガス源２を減圧弁３を介して接続し、蒸発器
／にキャリアガスが送られ、錫化合物の蒸気はキャリア
ガスと共に混合機ｌに送られる。混合機ダの中には外部
から駆動できる回転羽根ｊが設けられており、錫化合物
の蒸気とキャリアガスとが良く混合された後、配管終端
に設けたスリット状の噴出口６から出て、予めｊｊＯｏ
Ｃに加熱された厚さ３ｍｍのガラス板７に斜め方向から
吹き付けられガラス板７の表面に酸化錫の膜を形成する
。
を発生させるための蒸発器で、この蒸発器ｌに加圧され
たキャリアガス源２を減圧弁３を介して接続し、蒸発器
／にキャリアガスが送られ、錫化合物の蒸気はキャリア
ガスと共に混合機ｌに送られる。混合機ダの中には外部
から駆動できる回転羽根ｊが設けられており、錫化合物
の蒸気とキャリアガスとが良く混合された後、配管終端
に設けたスリット状の噴出口６から出て、予めｊｊＯｏ
Ｃに加熱された厚さ３ｍｍのガラス板７に斜め方向から
吹き付けられガラス板７の表面に酸化錫の膜を形成する
。
この第１図に示したＯＶＤ装置を用いて第２表に示す条
件下でガラス板表面に１本発明による一方法、及び比較
例によ・る方法により、夫々種々の厚みの酸化錫膜を形
成した。得られた本発明による被覆ガラスと比較例によ
る被覆ガラスについて膜厚とヘーズ率との関係を第２図
に夫々△印点線及び○印実線で示した。この結果からも
本発明の方法が従来の方法に比ベヘーズ率にすぐれ、か
つ酸化錫膜厚が厚くなっても何らヘーズ率に変化がなく
良好な光学特性を有していることがわかる。
件下でガラス板表面に１本発明による一方法、及び比較
例によ・る方法により、夫々種々の厚みの酸化錫膜を形
成した。得られた本発明による被覆ガラスと比較例によ
る被覆ガラスについて膜厚とヘーズ率との関係を第２図
に夫々△印点線及び○印実線で示した。この結果からも
本発明の方法が従来の方法に比ベヘーズ率にすぐれ、か
つ酸化錫膜厚が厚くなっても何らヘーズ率に変化がなく
良好な光学特性を有していることがわかる。
以上の実施例で明らかなように本発明の方法により得ら
れた酸化錫膜は極めてヘーズの少いものであり、かつ従
来の方法による酸化錫膜に見られた膜厚とともにヘーズ
が悪化するとい５欠点も見られない。尚、本発明は純粋
な酸化錫膜のみならず、透明電導膜として用いられる少
量のドーピング剤、例えば弗素（ｐ）・アンチモン（Ｓ
ｂ）・インジウム（Ｉｎ）などな含む酸化錫膜にも適用
できることはいうまでもない。 ′
れた酸化錫膜は極めてヘーズの少いものであり、かつ従
来の方法による酸化錫膜に見られた膜厚とともにヘーズ
が悪化するとい５欠点も見られない。尚、本発明は純粋
な酸化錫膜のみならず、透明電導膜として用いられる少
量のドーピング剤、例えば弗素（ｐ）・アンチモン（Ｓ
ｂ）・インジウム（Ｉｎ）などな含む酸化錫膜にも適用
できることはいうまでもない。 ′
第１図は本発明を実施するための装置の概略図。
第２図は酸化錫膜被覆ガラスの膜厚−ヘーズ率曲線であ
る。 ｌ：蒸発器、コニキャリアガス源、ｌＩ：混合機≦：噴
出口、 ７：ガラス板。
る。 ｌ：蒸発器、コニキャリアガス源、ｌＩ：混合機≦：噴
出口、 ７：ガラス板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 高温に加熱したガラス表面に錫化合物を含む溶液または
錫化合物の蒸気を接触させて、熱分解酸化反応によりガ
ラス面に酸化錫膜な形成する方法にお（、為て、前記錫
化合物が Ｒｘ Ｓ ｎ Ｈ（Ｘ ＝ ０−Ｘ へコまたはＪｔＸ個のＲは同一または異なった炭化水素
基）であることを特徴とする酸化錫膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21020681A JPS58115025A (ja) | 1981-12-29 | 1981-12-29 | 酸化錫膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21020681A JPS58115025A (ja) | 1981-12-29 | 1981-12-29 | 酸化錫膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58115025A true JPS58115025A (ja) | 1983-07-08 |
Family
ID=16585542
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21020681A Pending JPS58115025A (ja) | 1981-12-29 | 1981-12-29 | 酸化錫膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58115025A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102030362A (zh) * | 2010-10-08 | 2011-04-27 | 四川大学 | 氢化物沉积制备纳米SnO2材料的方法 |
| CN102951677A (zh) * | 2012-11-16 | 2013-03-06 | 四川大学 | 基于常压化学气相沉积法制备二氧化锡微纳米材料的方法 |
-
1981
- 1981-12-29 JP JP21020681A patent/JPS58115025A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102030362A (zh) * | 2010-10-08 | 2011-04-27 | 四川大学 | 氢化物沉积制备纳米SnO2材料的方法 |
| CN102951677A (zh) * | 2012-11-16 | 2013-03-06 | 四川大学 | 基于常压化学气相沉积法制备二氧化锡微纳米材料的方法 |
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