JPH01175118A - 透明導電膜の形成法 - Google Patents
透明導電膜の形成法Info
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- JPH01175118A JPH01175118A JP62336178A JP33617887A JPH01175118A JP H01175118 A JPH01175118 A JP H01175118A JP 62336178 A JP62336178 A JP 62336178A JP 33617887 A JP33617887 A JP 33617887A JP H01175118 A JPH01175118 A JP H01175118A
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Landscapes
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は抵抗率が小さく可視光透過率が高い５ｎＯｚ系
の透明導電膜、特にＥＬ素子用として好適な透明導電膜
の形成法に関する。
の透明導電膜、特にＥＬ素子用として好適な透明導電膜
の形成法に関する。
従来一般に、ＥＬパネルは、第１図に示すように、ガラ
ス基板ｌ上に、錫添加酸化インジウム（以下、ＩＴＯと
称す。）の透明導電膜２、第１絶縁膜３、発光層４、第
２絶縁膜５、背面電極にしている。
ス基板ｌ上に、錫添加酸化インジウム（以下、ＩＴＯと
称す。）の透明導電膜２、第１絶縁膜３、発光層４、第
２絶縁膜５、背面電極にしている。
ところが、上記従来のＥＬパネルの構造では、ＩＴＯ透
明導電膜２が第１絶縁膜３をスパッタにより形成する際
に膜質変化を起こす傾向がある。
明導電膜２が第１絶縁膜３をスパッタにより形成する際
に膜質変化を起こす傾向がある。
そのため、ＩＴＯＩ！Ｊの抵抗が高くなり、ＥＬパネル
に印加電圧を加え発光させると輝度分布を生じたり、１
７０Ｍ質の劣化による絶縁膜の電気的耐圧低下の現象が
表れる。この現象は、化学的に不安定なＩＴＯ透明導電
膜２が、熱あるいは化学的反応により変質するためであ
る。
に印加電圧を加え発光させると輝度分布を生じたり、１
７０Ｍ質の劣化による絶縁膜の電気的耐圧低下の現象が
表れる。この現象は、化学的に不安定なＩＴＯ透明導電
膜２が、熱あるいは化学的反応により変質するためであ
る。
ＩＴＯＩ！１は例えばイオンブレーティング法によると
２００ＯＡの膜厚で３Ｘ１０’Ω、ｃｍと抵抗率が低く
面積抵抗は１５Ω／口、可視光透過率は８５％以上（１
，１ｍｍｍｍ厚層アルカリホウ珪酸ガラス付した場合の
ガラスを含む透過率を示す。以下可視透過率は同様に示
す。なお薄＠［！Ｌ素子には１、Ｉｎ＋ｍ厚のガラスが
多用されている。）を維持でき、またパターンエツチン
グが容易なことから現状ではＥＬ素子用としてＩ＆通と
されている。
２００ＯＡの膜厚で３Ｘ１０’Ω、ｃｍと抵抗率が低く
面積抵抗は１５Ω／口、可視光透過率は８５％以上（１
，１ｍｍｍｍ厚層アルカリホウ珪酸ガラス付した場合の
ガラスを含む透過率を示す。以下可視透過率は同様に示
す。なお薄＠［！Ｌ素子には１、Ｉｎ＋ｍ厚のガラスが
多用されている。）を維持でき、またパターンエツチン
グが容易なことから現状ではＥＬ素子用としてＩ＆通と
されている。
いる。
これを解決するために特開昭６０−２１８７９８号には
ＩＴＯ膜上に化学的に安定な５ｎＯｚの薄い膜を積層被
覆することが開示されているが、膜形成に余分な工程を
必要とし、製造能率やコスト面からみて良策とはいえず
、またきわめて薄い膜を均一に被覆することは技術的に
容易ではない。
ＩＴＯ膜上に化学的に安定な５ｎＯｚの薄い膜を積層被
覆することが開示されているが、膜形成に余分な工程を
必要とし、製造能率やコスト面からみて良策とはいえず
、またきわめて薄い膜を均一に被覆することは技術的に
容易ではない。
一方５ｎＯ２ＩＩＩはＩＴＯ膜に比べ化学的、熱的に遥
かに安定しているが、第４図および第５図に示すように
従来スプレー法によれば２０００Ａの膜厚で５．ｌＸ１
０’Ω、ｃｎと抵抗率が高く、面積抵抗は２５．５Ω／
口に達しＩＴＯＩＩＩに対抗できない。
かに安定しているが、第４図および第５図に示すように
従来スプレー法によれば２０００Ａの膜厚で５．ｌＸ１
０’Ω、ｃｎと抵抗率が高く、面積抵抗は２５．５Ω／
口に達しＩＴＯＩＩＩに対抗できない。
例えば面積抵抗を１０Ω／口近くに抑えるには膜厚４０
００４を超える必要があるが、その場合可視光透過率は
８０％未満に減少するので透視性に難点がある。
００４を超える必要があるが、その場合可視光透過率は
８０％未満に減少するので透視性に難点がある。
さらに従来公知の膜形成手段、すなわち物理蒸着（ＰＶ
Ｄ ）あるいは常圧下の化学蒸着（ＣＶＤ ”）では粒
状物の沈着等による突起が生じ易く平滑な膜が得られ難
いという問題点もある。膜の平滑性は特にＥＬ素子にお
けるように幾種もの膜を積層形成してゆくうえで重要で
あり、例えば５ｎＯｚ膜上に１０μｍφ程度の突起状欠
陥があると上層に膜を積層するに従がい、その突起に倣
って突起の径が拡がり＋ｎｍオーダーの輝度ムラとして
目視される。勿論核部からの絶縁破壊を誘起し易い。特
開昭５９−２０３７２９号においては０．１〜１０１−
ルの減圧下で光ＣＶＤ法により ５ｎＯｚの均一膜厚を
得ることを開示しているが、このような比較的高い真空
下での膜付は設備も相応の密閉、堅牢性を要し稼動コス
トもかかるし、抵抗率の低減も充分とはいえない。
Ｄ ）あるいは常圧下の化学蒸着（ＣＶＤ ”）では粒
状物の沈着等による突起が生じ易く平滑な膜が得られ難
いという問題点もある。膜の平滑性は特にＥＬ素子にお
けるように幾種もの膜を積層形成してゆくうえで重要で
あり、例えば５ｎＯｚ膜上に１０μｍφ程度の突起状欠
陥があると上層に膜を積層するに従がい、その突起に倣
って突起の径が拡がり＋ｎｍオーダーの輝度ムラとして
目視される。勿論核部からの絶縁破壊を誘起し易い。特
開昭５９−２０３７２９号においては０．１〜１０１−
ルの減圧下で光ＣＶＤ法により ５ｎＯｚの均一膜厚を
得ることを開示しているが、このような比較的高い真空
下での膜付は設備も相応の密閉、堅牢性を要し稼動コス
トもかかるし、抵抗率の低減も充分とはいえない。
本発明はこれらの問題点を解消したもので、抵抗率を低
減し、したがって膜厚が薄くて済み、高い可視光透過率
を有し、かつ平滑な５ｎＯｚ系膜を容易に形成させる方
法を提供することを目的とする。
減し、したがって膜厚が薄くて済み、高い可視光透過率
を有し、かつ平滑な５ｎＯｚ系膜を容易に形成させる方
法を提供することを目的とする。
Ｃ８題点を解決するための手段〕
本発明は加熱された基板に有機錫化合物とフッ素化合物
を含む加熱蒸気を２０トールないし３００トールの減圧
下で化学蒸着する５ｎＯｚ系透明導電膜の形成法を提供
するものである。
を含む加熱蒸気を２０トールないし３００トールの減圧
下で化学蒸着する５ｎＯｚ系透明導電膜の形成法を提供
するものである。
本発明において用いる錫化合物としてはＳｎ （ＣＨＩ
） ２ Ｃ１２、Ｓｎ （Ｃ１１３） ４、Ｓｎ （
Ｃ４Ｈｇ） Ｃ１０、（Ｃ４Ｈ９） ２ Ｓｎ （ＣＨ
３ＣＯＯ） ２ 、Ｓｎ （Ｃ２Ｈ５） ４等Ｃ）１３
基、Ｃ２Ｈ５基、Ｃ３■７基、Ｃ４Ｈ８基より選択され
る少なくとも一つの基を含むものよりなり、これらは低
温でガス化し容易に５ｎＯｚ Ｈ−ｔ−形成する。また
フン素化合物はＨＦ％ ＣＢｒＦ３より選択されるいず
れかよりなり抵抗率を低減する作用がある。さらにこれ
らにアンチモン化合物等を併用してもよい。減圧ＣＶＤ
法は材料にもよるが１０トール以下１０トール程度で行
われるのが一般的であるが、本発明においては２０）−
ル未満とすると低抵抗率の膜が得られず、また３００
）−ル以上とすると抵抗率が上昇するうえ表面平滑性が
損なわれ突起状の沈積物やピンホールが顕著となるので
好ましくない。本発明を適用すれば膜厚２０００〜４０
０〇八において、抵抗率４Ｘ１０’−’Ω、ｃｍ以下、
面積抵抗１０Ω／ロオーダまたはそれ以下の平滑な５ｎ
Ｏｚ Ｈが得られ、その可視光透過率は８０〜９０％に
達し、特にＥＬ素子用として有効である。
） ２ Ｃ１２、Ｓｎ （Ｃ１１３） ４、Ｓｎ （
Ｃ４Ｈｇ） Ｃ１０、（Ｃ４Ｈ９） ２ Ｓｎ （ＣＨ
３ＣＯＯ） ２ 、Ｓｎ （Ｃ２Ｈ５） ４等Ｃ）１３
基、Ｃ２Ｈ５基、Ｃ３■７基、Ｃ４Ｈ８基より選択され
る少なくとも一つの基を含むものよりなり、これらは低
温でガス化し容易に５ｎＯｚ Ｈ−ｔ−形成する。また
フン素化合物はＨＦ％ ＣＢｒＦ３より選択されるいず
れかよりなり抵抗率を低減する作用がある。さらにこれ
らにアンチモン化合物等を併用してもよい。減圧ＣＶＤ
法は材料にもよるが１０トール以下１０トール程度で行
われるのが一般的であるが、本発明においては２０）−
ル未満とすると低抵抗率の膜が得られず、また３００
）−ル以上とすると抵抗率が上昇するうえ表面平滑性が
損なわれ突起状の沈積物やピンホールが顕著となるので
好ましくない。本発明を適用すれば膜厚２０００〜４０
０〇八において、抵抗率４Ｘ１０’−’Ω、ｃｍ以下、
面積抵抗１０Ω／ロオーダまたはそれ以下の平滑な５ｎ
Ｏｚ Ｈが得られ、その可視光透過率は８０〜９０％に
達し、特にＥＬ素子用として有効である。
なお従来困難とされていた５ｎＯｚ ｇｌのパターンエ
ツチングについては本出願人が先に出願した特開昭６２
−１２８３８３号および１２８３８４号の発明による方
法が有効に通用できる。
ツチングについては本出願人が先に出願した特開昭６２
−１２８３８３号および１２８３８４号の発明による方
法が有効に通用できる。
以下に実施例をもとに本発明を説明する。
（実施例Ａ）
５０ｖｗＸ ５０ｍｍｘ １．１ ｍｍ厚の表面平滑な
無アルカリホウ珪酸ガラスを十分に洗浄、乾燥し基板と
した。
無アルカリホウ珪酸ガラスを十分に洗浄、乾燥し基板と
した。
基板温度を５００℃とし、ＣｖＯ用原料及びキャリアー
ガス流量を２００℃でＳｎ （Ｃ１１３） ４ ：
６．７９ＸＩＯｍｏｌ ／ｍｉｎ 、 ０２
： ８．９３Ｘ１０ ｍｏｌ ／ｍｉｎ
。
ガス流量を２００℃でＳｎ （Ｃ１１３） ４ ：
６．７９ＸＩＯｍｏｌ ／ｍｉｎ 、 ０２
： ８．９３Ｘ１０ ｍｏｌ ／ｍｉｎ
。
Ｈ１’： ２．８５Ｘ １０ ｎ＋ｏｌ ／、ｍｉｎ
、、 Ｎｚ ： １．２５Ｘ １０ｍｏｌ／ｍｉｎ
と一定にし反応圧力５〜７６０トールの条件下において
常圧ないし減圧ＣＶＤ法で、フッ素ドープの５ｎＯｚ系
透明導電膜を作製した。
、、 Ｎｚ ： １．２５Ｘ １０ｍｏｌ／ｍｉｎ
と一定にし反応圧力５〜７６０トールの条件下において
常圧ないし減圧ＣＶＤ法で、フッ素ドープの５ｎＯｚ系
透明導電膜を作製した。
得られた膜について膜厚、面積抵抗および抵抗率、さら
に基板を含めた可視光透過率を測定し、また表面凹凸の
有無の観察、一部の試料については表面粗さを測定した
。結果は第１表、第２−１図、第３−１図に示すように
本発明の適用範囲において良好であり、これ以外のもの
は面積抵抗、抵抗率または表面平滑性において劣る。
に基板を含めた可視光透過率を測定し、また表面凹凸の
有無の観察、一部の試料については表面粗さを測定した
。結果は第１表、第２−１図、第３−１図に示すように
本発明の適用範囲において良好であり、これ以外のもの
は面積抵抗、抵抗率または表面平滑性において劣る。
（実施例Ｂ）
５０ｖｗＸ ５０ｍｍｘ １．１ ｍｍ厚の表面平滑な
無アルカリホウ珪酸ガラスを十分に洗浄、乾燥し基板と
した。
無アルカリホウ珪酸ガラスを十分に洗浄、乾燥し基板と
した。
基板温度を５００℃とし、ＣｖＤ用原材原料、キャリア
ーガス流量を２００℃でＳｎ （ＣＨ３） ｚ Ｃ１ｚ
：６．７９Ｘ １（ｆ’ １ｌｏｌ ／ ｌｌ１ｎ
、 ０２ ： ８．９３Ｘ １０−３ｌｏｌ ／ｌｌ
ｌ１ｎ ％ ＣＢｒＦ３： １．９２Ｘ １０ ａ＋
ｏｌ ／ｍｊｎ −、Ｎｚ ：１．２５Ｘ １０
ｍｏｌ ／ ｓｉｎと一定にし、反応圧力５〜５００ト
ールの条件下において減圧ＣＶＤ法でフッ素ドープのＳ
ｎＯ２系透明導電膜を作製した。
ーガス流量を２００℃でＳｎ （ＣＨ３） ｚ Ｃ１ｚ
：６．７９Ｘ １（ｆ’ １ｌｏｌ ／ ｌｌ１ｎ
、 ０２ ： ８．９３Ｘ １０−３ｌｏｌ ／ｌｌ
ｌ１ｎ ％ ＣＢｒＦ３： １．９２Ｘ １０ ａ＋
ｏｌ ／ｍｊｎ −、Ｎｚ ：１．２５Ｘ １０
ｍｏｌ ／ ｓｉｎと一定にし、反応圧力５〜５００ト
ールの条件下において減圧ＣＶＤ法でフッ素ドープのＳ
ｎＯ２系透明導電膜を作製した。
得られた膜について実施例Ａ同様に物性測定した。結果
は第２表、第２−２図、第３−２図に示すように本発明
の適用範囲におけて良好である。
は第２表、第２−２図、第３−２図に示すように本発明
の適用範囲におけて良好である。
（実施例Ｃ）
実施ｆｌＡ実施例１の条件に基づき蒸着時間を変化させ
て各種膜厚の５ｎＯｚ系透明導電膜を形成しその抵抗率
、面積抵抗を夫々第４図、第５図のグラフ（実線）に示
した。一方公知のスプレー法により３口（Ｃ４＋１９）
Ｃ１ｉ −Ｃ２１＋５０１１、Ｋ２０の混合溶液に２
ｗｔ％の）ＩＰを添加したものを５５０℃に加熱した５
０ｍｍＸ ５０ｍｍＸ １．１ｍｍ厚の無アルカリホウ
珪酸ガラス基板上に３ｃｃ ／ ｓｅｃの量で噴霧し、
その時間を変化させて各種膜厚の５ｎＯｚ系透明導電膜
を形成しその抵抗率、面積抵抗を夫々同様に第４図、第
５図のグラフ（破線）に示した。
て各種膜厚の５ｎＯｚ系透明導電膜を形成しその抵抗率
、面積抵抗を夫々第４図、第５図のグラフ（実線）に示
した。一方公知のスプレー法により３口（Ｃ４＋１９）
Ｃ１ｉ −Ｃ２１＋５０１１、Ｋ２０の混合溶液に２
ｗｔ％の）ＩＰを添加したものを５５０℃に加熱した５
０ｍｍＸ ５０ｍｍＸ １．１ｍｍ厚の無アルカリホウ
珪酸ガラス基板上に３ｃｃ ／ ｓｅｃの量で噴霧し、
その時間を変化させて各種膜厚の５ｎＯｚ系透明導電膜
を形成しその抵抗率、面積抵抗を夫々同様に第４図、第
５図のグラフ（破線）に示した。
これらの図から明らかなように本発明のものは抵抗率、
面積抵抗において極めて優れていることが解る。
面積抵抗において極めて優れていることが解る。
（実施例Ｄ）
５０ｍｍＸ ５０ｍｍＸ １．１＋ａｍ厚の表面平滑な
無アルカリホウ珪酸ガラスを充分に洗浄、乾燥して基板
とした。
無アルカリホウ珪酸ガラスを充分に洗浄、乾燥して基板
とした。
基板温度を５００℃とし、キャリアガス流量を２００℃
で０２ ： ８．９３Ｘ１０ ｍｏｌ ／ｗｉｎ ％
Ｎｚ ：１．２５Ｘ １０−２ｌｏｌ ／ ｍｉｎ
、 ＣＶＤ用原料ガスを各積換え、流量を２００℃で有
機錫化合物ガス： ６．７９Ｘ １０ ’ｍｏｌ ／
ｗｉｎ 、フッ素化合物ガス？ ２．８５Ｘ１０−５ｌ
ｏｌ ｍｉｎと夫々一定にし、反応圧力１００トールの
ｇＩＥｃｖｏ法により膜厚２５ＧＯＡの５ｎＯｚ系透明
導電膜を作製した。これを実施例Ａ同様に各種物性を測
定し、結果を第３表に示した。表から明らかなように本
発明の適用範囲においていずれも良好な結果が得られた
。
で０２ ： ８．９３Ｘ１０ ｍｏｌ ／ｗｉｎ ％
Ｎｚ ：１．２５Ｘ １０−２ｌｏｌ ／ ｍｉｎ
、 ＣＶＤ用原料ガスを各積換え、流量を２００℃で有
機錫化合物ガス： ６．７９Ｘ １０ ’ｍｏｌ ／
ｗｉｎ 、フッ素化合物ガス？ ２．８５Ｘ１０−５ｌ
ｏｌ ｍｉｎと夫々一定にし、反応圧力１００トールの
ｇＩＥｃｖｏ法により膜厚２５ＧＯＡの５ｎＯｚ系透明
導電膜を作製した。これを実施例Ａ同様に各種物性を測
定し、結果を第３表に示した。表から明らかなように本
発明の適用範囲においていずれも良好な結果が得られた
。
（実施例Ｅ）
実施例Ａにおける実施例２で製作した透明導電膜による
電極上にスパッター法により ＳｉＯ＋膜を厚さ １，
０ＱＯＡに、さらに５ｔ３Ｎ４１！Ｉを厚さ１．５０Ｏ
Ａに堆積して第一誘電体層とし、Ｓｉ３Ｎ４膜上に発光
層としてＥＢ蒸着法によりＭｎを０．５ｗｔ％ドープし
たＺｎＯ：Ｍｎ膜を厚さ６．０００Ａｌｔｉ積した。
電極上にスパッター法により ＳｉＯ＋膜を厚さ １，
０ＱＯＡに、さらに５ｔ３Ｎ４１！Ｉを厚さ１．５０Ｏ
Ａに堆積して第一誘電体層とし、Ｓｉ３Ｎ４膜上に発光
層としてＥＢ蒸着法によりＭｎを０．５ｗｔ％ドープし
たＺｎＯ：Ｍｎ膜を厚さ６．０００Ａｌｔｉ積した。
さらに、スパッタ法により５ｔ３Ｎ４１１１を厚さ１．
５００Ａに、Ｓ＋Ｏｚ膜を厚さ １，０００八に堆積し
て第２誘電体層とした。その上にＡｔ等からなる背面電
極を蒸着形成した。透明電極と背面電極に交流Ｉ Ｋ１
１２２００Ｖ印加した場合、輝度は、３．０ＯＯｃｄ
／ｄであり、従来２，０００ ｃｄ／ ｒｔｆであるの
に対して高く、かつ輝度むらがなく、連続１００時間の
印加において輝度の低下は認められなかった。このよう
に高輝度で、信頼性の高い、ＥＬ素子を形成できた。
５００Ａに、Ｓ＋Ｏｚ膜を厚さ １，０００八に堆積し
て第２誘電体層とした。その上にＡｔ等からなる背面電
極を蒸着形成した。透明電極と背面電極に交流Ｉ Ｋ１
１２２００Ｖ印加した場合、輝度は、３．０ＯＯｃｄ
／ｄであり、従来２，０００ ｃｄ／ ｒｔｆであるの
に対して高く、かつ輝度むらがなく、連続１００時間の
印加において輝度の低下は認められなかった。このよう
に高輝度で、信頼性の高い、ＥＬ素子を形成できた。
第３表
〔発明の効果〕
本発明によれば２０００〜４０００Ａの膜厚において４
×１００．ｃｍ以下の抵抗率の面平滑な５ｎＯｚ系被膜
が得られ、それは１０Ω／ロオーダーまたはそれ以下の
面積抵抗、８０〜９０％の可視光透過率を有するので各
種の透明導電膜、特にＥＬ素子用として有効に通用でき
るという効果を奏する。
×１００．ｃｍ以下の抵抗率の面平滑な５ｎＯｚ系被膜
が得られ、それは１０Ω／ロオーダーまたはそれ以下の
面積抵抗、８０〜９０％の可視光透過率を有するので各
種の透明導電膜、特にＥＬ素子用として有効に通用でき
るという効果を奏する。
第１図はＥＬパネルの断面図、第２−１．２−２図は本
発明を通用した５ｎＯｚ系膜、第３−１．３−２図は比
較例における５ｎＯｚ系膜の夫々表面粗さを示すグラフ
であり、第４図は本発明と比較例を対比した抵抗率のグ
ラフ、第５図は同様に対比した面積抵抗のグラフである
。 ２−ｍ−透明導電膜 特許出願人 セントラル硝子株式会社 竺１区 筋２−１図 集２−２図 第４図 檗う図
発明を通用した５ｎＯｚ系膜、第３−１．３−２図は比
較例における５ｎＯｚ系膜の夫々表面粗さを示すグラフ
であり、第４図は本発明と比較例を対比した抵抗率のグ
ラフ、第５図は同様に対比した面積抵抗のグラフである
。 ２−ｍ−透明導電膜 特許出願人 セントラル硝子株式会社 竺１区 筋２−１図 集２−２図 第４図 檗う図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １） 加熱された基板に有機錫化合物とフッ素化合物を
含む加熱蒸気を２０トールないし３００トールの減圧下
で化学蒸着するようにしたことを特徴とするＳｎＯ＿２
系透明導電膜の形成法。 ２） 有機錫化合物はＣＨ＿３基、Ｃ＿２Ｈ＿５基、Ｃ
＿３Ｈ＿７基、Ｃ＿４Ｈ＿９基から選択される少なくと
も一つの基を含んでおり、フッ素化合物はＨＦ、ＣＢｒ
Ｆ＿３のいずれかより選択されるようにしたことを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の透明導電膜の形成法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62336178A JPH01175118A (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 透明導電膜の形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62336178A JPH01175118A (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 透明導電膜の形成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01175118A true JPH01175118A (ja) | 1989-07-11 |
| JPH0569241B2 JPH0569241B2 (ja) | 1993-09-30 |
Family
ID=18296467
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62336178A Granted JPH01175118A (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 透明導電膜の形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01175118A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100345068B1 (ko) * | 1999-06-21 | 2002-07-19 | 현대엘씨디주식회사 | 유기 전계발광 표시소자의 제조방법 |
| JP2013100577A (ja) * | 2011-11-08 | 2013-05-23 | Asahi Glass Co Ltd | フッ素ドープ酸化スズ膜形成方法 |
| JP2021073367A (ja) * | 2015-10-13 | 2021-05-13 | インプリア・コーポレイションＩｎｐｒｉａ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 有機スズオキシドヒドロキシドのパターン形成組成物、前駆体およびパターン形成 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61188821A (ja) * | 1985-02-18 | 1986-08-22 | セントラル硝子株式会社 | 透明導電薄膜の形成方法 |
-
1987
- 1987-12-28 JP JP62336178A patent/JPH01175118A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61188821A (ja) * | 1985-02-18 | 1986-08-22 | セントラル硝子株式会社 | 透明導電薄膜の形成方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100345068B1 (ko) * | 1999-06-21 | 2002-07-19 | 현대엘씨디주식회사 | 유기 전계발광 표시소자의 제조방법 |
| JP2013100577A (ja) * | 2011-11-08 | 2013-05-23 | Asahi Glass Co Ltd | フッ素ドープ酸化スズ膜形成方法 |
| JP2021073367A (ja) * | 2015-10-13 | 2021-05-13 | インプリア・コーポレイションＩｎｐｒｉａ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 有機スズオキシドヒドロキシドのパターン形成組成物、前駆体およびパターン形成 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0569241B2 (ja) | 1993-09-30 |
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