KR960017736A - 아연-인듐- 산화물을 포함하는 투명한 전도체 및 필름 제조 방법 - Google Patents

아연-인듐- 산화물을 포함하는 투명한 전도체 및 필름 제조 방법 Download PDF

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KR960017736A
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oxide
zinc
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transparent conductive
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앤 카터 수
조셉 카바 로버트
레이니엔 큐오 쥬에이나이
메 필립스 쥴리아
앨버트 토마스 고돈
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지. 이. 북스
에이티앤드티 코포레이션
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    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances

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Abstract

본 출원인은 알리오발란트에 의해 도핑된 아연-인듐-산화물(여기서, In은 금속 원소의 40내지 75원자%이다)이 가시광선 및 적외선 모두에서 증대된 투명도를 나타내는 동시에, 현재 사용되는 광대역 간격 반도체에 필적할만한 전기 전도성을 얻을 수 있음을 밝혀냈다. 이 물질은 소량의 알리오발란트, 도펀트, 예를 들면 4가 원자에 의해 1mΩ∼cm 미만의 저항율로 도핑될 수 있다. 이들은 유리 기판상에 무정형 및 다결정성 필름형태로 증착될 수 있다.

Description

아연-인듐-산화물을 포함하는 투명한 전도체 및 필름 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (19)

  1. 인듐이 금속 원소의 40 내지 75원자%인 아연-인듐-산화물을 포함하는 투명한 전도성 물질.
  2. 제1항에 있어서, 알리오발란트 물질(aliovalent material)로 도핑된 투명한 전도성 물질.
  3. 제2항에 있어서, 상기 알리오발란트 물질이 4가 물질인 투명한 전도성 물질.
  4. 1mΩ∼cm 미만의 저항율로 알리오발란트 물질로 도핑된 아연-인듐-산화물을 포함하는 조성물.
  5. 제4항에 있어서, 상기 알리오발란트 물질이 4가 물질인 투명한 전도성 물질.
  6. Znx(In2-yMy)z산화물(여기서, M 은 3이상의 원자가를 갖는 물질이고 2z은 금속 원소의 40 내지 75원자%이고, 0.005≤y≤0.4이다)을 포함하는 조성물.
  7. 제6항에 있어서, M이 4가 물질인 조성물.
  8. 제7항에 있어서, M이 Sn인 조성물.
  9. Zn1-WMWIny산화물(여기서, M은 2이상의 원자가를 갖는 물질이고, y는 금속 원소의 40내지 75원자%이고, 0.005≤w≤0.4이다)을 포함하는 조성물.
  10. 제9항에 있어서, M이 Al, Ga 또는 Ge 인 조성물.
  11. Znx-WMW(In2-yM'y) 산화물(여기서, M 은 2이상의 원자가를 갖는 물질이고, M'는 3이상의 원자가를 갖는 물질이고, 2/(x+2) 는 금속 원소의 40 내지 75% 이다)를 포함하는 조성물.
  12. 기판과 그 위에 인듐 40내지 75원자%를 함유하는 아연-인듐-산화물을 포함하는 투명한 전도성 물질이 배치되어 있음을 포함하는 장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 기판이 투명한 장치.
  14. 제12항에 있어서, 상기 기판이 유리, 플라스틱 또는 반도체를 포함하는 장치.
  15. 제12항에 있어서, 상기 아연-인듐-산화물이 4가 물질로 도핑된 장치.
  16. 기판과 그위에 제6항 내지 제11항중 어느 한 항의 조성물을 포함하는 투명한 전도성 물질이 배치되어 있음을 포함하는 장치.
  17. 한쌍의 전극, 상기 전극사이에 배치된 액정 매질 및 상기 전극사이에 전압을 인가하기 위한 수단을 포함하는 액정 디스플레이 장치에 있어서, 상기 전극의 적어도 하나가 인듐이 금속 원수의 40 내지 75원자%인 아연-인듐-산화물을 포함하는 투명한 전도성 층을 포함하는 점이 개선된 액정 디스플레이 장치.
  18. 제17항에 있어서, 상기 아연-인듐-산화물이 알리오발란트 물질로 도핑된 개선된 액정 디스플레이.
  19. 한쌍의 전극 및 상기 전극사이에 전압을 인가하기 위한 수단을 포함하는 플랫 패널 디스플레이 장치에 있어서, 상기 투명 전극이 제6항 내지 제11항중 어느 한 항의 조성물을 포함하는 플랫 패널 디스플레이 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950040015A 1994-11-08 1995-11-07 아연-인듐- 산화물을 포함하는 투명한 전도체 및 필름 제조 방법 KR960017736A (ko)

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JP5058469B2 (ja) * 2005-09-06 2012-10-24 キヤノン株式会社 スパッタリングターゲットおよび該ターゲットを用いた薄膜の形成方法

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