KR101433047B1 - 디스플레이용 투명 전극 및 이의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 디스플레이용 투명 전극 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 디스플레이용 투명 전극은 이온 도핑된 나노 탄소 재료를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 디스플레이용 투명 전극은 우수한 투명성과 전기전도성을 가지며, 특히 밴딩시에도 전기전도성이 떨어지지 않아 플렉서블 디스플레이의 전극으로 효과적으로 활용될 수 있다. 한편, 본 발명의 디스플레이용 투명 전극의 제조 방법은 이와 같은 우수한 특성을 갖는 투명 전극을 단순한 공정 및 저렴한 비용으로 제조할 수 있는 장점이 있다.
Description
도 1는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 디스플레이용 투명 전극의 제조 방법의 공정 흐름도이다.
도 2는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 디스플레이용 투명 전극의 제조 방법의 공정 흐름도이다.
본 발명은 디스플레이용 투명 전극 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 투명성 및 전기정도성이 우수하며 밴딩시에도 우수한 전기전도성이 유지되는 디스플레이용 투명 전극 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
미래사회는 디지털 네트워크(Digital Network)를 통해 대규모의 다양한 정보를 시간과 환경에 관계없이 언제 어디서든 서버(Server) 또는 네트워크(Network)에 접속하여 컨텐츠(Contents)와 서비스(Service)를 이용할 수 있는 유비쿼터 스(Ubiquitous) 시대가 될 전망이다. 이에 정보화 기기는 개인화(Personalization)와 연결화(Connectivity)가 가속화 될 것이고 디스플레이 기술의 메가트렌드(Mega-trand) 또한 모바일(Mobile) 영역에서 표시 품질의 고성능화와 함께 편리함을 추구할 수 있는 종이 유사 플렉서블 디스플레이(Paper-like Flexible Display)라는 새로운 시장이 창출될 것으로 예상된다.
최근에 이러한 흐름에 부합하는 핸드 헬드 폰(Hand Held phone), PDA 등을 포함하여 전자책(e-Book), 전자신문(e-Newspaper) 등과 같은 새로운 상품이 구체화되고 있으며, 전자 칠판과 같은 교육/업무용 및 CAD/CAM 화면 등 장시간 작업하는 산업용 디스플레이, 네트워크식 매장 전광판, 광고판, 홍보물 등으로 활용이 가능하여 향후 차세대 디스플레이 사업의 큰 축을 이룰 것이다. 이러한 플렉서블 디스플레이는 평판 디스플레이(Flat Panel Display)의 차원을 한 단계 넘어서는 다음 세대 기술로 평가되며 이에 적합한 디스플레이 모드와 구동 모드에 대한 연구 개발이 급격히 이루어지고 있다.
이러한 연구 중 하나로, 플렉서블 디스플레이에 적용하기 위한 소재들 중에 기존의 액정표시장치(LCD)에 사용되는 ITO를 대체할 재료들이 개발 중이다. 기존 ITO는 부서지기 쉽기(brittle) 때문에 패널을 밴딩할 경우 파괴되어 전기전도도가 떨어진다는 단점이 있다. 따라서, 이를 보완하기 위해 투명하고 전기전도성이 우수하면서 밴딩시 전기전도도가 떨어지지 않는 소재의 개발이 필요한 실정이다. 현재 활발한 연구가 진행되고 있는 소재로는 나노 탄소 재료가 있으며, 그 중에서도 탄소나노튜브가 가장 주목 받고 있다.
이와 같은 나노 탄소 재료를 투명 전극으로 적용하기 위해 선행 되어야할 과제로는 투과율 80% 이상을 가지면서 면저항이 100Ω/sq이하의 특성을 확보해야 하며, 또한 균일한 도포 및 패터닝(patterning)이 가능하여야 한다. 그러나, 투과율과 면저항은 상호 트레이트 오프(trade-off) 관계로서 투과율이 85%일때 면저항은 수kΩ/sq이상의 값을 가지는 것으로 보고되고 있다. 따라서, 탄소나노튜브를 디스플레이의 전극 재료로 적용하기 위해서는 전기전도성을 향상시켜 면저항을 줄이는 것이 무엇보다도 중요하다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 투명성 및 전기정도성이 우수하며 특히 밴딩시에도 전기전도성이 떨어지지 않아 플렉서블 디스플레이에 효과적으로 사용될 수 있는 전극 소재와 이 전극 소재를 이용하여 제조된 디스플레이용 투명 전극 및 그의 제조 방법을 제공하는 것이다.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 이온 도핑된 나노 탄소 재료를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 디스플레이용 투명 전극을 제공한다.
상기 본 발명의 디스플레이용 투명 전극에 있어서, 상기 나노 탄소 재료는 탄소나노튜브 또는 탄소나노와이어인 것이 바람직하다.
상기 이온 도핑에 사용된 이온은 인 이온, 비소 이온, 알루미늄 이온 또는 붕소 이온인 것이 바람직하다.
본 발명은 또한, (a) 도포 대상 부재에 나노 탄소 재료를 도포하는 단계; 및(b) 상기 도포 대상 부재에 도포된 상기 나노 탄소 재료에 이온 도핑하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 전극의 제조 방법을 제공한다.
상기 나노 탄소 재료는 탄소나노튜브 또는 탄소나노와이어인 것이 바람직하다.
상기 (a) 단계에서, 상기 나노 탄소 재료의 도포는 상기 나노 탄소 재료를 포함하는 도포 조성물을 제조하고, 상기 도포 조성물을 상기 도포 대상 부재에 도포하고 건조함에 의해 이루어질 수 있다. 여기서, 상기 도포 조성물 제조시에 사용되는 용매로는 D.I 워터, 알콜, 1,2-디클로로벤젠(1,2-dichlorobezene), 트리톤 X-100(triton X-100) 또는 소디움 도데실 설페이트(sodium dodecyl sulfate)이 대표적이다.
상기 본 발명의 투명 전극의 제조 방법에 있어서, 상기 (b) 단계에서 이온 도핑은 이온 매스 도핑 시스템 또는 이온 주입에 의해 이루어지는 것이 바람직하다.
상기 나노 탄소 재료는 탄소나노튜브 또는 탄소나노와이어인 것이 바람직하다.
상기 이온 도핑에 사용된 이온은 인 이온, 비소 이온, 알루미늄 이온 또는 붕소 이온인 것이 바람직하다.
상기 본 발명의 투명 전극의 제조 방법은, 상기 (b) 단계 후에, 도핑된 상기 나노 탄소 재료를 활성화시키는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다. 여기서, 상기 활성화 단계는 마이크로 웨이브를 이용하여 나노 탄소 재료를 가열함에 의해 이루어질 수 있다.
본 발명은 또한, (a) 나노 탄소 재료에 이온 도핑하는 단계; 및 (b) 상기 이온 도핑된 나노 탄소 재료를 도포 대상 부재에 도포하는 단계;를 포함하는 단계;를 포함하는 투명 전극의 제조 방법을 제공한다.
상기 (a) 단계에서, 이온 도핑은 나노 탄소 재료를 이온 소스 분위기에서 열처리함에 의해 이루어질 수 있다. 여기서, 상기 이온 소스로는 인, 비소, 알루미늄 또는 붕소 가스가 바람직하게 사용될 수 있다.
상기 (a) 단계에서, 이온 도핑은 이온 매스 도핑 시스템 또는 이온 주입에 의해 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 (a) 단계는 상기 나노 탄소 재료를 기판에 증착하는 단계, 증착된 상기 나노 탄소 재료를 이온 도핑하는 단계; 이온 도핑된 상기 나노 탄소 재료를 기판으로부터 분리하는 단계; 및 기판으로부터 분리된 상기 나노 탄소 재료를 활성화시키는 단계;를 포함하여 이루어질 수 있다. 여기서, 이온 도핑에 사용된 이온은 인 이온, 비소 이온, 알루미늄 이온 또는 붕소 이온인 것이 바람직하다.
상기 나노 탄소 재료는 탄소나노튜브 또는 탄소나노와이어인 것이 바람직하다.
상기 (b) 단계에서, 상기 도핑된 나노 탄소 재료의 도포는 상기 도핑된 나노 탄소 재료를 포함하는 도포 조성물을 제조하고, 상기 도포 조성물을 상기 도포 대상 부재에 도포하고 건조함에 의해 이루어질 수 있다. 여기서, 상기 도포 조성물 제조시에 사용되는 용매는 D.I 워터, 알콜, 1,2-디클로로벤젠(1,2-dichlorobezene), 트리톤 X-100(triton X-100) 또는 소디움 도데실 설페이트(sodium dodecyl sulfate)가 대표적이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다.
액정 표시 장치는 액정을 사이에 두고 마주하는 전극에 인가된 전압에 의해 생성되는 전기장에 의해 액정을 움직이게 함으로써, 이에 따라 액정의 광투과율을 변화시켜 화상을 표현하는 장치이다. 이와 같은 액정표시장치는, 액정, 박막 트랜지스터가 형성된 하부 기판, 액정을 사이에 두고 하부 기판과 대향하는 상부 기판을 구비한다. 통상적으로 상부 기판에는 색의 구현을 위한 컬러 필터가 구비되나, 컬러 필터가 하부 기판에 구비되는 COA(color filter array) 타입의 액정표시장치도 개발되고 있다.
여기서, 상부 기판 및 하부 기판에 형성되어, 액정을 사이에 두고 전기장을 형성하는 전극은 각각 공통 전극 및 화소 전극이라 불리우며, 이들은 투명 전도성 물질로 형성되어 빛의 투과를 가능하게 할 뿐만 아니라 전극으로서의 기능을 한다.
본 발명은 이와 같은 액정표시장치의 공통 전극 및 화소 전극을 비롯한 디스플레이용 투명 전극에 관한 것으로서, 본 발명의 디스플레이용 투명전극은 나노 탄소 재료를 포함하여 이루어진다.
본 발명에 있어서, 상기 나노 탄소 재료는 이온 도핑되어 사용되며, 이 같은 이온 도핑을 통해 상기 나노 탄소 재료는 전기전도성이 크게 향상된다.
탄소나노튜브는 일반적으로 전도성을 가지는 것과 반도체 성질을 가지는 것으로 구성되어 있고, 1/3 정도가 전도성을 가지는 것으로 알려져 있다. 전도성을 가지는 탄소나노튜브와 반도체 성질을 가지는 탄소나노튜브를 선택적으로 소팅(sorting)하여 전도성을 가지는 것만으로 탄소나노튜브 투명 전극을 만들면 저 저항 투명 전극을 만들 수 있다. 하지만, 이방법은 실제 선택적으로 소팅하기도 어려울 뿐만 아니라, 이를 위한 비용 또한 매우 크다.
본 발명에서는 탄소나노튜브를 이온 도핑함에 의해 전도성과 반도체 성질을 모두 가지고 있는 탄소 나노튜브를 소팅 없이 값싸게 저 저항 탄소나노튜브로 만들 수 있다.
보다 상세하게 살펴 보면, 탄소나노튜브는 그라파이트 시트(Graphite sheet)를 어떻게 감느냐에 따라 전도성과 반도체 성질을 가지는 탄소나노튜브로 나누어 진다. 반도체 성질을 가지는 것은 보통 밴드 갭(Band gap)이 0.2~0.8eV로 Si의 1.1eV에 비해 낮다. 따라서, 반도체 성질을 가지는 탄소나노튜브는 도핑을 통해 전기전도도가 개선될 수 있다.
나노 탄소 재료의 종류에 따라 전도성에 차이가 있고 이온 도핑을 통한 이온전도도 향상의 효과 또한 차이가 있으나, 이와 같은 원리는 다른 나노 탄소 재료에도 적용될 수 있으므로, 본 발명에서 나노 탄소 재료의 종류를 제한하지는 않는다. 다만, 전도성 향상 정도를 고려할 때, 탄소나노튜브 및 탄소나노와이어가 가장 바 람직하게 사용될 수 있다.
나노 탄소 재료에 이온 도핑하는 방법으로는 대표적으로 이온 소스 분위기에서의 열처리, 이온 매스 도핑 시스템(Ion Mass Doping System) 또는 이온 주입법(Ion implantation)이 이용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 이러한 방법들은 통상적인 반도체 공정에서 반도체에 이온을 도핑하기 위해 사용되는 방법들이므로 구체적인 설명은 생략한다.
나노 탄소 재료에 도핑되는 이온으로는, 통상적인 반도체 공정에서 반도체에 이온을 도핑하기 위해 사용되는 이온들이 모두 포함되며, 그 중에서 인(P) 이온, 비소(As) 이온, 알루미늄(Al) 이온 및 붕소(B) 이온이 가장 바람직하게 사용될 수 있다.
이와 같은 구성의 디스플레이용 투명 전극은 우수한 투명성과 전기전도성을갖는다. 구체적으로, 투과율 80% 이상의 우수한 투명성을 가짐과 동시에 수십 Ω이하의 낮은 저항을 나타낸다. 특히, 밴딩시에도 전기전도성이 떨어지지 않아 플렉서블 디스플레이의 전극으로 효과적으로 활용될 수 있다.
이하, 상기 설명한 바와 같은 투명 전극을 제조할 수 있는 본 발명의 디스플레이용 투명 전극의 제조 방법을 설명한다.
도 1는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 디스플레이용 투명 전극의 제조 방법의 공정 흐름도이다.
도 1를 참조하면, 제 1 실시예에 따른 제조 방법은, (a) 도포 대상 부재에 나노 탄소 재료를 도포하는 단계; 및(b) 상기 도포 대상 부재에 도포된 상기 나노 탄소 재료에 이온 도핑하는 단계;를 포함한다.
먼저, 도포 대상 부재에 나노 탄소 재료를 도포한다.
여기서, 도포 대상 부재란 나노 탄소 재료가 도포되는 대상을 가리키는 것으로서, 액정표시장치의 공통 전극이나 화소 전극이 형성되는 곳을 비롯하여 디스플레이의 투명 전극이 형성되는 곳을 가리킨다. 따라서, 상기 도포 대상 부재란 특정한 구성 요소를 가리키는 것이 아니라, 액정표시장치를 포함한 디스플레이의 구조에 따라 다양한 구성 요소가 될 수 있다. 예를 들어, 공통 전극의 형성에 있어서, 도포 대상 부재는 컬러 필터를 하부 기판에 형성하는 경우에는 유리 기판 또는 플라스틱 기판과 같은 베이스 기판 자체가 될 수도 있으며, 컬러 필터를 상부 기판에 형성하는 경우에는 오버코트층 또는 컬러 필터가 될 수 있다.
상기 나노 탄소 재료는 특별히 제한되지 않으나, 전도성 향상 정도를 고려할 때, 탄소나노튜브 및 탄소나노와이어가 가장 바람직하게 사용될 수 있다.
본 단계에서, 상기 나노 탄소 재료의 도포는 상기 나노 탄소 재료를 포함하는 도포 조성물을 제조하고, 상기 도포 조성물을 상기 도포 대상 부재에 도포하고 건조함에 의해 이루어질 수 있다. 여기서, 상기 도포 조성물 제조시에 사용되는 용매로는 D.I 워터, 알콜, 1,2-디클로로벤젠(1,2-dichlorobezene), 트리톤 X-100(triton X-100) 또는 소디움 도데실 설페이트(sodium dodecyl sulfate)이 대표적이다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.
다음으로, 상기 도포 대상 부재에 도포된 상기 나노 탄소 재료에 이온을 도 핑한다.
본 단계에서 이온 도핑 방법으로는 이온 매스 도핑 시스템 또는 이온 주입법이 가장 바람직하게 사용될 수 있다. 이온 주입법은 불순물 원자 또는 분자를 이온화 시킨 후 이온을 고에너지로 가속시켜 재료의 표면에 강력한 이온의 직접적인 주입을 하여 표면에 개질된 층을 만드는 대표적인 기술이다. 한편, 이온 매스 도핑 시스템이란 특정 부위에만 도핑하는 이온 주입법과 원리는 비슷하나, 기판 전체에 도핑하는 시스템으로 플라즈마 상태의 이온을 DC 가속전압(bias)에 의해 기판에 도핑하는 방법이다. 이온 매스 도핑 시스템 또는 이온 주입법에 의하면 비교적 저온에서 이온을 도핑할 수 있어, 도포 대상 부재에 기 형성된 다른 구성 요소들의 손상을 피할 수 있는 장점이 있다.
이온 도핑에 사용되는 이온으로는, 통상적인 반도체 공정에서 반도체에 이온을 도핑하기 위해 사용되는 이온들이 모두 포함되며, 그 중에서 인(P) 이온, 비소(As) 이온, 알루미늄(Al) 이온 및 붕소(B) 이온이 가장 바람직하게 사용될 수 있다.
이와 같은 이온 도핑 단계 후에는, 이온 도핑 효과를 더욱 좋게 하기 위하여도핑된 나노 탄소 재료를 가열하여 활성화시키는 단계가 더 추가될 수 있다. 여기서, 상기 활성화 단계는 마이크로 웨이브를 이용하여 나노 탄소 재료를 가열함에 의해 이루어질 수 있다. 마이크로 웨이브를 이용하면, 나노 탄소 재료만 선택적으로 가열할 수 있어 유리 기판 또는 플라스틱 기판의 손상을 방지할 수 있다. 특별히, 플렉서블 디스플레이에 사용되는 플라스틱 기판의 경우 열에 의해 변형이 잘 일어나므로, 마이크로 웨이브에 의한 활성화는 이러한 플라스틱 기판을 사용하는 경우에 매우 효과적으로 활용될 수 있다.
도 2는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 디스플레이용 투명 전극의 제조 방법의 공정 흐름도이다.
도 2를 참조하면, 상기 제 2 실시예에 따른 제조 방법은, (a) 나노 탄소 재료에 이온 도핑하는 단계; 및 (b) 상기 이온 도핑된 나노 탄소 재료를 도포 대상 부재에 도포하는 단계;를 포함한다.
먼저, 나노 탄소 재료에 이온을 도핑한다.
이온 도핑은 나노 탄소 재료를 이온 소스 분위기에서 열처리하거나 이온 매스 도핑 시스템 또는 이온 주입법을 통해 이루어질 수 있다.
이온 소스 분위기에서 열처리하는 방법에 있어서, 이온 소스란 도핑 이온을 공급할 수 있는 원료 가스를 가리키는 것으로, 이온 소스로는 인, 비소, 알루미늄 또는 붕소 가스가 가장 바람직하게 사용될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다. 열처리 온도는 열처리 효과를 고려할 때 500℃ 이상으로 조절되는 것이 바람직하다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.
이온 매스 도핑 시스템 또는 이온 주입법을 이용할 경우, 나노 탄소 재료를 용기에 넣고 이온 도핑을 하면, 이온 에너지에 의해 나노 탄소 재료 분말이 사방으로 흩어져 충분한 수율을 얻을 수 없다. 따라서, 나노 탄소 재료를 기판에 증착한 상태에서 이온을 도핑하고, 나노 탄소 재료를 기판으로부터 분리시켜 분말 형태로 가공하고, 이 분말을 고온에서 활성화시키는 과정을 거치게 된다. 이온 도핑에 사용되는 이온으로는, 인 이온, 비소 이온, 알루미늄 이온 및 붕소 이온이 가장 바람직하게 사용될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 나노 탄소 재료는 특별히 제한되지 않으나, 전도성 향상 정도를 고려할 때, 탄소나노튜브 및 탄소나노와이어가 가장 바람직하게 사용될 수 있다.
다음으로, 상기 이온 도핑된 나노 탄소 재료를 도포 대상 부재에 도포한다.
본 단계는 상기 도핑된 나노 탄소 재료를 포함하는 도포 조성물을 제조하고, 상기 도포 조성물을 상기 도포 대상 부재에 도포하고 건조함에 의해 이루어질 수 있다. 여기서, 상기 도포 조성물 제조시에 사용되는 용매는 D.I 워터, 알콜, 1,2-디클로로벤젠(1,2-dichlorobezene), 트리톤 X-100(triton X-100) 또는 소디움 도데실 설페이트(sodium dodecyl sulfate)가 대표적이다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 디스플레이용 투명 전극은 우수한 투명성과 전기전도성을 가지며, 특히 밴딩시에도 전기전도성이 떨어지지 않아 플렉서블 디스플레이의 전극으로 효과적으로 활용될 수 있다. 한편, 본 발명의 디스플레이용 투명 전극의 제조 방법은 이와 같은 우수한 특성을 갖는 투명 전극을 단순한 공정 및 저렴한 비용으로 제조할 수 있는 장점이 있다.
본 발명의 디스플레이용 투명 전극 및 그의 제조 방법은 액정표시장치를 비 롯한 다양한 디스플레이에 폭 넓게 활용될 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술된 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
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- (a) 도포 대상 부재에 나노 탄소 재료를 도포하는 단계; 및(b) 상기 도포 대상 부재에 도포된 상기 나노 탄소 재료에 이온 도핑하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이용 투명 전극의 제조 방법.
- 제4항에 있어서,상기 나노 탄소 재료는 탄소나노튜브 또는 탄소나노와이어인 것을 특징으로 하는 디스플레이용 투명 전극의 제조 방법.
- 제4항에 있어서,상기 (a) 단계에서, 상기 나노 탄소 재료의 도포는 상기 나노 탄소 재료를 포함하는 도포 조성물을 제조하고, 상기 도포 조성물을 상기 도포 대상 부재에 도포하고 건조함에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 디스플레이용 투명 전극의 제조 방법.
- 제6항에 있어서,상기 도포 조성물 제조시에 사용되는 용매는 D.I 워터, 알콜, 1,2-디클로로벤젠(1,2-dichlorobezene), 트리톤 X-100(triton X-100) 및 소디움 도데실 설페이트(sodium dodecyl sulfate)로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 디스플레이용 투명 전극의 제조 방법.
- 제4항에 있어서,상기 (b) 단계에서, 이온 도핑은 이온 매스 도핑 시스템 또는 이온 주입에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 디스플레이용 투명 전극의 제조 방법.
- 제4항에 있어서,상기 이온 도핑에 사용된 이온은 인 이온, 비소 이온, 알루미늄 이온 또는 붕소 이온인 것을 특징으로 하는 디스플레이용 투명 전극의 제조 방법.
- 제4항에 있어서,상기 (b) 단계 후에, 도핑된 상기 나노 탄소 재료를 활성화시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이용 투명 전극의 제조 방법.
- 제10항에 있어서,상기 활성화 단계는 마이크로 웨이브를 이용하여 나노 탄소 재료를 가열함에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 디스플레이용 투명 전극의 제조 방법.
- (a) 나노 탄소 재료에 이온 도핑하는 단계; 및(b) 상기 이온 도핑된 나노 탄소 재료를 도포 대상 부재에 도포하는 단계;를 포함하는 디스플레이용 투명 전극의 제조 방법.
- 제12항에 있어서,상기 (a) 단계에서, 이온 도핑은 나노 탄소 재료를 이온 소스 분위기에서 열처리함에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 디스플레이용 투명 전극의 제조 방법.
- 제13항에 있어서,상기 이온 소스는 인, 비소, 알루미늄 또는 붕소 가스인 것을 특징으로 하는 디스플레이용 투명 전극의 제조 방법.
- 제12항에 있어서,상기 (a) 단계에서, 상기 이온 도핑은 이온 매스 도핑 시스템 또는 이온 주입에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 디스플레이용 투명 전극의 제조 방법.
- 제15항에 있어서,상기 (a) 단계는, 상기 나노 탄소 재료를 기판에 증착하는 단계, 증착된 상기 나노 탄소 재료를 이온 도핑하는 단계, 이온 도핑된 상기 나노 탄소 재료를 기판으로부터 분리하는 단계 및 기판으로부터 분리된 상기 나노 탄소 재료를 활성화시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 디스플레이용 투명 전극의 제조 방법.
- 제15항에 있어서,상기 이온 도핑에 사용된 이온은 인 이온, 비소 이온, 알루미늄 이온 또는 붕소 이온인 것을 특징으로 하는 디스플레이용 투명 전극의 제조 방법.
- 제12항에 있어서,상기 나노 탄소 재료는 탄소나노튜브 또는 탄소나노와이어인 것을 특징으로 하는 디스플레이용 투명 전극의 제조 방법.
- 제12항에 있어서,상기 (b) 단계에서, 상기 도핑된 나노 탄소 재료의 도포는 상기 도핑된 나노 탄소 재료를 포함하는 도포 조성물을 제조하고, 상기 도포 조성물을 상기 도포 대상 부재에 도포하고 건조함에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 디스플레이용 투명 전극의 제조 방법.
- 제19항에 있어서,상기 도포 조성물 제조시에 사용되는 용매는 D.I 워터, 알콜, 1,2-디클로로벤젠(1,2-dichlorobezene), 트리톤 X-100(triton X-100) 및 소디움 도데실 설페이트(sodium dodecyl sulfate) 로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 디스플레이용 투명 전극의 제조 방법.
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| Review of the doping of carbon nanotubes (multiwalled and single-walled), Carbon, 2002, Vol 40, pages 1751-1764. * |
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| Transparent, Conductive Carbon Nanotube Films, SCIENCE, 2004, VOL 305, pages 1273-1276. * |
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