CN105374880B

CN105374880B - 薄膜晶体管及显示面板

Info

Publication number: CN105374880B
Application number: CN201410406098.0A
Authority: CN
Inventors: 李冠锋; 蒋国璋; 颜子旻
Original assignee: Innolux Display Corp
Current assignee: Innolux Corp
Priority date: 2014-08-18
Filing date: 2014-08-18
Publication date: 2018-07-27
Anticipated expiration: 2034-08-18
Also published as: CN105374880A

Abstract

本发明实施例提供一种薄膜晶体管及显示面板，其包括栅极电极、栅极绝缘层、源极电极、漏极电极及沟道层。栅极电极配置于一基板上，沟道层与栅极电极电性绝缘，栅极绝缘层配置于栅极电极与沟道层之间。源极电极与漏极电极皆与沟道层电性连接。沟道层定义出接近栅极绝缘层的一侧的前沟道层、接近所述源极电极和所述漏极电极的一侧的背沟道层以及位于前沟道层与背沟道层之间的中间层，其中前沟道层的氧空位浓度大于中间层的氧空位浓度。

Description

薄膜晶体管及显示面板

技术领域

本发明系有关于一种薄膜晶体管的结构，且特别是指一种应用于显示面板的薄膜晶体管。

背景技术

目前常见的薄膜晶体管液晶显示器(Thin film transistor liquid crystaldisplay，TFT-LCD)包括主动组件数组基板、彩色滤光片及背光模块。主动组件数组基板是将薄膜晶体管设置于基板上，而薄膜晶体管用以控制子像素(sub-pixel)的电压，藉此调节液晶分子偏转角度，再透过偏光片进一步决定子像素的灰阶。透过子像素的灰阶搭配上彩色滤光片，从而发出红蓝绿颜色的子像素便构成影像画面。

当施加于薄膜晶体管的电压由低至高时的电流变化曲线与电压由高至低时的电流变化曲线不重合时，即为迟滞现象(Hysteresis)。薄膜晶体管的迟滞现象将会造成液晶分子在相同电压差情况下有不同的偏转角度，造成显示面板在相同的灰阶信号下会产生不同的亮度，因此，将使得显示面板出现闪烁或是残影。

发明内容

本发明实施例提供一种薄膜晶体管，其所形成的沟道层能改善薄膜晶体管的迟滞现象。

本发明其中一实施例所提供的一种薄膜晶体管，其包括栅极电极、栅极绝缘层、源极电极、漏极电极及沟道层。栅极电极配置于一基板上，沟道层与栅极电极电性绝缘，栅极绝缘层配置于栅极电极与沟道层之间。源极电极与漏极电极皆与沟道层电性连接。沟道层定义出接近栅极绝缘层的一侧的前沟道层、接近保护层的一侧的背沟道层以及位于前沟道层与背沟道层之间的中间层，其中前沟道层的氧空位浓度大于中间层的氧空位(vacancy，空穴，缺位)浓度。

本发明另外一实施例所提供的一种显示面板，其包括第一基板、第二基板及主动元件阵列层。第一基板与第二基板结合，而主动元件阵列层配置于第一基板与第二基板之间，其中主动元件阵列层包括复数个薄膜晶体管。所述薄膜晶体管包括栅极电极、栅极绝缘层、源极电极、漏极电极及沟道层。栅极电极配置于一基板上，沟道层与栅极电极电性绝缘，栅极绝缘层配置于栅极电极与沟道层之间。源极电极与漏极电极皆与沟道层电性连接。沟道层定义出接近栅极绝缘层的一侧的前沟道层、接近保护层的一侧的背沟道层以及位于前沟道层与背沟道层之间的中间层，其中前沟道层的氧空位浓度大于中间层的氧空位浓度。

综上所述，本发明实施例所提供的沟道层，沉积完成后，对沟道层进行退火处理，退火温度介于200度(℃)至400度(℃)之间。将沟道层接近栅极绝缘层的一侧开始产生束缚能的位移处定义为前沟道层，沟道层接近保护层的一侧开始产生束缚能的位移处定义为背沟道层。位于所述前沟道层与所述背沟道层之间的定义为中间层。将沟道层由前沟道层往背沟道层的方向依序划分为第一区域、第二区域及第三区域。第一区域代表接近前沟道层的沟道层，第三区域代表接近背沟道层的沟道层，第二区域代表则是介于第一区和第三区域之间的具有中间层的沟道层。第一区域及第三区域的氧空位浓度皆大于第二区域的氧空位浓度。亦即，前沟道层与背沟道层的氧空位浓度皆大于中间层的氧空位浓度，也就是说大部分的氧空位存在于前沟道层与背沟道层。

需详细说明的是，在对沟道层进行热处理的过程中，将使得沟道层内部的氧空位移动至前沟道层及背沟道层，从而改善薄膜晶体管的迟滞现象。本发明的薄膜晶体管能应用于多种不同的显示面板，藉由改善薄膜晶体管的迟滞现象，进一步改善显示面板的响应速度及改善其显示画面出现闪烁或是残影的情形。

为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而所附图式仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制者。

附图说明

图1为本发明第一实施例的薄膜晶体管的剖面示意图。

图2为沟道层的原子百分比例随膜深变化示意图。

图3A为一组沟道层的O1s键结随膜深变化的纵深分析图。

图3B为一组沟道层的O1s键结随膜深变化的纵深分析图。

图4A为前沟道的O1s键结的X射线光电子能谱图。

图4B为沟道层内部的O1s键结的X射线光电子能谱图。

图4C为背沟道的O1s键结的X射线光电子能谱图。

图5A为具有未经过热处理制程沟道层的薄膜晶体管的电流-电压迟滞曲线图。

图5B为具有经过热处理制程沟道层的薄膜晶体管的电流-电压迟滞曲线图。

图6为本发明一实施例的显示面板的结构示意图。

附图标记说明

100 薄膜晶体管

110 栅极电极

120 栅极绝缘层

130 沟道层

130a 前沟道层

130b 背沟道层

130c 中间层

140 保护层

150 源极电极

160 漏极电极

200 显示面板

210 第一基板

220 第二基板

222a 遮光层

222b 彩色滤光片

230 液晶层

C1 彩色滤光层

I 第一区域

II 第二区域

III 第三区域

H1 开口

L1-L7 曲线

S1 基板

T1 主动元件阵列层

具体实施方式

在随附图式中展示一些例示性实施例，而在下文将参阅随附图式以更充分地描述各种例示性实施例。值得说明的是，本发明概念可能以许多不同形式来体现，且不应解释为限于本文中所阐述的例示性实施例。确切而言，提供此等例示性实施例使得本发明将为详尽且完整，且将向熟习此项技术者充分传达本发明概念的范畴。在每一图式中，为了使得所绘示的各层及各区域能够清楚明确，而可夸示其相对大小的比例，而且类似数字始终指示类似组件。

图1是本发明第一实施例的薄膜晶体管的剖面示意图。请参阅图1，于本实施例中，薄膜晶体管100为一底闸型薄膜晶体管(bottom gate thin film transistor)，且包括依序形成于一基板S1上的栅极电极110、栅极绝缘层120、沟道层130、保护层140、源极电极150及漏极电极160。其中，保护层140覆盖于部分沟道层130上，以裸露出部分沟道层130，而源/漏极电极150、160与裸露出的部分沟道层130电性连接。

一般来说，当施加电压于栅极电极110时，将促使沟道层130受到感应而聚集电荷，进而在沟道层130形成出一供电荷流通的沟道。栅极绝缘层120用来隔离栅极电极110及沟道层130，以防止薄膜晶体管100短路，而保护层140用以作为沟道层130的蚀刻终止层。

一般来说，基板S1用以作为薄膜晶体管100的载板，其可以是塑料基板、硅基板、蓝宝石基板、陶瓷基板或是玻璃基板。本发明并不对基板S1的种类加以限定。

栅极电极110配置于基板S1上。栅极电极110的结构可以是单层或者是双层以上的迭层，于本实施例中，栅极电极110的结构为单层。栅极电极110的材料可以是金属材料，例如是铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)、钽(Ta)、钨(W)、钼(Mo)、铬(Cr)及/或铌(Nd)等。或者，栅极电极层的材料也可以是合金材料，例如是铝钼合金及/或铝铌合金等。或者，栅极电极层的材料也可以金属氮化物，例如是氮化钽(TaN)、氮化铝(AlN)等。

栅极绝缘层120配置于栅极电极110上，以覆盖栅极电极110和基板S1上。栅极绝缘层120的结构可以是单层或迭层，于本实施例中，栅极绝缘层120的结构为单层。栅极绝缘层120的材料为氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)及/或氮氧化硅(SiON)等材料。

保护层140配置于沟道层130上。保护层140的材料为氧化硅(SiO_x)。可以透过微影蚀刻制程将保护层140图案化以在保护层140形成多个开口H1，源极电极150与漏极电极160都透过开口H1而与沟道层130电性连接。

沟道层130位于栅极绝缘层120和保护层140之间，与栅极电极110电性绝缘。沟道层130为一半导体层，其材料可以是非晶硅(Amorphous silicon,a-Si)、微晶硅(Microcrystalline Silicon，mc-Si)、多晶硅(Poly silicon)或金属氧化物(MetalOxide)等。于一实施例中，沟道层130为一金属氧化物半导体层。具体而言，沟道层130可以藉由溅镀法先形成整层的金属氧化物薄膜后，经过微影蚀刻制程将整层的金属氧化物薄膜图案化以形成岛状的金属氧化物半导体层。值得说明的是，沟道层130的材料可以是选自于氧化铟镓锌(Indium-Gallium-Zinc Oxide，IGZO)、氧化锌(Zinc oxide，ZnO)、氧化锡(Stannous oxide，SnO)、氧化铟锌(Indium-Zinc Oxide，IZO)、氧化镓锌(Gallium-ZincOxide，GaZnO)、氧化锌锡(Zinc-Tin Oxide，ZTO)、氧化铟锡(Indium-Tin Oxide，ITO)及其混合所组成的群组之中的其中一种。于本实施例中，沟道层130的材料是氧化铟镓锌。不过，本发明并不对此加以限制。

具体而言，沟道层130可以是透过磁控溅镀法(magnetron sputtering)、金属有机化学气相沉积法(metal organic chemical-vapor deposition，MOCVD)或脉冲雷射蒸镀法(pulsed laser deposition，PLD)而制作。在沉积完成后，对沟道层130进行热处理制程，例如是退火处理。其中，退火温度介于200度(℃)至400度(℃)之间。

值得说明的是，透过X射线光电子能谱仪(X-ray Photoelectron Spectroscope,XPS)对沟道层130进行分析，即可了解沟道层130的组成。图2为沟道层130的原子百分比例随膜深变化示意图。将图2的原子百分比例详列于下方表1。

表1

请参阅图2与表1，藉由X射线光电子能谱仪分析沟道层130，其材料为氧化铟镓锌。XPS纵深分布(Depth Profile)是藉由离子束溅镀(ion-sputtering)试片，并分析不同深度的电子讯号，而得到元素组成在不同纵深的分布。X轴为透过X射线光电子能谱仪分析沟道层130从接近保护层140的一侧往接近栅极绝缘层120一侧的膜深，Y轴为元素的原子数比(单位：at％)。值得说明的是，X轴的单位为蚀刻深度，也就是藉由离子束溅镀(ion-sputtering)试片的深度。曲线L1代表沟道层130的O1s键结随膜深的变化曲线，曲线L2代表沟道层130的氧空位随膜深的变化曲线，曲线L3代表沟道层130的In-O键结随膜深的变化曲线，曲线L4代表沟道层130的Ga₂O₃键结随膜深的变化曲线，曲线L5代表沟道层130的Zn-O键结随膜深的变化曲线。

如图2所绘示的各曲线L1-L5的变化，显示出沟道层130各原子的百分比例随着沟道层130的厚度变化。曲线L1及曲线L3-L5的变化不大，显示出沟道层130内的铟、镓、锌、氧原子的百分比例随着沟道层130所量测的膜深增加而没有太大的变化。参阅表1，沟道层130为氧化铟镓锌层，其铟、镓、锌、氧原子的比例为1:1.45～1.8:1～1.25:4.3～4.7。曲线L2在沟道层130分别与栅极绝缘层120及保护层140的交界处变化较在沟道层130来的高，显示出沟道层130在接近栅极绝缘层120一侧的表面及在接近保护层140一侧的表面存在较多氧空位，而在沟道层130内部存在较少的氧空位。

图3A及图3B为一组沟道层130的O1s键结随膜深变化的纵深分析图。将图3A及图3B的键结比例详列于下方表2。在图3A及图3B中，X轴为束缚能(Binding energy)值，Z轴为强度值，Y轴为透过X射线光电子能谱仪分析沟道层130的膜深。图3A的Y轴视角是从接近栅极绝缘层120一侧往接近保护层140的一侧方向，而图3B的Y轴视角是从接近保护层140一侧往接近栅极绝缘层120的一侧方向。

图3A及图3B中的多条曲线显示为一组沟道层130的O1s键结随膜深的变化曲线。沟道层130的O1s键结随着随膜深而产生束缚能的位移，沟道层130从接近栅极绝缘层120一侧往接近保护层140的一侧方向O1s键结的波峰是由低到高再往低进行束缚能位移。将沟道层130开始产生的束缚能开始产生的位移之处，亦即，将沟道层130接近栅极绝缘层120的一侧的束缚能开始产生束缚能的位移处定义为前沟道层130a，沟道层130接近保护层140或源极电极150与漏极电极160的一侧的束缚能开始产生束缚能的位移处定义为背沟道层130b，而位于前沟道层130a与背沟道层130b之间的沟道层130定义为中间层130c。其中前沟道层130a与背沟道层130b的厚度系介于1nm～10nm，而中间层130c的厚度远大于前沟道层130a与背沟道层130b的厚度。

为了便于详述沟道层130的组成及特性，可以透过曲线配适法(curve fitting)的方式来分析沟道层130内部、前沟道层130a及背沟道层130b的O1s键结，以获取沟道层130的氧原子的特性。图4A为前沟道层130a的O1s键结的X射线光电子能谱图，图4B为沟道层130内部的O1s键结的X射线光电子能谱图，图4C为背沟道层130b的O1s键结的X射线光电子能谱图。沟道层130内部的O1s键结大致上是对称的，而前沟道层130a与背沟道层130b的O1s键结的波峰是不对称的，显示氧并非纯粹是由晶格氧(530.3eV)所组成，而是含有氧空位(532.3eV)。曲线L6代表O1s键结的波峰曲线，曲线L7代表氧空位的波峰曲线。在图4A及图4C中，皆存在曲线L6与L7，代表前沟道层130a与背沟道层130b皆有氧空位的存在。在图4B中，仅存在曲线L6，代表沟道层130几乎没有氧空位的存在。对图4A及图4C进行面积积分，获得元素含量列于表2。

表2

请再参阅图2，由曲线L2所显示，沟道层130在接近栅极绝缘层120一侧的表面(亦即，前沟道层130a)及在接近保护层140或源极电极150与汲极漏极电极160一侧的表面(亦即，背沟道层130b)的氧空位浓度较高，而在沟道层130内部(亦即，中间层130c)的氧空位浓度较低。大致地，将沟道层130由前沟道层130a往背沟道层130b的方向依序划分为第一区域I、第二区域II及第三区域III。第一区域I代表接近前沟道层130a的沟道层130，第三区域III代表接近背沟道层130b的沟道层130，第二区域II代表则是介于第一区域I前沟道层130a和背沟道层130b之间的中间层130c。由第一区域I、第二区域II及第三区域III内的曲线L2的变化，第一区域I及第三区域III的氧空位浓度皆大于第二区域II的氧空位浓度。亦即，前沟道层130a与背沟道层130b的氧空位浓度皆大于中间层130c的氧空位浓度，也就是说大部分的氧空位存在于前沟道层130a与背沟道层130b。其中，前沟道层的氧空位浓度及背沟道层的氧空位浓度介于3％～20％之间。

另外，在背沟道层130b的氧空位浓度并非呈现平均的分布。由于保护层140经过微影蚀刻制程将保护层140图案化以形成多个开口H1，微影蚀刻制程将会使得位于开口H1下方的沟道层130所受到较多的破坏，从而位于开口H1下方的沟道层130的氧空位浓度将会比与保护层140接触的沟道层130的氧空位浓度大。

值得说明的是，在对沟道层130进行热处理的过程中，将使得沟道层130内部的氧空位移动至前沟道层130a及背沟道层130b，从而改善薄膜晶体管的迟滞现象。

图5A为具有经过热处理制程沟道层130的薄膜晶体管的电流-电压迟滞曲线图。图5B为具有未经过热处理制程沟道层130的薄膜晶体管的电流-电压迟滞曲线图。如图5A所绘示，量测一具有经过热处理制程沟道层130的薄膜晶体管100，取其临限电压(thresholdvoltage)的差值来定义迟滞现象的大小，而其迟滞曲线的迟滞现象较小。如图5B所绘示，量测具有未经过热处理制程沟道层130的薄膜晶体管，而薄膜晶体管的迟滞曲线的迟滞现象较大。因此，具有经过热处理制程沟道层130的薄膜晶体管100的迟滞现象(Hysteresis)小于具有未经过热处理制程沟道层130的薄膜晶体管的迟滞现象。

图6为本发明一实施例的显示面板的结构示意图。于本实施例中，显示面板200为一液晶面板。请参阅图6，显示面板200包括第一基板210、第二基板220、液晶层230及主动元件阵列层T1。第一基板210与第二基板220结合，而液晶层230及主动元件阵列层T1配置于第一基板210与第二基板220之间，其中主动元件阵列层T1包括至少一薄膜晶体管100。

第一基板210及第二基板220的材料可以是玻璃、塑料或者是石英。不过，本发明并不对第一基板210及第二基板220的材料加以限制。

显示面板200可以包括配置于第二基板220上的彩色滤光层C1，其中彩色滤光层C1包括遮光层222a及多片各种颜色的彩色滤光片222b。遮光层222a主要用以遮来自背光模块的光以防止因入射光的泄漏而影响到影像的表现。遮光层222a裸露出部分第二基板220的表面以划分出多个单色像素区域(未绘示)，而这些单色像素区域用以配列各色的彩色滤光片222b。遮光层222a所使用的材料可以是黑色树脂、黑色光阻材料等。彩色滤光片222b可以是各色光阻，所使用的材料可以是彩色光阻材料，而其颜色可以是红色、绿色、蓝色、或者是透明色等。为了不同的显示面板设计上的考虑，这些配置于单色像素区域内的彩色滤光片222b可以有多种配列方式，例如是马赛克式、三角式、直条式等。不过，本发明并不以各色彩色滤光片222b的颜色、材料及配置设计为限。

液晶层230配置于第一基板210与第二基板220之间的间隙，用以改变入射光的方向。液晶层230的材料种类有多种，可以是向列型液晶(Nematic Liquid Crystal)、层列型液晶(Smectic Liquid Crystal)、胆固醇型液晶(Cholesteric Liquid Crystal)等。不过，本发明并不以此为限。

主动元件阵列层T1配置于第一基板210上，且主动元件阵列层T1包括多个薄膜晶体管100、多条数据线(未绘示)及多条扫描线(未绘示)。薄膜晶体管100所组成的主动组件数组对应于上述彩色滤光片222b所形成的配列。值得说明的是，薄膜晶体管100包括依序形成于一第一基板210上的的栅极电极110、栅极绝缘层120、沟道层130、保护层140、源极电极150及漏极电极160。其中，保护层140覆盖于部分沟道层130上，以裸露出部分沟道层130，而源/漏极电极150、160与裸露出的部分沟道层130电性连接。其中，源极电极160与资料线(未绘示)耦接，栅极电极110和扫描线(未绘示)耦接。

沟道层130的材料是氧化铟镓锌。不过，本发明并不对此加以限制。具体而言，沟道层130可以是透过磁控溅镀法、金属有机化学气相沉积法或脉冲雷射蒸镀法而制作。在沉积完成后，对沟道层130进行热处理制程，例如是退火处理。其中，退火温度介于200度(℃)至400度(℃)之间。请再参阅图1，将沟道层130由前沟道层130a往背沟道层130b的方向依序划分为第一区域I、第二区域II及第三区域III。第一区域I代表前沟道层130a，第三区域III代表背沟道层130b，第二区域II代表则是介于前沟道层130a和背沟道层130b之间的中间层130c。由第一区域I、第二区域II及第三区域III内的曲线L2的变化，第一区域I及第三区域III的氧空位浓度皆大于第二区域II的氧空位浓度。亦即，前沟道层130a与背沟道层130b的氧空位浓度皆大于中间层130c的氧空位浓度，也就是说大部分的氧空位存在于前沟道层130a与背沟道层130b。

需详细说明的是，在对沟道层130进行热处理的过程中，将使得沟道层130内部的氧空位移动至前沟道层130a及背沟道层130b，从而改善薄膜晶体管的迟滞现象，进一步改善显示面板200的响应速度及改善其显示画面出现闪烁或是残影的情形。

〔实施例的可能功效〕

综上所述，本发明实施例所提供的沟道层，沉积完成后，对沟道层进行退火处理，退火温度介于200度(℃)至400度(℃)之间。将沟道层接近栅极绝缘层的一侧开始产生束缚能的位移处定义为前沟道，沟道层接近保护层的一侧开始产生束缚能的位移处定义为背沟道。将沟道层由前沟道往背沟道的方向依序划分为第一区域、第二区域及第三区域。第一区域代表接近前沟道的沟道层，第三区域代表接近背沟道的沟道层，第二区域代表则是介于第一区和第三区域之间的沟道层。第一区域及第三区域的氧空位浓度皆大于第二区域的氧空位浓度。亦即，大部分的氧空位存在于前沟道与背沟道。

需详细说明的是，在对沟道层进行热处理的过程中，将使得沟道层内部的氧空位移动至前沟道及背沟道，从而改善薄膜晶体管的迟滞现象，进一步改善显示面板的响应速度及改善其显示画面出现闪烁或是残影的情形。

本发明的薄膜晶体管能应用于多种不同的显示面板，藉由改善薄膜晶体管的迟滞现象，进一步改善显示面板的响应速度及改善其显示画面出现闪烁或是残影的情形。

以上所述仅为本发明的较佳可行实施例，非因此局限本发明的专利范围，故举凡运用本发明说明书及图式内容所做的等效技术变化，均包含于本发明的保护范围内。

Claims

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，其包括：

一栅极电极，配置于一基板上；

一沟道层，与所述栅极电极电性绝缘；

一栅极绝缘层，配置于所述栅极电极与所述沟道层之间；

一源极电极，电性连接所述沟道层；以及

一漏极电极，电性连接所述沟道层，

其中所述沟道层定义出一接近所述栅极绝缘层的一侧的前沟道层、一接近所述源极电极和所述漏极电极的一侧的背沟道层以及一位于所述前沟道层与所述背沟道层之间的中间层，所述前沟道层的氧空位浓度大于所述中间层的氧空位浓度。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述前沟道层与所述背沟道层的氧空位浓度皆大于所述中间层的氧空位浓度。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，更包括：

一保护层，配置于所述沟道层与所述源极电极及所述漏极电极之间，且覆盖于部分所述沟道层上以裸露出部分沟道层。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述前沟道层系定义为所述沟道层接近所述栅极绝缘层的一侧的束缚能开始产生位移处。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述前沟道层的厚度系介于1nm～10nm。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述背沟道层系定义为所述沟道层接近所述源极电极与所述漏极电极的一侧的束缚能开始产生位移处。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述背沟道层的厚度系介于1nm～10nm。

8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述沟道层为一金属氧化物半导体层。

9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管，其中所述金属氧化物半导体层的材料为氧化铟镓锌，所述氧化铟镓锌的铟、镓、锌、氧原子的比例为1:1.45～1.8:1～1.25:4.3～4.7。

10.根据权利要求8所述的薄膜晶体管，其中所述金属氧化物半导体层的材料为氧化铟镓锌，所述前沟道层的氧空位浓度及所述背沟道层的氧空位浓度介于3％～20％之间。

11.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其中所述保护层具有多个开口，所述源极电极与所述漏极电极都透过所述开口而与所述沟道层接触，而位于所述开口下方的所述沟道层的氧空位浓度大于与所述保护层接触的所述沟道层的氧空位浓度。

12.一种显示面板，其特征在于，包括：

一第一基板；

一第二基板，与所述第一基板结合；以及

一主动元件阵列层，配置于所述第一基板及所述第二基板之间，所述主动元件阵列层包括复数个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：

一栅极电极，配置于一基板上；

一沟道层，与所述栅极电极电性绝缘；

一栅极绝缘层，配置于所述栅极电极与所述沟道层之间；

一源极电极，电性连接所述沟道层；以及

一漏极电极，电性连接所述沟道层，

13.根据权利要求12所述的显示面板，其中所述前沟道层与所述背沟道层的氧空位浓度皆大于所述中间层的氧空位浓度。

14.根据权利要求12所述的显示面板，更包括：

15.根据权利要求12所述的显示面板，其中所述前沟道层系定义为所述沟道层接近所述栅极绝缘层的一侧的束缚能开始产生位移处。

16.根据权利要求12所述的显示面板，其中所述背沟道层系定义为所述沟道层接近所述源极电极与所述漏极电极的一侧的束缚能开始产生位移处。

17.根据权利要求12所述的显示面板，其中所述沟道层为一金属氧化物半导体层。

18.根据权利要求17所述的显示面板，其中所述金属氧化物半导体层的材料为氧化铟镓锌，所述氧化铟镓锌的铟、镓、锌、氧原子的比例为1:1.45～1.8:1～1.25:4.3～4.7。

19.根据权利要求17所述的显示面板，其中所述金属氧化物半导体层的材料为氧化铟镓锌，所述前沟道层的氧空位浓度及所述背沟道层的氧空位浓度介于3％～20％之间。

20.根据权利要求14所述的显示面板，其中所述保护层具有多个开口，所述源极电极与所述漏极电极都透过所述开口而与所述沟道层接触，而位于所述开口下方的所述沟道层的氧空位浓度大于与所述保护层接触的所述沟道层的氧空位浓度。