JP2005077822A - トランジスタアレイ基板の製造方法及びトランジスタアレイ基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 トランジスタアレイ基板1を製造するに際して、トランジスタ4をマトリクス状にパターニングする。そのトランジスタ4の不純物半導体膜12,13は、透明な半導体である金属酸化物(酸化亜鉛、酸化マグネシウム亜鉛、酸化カドミウム亜鉛、酸化カドミウム等)に不純物を含んだ不純物ドープ金属酸化物膜をべた一面に成膜した後、その膜にマスクを施した状態でエッチングすることによって形成する。ここで、そのマスクには、不純物半導体膜12,13の分だけでなく蓄電用ライン7の分もあるので、不純物ドープ金属酸化物膜から蓄電用ライン7も形成される。トランジスタ4及び蓄電用ライン7を層間絶縁膜16で被覆し、蓄電用ライン7の一部に対向する画素電極3を層間絶縁膜16上に形成する。
【選択図】図1
Description
透明な半導体である金属酸化物と不純物とを含んだ透明な不純物金属酸化物膜を成膜する不純物金属酸化物膜成膜工程と、
前記不純物金属酸化物膜を形状加工することによって、トランジスタの不純物半導体膜及び蓄電用電極を形成するパターニング工程と、
絶縁膜を介して前記蓄電用電極と重なるように透明電極を形成する透明電極形成工程と、
を含むことを特徴とする。
ここで、トランジスタアレイ基板が、ゲートラインと、前記ゲートラインとの間にゲート絶縁膜を介して前記ゲートラインに直交するソースラインと、前記ゲートラインと前記ソースラインとの各交差部に配置されたトランジスタと、前記トランジスタを被覆した前記絶縁膜と、前記トランジスタのドレイン電極に電気的に接続された透明電極と、を透明基板上に備えている場合、
前記トランジスタのゲート電極、前記トランジスタのソース電極、前記トランジスタのドレイン電極、前記トランジスタの半導体膜、前記ゲートライン及び前記ソースラインを形成する工程を含んでいる。
透明な半導体である金属酸化物膜を成膜する工程と、
前記金属酸化物膜のうち前記トランジスタの半導体膜を除く部分に不純物を注入する工程と、で構成してもよい。
前記トランジスタのゲート電極、前記ゲートライン及び前記蓄電用ラインを形成する工程と、
ゲート絶縁膜を形成することによってゲート絶縁膜で前記トランジスタのゲート電極、前記ゲートライン及び前記蓄電用ラインを被覆する工程と、
を含んでもよく、
さらにパターニング工程の後、前記トランジスタのソース電極、前記トランジスタのドレイン電極、前記トランジスタの半導体膜及び前記ソースラインを形成する工程を含んでもよい。
そして、透明電極形成工程は、
絶縁膜を成膜して該絶縁膜で前記トランジスタ及び前記蓄電用電極を被覆する工程と、
前記蓄電用電極に対向するように前記透明電極を前記絶縁膜上に形成する工程と、を含むようにしてもよい。
或いは、絶縁膜で前記トランジスタを被覆する工程と、
前記平坦化膜を成膜する工程と、
前記透明電極を前記平坦化膜上に形成する工程と、を含むようにしてもよい。
前記トランジスタのゲート電極及び前記ゲートラインを形成する工程と、
ゲート絶縁膜を形成することによって該ゲート絶縁膜で前記トランジスタのゲート電極及び前記ゲートラインを被覆する工程と、
を含み、
不純物金属酸化物膜成膜工程の後に、
前記トランジスタのソース電極、前記トランジスタのドレイン電極、前記トランジスタの半導体膜及び前記ソースラインを形成した後に絶縁膜を成膜することによって該絶縁膜で前記トランジスタを被覆する工程と、
前記平坦化膜を成膜する工程と、
前記透明電極を前記平坦化膜上にパターニングする工程と、を含むようにしてもよい。
本発明におけるトランジスタアレイ基板を、液晶表示装置、EL表示装置に適用した場合、前記透明電極を画素毎に分割された画素電極とすることができる。
透明な半導体である金属酸化物と不純物とを含んだ不純物金属酸化物膜をそれぞれ有する複数のトランジスタと、
前記複数のトランジスタの不純物金属酸化物膜と同一面上に配置された同じ不純物金属酸化物膜からなる蓄電用電極と、
絶縁膜を介して前記蓄電用電極と重なるように透明電極と、
を含むことを特徴とする。
また、前記トランジスタアレイ基板は、ゲートラインと、前記ゲートラインとの間にゲート絶縁膜を介して前記ゲートラインに直交するソースラインと、前記ゲートラインと前記ソースラインとの各交差部に配置されたトランジスタと、前記トランジスタを被覆した前記絶縁膜と、前記トランジスタに接続されるとともに前記絶縁膜上に形成された透明電極と、を透明基板上に備えてもよく、この場合、
前記トランジスタが、ゲートラインに接続されたゲート電極と、該ゲート電極に前記ゲート絶縁膜を介して対向した半導体膜と、前記半導体膜の両側に形成されるとともに透明な半導体である金属酸化物と不純物とを含んだ二つの不純物半導体膜と、前記二つの不純物半導体膜のうち一方の不純物半導体膜に積層されるとともに前記ソースラインに接続されたソース電極と、他方の不純物半導体膜に積層されるとともに前記絶縁膜を介して前記透明電極に接続されたドレイン電極と、を有し、
透明な半導体である金属酸化物と不純物とを含んだ蓄電用電極が前記絶縁膜を挟んで前記透明電極に対向するように形成されていてもよい。
そして、蓄電用電極がトランジスタの不純物半導体膜と同一面上で同じ材料から形成されているので、蓄電用電極とトランジスタの不純物半導体膜を同一工程で形成することができる。
前記トランジスタが、前記ゲートラインに接続されたゲート電極と、該ゲート電極に前記ゲート絶縁膜を介して対向した半導体膜と、前記半導体膜の両側に形成されるとともに透明な半導体である金属酸化物と不純物とを含んだ二つの不純物半導体膜と、前記二つの不純物半導体膜のうち一方の不純物半導体膜に積層されるとともに前記ソースラインに接続されたソース電極と、他方の不純物半導体膜に積層されるとともに前記絶縁膜を介して前記透明電極に接続されたドレイン電極と、を有し、
前記ゲートラインに平行な蓄電用ラインが前記絶縁膜下に形成され、
前記ソース電極側の不純物半導体膜と一体になる蓄電用電極が前記ゲート絶縁膜又は前記絶縁膜を挟んで前記蓄電用ラインの一部に対向するように形成されているようにしてもよい。
前記トランジスタが、前記ゲートラインに接続されたゲート電極と、該ゲート電極に前記ゲート絶縁膜を介して対向した半導体膜と、前記半導体膜の両側に形成されるとともに透明な半導体である金属酸化物と不純物とを含んだ二つの不純物半導体膜と、前記二つの不純物半導体膜のうち一方の不純物半導体膜に積層されるとともに前記ソースラインに接続されたソース電極と、他方の不純物半導体膜に積層されるとともに前記絶縁膜を介して前記透明電極に接続されたドレイン電極と、を有し、
前記ソース電極側の不純物半導体膜と一体になる蓄電用電極が前記ゲート絶縁膜又は前記絶縁膜を挟んで隣りのゲートラインの一部に対向するように形成されていてもよい。
図1は本発明を適用したトランジスタアレイ基板1の電極構成を示した平面図である。図2はこのトランジスタアレイ基板1を用いた液晶ディスプレイパネルを示した断面図であり、図2(a)は図1のA1−A2線に沿った断面図であり、図2(b)は図1のB1−B2線に沿った断面図である。
対向基板40の前面透明基板41は、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス、その他の透明なガラス、PMMA、ポリカーボネート、その他の透明な樹脂で平板状に形成されたものである。前面透明基板41のトランジスタアレイ基板1側の面41aには、画素電極3に相対する領域で開口した黒色のブラックマトリクス44が網目状にパターニングされており、ブラックマトリクス44によって囲繞された複数の開口部がマトリクス状に配列されている。ブラックマトリクス44の各開口部には赤(R)、緑(G)、青(B)の何れかの色を有したカラーフィルタ43が形成されており、対向基板40全体ではこれら三色が規則正しく配列されている。
トランジスタアレイ基板1の背面透明基板2は、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス、その他の透明なガラス、PMMA、ポリカーボネート、その他の透明な樹脂で平板状に形成されたものである。
まず、前面透明基板41の一方の面41aにクロム又は酸化クロムの黒色膜を気相成長法(スパッタリング法、CVD法、PVD法等)により成膜し、フォトリソグラフィ法によってレジストのマスクを黒色膜に施し、マスクをした状態で黒色膜に対してエッチングをすることによって黒色膜を形状加工し、レジストを除去する。これにより、ブラックマトリクス44を得る。
次に、液滴吐出法(インクジェット法)、印刷法等によって赤・緑・青の樹脂を順にパターニングし、ブラックマトリクス44の各開口部にカラーフィルタ43を得る。次に、気相成長法により対向電極42をべた一面に成膜する。
次に、ラビング法等により対向電極42上に配向膜45を形成する。以上のようにして対向基板40製造する。
一方、背面透明基板2の一方の面2aに導電膜を気相成長法により成膜し、フォトリソグラフィ法によってレジストのマスクを導電膜に施し、マスクをした状態で導電膜に対してエッチングをすることによって導電膜を形状加工し、マスクを除去する。これにより、複数のゲートライン5を得る。
次に、気相成長法によりゲート絶縁膜8を一面に成膜した後、透明な半導体である金属酸化物膜を気相成長法により一面に成膜する。
次に、気相成長法により酸化珪素又は窒化珪素の絶縁膜を一面に成膜し、フォトリソグラフィ法によってレジストのマスクを絶縁膜に施し、マスクをした状態でその絶縁膜に対してエッチングをすることによって絶縁膜を形状加工し、マスクを除去する。これにより複数のチャネル保護膜11を得る。
次に、Ga等の不純物を含有した透明な半導体である不純物ドープ金属酸化物膜を気相成長法により一面に成膜するが、その膜厚を100nm以上にすると良い。次にフォトリソグラフィ法によってレジストのマスクを不純物ドープ金属酸化物膜上に施す。ここで、マスクの平面形状は、平面視して複数の蓄電用ライン7及び複数の薄膜トランジスタ4の不純物半導体膜12,13全体の形状と同じである。そして、マスクをした状態で不純物ドープ金属酸化物膜及び金属酸化物膜に対してエッチングをすることによって不純物ドープ金属酸化物膜及び金属酸化物膜を形状加工し、マスクを除去する。これにより、複数の薄膜トランジスタ4の半導体膜10及び不純物半導体膜12,13を得るとともに、同時に複数の半導体ライン17及び蓄電用ライン7を得るが、半導体膜10はチャネル保護膜11によってチャネル領域を保護されるのでその中央部がエッチャントによって除去されない。このように、蓄電用ライン7及び半導体ライン17を形成する工程を、薄膜トランジスタ4の半導体膜10及び不純物半導体膜12,13を形成する工程と同時に行うので、製造工程が簡易になる。なお、不純物半導体膜12,13は、予め不純物が混入された金属酸化物膜でなくてもよい。すなわち、真性の金属酸化物膜を成膜後にイオン注入をすることで不純物ドープ金属酸化物膜とすることが可能である。
次に、導電膜を気相成長法により成膜し、フォトリソグラフィ法によってレジストのマスクを導電膜に施し、マスクをした状態で導電膜に対してエッチングをすることによって導電膜を形状加工し、マスクを除去する。これにより、複数の薄膜トランジスタ4のドレイン電極14及びソース電極15並びに複数のソースライン6を得る。
次に、気相成長法により層間絶縁膜16を一面に成膜した後、平面視して各ドレイン電極14に重なる箇所においてコンタクトホール16aを形成する。次に、気相成長法により透明導電膜を一面に成膜するが、コンタクトホール16a内にもその透明な導電材が埋まる。次いで、フォトリソグラフィ法によってレジストのマスクを透明導電膜に施し、マスクをした状態で透明導電膜に対してエッチングをすることによって透明導電膜を形状加工し、マスクを除去する。これにより、複数の画素電極3を得る。
次に、ラビング法等により配向膜18を形成する。以上にようにトランジスタアレイ基板1を製造する。
以上のように製造したトランジスタアレイ基板1と対向基板40の間にスペーサを挟んでトランジスタアレイ基板1と対向基板40を相対向させ、トランジスタアレイ基板1と対向基板40の間に液晶50を注入し、これら基板の周囲をシール材で封止する。
実施形態2における液晶ディスプレイパネルについて説明する。
図4は図1に示されたトランジスタアレイ基板1とは別のトランジスタアレイ基板101を示した平面図である。図5はこのトランジスタアレイ基板101を用いた液晶ディスプレイパネルを示した断面図であり、図5(a)は図4のA1−A2線に沿った断面図であり、図5(b)は図4のB1−B2線に沿った断面図である。以下、実施形態2の液晶ディスプレイパネルが実施形態1の液晶ディスプレイパネルと異なる点について主に説明するが、図4及び図5において実施形態1の液晶ディスプレイパネルと同一の構成要素には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
まず、透明な半導体である金属酸化物膜を気相成長法により背面透明基板2の一方の面2a全面に成膜し、複数の薄膜トランジスタ104の半導体膜110に対応する箇所にレジストのマスクを形成し、マスクをした状態でn+の不純物(例えば、Ga)をイオン注入法により金属酸化物膜に注入し、マスクを除去する。これにより、金属酸化物膜は、マスクを施した領域では不純物がドープされていない半導体となり、マスクを施してない領域では不純物がドープされた不純物半導体となる。
次に、その金属酸化物膜上にレジストのマスクを形成するが、特に、複数の薄膜トランジスタ104の半導体膜110及び不純物半導体膜112,113並びに複数の蓄電用ライン107に対応する箇所にマスクを形成する。次に、マスクをした状態でエッチングを行うことで金属酸化物膜を形状加工し、マスクを除去する。これにより、複数の薄膜トランジスタ104の半導体膜110及び不純物半導体膜112,113並びに複数の蓄電用ライン107を得る。
次に、気相成長法によりゲート絶縁膜108をべた一面に成膜する。その後、ゲート絶縁膜108上に導電膜を気相成長法により成膜し、レジストのマスクをその導電膜上に形成し、マスクをした状態でその導電膜に対してエッチングをすることによって導電膜を形状加工し、マスクを除去する。これにより、複数のゲートライン105を得る。
次に、気相成長法により層間絶縁膜116をべた一面に成膜する。その後、平面視して不純物半導体膜112に重なる部分にコンタクトホール116aをそれぞれ形成するとともに、平面視して不純物半導体膜113に重なる部分にコンタクトホール116bをそれぞれ形成する。
次に、気相成長法により導電膜を一面に成膜するが、コンタクトホール116a,116b内にもその導電材が埋まる。そして、その導電膜上にレジストのマスクを形成するが、マスクの形状は複数の薄膜トランジスタ104のドレイン電極114及びソース電極115並びに複数のソースライン106に対応させる。そして、マスクをした状態でその導電膜に対してエッチングすることによって導電膜を形状加工し、マスクを除去する。
次に、気相成長法により透明導電膜を一面に成膜するが、その透明導電膜上にレジストのマスクを形成し、マスクをした状態で透明導電膜に対してエッチングをすることによって透明導電膜を形状加工し、マスクを除去する。これにより、複数の画素電極103を得る。
次に、ラビング法等により配向膜118を形成する。以上にようにトランジスタアレイ基板101を製造する。
実施形態3における液晶ディスプレイパネルについて説明する。
図6は、図1に示されたトランジスタアレイ基板1とは別のトランジスタアレイ基板201を示した平面図である。図7は、このトランジスタアレイ基板201を用いた液晶ディスプレイパネルを示した断面図であって、図6のA1−A2線に沿った断面図である。以下、実施形態3の液晶ディスプレイパネルが実施形態1の液晶ディスプレイパネルと異なる点について主に説明するが、図6及び図7において実施形態1の液晶ディスプレイパネルと同一の構成要素には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
フォトリソグラフィ法により導電膜上に形成するマスクの形状は、ゲートライン5に対応した形状のみならず、更に蓄電用ライン207に対応した形状も加える。これにより、導電膜をエッチングすれば、複数のゲートライン5及び複数の蓄電用ライン207を得ることができる。
実施形態1の場合と同じである。
フォトリソグラフィ法により不純物ドープ金属酸化物膜上に形成するマスクの形状には、実施形態1における蓄電用ライン7の分が無いが、代わりに複数の蓄電用電極223の分がある。つまり、マスクの平面形状は、平面視して複数の蓄電用電極223及び複数の薄膜トランジスタ4の不純物半導体膜12,13全体の形状と同じである。このようなマスクを施した状態でエッチングを行うと、複数の薄膜トランジスタ4の半導体膜10及び不純物半導体膜12,13を得るとともに、同時に複数の半導体膜224及び複数の蓄電用電極223も得る。
次の工程1−8を行う前に、平面視して蓄電用ライン207と蓄電用電極223が重なるそれぞれの部分にコンタクトホール223aを形成し、コンタクトホール223aを蓄電用ライン207まで通す。
気相成長法により導電膜をべた一面に成膜することによって、コンタクトホール223aに導電性材料225が埋まる。次に、複数の薄膜トランジスタ4のドレイン電極14及びソース電極15並びに複数のソースライン6用にマスクをフォトリソグラフィ法により形成するが、更にそれぞれのコンタクトホール223aに対応する部分にもマスクを施す。このような状態でエッチングを行うと、複数の薄膜トランジスタ4のドレイン電極14及びソース電極15並びに複数のソースライン6を得ることができ、更にコンタクトホール223a及びその表層にも導電性材料225が残留する。
実施形態1の場合と同じである。
実施形態4における液晶ディスプレイパネルについて説明する。
図8は、図1に示されたトランジスタアレイ基板1とは別のトランジスタアレイ基板301を示した平面図である。図9はこのトランジスタアレイ基板301を用いた液晶ディスプレイパネルを示した断面図であり、図9(a)は図8のA1−A2線に沿った断面図であり、図9(b)は図8のB1−B2線に沿った断面図である。図10は、隣り合う四つの画素の等価回路を示した図面である。以下、実施形態4の液晶ディスプレイパネルが実施形態1の液晶ディスプレイパネルと異なる点について主に説明するが、図8、図9及び図10において実施形態1の液晶ディスプレイパネルと同一の構成要素には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
実施形態1の場合と同じである。
フォトリソグラフィ法により不純物ドープ金属酸化物膜上に形成するマスクの形状には、実施形態1における蓄電用ライン7の分が無いが、代わりに複数の蓄電用電極323の分がある。つまり、マスクの平面形状は、平面視して複数の蓄電用電極323及び複数の薄膜トランジスタ4の不純物半導体膜12,13全体の形状と同じである。このようなマスクを施した状態でエッチングを行うと、複数の薄膜トランジスタ4の半導体膜10及び不純物半導体膜12,13を得るとともに、同時に複数の半導体膜324及び蓄電用電極323も得る。
次の工程1−8を行う前に、平面視して隣りの行のゲートライン5と蓄電用電極323が重なるそれぞれの部分にコンタクトホール323aを形成し、コンタクトホール323aをゲートライン5まで通す。
気相成長法により導電膜をべた一面に成膜することによって、コンタクトホール323aに導電性材料325が埋まる。次に、複数の薄膜トランジスタ4のドレイン電極14及びソース電極15並びに複数のソースライン6用にマスクをフォトリソグラフィ法により形成するが、更にそれぞれのコンタクトホール323aに対応する部分にもマスクを施す。このような状態でエッチングを行うと、複数の薄膜トランジスタ4のドレイン電極14及びソース電極15並びに複数のソースライン6を得ることができ、更にコンタクトホール323a及びその表層にも導電性材料325が残留する。
実施形態1の場合と同じである。
実施形態5における液晶ディスプレイパネルについて説明する。
図11は図1に示されたトランジスタアレイ基板1とは別のトランジスタアレイ基板401を示した平面図である。図12は、このトランジスタアレイ基板401を用いた液晶ディスプレイパネルを示した断面図であって、図11のA1−A2線に沿った断面図である。以下、実施形態5の液晶ディスプレイパネルが実施形態1の液晶ディスプレイパネルと異なる点について主に説明するが、図11及び図12において実施形態1の液晶ディスプレイパネルと同一の構成要素には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
フォトリソグラフィ法により導電膜上に形成するマスクの形状は、ゲートライン5に対応した形状のみならず、更に蓄電用ライン407に対応した形状も加える。これにより、導電膜をエッチングすれば、複数のゲートライン5及び複数の蓄電用ライン407を得ることができる。
ゲート絶縁膜8、金属酸化物膜の順に成膜した後、半導体膜10に対応したレジストのマスクをフォトリソグラフィ法により施し、マスクをした状態でその金属酸化物膜に対してエッチングをすることによって金属酸化物膜を形状加工し、マスクを除去する。これにより複数の半導体膜10を得る。
実施形態1の場合と同じである。
フォトリソグラフィ法により不純物ドープ金属酸化物膜上に形成するマスクの形状には、実施形態1における蓄電用ライン7の分が無いが、代わりに複数の蓄電用電極423の分がある。つまり、マスクの平面形状は、平面視して複数の蓄電用電極423及び複数の薄膜トランジスタ4の不純物半導体膜12,13全体の形状と同じである。このようなマスクを施した状態でエッチングを行うと、複数の薄膜トランジスタ4の不純物半導体膜12,13を得るとともに、同時に不純物半導体膜12と一体になった蓄電用電極423も得る。
実施形態1の場合と同じである。
実施形態1では層間絶縁膜16を形成した後にコンタクトホール16aを形成したが、実施形態5では層間絶縁膜16を成膜した次にコンタクトホールを形成しない。その代わり、層間絶縁膜16の成膜後、スピンコート、ディップ法等の所与の塗布法により液状の樹脂を層間絶縁膜16上にべた一面に成膜し、その樹脂膜が硬化したら、その樹脂膜に対して機械的研磨又は化学的研磨を施すことによって、平坦化膜419を得る。次に、平面視して各ドレイン電極14に重なる箇所においてコンタクトホール419aを形成する。次に、気相成長法により透明導電膜を一面に成膜するが、コンタクトホール419a内にもその透明な導電材が埋まる。次いで、フォトリソグラフィ法によってレジストのマスクを透明導電膜に施し、マスクをした状態で透明導電膜に対してエッチングをすることによって透明導電膜を形状加工し、マスクを除去する。これにより、複数の画素電極403を得る。
実施形態1の場合と同じである。
実施形態6における液晶ディスプレイパネルについて説明する。
図13は、図1に示されたトランジスタアレイ基板1とは別のトランジスタアレイ基板501を示した平面図である。図14はこのトランジスタアレイ基板501を用いた液晶ディスプレイパネルを示した断面図であり、図14(a)は図13のA1−A2線に沿った断面図であり、図14(b)は図13のB1−B2線に沿った断面図である。以下、実施形態6の液晶ディスプレイパネルが実施形態1の液晶ディスプレイパネルと異なる点について主に説明するが、図13及び図14において実施形態1の液晶ディスプレイパネルと同一の構成要素には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
実施形態1の場合と同じである。
ゲート絶縁膜8、金属酸化物膜の順に成膜した後、半導体膜10に対応したレジストのマスクをフォトリソグラフィ法により施し、マスクをした状態でその金属酸化物膜に対してエッチングをすることによって金属酸化物膜を形状加工し、マスクを除去する。これにより複数の半導体膜10を得る。
実施形態1の場合と同じである。
フォトリソグラフィ法により不純物ドープ金属酸化物膜上に形成するマスクの形状には、実施形態1における蓄電用ライン7の分が無いが、代わりに複数の蓄電用電極423の分がある。このようなマスクを施した状態でエッチングを行うと、複数の薄膜トランジスタ4の不純物半導体膜12,13を得るとともに、同時に不純物半導体膜12と一体になった蓄電用電極523も得る。
実施形態1の場合と同じである。
実施形態1では層間絶縁膜16を形成した後にコンタクトホール16aを形成したが、層間絶縁膜16の成膜後、スピンコート、ディップ法等の所与の塗布法により液状の樹脂を層間絶縁膜16上にべた一面に成膜し、その樹脂膜が硬化したら、その樹脂膜に対して機械的研磨又は化学的研磨を施すことによって、平坦化膜519を得る。次に、平面視して各ドレイン電極14に重なる箇所においてコンタクトホール519aを形成する。次に、気相成長法により透明導電膜を一面に成膜するが、コンタクトホール519a内にもその透明な導電材が埋まる。次いで、フォトリソグラフィ法によってレジストのマスクを透明導電膜に施し、マスクをした状態で透明導電膜に対してエッチングをすることによって透明導電膜を形状加工し、マスクを除去する。これにより、複数の画素電極503を得る。
実施形態1の場合と同じである。
2 … 背面透明基板
3、403、503 … 画素電極
4、104 … 薄膜トランジスタ
5、105 … ゲートライン
6、106 … ソースライン
7、107、407、507 … 蓄電用ライン
8、108 … ゲート絶縁膜
9、109 … ゲート電極
10、110 … 半導体膜
12、13、112、113 … 不純物半導体膜
14、114 … ドレイン電極
15、115 … ソース電極
16、116 … 層間絶縁膜
22、222、322、422、522 … 補助キャパシタ
223、323、423、523 … 蓄電用電極
Claims (4)
- 複数のトランジスタで構成されたトランジスタアレイ基板の製造方法において、
透明な半導体である金属酸化物と不純物とを含んだ透明な不純物金属酸化物膜を成膜する不純物金属酸化物膜成膜工程と、
前記不純物金属酸化物膜を形状加工することによって、トランジスタの不純物半導体膜及び蓄電用電極を形成するパターニング工程と、
絶縁膜を介して前記蓄電用電極と重なるように透明電極を形成する透明電極形成工程と、
を含むことを特徴とするトランジスタアレイ基板の製造方法。 - 前記不純物金属酸化物膜は、酸化亜鉛、酸化マグネシウム亜鉛、酸化カドミウム亜鉛、酸化カドミニウムの何れかを含むことを特徴とする請求項1記載のトランジスタアレイ基板の製造方法。
- 透明な半導体である金属酸化物と不純物とを含んだ不純物金属酸化物膜をそれぞれ有する複数のトランジスタと、
前記複数のトランジスタの不純物金属酸化物膜と同一面上に配置された同じ不純物金属酸化物膜からなる蓄電用電極と、
絶縁膜を介して前記蓄電用電極と重なるように透明電極と、
を含むことを特徴とするトランジスタアレイ基板。 - 前記不純物金属酸化物膜は、酸化亜鉛、酸化マグネシウム亜鉛、酸化カドミウム亜鉛、酸化カドミニウムの何れかを含むことを特徴とする請求項3記載のトランジスタアレイ基板。
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