JPS60220506A - 透明導電膜およびその形成方法 - Google Patents
透明導電膜およびその形成方法Info
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- JPS60220506A JPS60220506A JP7606684A JP7606684A JPS60220506A JP S60220506 A JPS60220506 A JP S60220506A JP 7606684 A JP7606684 A JP 7606684A JP 7606684 A JP7606684 A JP 7606684A JP S60220506 A JPS60220506 A JP S60220506A
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- Japan
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- transparent conductive
- conductive film
- oxide
- coating
- coating liquid
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は主として、エレクトロニクス産業において利用
できる透明導電膜およびその形成方法に関するものであ
る。 − 従来例の構成とその問題点 透明導電膜は、各種の表示素子、太陽電池、入力装置な
どの重要な構成材料として、近年、その需要が増大して
いる。
できる透明導電膜およびその形成方法に関するものであ
る。 − 従来例の構成とその問題点 透明導電膜は、各種の表示素子、太陽電池、入力装置な
どの重要な構成材料として、近年、その需要が増大して
いる。
このものの拐料としては、インジウム、スズ。
カドミウムなどの酸化物が従来から用いられており、良
好な電導性と可視光透過率を有している。
好な電導性と可視光透過率を有している。
特に、スズを不純物としてドープした酸化インジウム薄
膜は、高い電導率と可視光透過率を持ち、透明導電膜４
副料としての主流を占めるものである。
膜は、高い電導率と可視光透過率を持ち、透明導電膜４
副料としての主流を占めるものである。
この製造方法としては、真空蒸着法、ｃｖｐ法。
スプレー法、塗布法が知られているが、量産性を考慮す
ると、この中でも特に塗布法が有利であることは明らか
である。更に、塗布法は、透明導電膜のパターン状印Ａ
１１１１形成を可能にし、透明電極の製造工程数を大幅
に下げ、そのコストを下けることが可能であるという期
待もあり、将来的に有望な形成方法であると考えられる
。
ると、この中でも特に塗布法が有利であることは明らか
である。更に、塗布法は、透明導電膜のパターン状印Ａ
１１１１形成を可能にし、透明電極の製造工程数を大幅
に下げ、そのコストを下けることが可能であるという期
待もあり、将来的に有望な形成方法であると考えられる
。
従来、透明電極膜形成用塗布液としては、硝酸インクや
ムと、ハロゲン化スズ、硝職スズなどを水、カルボン酸
、多価アルコールに溶解したものや、ナフテン酸インジ
ウムとオクチル酸スズとをトルエンに溶解したもの、更
・には塩化インジウムをアルコールに溶解したもの、イ
ンジウムのアルコキシドとスズのアルコキシドとをアル
コールに溶解したもの、インジウムアセチルアセトネー
トをアセチルアセトンおよびアセトンに溶解したものな
ど多くのものが使用イれ、これらを基体上に塗布、焼成
することによって透明導電膜が得られている。
ムと、ハロゲン化スズ、硝職スズなどを水、カルボン酸
、多価アルコールに溶解したものや、ナフテン酸インジ
ウムとオクチル酸スズとをトルエンに溶解したもの、更
・には塩化インジウムをアルコールに溶解したもの、イ
ンジウムのアルコキシドとスズのアルコキシドとをアル
コールに溶解したもの、インジウムアセチルアセトネー
トをアセチルアセトンおよびアセトンに溶解したものな
ど多くのものが使用イれ、これらを基体上に塗布、焼成
することによって透明導電膜が得られている。
通常、透明導電膜形成用の基体として最も安価で多用さ
れるものは、ソーダ石灰ガラス板である。
れるものは、ソーダ石灰ガラス板である。
このものは、約５５０°Ｃ〜７００°Ｃに軟化点を持ち
、従って塗布法における焼成温度としては５５０°Ｃ以
下であることが望ましいのであるが、上記の塗布液では
、この温度範囲での焼成によって得られた透明導電膜は
、比抵抗が高く、壕だ膜強度が弱く、更に抵抗値の変動
が大きいなどの欠点があった。
、従って塗布法における焼成温度としては５５０°Ｃ以
下であることが望ましいのであるが、上記の塗布液では
、この温度範囲での焼成によって得られた透明導電膜は
、比抵抗が高く、壕だ膜強度が弱く、更に抵抗値の変動
が大きいなどの欠点があった。
発明の目的
本発明者は、酸化インジウム薄膜などの多結晶半導体に
おいては、その焼結の程度、物質の緻密さが電気伝導度
や機械的強度を決める要因であるということと、通常難
焼結性の多結晶セラミックを、低温で焼結させるために
焼結助剤が使用されているということに着目し、従来の
透明導電膜形成用塗布液では得られないような高い導電
性と機械的強度を持ち、電導度の変動が小さい透明導電
膜を提供することを目的としている。
おいては、その焼結の程度、物質の緻密さが電気伝導度
や機械的強度を決める要因であるということと、通常難
焼結性の多結晶セラミックを、低温で焼結させるために
焼結助剤が使用されているということに着目し、従来の
透明導電膜形成用塗布液では得られないような高い導電
性と機械的強度を持ち、電導度の変動が小さい透明導電
膜を提供することを目的としている。
発明の構成
このような目的を達成するために本発明の透明導電膜は
、インジウム化合物とスズ化合物とを溶媒に溶解してな
る液に、酸化亜鉛、酸化コバルト。
、インジウム化合物とスズ化合物とを溶媒に溶解してな
る液に、酸化亜鉛、酸化コバルト。
酸化セリウムおよび酸化ニッケルのうちの少なくとも１
種の微粉体をさせてなる塗布液を用いたものであり、ま
たその形成方法は、この塗布液を基体上に塗布し、これ
を焼成するものである。
種の微粉体をさせてなる塗布液を用いたものであり、ま
たその形成方法は、この塗布液を基体上に塗布し、これ
を焼成するものである。
実施例の説り」
以下に実施例をあ−げて、本発明を説明する。
（実施例１）
下記のような組成Ａに配合、調製した溶液１００ｙに対
し、粒径１μｍ以下に粉砕した酸化亜鉛（ＺｎＯ）を０
．０１，９添カル、分散させて塗布液とする。
し、粒径１μｍ以下に粉砕した酸化亜鉛（ＺｎＯ）を０
．０１，９添カル、分散させて塗布液とする。
これを、回転塗布機により、ソーダ石灰ガラス板上に塗
布する。このとき、塗布面には、分散させた粉体による
点状のムラが観察されるが、これを大気中、５３０°Ｃ
にて６０分間保持することにより、このようなムラは消
え、均一な透明導電膜が得られた。これの抵抗率は６．
２〜７，３Ｘ１０−Ω口であシ、可視光透過率は８ｏ％
以上であった。
布する。このとき、塗布面には、分散させた粉体による
点状のムラが観察されるが、これを大気中、５３０°Ｃ
にて６０分間保持することにより、このようなムラは消
え、均一な透明導電膜が得られた。これの抵抗率は６．
２〜７，３Ｘ１０−Ω口であシ、可視光透過率は８ｏ％
以上であった。
また、荷重５０ｇをかけたダイヤモンドチップで膜を摩
擦し、膜が切断されるまでの回数で、その強度を評価す
るという方法で、この透明導電膜の強度を評価したとこ
ろ、２０〜２６回で膜は切断した。
擦し、膜が切断されるまでの回数で、その強度を評価す
るという方法で、この透明導電膜の強度を評価したとこ
ろ、２０〜２６回で膜は切断した。
（実施例２）
実施例１と同じ組成人の溶液１００ｇに対し、粒径１μ
ｍ以下に粉砕した酸化コバルト（ＣｏＯ）を０．０１ｇ
添加、分散させて塗布液とする。これを、回転塗布機に
よりソーダ石灰ガラス板に塗布し、大気中５３０″Ｃに
て、６０分間保持して透明導電膜を得た。このものの抵
抗率は、６．３〜７．７×１０ Ω口であり、強度と可
視光透過率は、実施例１で得た透ψ］導電膜と同等であ
った。
ｍ以下に粉砕した酸化コバルト（ＣｏＯ）を０．０１ｇ
添加、分散させて塗布液とする。これを、回転塗布機に
よりソーダ石灰ガラス板に塗布し、大気中５３０″Ｃに
て、６０分間保持して透明導電膜を得た。このものの抵
抗率は、６．３〜７．７×１０ Ω口であり、強度と可
視光透過率は、実施例１で得た透ψ］導電膜と同等であ
った。
（実施例３）
下記のような組成りに配合、調製した溶液１００ｇに対
し、粒径１μｍ以下に粉砕した酸化セリウム（Ｃｅ０２
）を、０，０１ 、ｊ９添加し、分散させて塗布液とす
る。
し、粒径１μｍ以下に粉砕した酸化セリウム（Ｃｅ０２
）を、０，０１ 、ｊ９添加し、分散させて塗布液とす
る。
これを回転塗布機によシ、ソーダ石灰ガラス板上に塗布
し、大気中５３’Ｏ’Ｃにて、６０分間保持して透明導
電膜を得た。このも゛のの抵抗率は６．８〜７．５Ｘ１
０ ＱＣｍであり、強度および可視光透過率は、実施例
１，２と同等であった。
し、大気中５３’Ｏ’Ｃにて、６０分間保持して透明導
電膜を得た。このも゛のの抵抗率は６．８〜７．５Ｘ１
０ ＱＣｍであり、強度および可視光透過率は、実施例
１，２と同等であった。
（実施例４）
実施例３と同じ組成りの溶液１００ｊＪに対し、粒径１
μｍ以下の酸化ニッケル（Ｎｉｐ）を附加。
μｍ以下の酸化ニッケル（Ｎｉｐ）を附加。
分散して、塗布液とする。これを回転塗布機により、ソ
ーダ石灰ガラス板上に塗布し、大気中５３０００にて、
６０分間保持して透明導電膜を得た。このものの抵抗率
は６．５〜７．ｌＸ１０ Ωａｎであり、他の特性は実
施例１．２．３で得たものと同等であった。
ーダ石灰ガラス板上に塗布し、大気中５３０００にて、
６０分間保持して透明導電膜を得た。このものの抵抗率
は６．５〜７．ｌＸ１０ Ωａｎであり、他の特性は実
施例１．２．３で得たものと同等であった。
（比較例）
実施例中の組成人および組成りの溶液を塗布液とし、回
転塗布機で、ソーダ石灰ガラス板に塗布、大気中５３０
’Ｃで６０分間保持して得た透明導電膜の抵抗率は、９
．５〜１０．２ ×１０ Ωｏｎであ、った。まだ、実
施例１と同じ方法で、強度を評価すると、１４〜１９回
の摩擦で膜が切断した。
転塗布機で、ソーダ石灰ガラス板に塗布、大気中５３０
’Ｃで６０分間保持して得た透明導電膜の抵抗率は、９
．５〜１０．２ ×１０ Ωｏｎであ、った。まだ、実
施例１と同じ方法で、強度を評価すると、１４〜１９回
の摩擦で膜が切断した。
発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明の透明導電膜お
よびその形成方法は、酸化亜鉛、酸化コバルト、酸化セ
リウムおよび酸化ニッケルを含有することにより、従来
のものより電導度が高く、強度の大きい透明導電１換を
得ることができ、その効果は大なるものである。
よびその形成方法は、酸化亜鉛、酸化コバルト、酸化セ
リウムおよび酸化ニッケルを含有することにより、従来
のものより電導度が高く、強度の大きい透明導電１換を
得ることができ、その効果は大なるものである。
Claims (2)
- （１）インジウム化合物とスズ化合物とを溶媒に溶解し
てなる液に、酸化亜鉛、酸化コバルト、酸化セリウムお
よび酸化ニッケルのうちの少なくとも１種の微粉体を分
散させてなる塗布液を用いたことを特徴とする透明導電
膜。 - （２）インジウム化合物とスズ化合物とを溶媒に溶解し
てなる液に、酸化亜鉛、酸化コバルト、酸化セリウムお
よび酸化ニッケルのうちの少なくとも１種の微粉体を分
散させて塗布液を構成し、その塗布液を基体上に塗布し
た後、焼成することを特徴とする透明導電膜の形成方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7606684A JPS60220506A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 透明導電膜およびその形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7606684A JPS60220506A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 透明導電膜およびその形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60220506A true JPS60220506A (ja) | 1985-11-05 |
Family
ID=13594400
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7606684A Pending JPS60220506A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 透明導電膜およびその形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60220506A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5501883A (en) * | 1993-09-07 | 1996-03-26 | Hitachi, Ltd. | Material for use as a transparent conductive film and method for making a transparent conductive film using the material |
| US5972527A (en) * | 1992-12-15 | 1999-10-26 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Transparent electrically conductive layer, electrically conductive transparent substrate and electrically conductive material |
-
1984
- 1984-04-16 JP JP7606684A patent/JPS60220506A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5972527A (en) * | 1992-12-15 | 1999-10-26 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Transparent electrically conductive layer, electrically conductive transparent substrate and electrically conductive material |
| US5501883A (en) * | 1993-09-07 | 1996-03-26 | Hitachi, Ltd. | Material for use as a transparent conductive film and method for making a transparent conductive film using the material |
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