JPS5895382A - 表示パネル用電極基板 - Google Patents
表示パネル用電極基板Info
- Publication number
- JPS5895382A JPS5895382A JP56193299A JP19329981A JPS5895382A JP S5895382 A JPS5895382 A JP S5895382A JP 56193299 A JP56193299 A JP 56193299A JP 19329981 A JP19329981 A JP 19329981A JP S5895382 A JPS5895382 A JP S5895382A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- electrodes
- substrate
- display panel
- electrode substrate
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- Pending
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- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(1)発明の技術分野
本発明はガス放電パネル、あるいはn2 L表示パネル
等の如き表示パネルに用いられる電極基板に係り、特に
長時間の表示駆動に対して安定な表示特性の得られる電
極基板構造に関するものである、(2)従来技術と問題
点 一般にプラズマ・ディスプレイ・パネルと呼ばれる従来
技術による平板表示用ガス放電パネルの基本的な紐1造
ば、第1図に示すように、複数のX電極1および同じく
複数のY電極2を有する]対のガラス基板3および4表
面をそれぞれAl2O3等からなる誘電体層5および6
、さらにその各上面?IVIgO保護膜7および8で被
覆してその各電極基板30と40とを一定の微小間隙の
放電空間9を隔てて前記双方の電極lと2が直交するご
とく対向配置し、該放電空間9に放電用ガスを封入して
前記両電極1,2間に選択的に電圧を印加してその両電
極1.2の対向交点部分に放電スポットを得ることによ
って発光表示を行っている。
等の如き表示パネルに用いられる電極基板に係り、特に
長時間の表示駆動に対して安定な表示特性の得られる電
極基板構造に関するものである、(2)従来技術と問題
点 一般にプラズマ・ディスプレイ・パネルと呼ばれる従来
技術による平板表示用ガス放電パネルの基本的な紐1造
ば、第1図に示すように、複数のX電極1および同じく
複数のY電極2を有する]対のガラス基板3および4表
面をそれぞれAl2O3等からなる誘電体層5および6
、さらにその各上面?IVIgO保護膜7および8で被
覆してその各電極基板30と40とを一定の微小間隙の
放電空間9を隔てて前記双方の電極lと2が直交するご
とく対向配置し、該放電空間9に放電用ガスを封入して
前記両電極1,2間に選択的に電圧を印加してその両電
極1.2の対向交点部分に放電スポットを得ることによ
って発光表示を行っている。
ところで上述した従来のガス放電パネルを構成した電極
基板30.40は、一般に酸化ナトリウl、(Na20
)を10〜20%程度含有したソーダライムガラスから
なるガラス基板3.4上に直接的に複数のX電(″餠1
.Y電極2を被着形成17た構造がとられているので、
例えば前記複数のX電極1に選択的に電圧が印加されて
図示のようにX電4114)とIC1i!iK電位差が
生じるとそのX−?)イ棒1b及びICの被着された直
下のガラ7−基板3中のNa+イオンがX市t’M1b
のガラス基板3と接するエツジ川(ALl/l’1ik
WII+l を女Y醤広1hイl1ll /7”14
17!ヱLiLム1イ該エツジ部分にNa金属が析出し
、このN a、金属が前記電極ib及びガラス基板8と
接しているAI!zO;う等の金属酸化物あるいはホウ
ケイ酸ガラス等の金属酸化物の混合物質からなる誘電体
層5と反応してその界面が図示のように隣接した電極I
Cの方向に順次還元され金属化10するといった電気化
学反応が起り、その結果前記電極1b幅が増加l〜だと
同様の現象となるので放電特性が変化し動作電圧特性に
悪影脣を及ばず、またさらに誘電体層材料によっては金
属化が起らなくても誘電体層の還元やNaの誘電体層へ
の溶解によってその組1′g、が変化し、動作特性の変
動や信頼性の低下の原因となる。このような現象は特に
セルフシフト型ガス放電パネルのように固定表示詩の電
極群が特定されてい乙ような場合、この固定表示用の電
極群と、隣接したシフト電極群との電極間において顕著
であるが、放電状態でなくとも同一ガラス基板上の電極
群に選択的にI) Cバイアスを単に印加した状態にあ
っても発生する。
基板30.40は、一般に酸化ナトリウl、(Na20
)を10〜20%程度含有したソーダライムガラスから
なるガラス基板3.4上に直接的に複数のX電(″餠1
.Y電極2を被着形成17た構造がとられているので、
例えば前記複数のX電極1に選択的に電圧が印加されて
図示のようにX電4114)とIC1i!iK電位差が
生じるとそのX−?)イ棒1b及びICの被着された直
下のガラ7−基板3中のNa+イオンがX市t’M1b
のガラス基板3と接するエツジ川(ALl/l’1ik
WII+l を女Y醤広1hイl1ll /7”14
17!ヱLiLム1イ該エツジ部分にNa金属が析出し
、このN a、金属が前記電極ib及びガラス基板8と
接しているAI!zO;う等の金属酸化物あるいはホウ
ケイ酸ガラス等の金属酸化物の混合物質からなる誘電体
層5と反応してその界面が図示のように隣接した電極I
Cの方向に順次還元され金属化10するといった電気化
学反応が起り、その結果前記電極1b幅が増加l〜だと
同様の現象となるので放電特性が変化し動作電圧特性に
悪影脣を及ばず、またさらに誘電体層材料によっては金
属化が起らなくても誘電体層の還元やNaの誘電体層へ
の溶解によってその組1′g、が変化し、動作特性の変
動や信頼性の低下の原因となる。このような現象は特に
セルフシフト型ガス放電パネルのように固定表示詩の電
極群が特定されてい乙ような場合、この固定表示用の電
極群と、隣接したシフト電極群との電極間において顕著
であるが、放電状態でなくとも同一ガラス基板上の電極
群に選択的にI) Cバイアスを単に印加した状態にあ
っても発生する。
(3)@明の14的
ガラス基板中のNa+から女る可動イオンが電極に到達
することを1tf−1止し得るように改良した表示パネ
ル用電極基板を提供することを目的とするものである、 (4)発明の構成 上記目的を達成するために本発明は、基板上に誘電体層
で被覆された複数の電極が配設されて々る表示パネル用
電極基板において、前記基板とにσ数の電極との間にア
/レカリイオン等を含まない可動イオン阻止膜を介在し
たことを特徴としている。
することを1tf−1止し得るように改良した表示パネ
ル用電極基板を提供することを目的とするものである、 (4)発明の構成 上記目的を達成するために本発明は、基板上に誘電体層
で被覆された複数の電極が配設されて々る表示パネル用
電極基板において、前記基板とにσ数の電極との間にア
/レカリイオン等を含まない可動イオン阻止膜を介在し
たことを特徴としている。
(5)発明の実施例
以下図面を用いて本発明の好ましい実施例について詳細
に詩、明する。
に詩、明する。
第2図は本発明に係る表示パネル用電極基板の一実施例
を示す断面図であり、第1図と同等部分には同一符号を
付している。
を示す断面図であり、第1図と同等部分には同一符号を
付している。
図において3(4)は表示パネル用電極基板の主体をな
すガラス基板であり、従来例と同様のソーダライムガラ
スが用いられている。そしてこのガラス基板3(4)上
の全面に、本発明においてはアルカリ成分を含壕々い所
M′1′ルカリ可動イオンを含まない例えば5j−02
,A(?203. Ta205あるいはSi、3N6等
の金属酸化物あるいは窒化物等からなる絶縁性の可動イ
刃ンμm1止膜21を被着形成し、その」−面に従来例
同様の[体層5(6)及び保護膜7(8)で被覆された
複数の電極】(2)を配設した構成とする。
すガラス基板であり、従来例と同様のソーダライムガラ
スが用いられている。そしてこのガラス基板3(4)上
の全面に、本発明においてはアルカリ成分を含壕々い所
M′1′ルカリ可動イオンを含まない例えば5j−02
,A(?203. Ta205あるいはSi、3N6等
の金属酸化物あるいは窒化物等からなる絶縁性の可動イ
刃ンμm1止膜21を被着形成し、その」−面に従来例
同様の[体層5(6)及び保護膜7(8)で被覆された
複数の電極】(2)を配設した構成とする。
]二配回動イオン阻止膜21は上述の絶縁材料を、真空
蒸着法、スパッタリング法、あるいはCVD(Chem
ica、l Va、por DppOs’Ltion
)法等の薄膜形成技術、またはアルキルメタルによる酸
化薄膜形成法等によって形成し得ろう 上述1〜だ構成によねば、複数の電極1(2)直下にア
ルカリ成分を含まないイオン電流に対1〜で絶縁性の可
動イオン阻止膜21が介在されているので、従来例で説
明(〜だ如きガラス基板中のI4a+イオンが電極部に
析出するような電気化学反応がβlj +ヒできる。な
お、前記可動イオン阻止膜21は、ガラス基板3(4)
上の複数の電極1(2)直下の領域にのみ介在させるよ
うにしてもよく、同様に本発明の目的を達成し得る。
蒸着法、スパッタリング法、あるいはCVD(Chem
ica、l Va、por DppOs’Ltion
)法等の薄膜形成技術、またはアルキルメタルによる酸
化薄膜形成法等によって形成し得ろう 上述1〜だ構成によねば、複数の電極1(2)直下にア
ルカリ成分を含まないイオン電流に対1〜で絶縁性の可
動イオン阻止膜21が介在されているので、従来例で説
明(〜だ如きガラス基板中のI4a+イオンが電極部に
析出するような電気化学反応がβlj +ヒできる。な
お、前記可動イオン阻止膜21は、ガラス基板3(4)
上の複数の電極1(2)直下の領域にのみ介在させるよ
うにしてもよく、同様に本発明の目的を達成し得る。
(6)発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明の表示用電極基
板の構成によれば、ガラス基板中のfねトイオンからな
る可動イオンが隣接電極間の電位差によって電気化学的
反応を起すことが回避されるので、かかる電極基板を用
いてガス放電バネ/L/を構成することにより、放電特
性の変化や電極の損傷等が排除され、安定したライフ特
性を持つガス放電パネルを実現することができる。また
一方可動イオン阻止膜を介在することによってガラス基
板表面の微細なキズや突起等が平滑化されると共に、該
基板の電極被着面がガラス基板中身の面よりも清浄面と
なるために電極の密着性が向上する1利点も有する。よ
って本発明による電1極基板の構成を上述1−た実施例
の対向放電型を始め面数電型等の各種ガス放電パネルあ
るいは[0L、液晶等の表示パネルに適用してすぐれた
効果が発揮される。
板の構成によれば、ガラス基板中のfねトイオンからな
る可動イオンが隣接電極間の電位差によって電気化学的
反応を起すことが回避されるので、かかる電極基板を用
いてガス放電バネ/L/を構成することにより、放電特
性の変化や電極の損傷等が排除され、安定したライフ特
性を持つガス放電パネルを実現することができる。また
一方可動イオン阻止膜を介在することによってガラス基
板表面の微細なキズや突起等が平滑化されると共に、該
基板の電極被着面がガラス基板中身の面よりも清浄面と
なるために電極の密着性が向上する1利点も有する。よ
って本発明による電1極基板の構成を上述1−た実施例
の対向放電型を始め面数電型等の各種ガス放電パネルあ
るいは[0L、液晶等の表示パネルに適用してすぐれた
効果が発揮される。
また特にセルフシフトタイプのガス放電パネルに1、
適用して極めて有利である。
適用して極めて有利である。
牛、]¥l lfl’lの1ffl小な6111明第1
図は従来の表示パネル用電極基板を説明するためのガス
放電、パネルの要部断面図、第2図は本発明に係る表示
パネル用11電極基板の一実施例を示す断面図であるう 図において1(2)は約数の電極、3(4)はガラス基
板、5(6)は誘電体層、21は可動イオン阻止膜を示
す。
図は従来の表示パネル用電極基板を説明するためのガス
放電、パネルの要部断面図、第2図は本発明に係る表示
パネル用11電極基板の一実施例を示す断面図であるう 図において1(2)は約数の電極、3(4)はガラス基
板、5(6)は誘電体層、21は可動イオン阻止膜を示
す。
第1図
0
Claims (1)
- 基板上に誘電体層で被覆された複数の市、極が配設され
て々る表示パネル用電極基板において、前記基板と複数
の電極との間に可動イオン阻止膜を介在してなることを
特徴とする表示パネル用電極基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56193299A JPS5895382A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 表示パネル用電極基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56193299A JPS5895382A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 表示パネル用電極基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5895382A true JPS5895382A (ja) | 1983-06-06 |
Family
ID=16305599
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56193299A Pending JPS5895382A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 表示パネル用電極基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5895382A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58166670U (ja) * | 1982-04-28 | 1983-11-07 | 伊勢電子工業株式会社 | 薄膜エレクトロルミネツセンス素子 |
JPH038295A (ja) * | 1989-06-05 | 1991-01-16 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | エレクトロルミネッセンスランプ |
US6555956B1 (en) | 1998-03-04 | 2003-04-29 | Lg Electronics Inc. | Method for forming electrode in plasma display panel and structure thereof |
USRE40104E1 (en) | 1997-03-31 | 2008-02-26 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Plasma display panel with bus electrodes having black electroconductive material |
-
1981
- 1981-11-30 JP JP56193299A patent/JPS5895382A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58166670U (ja) * | 1982-04-28 | 1983-11-07 | 伊勢電子工業株式会社 | 薄膜エレクトロルミネツセンス素子 |
JPH028400Y2 (ja) * | 1982-04-28 | 1990-02-28 | ||
JPH038295A (ja) * | 1989-06-05 | 1991-01-16 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | エレクトロルミネッセンスランプ |
USRE40104E1 (en) | 1997-03-31 | 2008-02-26 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Plasma display panel with bus electrodes having black electroconductive material |
US6555956B1 (en) | 1998-03-04 | 2003-04-29 | Lg Electronics Inc. | Method for forming electrode in plasma display panel and structure thereof |
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