JPH028400Y2 - - Google Patents
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- JPH028400Y2 JPH028400Y2 JP1982063054U JP6305482U JPH028400Y2 JP H028400 Y2 JPH028400 Y2 JP H028400Y2 JP 1982063054 U JP1982063054 U JP 1982063054U JP 6305482 U JP6305482 U JP 6305482U JP H028400 Y2 JPH028400 Y2 JP H028400Y2
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- film
- transparent electrode
- transparent
- electrode
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Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、多層構造の薄膜エレクトロルミネツ
センス素子に関するものである。
センス素子に関するものである。
従来この種の薄膜エレクトロルミネツセンス素
子は、第１図に示すように、透明なガラス基板１
１の上に透明電極１２、層間絶縁のための絶縁層
１３、発光層１４、絶縁層１５、金属電極１６を
順次積層した構造を有し、透明電極１２の部分の
ガラス基板１１を通して光出力が得られる。
子は、第１図に示すように、透明なガラス基板１
１の上に透明電極１２、層間絶縁のための絶縁層
１３、発光層１４、絶縁層１５、金属電極１６を
順次積層した構造を有し、透明電極１２の部分の
ガラス基板１１を通して光出力が得られる。
ここで、上記多層薄膜のうち透明電極１２は、
例えばマトリツクス表示方式をとる場合にはスト
ライプ状にエツチング形成されるが、抵抗を低く
する必要上、その膜厚は0.1〜0.3μm程度とかなり
厚いものとなつている。このため、この透明電極
１２の上に積層される各薄膜には、透明電極１２
の膜厚に応じた段差が生じる結果、透明電極１２
のエツジ部分に電界の集中を生じて積層した膜の
耐電圧特性が低下し、またエツジ部分のステツプ
カバレツジ（段差の被膜状態）が悪いために絶縁
層１３，１５、発光層１４等にクラツクが生じ易
く、耐湿性が低下する等の欠点を有していた。
例えばマトリツクス表示方式をとる場合にはスト
ライプ状にエツチング形成されるが、抵抗を低く
する必要上、その膜厚は0.1〜0.3μm程度とかなり
厚いものとなつている。このため、この透明電極
１２の上に積層される各薄膜には、透明電極１２
の膜厚に応じた段差が生じる結果、透明電極１２
のエツジ部分に電界の集中を生じて積層した膜の
耐電圧特性が低下し、またエツジ部分のステツプ
カバレツジ（段差の被膜状態）が悪いために絶縁
層１３，１５、発光層１４等にクラツクが生じ易
く、耐湿性が低下する等の欠点を有していた。
本考案は、このような欠点を解消するためにな
されたものであり、その目的は、透明電極上の積
層薄膜に段差の生じない薄膜エレクトロルミネツ
センス素子を提供することにある。
されたものであり、その目的は、透明電極上の積
層薄膜に段差の生じない薄膜エレクトロルミネツ
センス素子を提供することにある。
このような目的を達成するために、本考案は、
透明電極のパターン間の間隙を透明電極とほぼ同
一膜厚の充填用絶縁層で埋めたものである。以
下、実施例を用いて本考案を詳細に説明する。
透明電極のパターン間の間隙を透明電極とほぼ同
一膜厚の充填用絶縁層で埋めたものである。以
下、実施例を用いて本考案を詳細に説明する。
第２図は、本考案の一実施例を示す断面図であ
る。同図において、ガラス基板２１の上に、
In2O3−SnO2系のストライプ状透明電極２２を形
成すると共に、その間隙を埋めるようにAl2O3膜
２３を被着形成し、両者の上面がほぼ平坦になる
ように構成してある。この平坦な上面上に、更に
Al2O3膜２４，ZnS：Mn発光層２５，Al2O3絶縁
層２６を順次積層し、その上に、表示面としての
ガラス基板２１の側から見て前記透明電極２２と
直交するようなストライプ状のAl電極２７を設
けてある。
る。同図において、ガラス基板２１の上に、
In2O3−SnO2系のストライプ状透明電極２２を形
成すると共に、その間隙を埋めるようにAl2O3膜
２３を被着形成し、両者の上面がほぼ平坦になる
ように構成してある。この平坦な上面上に、更に
Al2O3膜２４，ZnS：Mn発光層２５，Al2O3絶縁
層２６を順次積層し、その上に、表示面としての
ガラス基板２１の側から見て前記透明電極２２と
直交するようなストライプ状のAl電極２７を設
けてある。
上記構成において、透明電極２２の間隙を
Al2O3膜２３で埋めて平坦としたため、その上に
形成される多層薄膜はすべて平行平板状となり、
段差は全く生じない。
Al2O3膜２３で埋めて平坦としたため、その上に
形成される多層薄膜はすべて平行平板状となり、
段差は全く生じない。
次に、このような構成を有する薄膜エレクトロ
ルミネツセンス素子の製造方法を説明する。
ルミネツセンス素子の製造方法を説明する。
即ち、先ず、洗浄した透明なガラス基板２１の
上にIn2O3−SnO2系透明導電膜を高周波スパツタ
法により0.2μm厚に被覆し、更にピツチ0.3mm、線
幅0.2mmのストライプ状にフオトエツチングする
ことにより透明電極２２を形成した。この場合、
フオトレジストとしてはOFPR−800（商品名）ポ
ジレジストを用い、これを上記透明導電膜上に
2μm厚にスピンコーテイングし、85℃で20分間プ
リペーキングした後、液温30℃のクロルベンゼン
溶液に20分間デイツピングすることにより表面処
理を施して透明電極のエツチングに使用した。な
お、この表面処理は、レジスト膜の表面層
（0.1μm程度）のみを硬化させるものであり、こ
れにより現像工程後のレジスト膜の断面形状が逆
テーパ状となり、後工程でのリフト・オフを確実
にすることができる。
上にIn2O3−SnO2系透明導電膜を高周波スパツタ
法により0.2μm厚に被覆し、更にピツチ0.3mm、線
幅0.2mmのストライプ状にフオトエツチングする
ことにより透明電極２２を形成した。この場合、
フオトレジストとしてはOFPR−800（商品名）ポ
ジレジストを用い、これを上記透明導電膜上に
2μm厚にスピンコーテイングし、85℃で20分間プ
リペーキングした後、液温30℃のクロルベンゼン
溶液に20分間デイツピングすることにより表面処
理を施して透明電極のエツチングに使用した。な
お、この表面処理は、レジスト膜の表面層
（0.1μm程度）のみを硬化させるものであり、こ
れにより現像工程後のレジスト膜の断面形状が逆
テーパ状となり、後工程でのリフト・オフを確実
にすることができる。
次に、この逆テーパ状レジスト膜をエツチング
された透明導電膜上に残したままの状態で、上方
から電子ビーム蒸着によりAl2O3膜を透明電極２
２と同一膜厚に形成し、蒸着後、剥離液により不
要となつたレジスト膜をその上のAl2O3膜と共に
除去した。
された透明導電膜上に残したままの状態で、上方
から電子ビーム蒸着によりAl2O3膜を透明電極２
２と同一膜厚に形成し、蒸着後、剥離液により不
要となつたレジスト膜をその上のAl2O3膜と共に
除去した。
このレジスト膜の除去後、電極層の観察を行な
うと、透明電極２２と、その間隙を埋めるように
形成されたAl2O3膜２３とはほぼ同一の平面を構
成し、段差は殆んど生じていないことが分つた。
うと、透明電極２２と、その間隙を埋めるように
形成されたAl2O3膜２３とはほぼ同一の平面を構
成し、段差は殆んど生じていないことが分つた。
次いで、この電極層上に従来周知の方法により
Al2O3膜２４，ZnS：Mn発光層２５，Al2O3膜２
６およびAl電極２７を順次積層し、第２図に示
す薄膜エレクトロルミネツセンス素子を形成し
た。
Al2O3膜２４，ZnS：Mn発光層２５，Al2O3膜２
６およびAl電極２７を順次積層し、第２図に示
す薄膜エレクトロルミネツセンス素子を形成し
た。
このように、充填用絶縁層としてのAl2O3膜２
３は透明電極２２の形成に用いたレジスト膜をそ
のまま使用してリフト・オフ法により形成するこ
とができるため、工程が簡略化されると共に高い
精度で形成することができる。
３は透明電極２２の形成に用いたレジスト膜をそ
のまま使用してリフト・オフ法により形成するこ
とができるため、工程が簡略化されると共に高い
精度で形成することができる。
以上説明したように、本考案によれば、透明電
極パターン間の間隙を絶縁層で埋めて平坦な電極
層を形成し、その上に層間絶縁層を介して発光層
および対向電極を積層する構成をとつたため、積
層薄膜には段差は全く生じない。このため、エツ
ジ部の電界集中がなくなり膜の耐電圧特性が向上
すると共に、絶縁膜のクラツクが全くなくなり耐
湿性が向上する。また、このように透明電極の厚
みにより段差が生じることがないため、相当に厚
い透明電極を用いることが可能となり、従つて透
明電極の抵抗を下げ、電圧降下あるいは発熱効果
を低く抑えることができる。
極パターン間の間隙を絶縁層で埋めて平坦な電極
層を形成し、その上に層間絶縁層を介して発光層
および対向電極を積層する構成をとつたため、積
層薄膜には段差は全く生じない。このため、エツ
ジ部の電界集中がなくなり膜の耐電圧特性が向上
すると共に、絶縁膜のクラツクが全くなくなり耐
湿性が向上する。また、このように透明電極の厚
みにより段差が生じることがないため、相当に厚
い透明電極を用いることが可能となり、従つて透
明電極の抵抗を下げ、電圧降下あるいは発熱効果
を低く抑えることができる。
第１図は従来の薄膜エレクトロルミネツセンス
素子を示す断面図、第２図は本考案の一実施例を
示す断面図である。 ２１……ガラス基板、２２……透明電極、２３
……充填用のAl2O3膜、２４，２６……層間絶縁
用のAl2O3膜、２５……発光層、２７……Al電
極。
素子を示す断面図、第２図は本考案の一実施例を
示す断面図である。 ２１……ガラス基板、２２……透明電極、２３
……充填用のAl2O3膜、２４，２６……層間絶縁
用のAl2O3膜、２５……発光層、２７……Al電
極。
Claims (1)
- 透明絶縁基板上に所望のパターンを有する透明
電極を被着しその上に絶縁層を介して発光層およ
び対向電極を積層してなる薄膜エレクトロルミネ
ツセンス素子において、透明電極のパターン間の
間隙を透明電極とほぼ同一膜厚の充填用絶縁層で
埋めたことを特徴とする薄膜エレクトロルミネツ
センス素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6305482U JPS58166670U (ja) | 1982-04-28 | 1982-04-28 | 薄膜エレクトロルミネツセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6305482U JPS58166670U (ja) | 1982-04-28 | 1982-04-28 | 薄膜エレクトロルミネツセンス素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58166670U JPS58166670U (ja) | 1983-11-07 |
| JPH028400Y2 true JPH028400Y2 (ja) | 1990-02-28 |
Family
ID=30073175
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6305482U Granted JPS58166670U (ja) | 1982-04-28 | 1982-04-28 | 薄膜エレクトロルミネツセンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58166670U (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0135440Y2 (ja) * | 1985-07-16 | 1989-10-27 | ||
| JPH044399Y2 (ja) * | 1986-03-11 | 1992-02-07 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5725692A (en) * | 1980-07-23 | 1982-02-10 | Sharp Kk | Thin film light emitting element |
| JPS5818283B2 (ja) * | 1975-09-13 | 1983-04-12 | エヌ テ− エヌトウヨウベアリング カブシキガイシヤ | シンドウコンベア |
| JPS5895382A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-06 | 富士通株式会社 | 表示パネル用電極基板 |
| JPS629995A (ja) * | 1985-07-08 | 1987-01-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | 平版印刷版用版面保護剤 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5818283U (ja) * | 1981-07-29 | 1983-02-04 | 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 | 電界発光表示装置 |
-
1982
- 1982-04-28 JP JP6305482U patent/JPS58166670U/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5818283B2 (ja) * | 1975-09-13 | 1983-04-12 | エヌ テ− エヌトウヨウベアリング カブシキガイシヤ | シンドウコンベア |
| JPS5725692A (en) * | 1980-07-23 | 1982-02-10 | Sharp Kk | Thin film light emitting element |
| JPS5895382A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-06 | 富士通株式会社 | 表示パネル用電極基板 |
| JPS629995A (ja) * | 1985-07-08 | 1987-01-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | 平版印刷版用版面保護剤 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58166670U (ja) | 1983-11-07 |
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