JP2002208489A - 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル及びその製造方法 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2002208489A JP2002208489A JP2001229220A JP2001229220A JP2002208489A JP 2002208489 A JP2002208489 A JP 2002208489A JP 2001229220 A JP2001229220 A JP 2001229220A JP 2001229220 A JP2001229220 A JP 2001229220A JP 2002208489 A JP2002208489 A JP 2002208489A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic
- electrode
- layer
- display panel
- ridges
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 78
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 29
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 27
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 17
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 10
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 7
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 101
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 13
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 11
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 101100321669 Fagopyrum esculentum FA02 gene Proteins 0.000 description 2
- 241000872198 Serjania polyphylla Species 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
- H10K59/173—Passive-matrix OLED displays comprising banks or shadow masks
Abstract
(57)【要約】
【課題】 有機ＥＬ層の上に形成される第２電極間ある
いは第２電極と第１電極との間の絶縁性を確保できる隔
壁を通常のレジストを使用して簡単に形成する。 【解決手段】 有機ＥＬディスプレイパネル１は、基板
２の表面に第１電極３が複数、平行なストライプ状に形
成されている。基板２上には絶縁性の隔壁４が、第１電
極３上の所定位置に複数の有機ＥＬ素子５を形成するた
めの領域を残して、第１電極３と直交する平行なストラ
イプ状に形成されている。第１電極３及び隔壁４上に有
機ＥＬ層６が形成され、有機ＥＬ層６上に第２電極７が
形成されている。隔壁４はフォトレジストにより形成さ
れ、第２電極７と平行に延びる複数の凸条４ａ，４ｂを
有している。各凸条４ａ，４ｂは断面ほぼ長方形状をな
すように形成され、凸条４ａ，４ｂの厚みＴと、隣接す
る凸条４ａ，４ｂの先端間の間隔Ｌとの比Ｔ／Ｌが１以
上に形成されている。
いは第２電極と第１電極との間の絶縁性を確保できる隔
壁を通常のレジストを使用して簡単に形成する。 【解決手段】 有機ＥＬディスプレイパネル１は、基板
２の表面に第１電極３が複数、平行なストライプ状に形
成されている。基板２上には絶縁性の隔壁４が、第１電
極３上の所定位置に複数の有機ＥＬ素子５を形成するた
めの領域を残して、第１電極３と直交する平行なストラ
イプ状に形成されている。第１電極３及び隔壁４上に有
機ＥＬ層６が形成され、有機ＥＬ層６上に第２電極７が
形成されている。隔壁４はフォトレジストにより形成さ
れ、第２電極７と平行に延びる複数の凸条４ａ，４ｂを
有している。各凸条４ａ，４ｂは断面ほぼ長方形状をな
すように形成され、凸条４ａ，４ｂの厚みＴと、隣接す
る凸条４ａ，４ｂの先端間の間隔Ｌとの比Ｔ／Ｌが１以
上に形成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機化合物のエレ
クトロルミネッセンス（以下、単にＥＬという）を利用
し、有機ＥＬ材料の薄膜からなる発光層を備えた有機Ｅ
Ｌ素子をマトリックス状に配置した有機ＥＬディスプレ
イパネル及びその製造方法に関する。
クトロルミネッセンス（以下、単にＥＬという）を利用
し、有機ＥＬ材料の薄膜からなる発光層を備えた有機Ｅ
Ｌ素子をマトリックス状に配置した有機ＥＬディスプレ
イパネル及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の有機ＥＬディスプレイパネル
は、第１電極（陽極）と第２電極（陰極）との間に有機
ＥＬ層が形成されている。有機ＥＬ層をマトリックス状
に配置した構成とするためには、有機ＥＬ層を形成した
後に、第２電極を第１電極と直交する平行なストライプ
状に形成する必要がある。しかし、有機ＥＬ材料は水分
に弱いため、ウエットプロセスであるフォトリソグラフ
法により第２電極を形成することはできず、一般に蒸着
法により形成されている。このとき、第２電極と第１電
極との絶縁性及び隣接する第２電極同士の絶縁性を確保
するため、第２電極と平行に延びる複数の隔壁を設ける
ことが行われている。
は、第１電極（陽極）と第２電極（陰極）との間に有機
ＥＬ層が形成されている。有機ＥＬ層をマトリックス状
に配置した構成とするためには、有機ＥＬ層を形成した
後に、第２電極を第１電極と直交する平行なストライプ
状に形成する必要がある。しかし、有機ＥＬ材料は水分
に弱いため、ウエットプロセスであるフォトリソグラフ
法により第２電極を形成することはできず、一般に蒸着
法により形成されている。このとき、第２電極と第１電
極との絶縁性及び隣接する第２電極同士の絶縁性を確保
するため、第２電極と平行に延びる複数の隔壁を設ける
ことが行われている。
【０００３】例えば、特開平８−３１５９８１号公報に
は、図９に示すように、基板４１上に平行に形成された
陽極４２と直交する方向（図９の紙面と垂直方向）に形
成された絶縁層４３と、その上に形成された逆テーパ状
の隔壁４４とを設けて、有機ＥＬ層４５の上に形成され
た陰極４６同士や陰極４６と陽極４２との絶縁性を確保
することが開示されている。
は、図９に示すように、基板４１上に平行に形成された
陽極４２と直交する方向（図９の紙面と垂直方向）に形
成された絶縁層４３と、その上に形成された逆テーパ状
の隔壁４４とを設けて、有機ＥＬ層４５の上に形成され
た陰極４６同士や陰極４６と陽極４２との絶縁性を確保
することが開示されている。
【０００４】また、特開２０００−２１５９８９号公報
には、図１０に示すように、陽極４２上に溝４７ａを有
する絶縁膜４７と、その溝４７ａ上にオーバーハングす
るように形成されたポジレジスト製の絶縁膜４８とから
なる隔壁を設けて、有機ＥＬ層４５の上に形成された陰
極４６同士や陰極４６と陽極４２との絶縁性を確保する
ことが開示されている。溝４７ａは幅Ｗが深さＤの２倍
以上が好ましいとされている。
には、図１０に示すように、陽極４２上に溝４７ａを有
する絶縁膜４７と、その溝４７ａ上にオーバーハングす
るように形成されたポジレジスト製の絶縁膜４８とから
なる隔壁を設けて、有機ＥＬ層４５の上に形成された陰
極４６同士や陰極４６と陽極４２との絶縁性を確保する
ことが開示されている。溝４７ａは幅Ｗが深さＤの２倍
以上が好ましいとされている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、特開平８−
３１５９８１号公報に開示されたような逆テーパ状の隔
壁４４を形成するには、隔壁４４を形成するのに適した
専用のレジストが必要になるとともに、特殊な処理を必
要とする。また、特開２０００−２１５９８９号公報に
開示された構成の隔壁は、その形成がより複雑になると
いう問題がある。
３１５９８１号公報に開示されたような逆テーパ状の隔
壁４４を形成するには、隔壁４４を形成するのに適した
専用のレジストが必要になるとともに、特殊な処理を必
要とする。また、特開２０００−２１５９８９号公報に
開示された構成の隔壁は、その形成がより複雑になると
いう問題がある。
【０００６】また、有機ＥＬ材料は水分に弱いため、有
機ＥＬ素子を封止する必要がある。金属製又はガラス製
の封止カバーを有機ＥＬディスプレイパネルの表面に接
着させて封止すると、有機ＥＬディスプレイパネルの厚
みが非常に増大して薄型化に支障を来す。そのため、Ｓ
ｉＮ等の防湿性に優れた物質を使用して、プラズマＣＶ
Ｄ等の方法で数千〜数万ｎｍの厚みの防湿膜（保護膜）
を形成し、有機ＥＬ素子を封止する方法がある。しか
し、隔壁が逆テーパ状あるいは垂直に形成された場合
は、隔壁の上に形成された有機ＥＬ層の端面の封止が不
十分となる可能性が高いという問題がある。
機ＥＬ素子を封止する必要がある。金属製又はガラス製
の封止カバーを有機ＥＬディスプレイパネルの表面に接
着させて封止すると、有機ＥＬディスプレイパネルの厚
みが非常に増大して薄型化に支障を来す。そのため、Ｓ
ｉＮ等の防湿性に優れた物質を使用して、プラズマＣＶ
Ｄ等の方法で数千〜数万ｎｍの厚みの防湿膜（保護膜）
を形成し、有機ＥＬ素子を封止する方法がある。しか
し、隔壁が逆テーパ状あるいは垂直に形成された場合
は、隔壁の上に形成された有機ＥＬ層の端面の封止が不
十分となる可能性が高いという問題がある。
【０００７】本発明は前記従来の問題に鑑みてなされた
ものであって、その第１の目的は有機ＥＬ層の上に形成
される第２電極間あるいは第２電極と第１電極との間の
絶縁性を確保できる隔壁を、通常のフォトリソグラフ用
のレジストを使用して簡単に形成することが可能になる
有機ＥＬディスプレイパネルを提供することにある。ま
た、第２の目的は有機ＥＬ素子の封止方法としてＳｉＯ
2やＳｉＮ等の薄膜を使用できる有機ＥＬディスプレイ
パネルを提供することにある。また、第３の目的はその
製造方法を提供することにある。
ものであって、その第１の目的は有機ＥＬ層の上に形成
される第２電極間あるいは第２電極と第１電極との間の
絶縁性を確保できる隔壁を、通常のフォトリソグラフ用
のレジストを使用して簡単に形成することが可能になる
有機ＥＬディスプレイパネルを提供することにある。ま
た、第２の目的は有機ＥＬ素子の封止方法としてＳｉＯ
2やＳｉＮ等の薄膜を使用できる有機ＥＬディスプレイ
パネルを提供することにある。また、第３の目的はその
製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記第１の目的を達成す
るため請求項１に記載の発明では、有機ＥＬ材料の薄膜
からなる発光層を備えた有機ＥＬ素子をマトリックス状
に配置した有機ＥＬディスプレイパネルであって、第１
電極が表面に平行なストライプ状に形成された基板と、
前記第１電極上の所定位置に複数の前記有機ＥＬ素子を
形成するための領域を残して設けられた絶縁性の隔壁
と、前記領域上に形成された有機ＥＬ層と、少なくとも
前記ＥＬ層を覆うとともに、平行なストライプ状に形成
された第２電極とを備え、前記絶縁性の隔壁は前記第２
電極と平行に延びる複数の凸条を有し、前記凸条の厚み
Ｔと、隣接する前記凸条の先端間の間隔Ｌとの比Ｔ／Ｌ
が１以上に形成されている。
るため請求項１に記載の発明では、有機ＥＬ材料の薄膜
からなる発光層を備えた有機ＥＬ素子をマトリックス状
に配置した有機ＥＬディスプレイパネルであって、第１
電極が表面に平行なストライプ状に形成された基板と、
前記第１電極上の所定位置に複数の前記有機ＥＬ素子を
形成するための領域を残して設けられた絶縁性の隔壁
と、前記領域上に形成された有機ＥＬ層と、少なくとも
前記ＥＬ層を覆うとともに、平行なストライプ状に形成
された第２電極とを備え、前記絶縁性の隔壁は前記第２
電極と平行に延びる複数の凸条を有し、前記凸条の厚み
Ｔと、隣接する前記凸条の先端間の間隔Ｌとの比Ｔ／Ｌ
が１以上に形成されている。
【０００９】この発明では、有機ＥＬ素子を構成する有
機ＥＬ層を覆うように複数平行に形成された第２電極同
士あるいは第２電極と第１電極との絶縁性が、第２電極
と平行に延びる複数の凸条を有する隔壁により確保され
る。凸条の厚みＴと、各隔壁の隣接する凸条の先端間の
間隔Ｌとの比Ｔ／Ｌが１以上のため、有機ＥＬ層上に第
２電極が蒸着法により形成される際、隣接する凸条間に
蒸着層が跨がることが防止される。
機ＥＬ層を覆うように複数平行に形成された第２電極同
士あるいは第２電極と第１電極との絶縁性が、第２電極
と平行に延びる複数の凸条を有する隔壁により確保され
る。凸条の厚みＴと、各隔壁の隣接する凸条の先端間の
間隔Ｌとの比Ｔ／Ｌが１以上のため、有機ＥＬ層上に第
２電極が蒸着法により形成される際、隣接する凸条間に
蒸着層が跨がることが防止される。
【００１０】請求項２に記載の発明では、請求項１に記
載の発明において、前記凸条はフォトレジストで断面ほ
ぼ長方形状に形成されている。この発明では、各凸条の
両側面が基板に対してほぼ垂直に形成されているため、
第２電極が蒸着法により形成される際、第２電極を形成
する金属が前記側面に蒸着し難く、該金属が隣接する凸
条間に跨がることがより防止される。
載の発明において、前記凸条はフォトレジストで断面ほ
ぼ長方形状に形成されている。この発明では、各凸条の
両側面が基板に対してほぼ垂直に形成されているため、
第２電極が蒸着法により形成される際、第２電極を形成
する金属が前記側面に蒸着し難く、該金属が隣接する凸
条間に跨がることがより防止される。
【００１１】請求項３に記載の発明では、請求項１又は
請求項２に記載の発明において、前記隔壁は底部の上に
前記凸条が形成されている。この発明では、凸条の基端
間は底部により第１電極と絶縁されているため、凸条間
に付着した金属層を介して第１電極と第２電極とが導通
することはない。
請求項２に記載の発明において、前記隔壁は底部の上に
前記凸条が形成されている。この発明では、凸条の基端
間は底部により第１電極と絶縁されているため、凸条間
に付着した金属層を介して第１電極と第２電極とが導通
することはない。
【００１２】第２の目的を達成するため、請求項４に記
載の発明では、請求項１〜請求項３のいずれか一項に記
載の発明において、前記複数の凸条から構成された前記
隔壁の両外側に沿って底面側が幅広となるテーパ状の絶
縁層が形成されている。この発明では、隔壁の両外側に
順テーパ状の絶縁層が存在するため、有機ＥＬ素子の封
止にＳｉＮ等の薄膜を使用することが可能になる。
載の発明では、請求項１〜請求項３のいずれか一項に記
載の発明において、前記複数の凸条から構成された前記
隔壁の両外側に沿って底面側が幅広となるテーパ状の絶
縁層が形成されている。この発明では、隔壁の両外側に
順テーパ状の絶縁層が存在するため、有機ＥＬ素子の封
止にＳｉＮ等の薄膜を使用することが可能になる。
【００１３】請求項５に記載の発明では、請求項４に記
載の発明において、前記有機ＥＬ素子を覆う保護膜が形
成されている。この発明では、有機ＥＬ素子の封止に保
護膜が使用されているため、金属製やガラス製のカバー
で封止を行う構成に比較して有機ＥＬディスプレイパネ
ルの薄型化が可能になる。
載の発明において、前記有機ＥＬ素子を覆う保護膜が形
成されている。この発明では、有機ＥＬ素子の封止に保
護膜が使用されているため、金属製やガラス製のカバー
で封止を行う構成に比較して有機ＥＬディスプレイパネ
ルの薄型化が可能になる。
【００１４】請求項６に記載の発明では、請求項１、請
求項２、請求項４及び請求項５のいずれか一項に記載の
発明において、前記隔壁及び前記絶縁層は前記基板の表
面にブラックマトリックスの役割を兼ねた絶縁層の上に
形成されている。この発明では、請求項３に記載の発明
の効果を有するとともに、製造の際にブラックマトリッ
クスを形成するための工程を省略できる。
求項２、請求項４及び請求項５のいずれか一項に記載の
発明において、前記隔壁及び前記絶縁層は前記基板の表
面にブラックマトリックスの役割を兼ねた絶縁層の上に
形成されている。この発明では、請求項３に記載の発明
の効果を有するとともに、製造の際にブラックマトリッ
クスを形成するための工程を省略できる。
【００１５】第３の目的を達成するため、請求項７に記
載の発明では、有機ＥＬ材料の薄膜からなる発光層を備
えた有機ＥＬ素子をマトリックス状に配置した有機ＥＬ
ディスプレイパネルの製造方法であって、基板上に前記
発光層に対応する複数の第１電極をストライプ状に形成
するパターニング工程と、前記パターニング工程後に行
われ、前記第１電極上の所定位置に前記有機ＥＬ素子を
形成するための領域を残すようにして、前記第１電極と
直交するとともに複数の凸条を有し、前記凸条の厚み
（Ｔ）と、隣接する前記凸条の先端間の間隔（Ｌ）との
比Ｔ／Ｌが１以上の絶縁性の隔壁を形成する隔壁形成工
程と、前記隔壁形成工程後に行われ、前記領域上に有機
ＥＬ層を形成する発光層形成工程と、前記発光層形成工
程後に行われ、少なくとも前記有機ＥＬ層を覆うととも
に、前記第１電極と直交する平行なストライプ状の第２
電極を形成する工程とを有する。
載の発明では、有機ＥＬ材料の薄膜からなる発光層を備
えた有機ＥＬ素子をマトリックス状に配置した有機ＥＬ
ディスプレイパネルの製造方法であって、基板上に前記
発光層に対応する複数の第１電極をストライプ状に形成
するパターニング工程と、前記パターニング工程後に行
われ、前記第１電極上の所定位置に前記有機ＥＬ素子を
形成するための領域を残すようにして、前記第１電極と
直交するとともに複数の凸条を有し、前記凸条の厚み
（Ｔ）と、隣接する前記凸条の先端間の間隔（Ｌ）との
比Ｔ／Ｌが１以上の絶縁性の隔壁を形成する隔壁形成工
程と、前記隔壁形成工程後に行われ、前記領域上に有機
ＥＬ層を形成する発光層形成工程と、前記発光層形成工
程後に行われ、少なくとも前記有機ＥＬ層を覆うととも
に、前記第１電極と直交する平行なストライプ状の第２
電極を形成する工程とを有する。
【００１６】この発明では、先ず、基板上にパターニン
グ工程により複数の第１電極がストライプ状に形成され
た後、隔壁形成工程により第１電極上の所定位置に有機
ＥＬ素子を形成するための領域を残すようにして、第１
電極と直交するように隔壁が形成される。次に前記領域
上に発光層形成工程により有機ＥＬ層が形成され、その
後、平行なストライプ状の第２電極が第１電極と直交す
るように形成される。隔壁は逆テーパ状やオーバーハン
グの構造を形成する必要がないため、通常のフォトリソ
グラフ法で簡単に形成できる。
グ工程により複数の第１電極がストライプ状に形成され
た後、隔壁形成工程により第１電極上の所定位置に有機
ＥＬ素子を形成するための領域を残すようにして、第１
電極と直交するように隔壁が形成される。次に前記領域
上に発光層形成工程により有機ＥＬ層が形成され、その
後、平行なストライプ状の第２電極が第１電極と直交す
るように形成される。隔壁は逆テーパ状やオーバーハン
グの構造を形成する必要がないため、通常のフォトリソ
グラフ法で簡単に形成できる。
【００１７】
【発明の実施の形態】（第１の実施の形態）以下、本発
明を具体化した第１の実施の形態を図１〜図３に従って
説明する。
明を具体化した第１の実施の形態を図１〜図３に従って
説明する。
【００１８】図１（ａ）に示すように、有機ＥＬディス
プレイパネル１は、例えば基板としてのカラーフィルタ
２の表面に第１電極（陽極）３が複数、平行なストライ
プ状に形成されている。第１電極３はＩＴＯ（インジウ
ム錫酸化物）等からなる。また、カラーフィルタ２上に
は絶縁性の隔壁４が、第１電極３上の所定位置に複数の
有機ＥＬ素子５を形成するための領域を残して、第１電
極３と直交する平行なストライプ状に形成されている。
カラーフィルタ２上には隔壁４に隣接して有機ＥＬ層６
が形成され、有機ＥＬ層６の上に第２電極７（陰極）が
形成されている。
プレイパネル１は、例えば基板としてのカラーフィルタ
２の表面に第１電極（陽極）３が複数、平行なストライ
プ状に形成されている。第１電極３はＩＴＯ（インジウ
ム錫酸化物）等からなる。また、カラーフィルタ２上に
は絶縁性の隔壁４が、第１電極３上の所定位置に複数の
有機ＥＬ素子５を形成するための領域を残して、第１電
極３と直交する平行なストライプ状に形成されている。
カラーフィルタ２上には隔壁４に隣接して有機ＥＬ層６
が形成され、有機ＥＬ層６の上に第２電極７（陰極）が
形成されている。
【００１９】図１（ｃ）に示すように、有機ＥＬ層６は
第１電極３側から順に、正孔注入層６ａ、正孔輸送層６
ｂ、発光層６ｃ及び電子輸送層６ｄの４層で構成されて
いる。そして、有機ＥＬ層６、有機ＥＬ層６を挟んで両
側に形成された第１電極３及び第２電極７により１個の
有機ＥＬ素子５が構成されている。第１電極３及び第２
電極７はそれぞれ複数の平行なストライプ状に形成され
るとともに、互いに直交する状態に配設されているた
め、有機ＥＬ素子５は両電極３，７の交差部分において
カラーフィルタ２上にマトリックス状に配置されること
になる。
第１電極３側から順に、正孔注入層６ａ、正孔輸送層６
ｂ、発光層６ｃ及び電子輸送層６ｄの４層で構成されて
いる。そして、有機ＥＬ層６、有機ＥＬ層６を挟んで両
側に形成された第１電極３及び第２電極７により１個の
有機ＥＬ素子５が構成されている。第１電極３及び第２
電極７はそれぞれ複数の平行なストライプ状に形成され
るとともに、互いに直交する状態に配設されているた
め、有機ＥＬ素子５は両電極３，７の交差部分において
カラーフィルタ２上にマトリックス状に配置されること
になる。
【００２０】隔壁４はフォトレジストにより形成され、
図１（ａ），（ｂ）に示すように、第２電極７と平行に
延びる複数（この実施の形態では２本）の凸条４ａ，４
ｂを有している。各凸条４ａ，４ｂは断面ほぼ長方形状
をなすように底部４ｃの上に形成され、凸条４ａ，４ｂ
の厚みＴと、隣接する凸条４ａ，４ｂの先端間の間隔Ｌ
との比Ｔ／Ｌが１以上、好ましくは２以上に形成されて
いる。即ち両凸条４ａ，４ｂ間に形成される溝８は、そ
の深さが幅以上に形成されている。
図１（ａ），（ｂ）に示すように、第２電極７と平行に
延びる複数（この実施の形態では２本）の凸条４ａ，４
ｂを有している。各凸条４ａ，４ｂは断面ほぼ長方形状
をなすように底部４ｃの上に形成され、凸条４ａ，４ｂ
の厚みＴと、隣接する凸条４ａ，４ｂの先端間の間隔Ｌ
との比Ｔ／Ｌが１以上、好ましくは２以上に形成されて
いる。即ち両凸条４ａ，４ｂ間に形成される溝８は、そ
の深さが幅以上に形成されている。
【００２１】有機ＥＬ層６の厚みは通常０．１〜０．２
μｍ程度で、第２電極７の厚みは有機ＥＬ層６より薄
く、有機ＥＬ層６及び第２電極７の厚みの合計値は最大
でも１μｍ以下である。一方、凸条４ａ，４ｂの厚みＴ
は３〜２０μｍ程度であり、凸条４ａ，４ｂの先端間の
間隔Ｌは１〜１０μｍ程度である。
μｍ程度で、第２電極７の厚みは有機ＥＬ層６より薄
く、有機ＥＬ層６及び第２電極７の厚みの合計値は最大
でも１μｍ以下である。一方、凸条４ａ，４ｂの厚みＴ
は３〜２０μｍ程度であり、凸条４ａ，４ｂの先端間の
間隔Ｌは１〜１０μｍ程度である。
【００２２】有機ＥＬ層６及び第２電極７は一般に蒸着
法により形成されるため、それらが不要な隔壁４上にも
有機ＥＬ層６及び第２電極７と同じ金属層が形成されて
いる。
法により形成されるため、それらが不要な隔壁４上にも
有機ＥＬ層６及び第２電極７と同じ金属層が形成されて
いる。
【００２３】次に有機ＥＬディスプレイパネル１の製造
方法を説明する。先ずパターニング工程において、図２
に示すように、カラーフィルタ２上の有機ＥＬ層６を形
成すべき位置と対応する箇所に、複数の第１電極３がス
トライプ状に形成される。第１電極３は蒸着により形成
される。
方法を説明する。先ずパターニング工程において、図２
に示すように、カラーフィルタ２上の有機ＥＬ層６を形
成すべき位置と対応する箇所に、複数の第１電極３がス
トライプ状に形成される。第１電極３は蒸着により形成
される。
【００２４】次に隔壁形成工程により第１電極３上の所
定位置に有機ＥＬ素子５を形成するための領域を残すよ
うにして隔壁４が第１電極３と直交するストライプ状に
形成される。隔壁４は通常のネガタイプのフォトレジス
トを使用したフォトリソグラフ法により、底部４ｃと凸
条４ａ，４ｂとが２回に分けて形成される。先ず図３
（ａ）に示すように、所定の厚みの底部４ｃが形成され
た後、底部４ｃの上に直方体状の凸条４ａ，４ｂが所定
間隔Ｌをおいて形成されて、図３（ｂ）に示すように隔
壁４が完成する。底部４ｃ及び凸条４ａ，４ｂを形成す
るフォトレジストの材料（材質）は同じであるが、底部
４ｃを形成する際は薄い膜厚に適した濃度のレジスト溶
液を使用し、凸条４ａ，４ｂを形成する際は厚い膜厚に
適した濃度のレジスト溶液を使用する。
定位置に有機ＥＬ素子５を形成するための領域を残すよ
うにして隔壁４が第１電極３と直交するストライプ状に
形成される。隔壁４は通常のネガタイプのフォトレジス
トを使用したフォトリソグラフ法により、底部４ｃと凸
条４ａ，４ｂとが２回に分けて形成される。先ず図３
（ａ）に示すように、所定の厚みの底部４ｃが形成され
た後、底部４ｃの上に直方体状の凸条４ａ，４ｂが所定
間隔Ｌをおいて形成されて、図３（ｂ）に示すように隔
壁４が完成する。底部４ｃ及び凸条４ａ，４ｂを形成す
るフォトレジストの材料（材質）は同じであるが、底部
４ｃを形成する際は薄い膜厚に適した濃度のレジスト溶
液を使用し、凸条４ａ，４ｂを形成する際は厚い膜厚に
適した濃度のレジスト溶液を使用する。
【００２５】次に隔壁４が良く乾燥された後、発光層形
成工程（有機ＥＬ層形成工程）により有機ＥＬ層６が形
成される。有機ＥＬ層６は有機ＥＬ層６を構成する各層
６ａ〜６ｄが蒸着により順次形成されることで形成され
る。各層６ａ〜６ｄの厚みは１０〜３００ｎｍである。
有機ＥＬ層６を形成する際はマスキングなしで蒸着が行
われるため、有機ＥＬ層６を形成する必要のない隔壁４
上にも有機ＥＬ層が形成されて、図３（ｃ）の状態とな
る。
成工程（有機ＥＬ層形成工程）により有機ＥＬ層６が形
成される。有機ＥＬ層６は有機ＥＬ層６を構成する各層
６ａ〜６ｄが蒸着により順次形成されることで形成され
る。各層６ａ〜６ｄの厚みは１０〜３００ｎｍである。
有機ＥＬ層６を形成する際はマスキングなしで蒸着が行
われるため、有機ＥＬ層６を形成する必要のない隔壁４
上にも有機ＥＬ層が形成されて、図３（ｃ）の状態とな
る。
【００２６】次に第２電極形成工程により、有機ＥＬ層
６を覆うとともに、第１電極３と直交する平行なストラ
イプ状の第２電極７が形成される。第２電極７はＡｌ
（アルミニウム）を蒸着することにより形成される。Ａ
ｌを蒸着する際もマスキングなしで行われるため、第２
電極７を形成する必要のない隔壁４上にもＡｌ被膜が形
成される。
６を覆うとともに、第１電極３と直交する平行なストラ
イプ状の第２電極７が形成される。第２電極７はＡｌ
（アルミニウム）を蒸着することにより形成される。Ａ
ｌを蒸着する際もマスキングなしで行われるため、第２
電極７を形成する必要のない隔壁４上にもＡｌ被膜が形
成される。
【００２７】第２電極７間に配設される隔壁４を上部に
溝が存在しない形状とした場合は、Ａｌを蒸着する際、
カラーフィルタ２にほぼ垂直に形成された側面にもＡｌ
が付着する場合があり、隔壁４に蒸着されたＡｌ層を介
して第２電極７同士が短絡される虞がある。しかし、隔
壁４に凸条４ａ，４ｂが設けられ、凸条４ａ，４ｂの厚
みＴとその間隔Ｌとの比Ｔ／Ｌを１以上に設定して、溝
８が形成されている場合は、凸条４ａ，４ｂの溝８と対
応する側面にはＡｌが付着し難くなる。その結果、隣接
する第２電極７同士が両凸条４ａ，４ｂに蒸着されたＡ
ｌを介して短絡するのが防止される。
溝が存在しない形状とした場合は、Ａｌを蒸着する際、
カラーフィルタ２にほぼ垂直に形成された側面にもＡｌ
が付着する場合があり、隔壁４に蒸着されたＡｌ層を介
して第２電極７同士が短絡される虞がある。しかし、隔
壁４に凸条４ａ，４ｂが設けられ、凸条４ａ，４ｂの厚
みＴとその間隔Ｌとの比Ｔ／Ｌを１以上に設定して、溝
８が形成されている場合は、凸条４ａ，４ｂの溝８と対
応する側面にはＡｌが付着し難くなる。その結果、隣接
する第２電極７同士が両凸条４ａ，４ｂに蒸着されたＡ
ｌを介して短絡するのが防止される。
【００２８】この実施の形態では以下の効果を有する。 （１） 第１電極３上に形成された有機ＥＬ層６の上に
第１電極３と直交するように形成されたストライプ状の
第２電極７同士を絶縁するための隔壁４が、複数の凸条
４ａ，４ｂを備え、各凸条４ａ，４ｂの厚みＴと、凸条
４ａ，４ｂの先端間の間隔Ｌとの比Ｔ／Ｌが１以上に形
成されている。従って、第２電極７が蒸着法により形成
される際、隣接する凸条４ａ，４ｂ間に蒸着層が跨がる
ことが防止され、第２電極７同士の短絡が防止される。
第１電極３と直交するように形成されたストライプ状の
第２電極７同士を絶縁するための隔壁４が、複数の凸条
４ａ，４ｂを備え、各凸条４ａ，４ｂの厚みＴと、凸条
４ａ，４ｂの先端間の間隔Ｌとの比Ｔ／Ｌが１以上に形
成されている。従って、第２電極７が蒸着法により形成
される際、隣接する凸条４ａ，４ｂ間に蒸着層が跨がる
ことが防止され、第２電極７同士の短絡が防止される。
【００２９】（２） 各凸条４ａ，４ｂは断面ほぼ長方
形状に形成されているため、第２電極７が蒸着法により
形成される際、第２電極７を形成する金属が凸条４ａ，
４ｂの側面により蒸着し難くなり、該金属が隣接する凸
条４ａ，４ｂ間に、より跨がり難くなる。
形状に形成されているため、第２電極７が蒸着法により
形成される際、第２電極７を形成する金属が凸条４ａ，
４ｂの側面により蒸着し難くなり、該金属が隣接する凸
条４ａ，４ｂ間に、より跨がり難くなる。
【００３０】（３） 従来のものと異なり、隔壁４にオ
ーバーハング部を設ける必要がないため、隔壁４を形成
するためのフォトレジストとして、有機ＥＬディスプレ
イパネルの隔壁専用レジストを使用しなくても、通常の
ネガタイプのフォトレジストを使用することができ、製
造コストを低減できる。
ーバーハング部を設ける必要がないため、隔壁４を形成
するためのフォトレジストとして、有機ＥＬディスプレ
イパネルの隔壁専用レジストを使用しなくても、通常の
ネガタイプのフォトレジストを使用することができ、製
造コストを低減できる。
【００３１】（４） 隔壁４は底部４ｃの上に凸条４
ａ，４ｂが形成された構成のため、第２電極７を蒸着法
で形成するまでに、第１電極３の表面は隔壁４又は有機
ＥＬ層６で被覆された状態となっている。従って、第２
電極７を蒸着法により形成する際、第２電極７と第１電
極３とが短絡する虞がない。
ａ，４ｂが形成された構成のため、第２電極７を蒸着法
で形成するまでに、第１電極３の表面は隔壁４又は有機
ＥＬ層６で被覆された状態となっている。従って、第２
電極７を蒸着法により形成する際、第２電極７と第１電
極３とが短絡する虞がない。
【００３２】（第２の実施の形態）次に第２の実施の形
態を図４及び図５に従って説明する。この実施の形態で
は隔壁４の両外側に順テーパ状の絶縁層が存在する点
と、底部４ｃが存在しない点とが前記実施の形態と大き
く異なっている。前記実施の形態と同一部分は同一符号
を付して詳しい説明を省略する。
態を図４及び図５に従って説明する。この実施の形態で
は隔壁４の両外側に順テーパ状の絶縁層が存在する点
と、底部４ｃが存在しない点とが前記実施の形態と大き
く異なっている。前記実施の形態と同一部分は同一符号
を付して詳しい説明を省略する。
【００３３】図４に示すように、隔壁４を構成する凸条
４ａ，４ｂは、カラーフィルタ２及び第１電極３の上に
底部４ｃを形成せずに直接形成されている。隔壁４の両
外側、即ち凸条４ａ，４ｂの互いに対向する面と反対側
の面の外側には、底面側が幅広となるテーパ状、即ち順
テーパ状の絶縁層としての第１の絶縁層１１が形成され
ている。そして、有機ＥＬ層６及び第２電極７が第１の
絶縁層１１と対応する部分においては隔壁４に沿ってテ
ーパ状に形成されている。なお、表示部として機能する
部分は隣接する隔壁４間に位置する平面部分１２であ
り、隔壁４及び第１の絶縁層１１と対応する部分は表示
機能は必要としない。
４ａ，４ｂは、カラーフィルタ２及び第１電極３の上に
底部４ｃを形成せずに直接形成されている。隔壁４の両
外側、即ち凸条４ａ，４ｂの互いに対向する面と反対側
の面の外側には、底面側が幅広となるテーパ状、即ち順
テーパ状の絶縁層としての第１の絶縁層１１が形成され
ている。そして、有機ＥＬ層６及び第２電極７が第１の
絶縁層１１と対応する部分においては隔壁４に沿ってテ
ーパ状に形成されている。なお、表示部として機能する
部分は隣接する隔壁４間に位置する平面部分１２であ
り、隔壁４及び第１の絶縁層１１と対応する部分は表示
機能は必要としない。
【００３４】また、図４に鎖線で示すように、有機ＥＬ
素子５の表面は保護膜１３で被覆されている。保護膜１
３の材質としては、例えば、防湿性に優れた二酸化ケイ
素ＳｉＯ2や窒化ケイ素ＳｉＮが使用され、プラズマＣ
ＶＤ法により保護膜１３が形成されている。
素子５の表面は保護膜１３で被覆されている。保護膜１
３の材質としては、例えば、防湿性に優れた二酸化ケイ
素ＳｉＯ2や窒化ケイ素ＳｉＮが使用され、プラズマＣ
ＶＤ法により保護膜１３が形成されている。
【００３５】次に隔壁４及び第１の絶縁層１１の製造手
順を図５に従って説明する。先ずパターニング工程にお
いて、前記実施の形態と同様にカラーフィルタ２上の有
機ＥＬ層６を形成すべき位置と対応する箇所に、複数の
第１電極３がストライプ状に形成される。次に隔壁形成
工程において図５（ａ）に示すように、第１電極３上の
所定位置に有機ＥＬ素子５を形成するための領域を残す
ようにして隔壁４を構成する凸条４ａ，４ｂがフォトレ
ジストを使用して形成される。
順を図５に従って説明する。先ずパターニング工程にお
いて、前記実施の形態と同様にカラーフィルタ２上の有
機ＥＬ層６を形成すべき位置と対応する箇所に、複数の
第１電極３がストライプ状に形成される。次に隔壁形成
工程において図５（ａ）に示すように、第１電極３上の
所定位置に有機ＥＬ素子５を形成するための領域を残す
ようにして隔壁４を構成する凸条４ａ，４ｂがフォトレ
ジストを使用して形成される。
【００３６】次にフォトレジストをスピンコートで塗布
した後、ネガタイプの場合は隔壁４の両外側部に開口を
有するフォトマスクを使用し、ポジタイプの場合は両外
側部に遮光部を有するフォトマスクを使用して、露光、
現像を行うことにより図５（ｂ）に示すように第１の絶
縁層１１が形成される。フォトレジスト液を塗布する際
に、表面張力の作用により凸条４ａ，４ｂの近辺には、
図５（ａ）に鎖線で示すように、レジスト層１４が厚く
塗布された状態となる。その結果、通常の露光現像を行
うことで、図５（ｂ）に示すような順テーパ状の第１の
絶縁層１１が形成される。
した後、ネガタイプの場合は隔壁４の両外側部に開口を
有するフォトマスクを使用し、ポジタイプの場合は両外
側部に遮光部を有するフォトマスクを使用して、露光、
現像を行うことにより図５（ｂ）に示すように第１の絶
縁層１１が形成される。フォトレジスト液を塗布する際
に、表面張力の作用により凸条４ａ，４ｂの近辺には、
図５（ａ）に鎖線で示すように、レジスト層１４が厚く
塗布された状態となる。その結果、通常の露光現像を行
うことで、図５（ｂ）に示すような順テーパ状の第１の
絶縁層１１が形成される。
【００３７】次に隔壁４及び第１の絶縁層１１が良く乾
燥された後、前記実施の形態と同様に発光層形成工程
（有機ＥＬ層形成工程）により有機ＥＬ層６が形成さ
れ、次いで第２電極７が形成されて図４に実線で示す状
態となる。次にプラズマＣＶＤ装置を使用して所定の成
膜条件で、図４に鎖線で示すように、第２電極７や有機
ＥＬ層６全体を被覆するように保護膜１３が形成され
る。保護膜１３をプラズマＣＶＤ法で形成した場合は、
保護膜１３が有機ＥＬ層６や第２電極の端部において回
り込むように付着されるため、有機ＥＬ層６の端面も保
護膜１３で被覆される。
燥された後、前記実施の形態と同様に発光層形成工程
（有機ＥＬ層形成工程）により有機ＥＬ層６が形成さ
れ、次いで第２電極７が形成されて図４に実線で示す状
態となる。次にプラズマＣＶＤ装置を使用して所定の成
膜条件で、図４に鎖線で示すように、第２電極７や有機
ＥＬ層６全体を被覆するように保護膜１３が形成され
る。保護膜１３をプラズマＣＶＤ法で形成した場合は、
保護膜１３が有機ＥＬ層６や第２電極の端部において回
り込むように付着されるため、有機ＥＬ層６の端面も保
護膜１３で被覆される。
【００３８】この実施の形態では前記実施の形態の
（１）〜（３）の効果を有する他に次の効果を有する。 （５） 複数の凸条４ａ，４ｂから構成された隔壁４の
両外側に沿って底面側が幅広となるテーパ状の第１の絶
縁層１１が形成されている。従って、平面部分１２から
隔壁４に連なる有機ＥＬ層６及びその上に積層形成され
た第２電極７を覆うように保護膜１３を形成する際に、
保護膜１３が薄くても確実に有機ＥＬ素子を封止するこ
とができる。
（１）〜（３）の効果を有する他に次の効果を有する。 （５） 複数の凸条４ａ，４ｂから構成された隔壁４の
両外側に沿って底面側が幅広となるテーパ状の第１の絶
縁層１１が形成されている。従って、平面部分１２から
隔壁４に連なる有機ＥＬ層６及びその上に積層形成され
た第２電極７を覆うように保護膜１３を形成する際に、
保護膜１３が薄くても確実に有機ＥＬ素子を封止するこ
とができる。
【００３９】（６） 有機ＥＬ素子を覆う保護膜１３を
形成して有機ＥＬ素子の封止を行っている。従って、金
属製やガラス製のカバーで封止を行う構成に比較して有
機ＥＬディスプレイパネルの薄型化が可能になる。
形成して有機ＥＬ素子の封止を行っている。従って、金
属製やガラス製のカバーで封止を行う構成に比較して有
機ＥＬディスプレイパネルの薄型化が可能になる。
【００４０】（第３の実施の形態）次に第３の実施の形
態を図６に従って説明する。この実施の形態において
は、前記隔壁４及び第１の絶縁層１１が、カラーフィル
タ２及び第１電極３の表面に直接形成されるのではな
く、ブラックマトリックスの役割を兼ねた絶縁層として
の第２の絶縁層１５の上に形成されている点が第２の実
施の形態と大きく異なっている。その他の構成は第２の
実施の形態と同じである。
態を図６に従って説明する。この実施の形態において
は、前記隔壁４及び第１の絶縁層１１が、カラーフィル
タ２及び第１電極３の表面に直接形成されるのではな
く、ブラックマトリックスの役割を兼ねた絶縁層として
の第２の絶縁層１５の上に形成されている点が第２の実
施の形態と大きく異なっている。その他の構成は第２の
実施の形態と同じである。
【００４１】第１及び第２の実施の形態では説明を省略
したが、一般にカラーフィルタを使用する有機ＥＬディ
スプレイパネルにおいては、カラーフィルタの他にブラ
ックマトリックスと呼ばれる金属クロムの薄膜層が設け
られている。そして、この薄膜層は、ガラス基板の表面
にカラーフィルタを構成する前に、カラーフィルタを構
成するための赤、青、緑の各画素の輪郭となる部分と対
応する位置に形成され、その上にカラーフィルタが形成
される。
したが、一般にカラーフィルタを使用する有機ＥＬディ
スプレイパネルにおいては、カラーフィルタの他にブラ
ックマトリックスと呼ばれる金属クロムの薄膜層が設け
られている。そして、この薄膜層は、ガラス基板の表面
にカラーフィルタを構成する前に、カラーフィルタを構
成するための赤、青、緑の各画素の輪郭となる部分と対
応する位置に形成され、その上にカラーフィルタが形成
される。
【００４２】この実施の形態では例えば染料で黒に着色
されたレジストを使用してカラーフィルタ２及び第１電
極３の上に第２の絶縁層１５が形成され、その上に凸条
４ａ，４ｂ及び第１の絶縁層１１が前記実施の形態と同
様にして形成される。その後、第２の実施の形態と同様
にして有機ＥＬ層６、第２電極７及び保護膜１３が形成
される。
されたレジストを使用してカラーフィルタ２及び第１電
極３の上に第２の絶縁層１５が形成され、その上に凸条
４ａ，４ｂ及び第１の絶縁層１１が前記実施の形態と同
様にして形成される。その後、第２の実施の形態と同様
にして有機ＥＬ層６、第２電極７及び保護膜１３が形成
される。
【００４３】この実施の形態では第１の実施の形態の
（１）〜（４）及び第２の実施の形態の（５），（６）
の効果を有する他に次の効果を有する。 （７） 隔壁４及び第１の絶縁層１１はカラーフィルタ
２の表面にブラックマトリックスの役割を兼ねた第２の
絶縁層１５の上に形成されている。従って、製造の際に
ブラックマトリックスを形成するための工程を省略でき
る。また、従来のブラックマトリックスと異なり金属ク
ロムを使用しないため、クロムの管理が不要になる。
（１）〜（４）及び第２の実施の形態の（５），（６）
の効果を有する他に次の効果を有する。 （７） 隔壁４及び第１の絶縁層１１はカラーフィルタ
２の表面にブラックマトリックスの役割を兼ねた第２の
絶縁層１５の上に形成されている。従って、製造の際に
ブラックマトリックスを形成するための工程を省略でき
る。また、従来のブラックマトリックスと異なり金属ク
ロムを使用しないため、クロムの管理が不要になる。
【００４４】実施の形態は前記に限らず、例えば次のよ
うに構成してもよい。 ○ 隔壁４を構成する凸条の数は２個に限らず、例えば
図７に示すように、凸条４ａ，４ｂの間に凸条４ｄを設
けて３個としてもよい。
うに構成してもよい。 ○ 隔壁４を構成する凸条の数は２個に限らず、例えば
図７に示すように、凸条４ａ，４ｂの間に凸条４ｄを設
けて３個としてもよい。
【００４５】○ 第１の実施の形態において底部４ｃを
構成するフォトレジストに染料で黒に着色されたレジス
トを使用し、底部４ｃにブラックマトリックスの機能を
持たせてもよい。
構成するフォトレジストに染料で黒に着色されたレジス
トを使用し、底部４ｃにブラックマトリックスの機能を
持たせてもよい。
【００４６】○ 図８（ａ）に示すように、両凸条４
ａ，４ｂを底部４ｃの幅方向の端部に位置するように形
成してもよい。 ○ 隔壁４を形成する際、先ず１回目のフォトリソグラ
フ処理で底部４ｃを形成した後、２回目のフォトリソグ
ラフ処理で凸条４ａ，４ｂを形成する代わりに、１回の
フォトリソグラフ処理で隔壁４を形成してもよい。ネガ
タイプのフォトレジストを使用して、凸条４ａ，４ｂを
形成すべき箇所を露光する際、露光条件を強くすると、
フォトレジストのコート層を透過した光がカラーフィル
タ２で反射し、その反射光により凸条４ａ，４ｂの基部
の周りが硬化する。その結果、図８（ｂ）に示すよう
に、両凸条４ａ，４ｂが基端において連続した形状の隔
壁４が形成される。この場合、隔壁４が１回のフォトリ
ソグラフ処理で形成できるため、製造が簡単になる。ま
た、濃度の異なるフォトレジストを準備する必要もな
い。
ａ，４ｂを底部４ｃの幅方向の端部に位置するように形
成してもよい。 ○ 隔壁４を形成する際、先ず１回目のフォトリソグラ
フ処理で底部４ｃを形成した後、２回目のフォトリソグ
ラフ処理で凸条４ａ，４ｂを形成する代わりに、１回の
フォトリソグラフ処理で隔壁４を形成してもよい。ネガ
タイプのフォトレジストを使用して、凸条４ａ，４ｂを
形成すべき箇所を露光する際、露光条件を強くすると、
フォトレジストのコート層を透過した光がカラーフィル
タ２で反射し、その反射光により凸条４ａ，４ｂの基部
の周りが硬化する。その結果、図８（ｂ）に示すよう
に、両凸条４ａ，４ｂが基端において連続した形状の隔
壁４が形成される。この場合、隔壁４が１回のフォトリ
ソグラフ処理で形成できるため、製造が簡単になる。ま
た、濃度の異なるフォトレジストを準備する必要もな
い。
【００４７】○ また、１回のフォトリソグラフ処理
で、凸条４ａ，４ｂの基端に連続した隔壁を形成する方
法として、凸条４ａ，４ｂの間隔Ｌを狭くする方法もあ
る。この方法では、凸条４ａ，４ｂの間隔Ｌを、露光装
置で凸条４ａ，４ｂを分離して形成できる限界をやや下
まわる寸法にすることにより、凸条４ａ，４ｂの基端間
にレジストを残した状態で凸条４ａ，４ｂを形成する。
で、凸条４ａ，４ｂの基端に連続した隔壁を形成する方
法として、凸条４ａ，４ｂの間隔Ｌを狭くする方法もあ
る。この方法では、凸条４ａ，４ｂの間隔Ｌを、露光装
置で凸条４ａ，４ｂを分離して形成できる限界をやや下
まわる寸法にすることにより、凸条４ａ，４ｂの基端間
にレジストを残した状態で凸条４ａ，４ｂを形成する。
【００４８】○ 図８（ｃ）に示すように、隔壁４を構
成する凸条４ａ，４ｂの厚みＴと、凸条４ａ，４ｂの先
端間の間隔Ｌとの比Ｔ／Ｌを十分大きくすれば、隔壁４
間に絶縁部が存在しなくても第１電極３と第２電極７と
の間の絶縁性は確保される。なぜならば、比Ｔ／Ｌが十
分大きければ、第２電極７を蒸着法により形成する際、
隣接する凸条４ａ，４ｂの対向する側面に凸条４ａ，４
ｂの上面から下端まで連続するように金属が付着する確
率は非常に小さくなる。その結果、凸条４ａ，４ｂに付
着した金属及び凸条４ａ，４ｂ間の第１電極３上に形成
された有機ＥＬ層６を介して、第１電極３と第２電極
７、あるいは隣接する第２電極７同士が導通される確率
が非常に小さくなるからである。
成する凸条４ａ，４ｂの厚みＴと、凸条４ａ，４ｂの先
端間の間隔Ｌとの比Ｔ／Ｌを十分大きくすれば、隔壁４
間に絶縁部が存在しなくても第１電極３と第２電極７と
の間の絶縁性は確保される。なぜならば、比Ｔ／Ｌが十
分大きければ、第２電極７を蒸着法により形成する際、
隣接する凸条４ａ，４ｂの対向する側面に凸条４ａ，４
ｂの上面から下端まで連続するように金属が付着する確
率は非常に小さくなる。その結果、凸条４ａ，４ｂに付
着した金属及び凸条４ａ，４ｂ間の第１電極３上に形成
された有機ＥＬ層６を介して、第１電極３と第２電極
７、あるいは隣接する第２電極７同士が導通される確率
が非常に小さくなるからである。
【００４９】○ 第１の絶縁層１１がない構成において
も、凸条の数は２本に限らず、３本以上としてもよい。
この場合、溝８の数が増え、隔壁４を挟んで位置する第
２電極７同士が短絡する確率が非常に低くなる。
も、凸条の数は２本に限らず、３本以上としてもよい。
この場合、溝８の数が増え、隔壁４を挟んで位置する第
２電極７同士が短絡する確率が非常に低くなる。
【００５０】○ 凸条４ａ，４ｂは必ずしもフォトレジ
ストを使用したフォトリソグラフ処理で形成するものに
限らない。例えば、ＳｉＯ2をスパッタ法や気相成長法
（ＣＶＤ法）により凸条に形成してもよい。しかし、フ
ォトレジストを使用して形成する方が簡単に形成でき
る。
ストを使用したフォトリソグラフ処理で形成するものに
限らない。例えば、ＳｉＯ2をスパッタ法や気相成長法
（ＣＶＤ法）により凸条に形成してもよい。しかし、フ
ォトレジストを使用して形成する方が簡単に形成でき
る。
【００５１】○ 有機ＥＬ層６は必ずしも４層構成に限
らない。 ○ 第１の実施の形態あるいは他の実施の形態において
も、第２電極７の形成後、少なくとも第２電極７の全面
を覆う絶縁性の封止膜を形成してもよい。例えばスパッ
タ法によりＳｉＯ2被膜を形成する。被膜の厚みは１μ
ｍ以上が好ましい。この場合、有機ＥＬ層６の劣化防止
機能が向上する。
らない。 ○ 第１の実施の形態あるいは他の実施の形態において
も、第２電極７の形成後、少なくとも第２電極７の全面
を覆う絶縁性の封止膜を形成してもよい。例えばスパッ
タ法によりＳｉＯ2被膜を形成する。被膜の厚みは１μ
ｍ以上が好ましい。この場合、有機ＥＬ層６の劣化防止
機能が向上する。
【００５２】○ 保護膜１３を形成して封止する代わり
に、金属製カバー又はガラス製カバー等で封止する構成
としてもよい。前記実施の形態から把握できる技術的思
想（発明）について以下に記載する。
に、金属製カバー又はガラス製カバー等で封止する構成
としてもよい。前記実施の形態から把握できる技術的思
想（発明）について以下に記載する。
【００５３】（１） 請求項１又は請求項２に記載の発
明において、前記隔壁は前記凸条を前記第１電極上に直
接形成することにより形成され、Ｔ≧Ｌとなるように、
前記厚みＴ及び間隔Ｌが設定されている。
明において、前記隔壁は前記凸条を前記第１電極上に直
接形成することにより形成され、Ｔ≧Ｌとなるように、
前記厚みＴ及び間隔Ｌが設定されている。
【００５４】（２） （１）に記載の発明において、前
記凸条の基部の間には絶縁膜が形成されていない。 （３） 請求項１〜請求項７のいずれかに記載の発明に
おいて、前記隔壁はネガタイプのフォトレジストにより
形成されている。
記凸条の基部の間には絶縁膜が形成されていない。 （３） 請求項１〜請求項７のいずれかに記載の発明に
おいて、前記隔壁はネガタイプのフォトレジストにより
形成されている。
【００５５】
【発明の効果】以上詳述したように請求項１〜請求項６
に記載の発明では、有機ＥＬ層の上に形成される第２電
極間あるいは第２電極と第１電極との間の絶縁性を確保
できる隔壁を、通常のフォトリソグラフ用のレジストを
使用して簡単に形成することが可能になる。また、請求
項７に記載の発明は、請求項１〜請求項３に記載の発明
のＥＬディスプレイパネルの製造に適している。
に記載の発明では、有機ＥＬ層の上に形成される第２電
極間あるいは第２電極と第１電極との間の絶縁性を確保
できる隔壁を、通常のフォトリソグラフ用のレジストを
使用して簡単に形成することが可能になる。また、請求
項７に記載の発明は、請求項１〜請求項３に記載の発明
のＥＬディスプレイパネルの製造に適している。
【図１】 （ａ）は第１の実施の形態の有機ＥＬディス
プレイパネルの概略部分斜視図、（ｂ）は部分模式断面
図、（ｃ）は有機ＥＬ層の模式図。
プレイパネルの概略部分斜視図、（ｂ）は部分模式断面
図、（ｃ）は有機ＥＬ層の模式図。
【図２】 有機ＥＬディスプレイパネルの基板の概略部
分斜視図。
分斜視図。
【図３】 （ａ）〜（ｃ）は有機ＥＬディスプレイパネ
ルの製造工程における部分模式断面図。
ルの製造工程における部分模式断面図。
【図４】 第２の実施の形態の部分模式断面図。
【図５】 （ａ），（ｂ）は同じく有機ＥＬディスプレ
イパネルの製造工程を示す部分模式断面図。
イパネルの製造工程を示す部分模式断面図。
【図６】 第３の実施の形態の部分模式断面図。
【図７】 別の実施の形態の部分模式断面図。
【図８】 （ａ）〜（ｃ）は別の実施の形態の隔壁の模
式断面図。
式断面図。
【図９】 従来技術の有機ＥＬディスプレイパネルの部
分模式断面図。
分模式断面図。
【図１０】 従来技術の有機ＥＬディスプレイパネルの
部分模式断面図。
部分模式断面図。
１…有機ＥＬディスプレイパネル、２…基板としてのカ
ラーフィルタ、３…第１電極、４…隔壁、４ａ，４ｂ…
凸条、４ｃ…底部、５…有機ＥＬ素子、６…有機ＥＬ
層、７…第２電極、１１…テーパ状の絶縁層としての第
１の絶縁層、１３…保護膜、１５…ブラックマトリック
スの役割を兼ねた絶縁層としての第２の絶縁層、Ｌ…間
隔、Ｔ…厚み。
ラーフィルタ、３…第１電極、４…隔壁、４ａ，４ｂ…
凸条、４ｃ…底部、５…有機ＥＬ素子、６…有機ＥＬ
層、７…第２電極、１１…テーパ状の絶縁層としての第
１の絶縁層、１３…保護膜、１５…ブラックマトリック
スの役割を兼ねた絶縁層としての第２の絶縁層、Ｌ…間
隔、Ｔ…厚み。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 33/12 Ｈ０５Ｂ 33/12 Ｂ 33/14 33/14 Ａ Ｆターム(参考） 3K007 AB04 AB18 BA06 BB06 CB01 DA01 DB03 EB00 FA01 FA02 5C094 AA06 AA08 AA11 AA43 BA27 CA19 CA23 DA13 EB02 EB10 EC03 ED03 ED15 FA01 FA02 FB01 FB02 FB12 FB15 FB20 GB10 JA01 5G435 AA02 AA04 AA13 AA14 AA17 AA18 BB05 CC09 EE11 FF13 GG12 KK05
Claims (7)
- 【請求項１】 有機エレクトロルミネッセンス材料の薄
膜からなる発光層を備えた有機エレクトロルミネッセン
ス素子をマトリックス状に配置した有機エレクトロルミ
ネッセンスディスプレイパネルであって、 第１電極が表面に平行なストライプ状に形成された基板
と、 前記第１電極上の所定位置に複数の前記有機エレクトロ
ルミネッセンス素子を形成するための領域を残して設け
られた絶縁性の隔壁と、 前記領域上に形成された有機エレクトロルミネッセンス
層と、 少なくとも前記有機エレクトロルミネッセンス層を覆う
とともに、平行なストライプ状に形成された第２電極と
を備え、 前記絶縁性の隔壁は前記第２電極と平行に延びる複数の
凸条を有し、前記凸条の厚み（Ｔ）と、隣接する前記凸
条の先端間の間隔（Ｌ）との比Ｔ／Ｌが１以上に形成さ
れている有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパ
ネル。 - 【請求項２】 前記凸条はフォトレジストで断面ほぼ長
方形状に形成されている請求項１に記載の有機エレクト
ロルミネッセンスディスプレイパネル。 - 【請求項３】 前記隔壁は底部の上に前記凸条が形成さ
れている請求項１又は請求項２に記載の有機エレクトロ
ルミネッセンスディスプレイパネル。 - 【請求項４】 前記複数の凸条から構成された前記隔壁
の両外側に沿って底面側が幅広となるテーパ状の絶縁層
が形成されている請求項１〜請求項３のいずれか一項に
記載の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネ
ル。 - 【請求項５】 前記有機ＥＬ素子を覆う保護膜が形成さ
れている請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセン
スディスプレイパネル。 - 【請求項６】 前記隔壁及び前記絶縁層は前記基板の表
面にブラックマトリックスの役割を兼ねた絶縁層の上に
形成されている請求項１、請求項２、請求項４及び請求
項５のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセ
ンスディスプレイパネル。 - 【請求項７】 有機エレクトロルミネッセンス材料の薄
膜からなる発光層を備えた有機エレクトロルミネッセン
ス素子をマトリックス状に配置した有機エレクトロルミ
ネッセンスディスプレイパネルの製造方法であって、 基板上に前記発光層に対応する複数の第１電極をストラ
イプ状に形成するパターニング工程と、 前記パターニング工程後に行われ、前記第１電極上の所
定位置に前記有機エレクトロルミネッセンス素子を形成
するための領域を残すようにして、前記第１電極と直交
するとともに複数の凸条を有し、前記凸条の厚み（Ｔ）
と、隣接する前記凸条の先端間の間隔（Ｌ）との比Ｔ／
Ｌが１以上の絶縁性の隔壁を形成する隔壁形成工程と、 前記隔壁形成工程後に行われ、前記領域上に有機エレク
トロルミネッセンス層を形成する発光層形成工程と、 前記発光層形成工程後に行われ、少なくとも前記有機エ
レクトロルミネッセンス層を覆うとともに、前記第１電
極と直交する平行なストライプ状の第２電極を形成する
工程とを有する有機エレクトロルミネッセンスディスプ
レイパネルの製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001229220A JP2002208489A (ja) | 2000-11-10 | 2001-07-30 | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル及びその製造方法 |
| KR10-2002-0020581A KR100482021B1 (ko) | 2001-07-30 | 2002-04-16 | 유기 일렉트로루미네선스 디스플레이 패널 및 그 제조방법 |
| TW091108206A TW579658B (en) | 2001-07-30 | 2002-04-22 | An organic electro-luminescence display panel and a manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000343543 | 2000-11-10 | ||
| JP2000-343543 | 2000-11-10 | ||
| JP2001229220A JP2002208489A (ja) | 2000-11-10 | 2001-07-30 | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002208489A true JP2002208489A (ja) | 2002-07-26 |
Family
ID=26603753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001229220A Pending JP2002208489A (ja) | 2000-11-10 | 2001-07-30 | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002208489A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004111166A (ja) * | 2002-09-18 | 2004-04-08 | Hitachi Ltd | 有機ｅｌ素子用バンク付き基板 |
| JP2004200027A (ja) * | 2002-12-19 | 2004-07-15 | Rohm Co Ltd | 有機エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法 |
| JP2005512298A (ja) * | 2001-12-10 | 2005-04-28 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Ｅｌディスプレイ装置及び該装置の製造方法 |
| JP2005197228A (ja) * | 2003-12-30 | 2005-07-21 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 有機電界発光素子とその製造方法 |
| JP2005310535A (ja) * | 2004-04-21 | 2005-11-04 | Seiko Epson Corp | 有機ｅｌ装置及び有機ｅｌ装置の製造方法並びに電子機器 |
| EP1667245A2 (en) | 2004-12-02 | 2006-06-07 | LG Electronics Inc. | Organic electroluminescence display and method for manufacturing the same |
| CN100446632C (zh) * | 2005-09-30 | 2008-12-24 | 电子科技大学 | 一种有机电致发光器件隔离柱的制备方法 |
| US7990047B2 (en) | 2005-10-28 | 2011-08-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organic light emitting diode display and method of manufacturing the same |
| JP2011165563A (ja) * | 2010-02-12 | 2011-08-25 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子用基板、有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
| JP2020095859A (ja) * | 2018-12-13 | 2020-06-18 | キヤノン株式会社 | 有機発光素子とその製造方法、有機発光装置とその製造方法、照明装置、移動体、撮像装置、電子機器 |
-
2001
- 2001-07-30 JP JP2001229220A patent/JP2002208489A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005512298A (ja) * | 2001-12-10 | 2005-04-28 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Ｅｌディスプレイ装置及び該装置の製造方法 |
| JP2004111166A (ja) * | 2002-09-18 | 2004-04-08 | Hitachi Ltd | 有機ｅｌ素子用バンク付き基板 |
| JP2004200027A (ja) * | 2002-12-19 | 2004-07-15 | Rohm Co Ltd | 有機エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法 |
| JP2005197228A (ja) * | 2003-12-30 | 2005-07-21 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 有機電界発光素子とその製造方法 |
| US7453199B2 (en) | 2004-04-21 | 2008-11-18 | Seiko Epson Corporation | Organic electroluminescent device |
| JP2005310535A (ja) * | 2004-04-21 | 2005-11-04 | Seiko Epson Corp | 有機ｅｌ装置及び有機ｅｌ装置の製造方法並びに電子機器 |
| EP1667245A2 (en) | 2004-12-02 | 2006-06-07 | LG Electronics Inc. | Organic electroluminescence display and method for manufacturing the same |
| EP1667245A3 (en) * | 2004-12-02 | 2008-12-03 | LG Display Co., Ltd. | Organic electroluminescence display and method for manufacturing the same |
| US7696688B2 (en) | 2004-12-02 | 2010-04-13 | Lg Display Co., Ltd. | Organic electroluminescence display and method for manufacturing the same |
| CN100446632C (zh) * | 2005-09-30 | 2008-12-24 | 电子科技大学 | 一种有机电致发光器件隔离柱的制备方法 |
| US7990047B2 (en) | 2005-10-28 | 2011-08-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organic light emitting diode display and method of manufacturing the same |
| JP2011165563A (ja) * | 2010-02-12 | 2011-08-25 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子用基板、有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
| JP2020095859A (ja) * | 2018-12-13 | 2020-06-18 | キヤノン株式会社 | 有機発光素子とその製造方法、有機発光装置とその製造方法、照明装置、移動体、撮像装置、電子機器 |
| JP2021168313A (ja) * | 2018-12-13 | 2021-10-21 | キヤノン株式会社 | 有機発光装置とその製造方法、照明装置、移動体、撮像装置、電子機器 |
| US11342535B2 (en) | 2018-12-13 | 2022-05-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic light-emitting element, method for producing organic light-emitting element, organic light-emitting device, method for producing organic light-emitting device, lighting device, moving object, image pickup device, and electronic apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100804921B1 (ko) | 유기 전계발광 디스플레이 패널 및 그 제조 방법 | |
| JP3813217B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法 | |
| JP3570857B2 (ja) | 有機ｅｌディスプレイパネルとその製造方法 | |
| JPH11121168A (ja) | 有機エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法 | |
| US20070188093A1 (en) | Organic electroluminescent display panel | |
| TW550973B (en) | Organic electricro luminescence display panel | |
| JP2002208489A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル及びその製造方法 | |
| JP2000294371A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルおよびその製造方法 | |
| JP3858637B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル及びその製造方法 | |
| JP2001230073A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及びその製造方法 | |
| JP3807318B2 (ja) | 有機ｅｌ表示装置 | |
| JP3901719B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法 | |
| JP3568890B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法 | |
| KR100333951B1 (ko) | 풀칼라 유기 전기 발광 소자 및 그 제조 방법 | |
| JP2000123978A (ja) | 有機ｅｌ素子およびその製造方法 | |
| JP3926314B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法 | |
| JP3807316B2 (ja) | 有機ｅｌカラー表示装置及びその製造方法 | |
| TW579658B (en) | An organic electro-luminescence display panel and a manufacturing method thereof | |
| JP3652136B2 (ja) | 有機ｅｌディスプレイパネル及びその製造方法 | |
| JP4795665B2 (ja) | 有機エレクトロルミネセンス表示パネル及びその製造方法 | |
| JP3864805B2 (ja) | 有機ｅｌディスプレイパネルの製造方法 | |
| JP4060876B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル | |
| JP3901675B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法 | |
| JP4259911B2 (ja) | 発光表示パネルおよびその製造方法 | |
| JP3901699B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20031210 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051026 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051101 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051228 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20061219 |