JPH03125481A - 光起電力装置 - Google Patents
光起電力装置Info
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- JPH03125481A JPH03125481A JP1263282A JP26328289A JPH03125481A JP H03125481 A JPH03125481 A JP H03125481A JP 1263282 A JP1263282 A JP 1263282A JP 26328289 A JP26328289 A JP 26328289A JP H03125481 A JPH03125481 A JP H03125481A
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- Japan
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- grain size
- transparent electrode
- substrate
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- Pending
Links
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- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- KHMOASUYFVRATF-UHFFFAOYSA-J tin(4+);tetrachloride;pentahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl KHMOASUYFVRATF-UHFFFAOYSA-J 0.000 abstract 1
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は、透明基板における光の屈折及び散乱効果を利
用して光電変換効率を向上させた光起電力装置に関する
。
用して光電変換効率を向上させた光起電力装置に関する
。
（ロ）従来の技術
光電変換部として、非晶質半導体（具体的には非晶質シ
リコン）を用いた光起電力装置が、実用化されている。
リコン）を用いた光起電力装置が、実用化されている。
この光起電力装置においては、その光電変換効率を向上
させるために、様々な試みが行われているが、その１つ
として、ガラス等の透光性基板上に形成される透明電極
の結晶粒径を大きくすることにより、この透明電極の表
面を粗面化することが、特公昭６２−７７１６号公報に
見られる。
させるために、様々な試みが行われているが、その１つ
として、ガラス等の透光性基板上に形成される透明電極
の結晶粒径を大きくすることにより、この透明電極の表
面を粗面化することが、特公昭６２−７７１６号公報に
見られる。
この構造にあっては、透光性基板を経て入射される光は
、透明電極により屈折、散乱されて光電変換部に入射し
、光電変換部中を長い距離にわたって通過する。その結
果、多くの光が光電変換部にて吸収され、光電変換効率
が向上する。
、透明電極により屈折、散乱されて光電変換部に入射し
、光電変換部中を長い距離にわたって通過する。その結
果、多くの光が光電変換部にて吸収され、光電変換効率
が向上する。
（ハ）発明が解決しようとする課題
上記構造の光起電力装置によれば、ある程度、入射光を
有効に利用できるが、ＥＰＲＩ−旧Ｔｌ／ＮＥＤＯＷｏ
ｒｋｓｈｏｐ、 Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ ５ｉｌｉｃｏｎ
ａｌｌｏｙ ５ｔａｔｕｓ、Ｐｒｏｓｐｅｃｔ ａｎ
ｄ ｌ５ｓｕｅｓ、 Ｊｕｌｙ １−３．１９８５の
Ｐ１２０、Ｆｉｇ、２に見られるように、長波長の入射
光のみを有効に吸収することができるだけであり、短波
長の入射光は依然として有効に利用できないままである
。
有効に利用できるが、ＥＰＲＩ−旧Ｔｌ／ＮＥＤＯＷｏ
ｒｋｓｈｏｐ、 Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ ５ｉｌｉｃｏｎ
ａｌｌｏｙ ５ｔａｔｕｓ、Ｐｒｏｓｐｅｃｔ ａｎ
ｄ ｌ５ｓｕｅｓ、 Ｊｕｌｙ １−３．１９８５の
Ｐ１２０、Ｆｉｇ、２に見られるように、長波長の入射
光のみを有効に吸収することができるだけであり、短波
長の入射光は依然として有効に利用できないままである
。
（ニ）課題を解決するための手段
本発明の光起電力装置は、透光性基板上に、透明電極、
光電変換部及び裏面電極を順に積層した光起電力装置に
おいて、上記透明電極は、上記透光性基板側から平均粒
径の大きい第１層と平均粒径の小さい第２層とを積層し
た構成であることを特徴とする。
光電変換部及び裏面電極を順に積層した光起電力装置に
おいて、上記透明電極は、上記透光性基板側から平均粒
径の大きい第１層と平均粒径の小さい第２層とを積層し
た構成であることを特徴とする。
（ホ）作用
本発明によれば、平均粒径の大きい第１層にて長波長光
が、また平均粒径の小さい第２層にて短波長光が屈折及
び散乱され、光電変換部中を長い距離にわたって通過す
る。その結果、多くの光が光電変換部にて吸収され、光
電変換効率が向上する。
が、また平均粒径の小さい第２層にて短波長光が屈折及
び散乱され、光電変換部中を長い距離にわたって通過す
る。その結果、多くの光が光電変換部にて吸収され、光
電変換効率が向上する。
（へ）実施例
図は本発明の一実施例を示す断面図であり、ガラス、耐
熱性プラスチック等の透光性基板１上に、透明電極２、
非晶質シリコンカーバイドからなるｎ型層３１、非晶質
シリコンからなる１型層３２、ｎ型層３３からなる光電
変換部３及び裏面電極４を、順に積層形成した構成であ
る。
熱性プラスチック等の透光性基板１上に、透明電極２、
非晶質シリコンカーバイドからなるｎ型層３１、非晶質
シリコンからなる１型層３２、ｎ型層３３からなる光電
変換部３及び裏面電極４を、順に積層形成した構成であ
る。
本発明の特徴として、透明電極２は、透光性基板１側か
ら平均粒径の大きい第１層２１と平均粒径の小さい第２
層２２とを積層した構成である。
ら平均粒径の大きい第１層２１と平均粒径の小さい第２
層２２とを積層した構成である。
光電変換部３の形成方法としては、周知のプラズマＣＶ
Ｄ法により形成されるが、以下にその一例を示す。
Ｄ法により形成されるが、以下にその一例を示す。
る。
一方、ＳｎＯ，からなる透明電極２は、透光性基板１を
十分に洗浄して、所定温度に加熱された熱ＣＶＤ装置内
に投入し、透光性基板１に向かって、５ｎＣ１＋・５Ｈ
３０及びＨＦを吹き付けることにより、透光性基板１上
に形成した。
十分に洗浄して、所定温度に加熱された熱ＣＶＤ装置内
に投入し、透光性基板１に向かって、５ｎＣ１＋・５Ｈ
３０及びＨＦを吹き付けることにより、透光性基板１上
に形成した。
以下に、透明電極２の具体的な形成条件及び構造につい
て、４つの具体例を示す。
て、４つの具体例を示す。
（具体例１）
（具体例２）
（具体例３）
但し、第１層２１は、膜厚２．０μｍに形成した後、エ
ツチングにて１．０μｎとした。
ツチングにて１．０μｎとした。
一方、比較例として、５５０℃の基板温度で、膜厚１２
μｍのＳｎＯ＋膜からなる１つの層の透明電極を備える
光起電力装置を形成した。
μｍのＳｎＯ＋膜からなる１つの層の透明電極を備える
光起電力装置を形成した。
尚、具体例１〜４及び比較例とも、その他の構成、即ち
、光電変換部３及び裏面を極４については、上述した通
りの同じ条件で形成した。
、光電変換部３及び裏面を極４については、上述した通
りの同じ条件で形成した。
これら具体例１〜４及び比較例の光起電力装置について
、ＡＭ−１，５のソーラ・シュミレータを用いて１００
ｍＷ／ｃｍ’の光を照射した場合の変換効率η、短絡電
流密度Ｊｓｃ、開放電圧Ｖｏｃ及び曲線因子ＦＦを測定
した。その結果は以下の通りである。
、ＡＭ−１，５のソーラ・シュミレータを用いて１００
ｍＷ／ｃｍ’の光を照射した場合の変換効率η、短絡電
流密度Ｊｓｃ、開放電圧Ｖｏｃ及び曲線因子ＦＦを測定
した。その結果は以下の通りである。
（具体例４）
以上から明らかなように、透明電極２を、平均粒径の大
きい第１層２１と、平均粒径の小さい第２層２２とから
構成することにより、変換効率及び短Ｆｆｊ電流が、向
−ヒすることが分かる。
きい第１層２１と、平均粒径の小さい第２層２２とから
構成することにより、変換効率及び短Ｆｆｊ電流が、向
−ヒすることが分かる。
尚、第１層２１及び第２層２２の平均粒径は、夫々（１
，７−１０μｍ及び０．１− （１，７＋＋ｍであるの
が好ましい。
，７−１０μｍ及び０．１− （１，７＋＋ｍであるの
が好ましい。
また、透明電極２は、上述のＳｎＯ，に限ることなく、
Ｉｎｔｏ＋やＩＴＯから形成してもよい。
Ｉｎｔｏ＋やＩＴＯから形成してもよい。
（ト）発明の効果
本発明によれば、透光性基板上に、透明電極、光電変換
部及び裏面電極を順に積層した光起電力装置において、
−上記透明電極は、上記透光性基板側から平均粒径の大
きい第１層と平均粒径の小さい第２層とを積層した構成
であるので、透光性基板から入射される光の波長に関係
なく、全ての光を十分に利用することができ、光起電力
装置の出力特性を向上させることができる。
部及び裏面電極を順に積層した光起電力装置において、
−上記透明電極は、上記透光性基板側から平均粒径の大
きい第１層と平均粒径の小さい第２層とを積層した構成
であるので、透光性基板から入射される光の波長に関係
なく、全ての光を十分に利用することができ、光起電力
装置の出力特性を向上させることができる。
図は本発明の一実施例を示す断面図である。
Claims (1)
- （１）透光性基板上に、透明電極、光電変換部及び裏面
電極を順に積層した光起電力装置において、上記透明電
極は、上記透光性基板側から平均粒径の大きい第１層と
平均粒径の小さい第２層とを積層した構成であることを
特徴とする光起電力装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1263282A JPH03125481A (ja) | 1989-10-09 | 1989-10-09 | 光起電力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1263282A JPH03125481A (ja) | 1989-10-09 | 1989-10-09 | 光起電力装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03125481A true JPH03125481A (ja) | 1991-05-28 |
Family
ID=17387302
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1263282A Pending JPH03125481A (ja) | 1989-10-09 | 1989-10-09 | 光起電力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03125481A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100333123B1 (ko) * | 1998-01-28 | 2002-04-18 | 하루타 히로시 | 태양 전지 장치의 제조 방법 |
| EP1478030A1 (en) * | 2002-01-28 | 2004-11-17 | Kaneka Corporation | Tandem thin-film photoelectric transducer and its manufacturing method |
| US7179527B2 (en) | 2001-10-19 | 2007-02-20 | Asahi Glass Company, Limited | Substrate with transparent conductive oxide film, process for its production and photoelectric conversion element |
| WO2010090142A1 (ja) * | 2009-02-03 | 2010-08-12 | 株式会社カネカ | 透明導電膜付き基板および薄膜光電変換装置 |
| JP2011228407A (ja) * | 2010-04-16 | 2011-11-10 | Kaneka Corp | 透明導電層付き導電性基板および透明導電層付き導電性基板の製造方法 |
| JP2012089712A (ja) * | 2010-10-20 | 2012-05-10 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜太陽電池およびその製造方法 |
| JP2012132048A (ja) * | 2010-12-20 | 2012-07-12 | Sharp Corp | 透明導電膜付き基体 |
| WO2013002394A1 (ja) | 2011-06-30 | 2013-01-03 | 株式会社カネカ | 薄膜太陽電池およびその製造方法 |
| WO2019188716A1 (ja) * | 2018-03-29 | 2019-10-03 | 株式会社カネカ | 太陽電池およびその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61216489A (ja) * | 1985-03-22 | 1986-09-26 | Agency Of Ind Science & Technol | 薄膜太陽電池の製造方法 |
-
1989
- 1989-10-09 JP JP1263282A patent/JPH03125481A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61216489A (ja) * | 1985-03-22 | 1986-09-26 | Agency Of Ind Science & Technol | 薄膜太陽電池の製造方法 |
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