JPS60112048A - 上塗りした無定形ケイ素組成物を有する電子写真装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の背景 本発明は一般的に一子与兵結１戒部材としての無定形ケ
イ素組成物の使用に関し、史に詳しくは本発明は杷祿保
腹鳩により９．復した無定形ケイ素より敗る感光性の枳
層結憚部初に関する。本発明の一つの夫施悪体において
、２層の無足形ケイ系層を有する上塗りした榎層感光性
装置が提供される。

これらの装置は゛電子写真結像方式、特にゼログラフィ
ー結像方式中に組み込むことができる。この場合、形Ｊ
戎される静電イｕ１迷は高品負で、かつ優れた解像力を
有する画像に現揖することができる。

Ｔ＃寛写真結像方式、特にゼログラフィー結像方式は周
知であり、先行技術において広く記載されている。一般
的にこれらの方式においては、感光性ｆｊ料又は光伝導
性拐料を静電ｉＷ　１−＃、がそれらの上に形成される
ように選択する。このフォトリセゾク−（光受容体）は
一般的にその表面に光広導性ｍ買のノ曽を廂する４屯性
基板より成９、しかも多くの場合にその表面に該基板と
峨光伝棉性層との間にン尊いバリアー（障壁）ノ曽を設
置して、得られる塚に悪影暫を及ばず基板からの奄荷江
入（ｃｈａｒｇｅｉｎｊｅｃｔｉｏｎ　）を防止する。

公知のゼ用な光伝導性ノーの例としてはλ（（定形セレ
ン及びセレン−テルル、″　セレ／−ヒ累のようなセレ
ン合蛍などを包含する。

−そのほか感光性結稼部拐として、例えはトリニトロフ
ルオレノンとポリビニルカルバゾールとの仮合体を含め
て楓々の有截光伝導性吻賀を選択することかできる。最
近、例えば不活性便Ｊ１ｄ状結合剤中に分１孜した置換
ジアミンとフオトゼ不レーテイング（ｐｈｏｔｏｇｓｎ
ｅｒａｔｉｎｇ　）層とよｒ）ｒ＆る′屯イ’ａ工＋ｖ
ｊ送層を壱する多層有機感光装置が開示された（米国＋
は計第４．２６５．９９０号明細書参照。この明細蕾の
全開示は蚕考として本明Ｉｌ＋ｌｌＩ書に組み入れる）
。

電荷裕送層の例には４ｊ々のジアミンか包含され一方、
フオトゼ不し−テイング層の例には三方品示セレン金属
及び金柄を含有しないフタロシアニン、バナジルフタロ
シアニン、スクアレン組成物などが包含される。

導電性基板、光伝導性ノー、及び電気杷縁尚分子桐科を
貧南する板抜された精１才部ＩをＬｉｕ示している米国
竹ｉｒｆ第５．ｍｌ　４１’、１６７号明細書のような
多くのその一１ｌｌｌの吋計明細誓が存在して、発生物
置（ｇｅｎｅｒａｔｉｎｇ　５ｕｂｓｔａｎｃｅ）を’
８Ｍする感光装置について記載している。この部祠は例
えは、初めに銭感光装置を第一の極性の靜゛屯荷により
荷、嘔させ、すなわち咳感光装置上におゆる静′喝浩像
の形成を”Ｔ　ｎ＝にする画１崖的蕗出（ｉｍａｇｅｗ
ｉｓｅｅｘｐｏｓｅ）をし、次いで呟得られた１、Ｉ！
Ｉｌ揮を現揮することにより、′−子写真法において機
能的である。それぞれの：ｌ！！絖する結像サイクルに
先立って、該光伝導部（２を、第二の反対の極性の静電
荷によりイＷｒ　ｄさせ、次いでこの極性の十分な追加
の荷′シを加えて該部材を横切って正味電界を生じさせ
ることかできる。同時に該導電性基板に電気ポテンシャ
ルを加えることによｒ）咳光伝尋増に第一の燃性を有す
る移動′１何か生ずる。現１床されて可視画像を形ｊ祝
する紹１床ポテンシャルは咳光伝導層及び上塗９ノ曽を
横切って存在する。

同時保勇特許出願明則畜においても備領された無定形ケ
イ素組成物を富有するエレクトロスクトグラフ結１ボ装
置かし１示されており、この場合該無矩形ケイ系中にホ
ウ素及びリンのドーパント（ｄｏｐａｎｔ　）材料か同
時に存在する。史に詳しくは銭同時保絹符計出願明細薔
に支持基板とホウ先約２５ｍ１ｔｐｐｎ＋から約１亘鼠
饅までを含有し、リン約２５爪量ｐｐａ＋から約１厘量
％ぽでにより補償された無ポルケイ素組成物とより成る
感光装置が開ボされている。

史に、無定形ケイ素光伝導体は公知である。すなわち、
例えは米国特許第４，２６５，９９０号明細畳は基板と
、障壁ｊ曽と、水素１０から４０原子矛及び厚さ５かも
８０ミクロンを有する無定形ケイ素の光伝導部の上層と
を包含する軍子写真感光部拐を開示している。この特許
明細誉には無定形ケイ素の装造方法か史に記載されてい
る。一つの実施態様において電子写共感ツ０沸月か、頚
部４Ａを呈内において５０〜６５０℃の温度に加熱し、
水素原子をさゼするガスを該昆内に尋人し、ケイ系化合
物か存在する法昆の壁間において゛亀ヌーエネルギーに
より放゛亀を起こしてはガスをイオン化し、次いで無定
形ケイ系を母秒０．５〜１００オングストロームの込夏
で′電子′４具基根上に夕ｆ出させ、それにより予め屋
めた厚δの無定形ケイ素元伝得ｊ會を生成させることに
より覗子写真感光部材を製造し−〔いる。この１＋チ許
明細書に自己載の：戦疋形ケイ素装置は感光性ではある
けれど、最小数、づ−１よりも例えは約１０以下の＝　
１１サイクル後に乏しい解像力を有する受け入れ難いは
品寅の画像が多数の欠失（＋ｉ’ｅｌｅｔｉｏｎ　）を
伴って生ずる。史にはその汝のサイクル、すなわち１０
回の結株すイクル佐、及び１００回の結１駅サイクル仮
において訊画１ボの品質は屡々画１或が部分的に欠失す
るまで劣化しつづける。したがって米国特許第４，２６
５．９９１号明細書の無足形ケイ素感光装置は有用では
あるけれど多数回の粕１ホサイクルに対して１幾能的に
使用することのできる厘業用装置としての選択は容易に
はできない。

理ｉ＃ｉに限定されることは望ましくｌよいけれど無定
形ケイ系の電子４共性能の劣化は厚」所、ひつかき、及
び特に尚温度におけるコロナ８囲気に対する蕗出を包含
するｗＪ理旧及び化学的改変に対する法ケイ系装置の表
面の感度により生ずる。これらの感度により、路出向か
実質的に無定形のケイ系を含有する該装置の夾除Ｕ’ｌ
使用に対する基本的な！ｌ＋ｉ４限が生ずる。この問題
は無屋形ケイ系を化与的に不動態の恢負無屋形窒化ケイ
素、無定形炭化ケイ素又は無足形灰系のカプセルに入れ
ることにより最小化することかできる。しかしなから、
これらの装置をゼログラフィー結像方式に組み込んだ場
会に悔かの、典型的には約１０回以下の結像ケイクルに
おいて画像のプレ及び非常に速やかな画像欠失が生ずる
。上塗９したケイ系装置にあっては、サイクルな虚ねる
ことによる不十分な画Ｉ象品質は、保禮上塗９ノ胃をイ
イしない無尾形ケイ素について生ずるような摩耗又は感
光性表面との化学的相互作用ではなく下方に置かれた宍
（嶋定形ケイ累鳩の夕面尋′亀性の壇加によって生ずる
。この導電性の増加は、周知の金属−杷稼物一半導体装
置における′也昇効米かりｄ導されるものと同体に該上
塗９した材面に存在する゛電界によりｄ尋される。該醍
尋された衣面寺′−件により、フォトリセプター次面に
投ルされる線又は林の皿１ボに閑遅する亀界フリンジ界
（ｅｌｅｃｔｒｉｃ　ｆｉｅｌｄ　ｆｒｉｎｇｅ　ｆｉ
ｅｌｄ　）における光発生電荷の慎万同へのヅムかりを
生じ、かくして屋マしくンヨい画像のプレ及び１．ｌ！
１１１床の欠失を生ずる。

無尾形ケイ素における嶌界幼釆現尿の存在ば、この物質
が非固有的な無定形半導体、すなわち不縄物ドーピング
及び−界により導電性を実質的に改変することのできる
半導体として戦能するので周知である。対照的にカルコ
ケゞニドをベースとする物質のような多くの他のフォト
リセプクー物員の４軍性は不か■物ドーピング又は亀界
のいり”れかにより有意に改変されることはない。

上記の不利益は本発明の感光性装置により取り尿かれる
。したがって、例えは画像欠失、及び−悸のプレは、眩
無定形ケイ素組成物と杷蒜性上迩り）Ｗとの間に目己直
されている７辱いトラッピング（ｔｒａｐｐｉｆｌｇ　
）層により上塗りした燕定形ケイ素組成りより纏る不発
明の光伝尋性装置において観察されンよい。米質的には
、この表置はｄ導される横力間の４眠性及びＩ［ｉｌＩ
像のプレを最小化又は眩去するように設ム１された多着
４４造である。史に許しくは本発明は、実質的に水系化
された無屋形ケイ素組戚吻及びトラッピングＩ’＝に関
連する装置栴造を提供し、これりは−揮解１ボカの損失
を防止するように似能する。トラッピングの用語は半導
体業界において周知であり′電値キャリヤーの不動化を
意味する。この借問不動化はトラッピング部位によって
生じ、その存在は入熱原子結合の中断又は該貼合へのド
ーパントの組み入れのよ５７；ｃ非固ン汀的手段によっ
て生じ、しかも制御される。画像欠失及び画像のプレは
、無定形ケイ素組既物と絶紘上塗り層と間に配置された
薄いトラッピング瑠により上塗りされた無定形ケイ系組
成りより成る本発明の元伝尋性装置１ｔにおいては観衆
されない。

したかつて、無定形ケイ素をベースとする装置であって
、不発明のトラッピングノーを・汀するものと、有し７
よいものとは′域気的に実質的に病似し、ずなわもそれ
らは共に感光性であり、市市界に荷′嶋することかでさ
、しかも良好７よキャリヤー範囲をＭする。しかしなか
ら、上釜すして表■を不動化したけれどトラッピング１
曽を組み入れてい７よい無定形ケイ系元伝得物負により
形成された画像は１０回の結抹サイクル後に前記に開示
したように急運に劣化し始める点において、それらはＩ
Ｉ！ＩＩ塚能力か上意に異なる。した１ｊ・つて改良さ
れた光伝尋体吻買、特に重責低下することなく多数回の
結１床ザイクルに戊仮使用することのできる、無に形ケ
イ素含有の光伝尋装置にヌｊする一要望が引１１フシき
存在する。史に、湿度に鈍感で、かつひつかき及び摩擦
から生ずるＬ圧気的なη古米によって悪差合を受けない
ように設計された、無矩形ケイ素の絶縁上塗りした多）
偏猶迫を有する改良された績層結１埃部桐に対する要望
か１枕き存在する。その上、電イ′ｎｆキャリヤーのト
ラッピング層を有し、最小数の作采」二４呈によって製
辺することができ、し力・もこのＪ易’ａ　該トラッピ
ングｊ−か互に十分に接后して、反俵される結像及び印
刷方式に使用することのできる改良された感光装置に対
する要望か引続いて存在１−る。史にその上、１ａ何キ
ヤリヤーのトラツビングノ曽を巾する感光装置であって
、この徊曾これらのＶを上記装置に組み入れることによ
り該表［ｄの屯気市→〕性及び元伝尋特住に沙影曽を及
はさす、しかも該装置のゼログラフィー結鍼舵刀が憫怠
に改良されている装置にメ１する女屋か１甑き存在する
。止た電子与具幀１ボ方式に組み込むために選択される
ことかでさる無矩形ケイ系４Ａ料であって、この陽合訊
）ｌｚ料は荷−装置によって発生する湿度及びコロナイ
オンに対して敏感でなく、それにより上記のような相糾
を、かなり多数の結１ボサイクルにわたり１１！ｌ１１
床品負の・１戊下を生ずることなく、特に倚られる画像
のプレを生ずることなく使用することのできる上記無定
形ケイ素月利に対する要望か引続き仔征する。史に高度
のドーパントａ鰯物を組み入れておりず、そのため連続
的な層析出中におしする望ましくないクロス汚染効果を
生ずることのない無定形多層ケイ素をベースとする装置
に対するＪＲ望が引続き仔任する。型抜に、無足形ケイ
素か多数４ｘ層された装置であって、その電気的性能が
、４１１々の胎の間の界山」を形ＪＪｙ、するのにＡ・
ｕ用する４１・ｆ成抹作の叶細にμ仏界的に関係１−る
上記装（ばに対する要望か引続さ存在する。

先例の一安約 したかつて上運の欠点を元服する感光結１ボ装置を提供
することか本元す」の目的である。

本発明のもう一つの目的は一方の極性を廂する屯何キャ
リヤーを捕捉し、もう一つの別の第二の反対の便性を翁
する電荷キャリヤーを伝２＃するように設計した無定形
ケイ素組成物を有する改良された績ｊ田感光装置を提供
することである。

更にもう一つの本発明の目的に１６いては、重荷キャリ
ヤーを不動化する無定形ケイ素組成′１勿を官有する光
伝晦装置が提供され、該装置は湿度、及びコロナ荷−表
置から発生するイオンにヌ」して実買的に鈍感であり、
それによりこれらの装置１ｆｆｉを多数回の結像ケイク
ルにわたってブレを生することなく尚品質及びすぐれた
解１４力を有するｌｌ！＋１１原を倚るために使用する
ことかできる。

本発明のなおもう一つの目的においては、無定形ケイ床
組）水物と共に拙々の血のリン及Ｏ・ホウ素又はヒ素も
しくは４累のようンよ励似のドーパントを言南する感光
＃ｉ律装置を提供する。

これら及びその他の不発１男の目的は多ノ曽無疋形ケイ
素フォトリセプター装置の提供により達成される。更に
叶しくは本発明により、ズ付晶板と高度にドーピングし
た無定形ケイ素の薄いトラッピング層との間に配置され
る屯１イｊキャリヤー桶送層としての無足形ケイ素、及
び該トラッピング層の頂部における例えは窒化ケイ素、
炭化ケイ素及び無定形炭素などの上塗り層より成る積層
感光装置か提供される。

！！守ボの芙力己態様において本発明はノーに（１）支
持基板、（２）非補慎もしくは非ドーピングス１ｔｌ：
定形ケイ素、又はホウ系もしくはリンのようなｐ型又は
ｎｕトド−ントによりわずかにドーピングしたλｌ（定
形ケイ素より成るキャリヤー徊込層、（３）ホウ系又は
リンのようなｐ型又はｎ型のドーパントにより高度にド
ーピングした焦ンを形ケイ系より成るトラノぎング層、
及び（４）窒化ケイ系、炭化ケイ素又は無定形炭水の上
壁９ノ・腎であって、この物付該上塗り増かＩ＋ＩｌＬ
；ハげりには下記に６己１−のように部分的に寺屯性で
あるもの、より戟る。

本発明の感光装置は個々のか自閉方式、特にセ９０グラ
フイーホｄ琢力式に組み込むことかでさる。これらの方
式において、包言される該装置上に−Ｍｆ　′屯ｔｗ′
隊が形成され、次いで庇興・隊を公昶の現揮剤組成物に
より現せし、次いで献画律を逸機は基板に仏写し、仄い
で置忘的には１Ｉａ１床をべ基板に永久的にＬ＋Ｗ足さ
せる。本発明の感元結像郡祠は、これらの方式に組み込
まれた場会に、脱度条件及びコロナ荷′６茨置から発生
するコロナイオンに対してｈａ感であって、これらの部
捌７Ｊ・大ていの揚台にｉ　ｏ　ｏ、ｏ　ｏ　ｏ結像ケ
イクル以上、しかも１００万結銖ザイクル以上に接近す
る間にわたって篩ノ１」イ１諏力の受げ入れ僧るｌＩ！
Ｉ１１床を生成することを口」能とする。史にその上本
発明の光伝尋性鮎１ぷＢ冒２はゼログラフィー印刷方式
に使用するために選択すること力）でさる。

好ましい実施！ル様 第１図において支持基板５１、未ドービ／グ焦ボ形ケイ
糸又はボッ４ｐｐｍからｆＪ　２５　ｐｐｍまでのホウ
糸もしくはリンによりドーピングした無足形ケイ素のキ
ャリヤー発生及び」１ｔｊ１ｉ込層５３、約す。

ｐｐｍ以上のホウ素又はリンによりドーピングしたトラ
ツビングノ胃５５、及び窒化ケイ素、灰化ケイ系又は無
定形炭素より成る上塗り層５７より構成される本発明の
感光装置を示す。

第２図においては支持基板７１、約４　ｐｐｍから約２
５　ｐｐｍのホウ素又はリンによりドーピングした無定
形ケイ素のキャリヤーｍ＋ｊ送ノ曽７３、ゲルマニウム
又はスズと合金させた無定形ケイ素のキャリヤー発生層
γ５、約５０　ｐｐｍ以上のホウ素又はリンによりドー
ピングした無短形ケイ素のキャリヤートラッピング層７
７、及び保護上塗９層７９より構成される本発明の感光
装置を説明する。

第６図においては記載された装置及び組成物の製組に反
則することのできる装置をボす。したがってこの図面に
おいては円筒状′醒極３を説明する。

咳嵯憾は熱ｍｔ匍」御装置８に接続する接続ワイヤ６を
市する加熱要素２を内Ｊ威する′屯気的に絶縁された回
転ｑ’ｔＨに１矩されている。円筒状基板５は末端フラ
ンジにより円商状′Ｉａ他３に１疋されている。

更に、内向状′屯偏３と同軸でめ９、上部にフランジ９
を、そして内部にスリット１０及び１１を廟する円筒状
対′也憾１１　リセプタクル１７及び１８をフランジ９
に対する、必須部分として有する真空室１５、真空セン
サ２３、ゲージ２５、及び絞９升２９を有する共金ポン
プ２７を示ず。気体圧力′４器３４．３５．３６をυ１
ｃ鉱調川）器３１を通して多岐管１９及び真空室１５に
接戦じする。気体Ｍｔ量調即器３１は電気的に制御狽さ
れ、ゲージ及び設定値ボックス３３からＴｈａみ取る。

また電源を円筒状′屯健３及び対１１に接続する。

図面には特に示してないけれど、］貝一部上塗９層を部
分的に導電性とした品を１ミいて、第１図に示したよう
な装置に芙質旧に等価の感光装置もまた本発明の範囲に
包含される。１噂′よりも、窒化ケイ素、又は炭化ケイ
素から成る第１図の上塗９層は、これらの鳩乞非化学ル
ー１１６的組胞ＳｉＮ工又はＳＩＣア（式中、Ｘはｉｒ
Ｊ　１からボッ１．６までの数１１ｉＬであり、ｙは０
・７カ）Ｉ−）ボラ１．６丈での鱈Ｉ直である）か午す
るような感体において製造することにより導電性と１−
ること７ノ・できる。これらのホｌＩノ與′１／Ｉは頂
部上塗り増を重度に肥紘件の化学蚕μｊｌｆ的組ｊ戎吻
よりもより一増得電性とする。史にその上、第１図に乃
くされるような装置と央賀的に弄画の感光装置であって
、この場合頂部土壁９ノー５７は、約０．５≠から約５
％までのリン又はホウ素によりドーピングした窒化ケイ
＾、灰化ケイ素又は無定形炭素より成り、このドーピン
グにより杷蒜性上箆９はｈ１≦分的に擲′屯性になり画
像重置を史に高めることかできる。

図面に示される感光装置のそれぞれに対する支持基板は
不透明でも夷貝的に透明でもよく、かつ必唄の４幾イ戒
ｌ：ｌソｉｉｌ：貝を有する種々の過当な二勿買から成
ることかできる。したかつて、この基板は、本−発明の
目的か遅ｊ或されることを釆件に多他のｔｉ勿買から成
ることかできる。基板の付定のレリとしてはＮ（１；截
又は７目伝の尚分子Ｉ科のような杷林切科、インジウム
スズは化製のような上聞に半導性表面増を壱する有截又
は無機拐科、例えはアルミニウム、クロム、ニッケル、
黄銅、ステンレス鋼７ｊどのような＃亀拐料を包含する
。法基板はたわみ性でも剛性でもよく、また例えは仮、
円筒状ドラム、渦層形、無限だわ谷ベルトなどのような
多他の実なった形状をゼすることができる。姥基板は円
筒状ドラム、又は無限たわみベルトの形状であることが
好ましい。成る吻合、神に基板が有截尚分子制別である
場合には、例えばマクロロン（Ｍａｋｒｏｌｏｎ）とし
て市販されているポリカーボネート制料のようなカール
防止（ａｎｔｉｃｕｒｌ　）増を該基板の裏側コーティ
ングＪ−ることか望ましい場合がある。基板はアルミニ
ウム、ステンレス鋼のスリーブ、又は酸化されたニッケ
ル組成物より成ることが好ましい。

基板の厚さは経済的考慮、及び必要な機械的強度を含む
多くのファクターによる。したかつて、このノ＝は約０
．０１インチから約０．２インチまで、好ましくはポリ
０．５インチから約０．１５インチ複での厚さであるこ
と７Ｉ＞できる。一つの特に好ましい芙力也態様におい
ては線支持基板は約１ミルから約１０ミルまでの厚さの
蹟化されたニッケルから成る。

′電荷キャリヤー焦尾形ケイ素増の基早鳩５３及び７３
はボー１５ミクロンから約４０ミクロンまでの厚さであ
り、好ましくは約１０ミクロンから約２０ミクロンの厚
さである。このノーは一般的にｉ　ｏ　ｐｐｍまでのホ
ウ素又はリンによりドーピングする。しかしながら、こ
の層はドーピングしなくてもよく、あるいは尚水準のド
ーパントを該高水準ドーパントをこの層の底部界面付近
に配置して該層と不均一に混合させて、含有することも
できる。そのほか、臓無定形ケイ素に対してヒ素、ヱ素
などのような他の吻買をドーパントとして使用すること
かできる。灰素及びゲルマニウムを含めてその他の組Ｊ
或物を１濱黒定形ケイ素に合金Ｉ科と添加することもで
きる。

ここに示される感光装置に対して非常にｉ要なノ曽は篩
度にドーピングした無定形ケイ系のトラッピングノーで
ある。本発明によれば、トラッピングとは例えば峨無屋
形ケイ系中に含Ｍされるリン又はホウ糸のようＴｘ　ｎ
　４又はｐ型のドーパントによる゛電荷キャリヤーの空
間日′シネ動化をいう。必要なトラッピング部位を提供
するのば、これらのドーパントである。したかつて無定
形ケイ素物質中におけるリン又はホウ糸のドーパントの
存在により正又は貝の屯１６ｆキャリヤーか抽残又は捕
捉され、この賜盆トラッピングの確率はトラッピング部
位の数にほぼ比例する。本発明の無定形ケイ素トラッピ
ング層は・り０えはシボランガス又はホスフィンガスに
よりドーピングしたシランガスを、下記に詳述するよう
に反応里に尋人することにより装量する。本発明のトラ
ッピング層に対するＭ用なドーピング範囲はドーパント
約２５　ｐｐｍからドーパント１％、すなわち１０．０
００　ｐｐｍまでである。

この」易＆　ｐｐｍは無尾形ケイ素中のホウ素又はリン
のような個々のドーパント原子のＭ、量一度をいう。

比較的に薄いトラッピング層の使用により、得られるＪ
感光装置を例えば１ミクロン当り５０ボルトまでの尚′
電昇において荷′屯することができ、同時にこれらの増
のプレ防止層としての有利な効果が等かれる。そのほか
、本発明の装置は望ましく湿匿不感性であり、繊度と、
コロナ荷電装置ｄかり発生ずるコロナイオンとによる＃
＃乞受り゛ないままでいる。これらの性質により、無数
の結１永サイクルにわたって屋ましく使用することがで
さ、多数の結像サイクルにわたって高品質のプレの１よ
い画像を生成することのできる感光装置か提供される。

本明細誉に記載される無定形ケイ素をペースとする多ノ
曽楢造により、光伝導Ｍ１駅装置に使用するために選択
することのできる装置が提供される。これらの装置は望
ましい電気的性質及び望ましい感光性を彌するのみなら
ず、１０回以下の結像サイクル中に不都合にも劣化する
公知の無定形ケイ累制科と比較して、１１川琢の劣化な
しにかなりの回数の結１峨サイクルか加能である。

ホウ素約４〜２５　ｐＩ）ｍを単独で無定形ケイ素に礪
加することにより該無定形ケイ素の空孔桶送（ｈｏｌｅ
　ｔｒａｎｓｐｏｒｔ　）性が改良されるけれど＝ｉア
クセノタンス（、ｃｈａｒｇｅ　ａｃｃｅｐｔａｎｃｅ
　）がわずかに減少することか升られている。しかしな
から゛電子は上口己のようなドーピングした装置を迎っ
て移動せづ゛、該装置は貝に充放％　（ｐｆｉＯｔｏｄ
ｉｓｃｈａｒｇｅ　）することかで癌ない。ホウ系のみ
を無定形ケイ系に混入した場合に杯賛すべき状態が生ず
る。対照的に装置の空孔梱送性は有意に賦少し、電子ｌ
１１１送性は増加し、したかつてこの装置は正に充放゛
厄する。同様に１００　ｐｐｍのホウ系の本を無定形ケ
イ素に添加し、このような高ドーバンｌ−ａ度が単層装
置に存在する場合には、得られる装置は非常に導゛亀性
となり、非常に低いポテンシャル、すなわ゛ら約１ボル
ト／μｍ以下のみに荷屯される。本発明の構造形態にお
ける無定形ケイ累材料より成る多層の感光装置又はフォ
トリセプターはホウ素又は例えばリンをトラッピングｊ
曽において１１００ｐｐを十分に超えろ水準においてさ
えも含有づ−ることかでキ、シかもこれらの装置は例え
ば１ミクロン当り約５−０ボルトの尚′電界にまで荷電
されることができ、そしてまた上記装置はトランぎング
鳩か十分に博い場合に望ましいギヤリヤー桶込性をもＭ
する。多泗無足形ケイ素装置の一気的性賀はトラッピン
グ層を１しない上塗りした無定形ケイＴ５装置の亀ヌ（
的性質と実質的に類似するけれどこれらの２楓の１再迫
は、無足形ケイ素と絶縁上塗りとの間に向夏にドーピン
グしたトラッピング層をＭ′１−る感光装置については
諸包含される装置が湿度及びコロナＩＩＪ’電装−から
発生するコロナイオンに対して敏感でないので該装置の
劣化か生じないという点において相違する。横方向へ導
′屯性の面積を除去すると思われることの見地から、ト
ラッピングノｍを有する上型９した装置に対して、該補
償された無定形ケイ素（補償された無定形ケイ素組成物
を有するエレクトロスタトグラフイー装置について１９
８６年８月１７日出願の同時係属米Ｉｎ分許出願明細評
参照。この明細誓の開示はすべて参考として本明Ｉｌ＋
ＩＩＩ誉に組み入れる）の結稼能力もまたコロトロン（
ｃｏｒｏｔｒｏｎ　）相互作用に関して菫よしく改良さ
れる。更に該トラッピング層と組み合せて絶縁性の硬寅
上傾りを使用することにより本発明の装置が、無雑形ケ
イ素の単層、又は上塗りを壱する単層をイ〕する装置と
比較して積大された鮎塚ケイクルの夾貝的回畝にわたっ
て有用となり、史にその上、本発明の装置の栴造にあっ
ては１ＩｉＩＩ像品貢がずぐれ、画イ駅のプレか訪云さ
れる。このプレにトラッピング層を有せずに上塗９し、
又は上塗りしない無足形ケイ素にあっては約１０回以下
の結像サイクルにおいて始まって存在するものである。

第１図において、冒夏にドーピングした無定形ケイ素の
トラッピング層５５は約５０ｉ量ｐｐｍ以上から約１重
斌係までのドーピング水早を有し、かつ好ましくは１０
０　ｐｐｍの補償水準を有する。

一般的に該ドーピングした無定形ケイ素のトラッピング
層の厚さは約５０オングストロームから約５０［１０オ
ングストロームまで、好ましくは約１００オングストロ
ームから約１０００オングストロームまでである。

ドーピング初買としては一般的にホウ素又はリンか使用
されるけれど、例えば窒素、又はヒ素などを包含するそ
の他の過当なりＩ買を遇択することもでさる。更に七の
上、トラッピングｊ−５５又は鞠ｌ込）曾５３における
無雑形ケイ糸は、バンド間隙を叢え、しかもそれによっ
て得られる七°ログラフイー装置の暗放電（ｄａｒｋ　
ｄｉｓｃｈａｒｇｅ　）又はｔｍ先住か好ましく影・・
〆ｐされるように、炭素又はｒルマニウムのような他の
１１匁黄色合金させることかできる。

トラッピングｊ冑に対するドーパントの型（ｐ型又はｎ
型であることができる）の選択は該装置が動作される場
合のコロナ荷電憾性に関係する。すなわち、例えばもし
正の荷奄憾性が選択されるならばゼログラフィ−１１！
ＩＩ球は輸送層５３をわたる、空孔の通′濱の横方向の
桶送によって形成される。

絶縁物５１の下に残留する東予は靜電画稼の外縁′電界
（ｆｒｉｎｇｅ−ｆｉｅｌｄ　）における横方向への移
動を防止され７よけれはならないので、これらの状況下
においてはトラッピングｊ曽はホウ素のようなｐ型ドー
パント物賀によりドーピングする。このドーパントの添
加は咳ノ＝な横切っての免孔の虜方向の袖込に影誓しな
い。反対に、負の荷電の場合はＭ　Ｉ胃への例えばリン
の焼却によりｎ型ドーピングをし７よげれはならない。

ドーパント一度とトラッピング層の厚さとの間には反比
例ｉＡ　’６％が存在すると思われ、それ故この層のｍ
、＋１ＭのＨさと一度とは、絶縁件の最上層の回走され
た厚さに対する該装置のｌＩ！Ｉｌ像のプレ及び゛亀気
的性負についてのこれらパラメータの効呆を観察するこ
とにより笑顔「シに定める。

成る４車の応用にメ１しては、゛電荷キャリヤーのフオ
トゼイル−ション（ｐｈｏｔｏｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ　
）及び磁界における該装置を通してのそれら電荷キャリ
ヤーのその後の’：Ｉ！ｆｆ送に対して、販装置におい
て別個の増を有することが有利であることかある。すな
わち第２図において一送層５３に対応する別個のフオト
ゼ不し−ション層７５及び輸送層７３を示す。この実施
態様において、該フォトゼイ、レーション層は約０．５
から約１０ミクロンまで、好ましくは約１から５ミクロ
ンまでの厚さをイボする。このタイプのバンド間隙は通
′溶には、フォトリセプク−の感光性をより長い波−艮
に仏ける目的のためにフオトゼ不し−ションノ曽のそれ
よりも小さい。ゲルマンかりのゲルマニウム又はスクン
ナンからのスズの癌／ＪＩＪか、この目的のために工米
的に欧州されている。フォト−ビイ・レーション鳩７５
と重荷１ｃ＋＋ｆｉ込層７３との間のが面は図面に示さ
れるように層、畝でめってもよく、あるいは組成勾配が
徐々に変化する拡散であってもよい。該組成移動鎖酸の
厚さは約１ミクロンかり約５ミクロンまでの程度である
。

例えば第１図及び第２図におり゛る崩５７及び７９は窒
化ケイ素、炭化ケイ素又は無定形炭系がら成ることかで
き、そのノ早すは約０．１ミクロンから約１ミクロンま
で、好よしくは０．５ミクロンである。更にその上、Ｊ
ＪＸ部上葦９層をより一増導電性とする目的のため、す
ノよりち画１埃を史に望ましく向上させるために、これ
らの増を非化学駕嗣的量の窒化ケイ”Ａ　ＳｉＮｘ又は
炭化ケイｆ、　５ｉＣｙ（式中、Ｘは約１から約１．６
までの数置であり、ｙは約０．７と約１．６との間の畝
値である）より成るようにして製造することかでさる。

そのほか、咳屋化ケイ系、炭化ケイ系又は無定形炭素の
上塗りは、ホスフィンＰＲ３７：ｌｚら得られるリン又
はジボランガスＢ２Ｈ６かり侍られゐホウ素の約１里社
≠から約５爪■裂までにより、これらの物質をドーピン
グすることにより史に棉屯注とすることかできる。

窒化ケイ素、炭化ケイ素又は熱定形炭素の頂部上塗ワは
、痘ましくないひつかさを営めて機械的ノ≠途から装置
をより−増保調する追加的な硬度を令する銭装置ρ・提
供される。

第１図に示す本元１月の感ブＣ装置におげろ頂部ｊ曽の
尋−性かＪ″−犬されているのでこの層上の電界がゼロ
グラフィーのサイクル中により一層急速に減少し、この
ようにして望ましくも残留電圧を一定に存在させる。そ
のほか、このような一定の残留電圧は非常に多数の結像
サイクルにわたって尚解１速力を勺゛するｌＩ！ＩＩ抹
を得ることを口Ｊ能にする。

本発明の感光装置及びそれに営まれる無定形層は第６図
に示されるような反応至にシランガスを、ドーピング又
は合戴の目的のために屡々他のガスと組み付せて同時に
尋人することによって製造する。史に旺しくは、この方
ｔムはＶＪ郡に第一の基板篭他子段と第二の対電極手段
とを枢谷するリセプタクルを設け、該第−の嶋憾手段上
に円筒状表面を設け、該円筒状表面を該第−の屯憾手段
に内蔵される〃ｌ］熱要系により〃日熱し、このＩ昌Ｊ
に第一の一層を側回鴨させ、礒反応容器にケイ系含有ガ
スの原性を、屡々他の布釈用、ドーピング用、又は合金
用のガスと組み合わせて該円筒Ｒ１：Ａに関して直角に
尋人し、第一の電極手段間に電圧をかけ、第二の亀憾手
段に′電流を流し、それによりシランガスを分解して無
定形ケイ素、もしくはドーピングした無定形ケイ素又は
無定形ケイ素をベースとする絶縁物を生成させることを
包含する。該ガス類は適当な相対４ｆにおいて反応呈に
尋人して、本明細−・に７廖されるような過度の水準の
ドーピング又は合金を与える。すなわちたとえば、１１
００ｐｐの名目水準の・】ずロンによりドーピングした
無短形ケイ素かトラッピング層に対して望まれる場合は
ジボランガスツヤＪ　１００　ｐｐｍを含有するシラ／
ガスを同時に尋人し、−刀１０，０００　ｐｐｍの名目
佃偵水準か蚕ましいノ勿合１ｔ’＋、シフンガス双び１
≠のジボランガスを）ｙ、比、リセプタクルに尋人する
。

本明細僅に開示する重度にドーピングした無足形ケイ系
のトラッピング層をＭする本発明の感光装置の製造に伯
″用７よ方法及び蚊−は一般的に、１９８６年１月１０
日出願の同時係４元米し！Ｓｌ特計出顕ｆｉ蕾第４５６
．９３５号明幌・証に開示されているされ、第６図に示
されるような装−置は′喝気的肥林回転軸に回足さ才し
た回転する円筒状の第一の屯毬手段３、該第−の電俟手
坂３内に配置された輻射加熱−決素２、接わしワイヤ６
、中空軸の回転し・碍る共空フィード／（ルー　（ｆｅ
ｅｄｔｈｒｏｕｇｈ　）　４、熱源８、内筒ＳＶｃ第一
の電極牛段３をＭし、第一〇′屯団手段の一部である末
端フランジにより固定さオしている中空ドラム基似５、
上部フランジ９又はスリット又は世直スロット１υ及び
１１を・ｈ−する第二の中空対′亀憾子段Ｙ１呈１コに
おける＜１４　ｊ戎部分を取りつけるための、フランジ
９に対するりセプククルを必唄散糸としてＭ″′３−る
リセプタクル手段又は里手段１５、谷原マノメータ一式
、Ｊｃ窒恢出器ノ３、ケゞ−ゾ２ｂ１叔９升２日を見え
た真空ポンプ２７、ンガスを入れた圧力容器３５及びジ
ボランガスを入れた圧力容器３６のような気体圧力谷器
３４．３５及び３ｂ、第一の屯＋Ｍ乎段３、及び第二の
′−換−Ｉ一段７に対する電流亦手段３７より成る。至
１５は原料ガス原料のための入口生膜１９と未使用ガス
ｗ祠料のための排出手段２１とを有する。

運転に肖っては至１５をＡ空ポンプ２７により遡度な低
圧に減圧排気する。次いでシランガスを、屡々答器３４
．３５及び３６から流出する他のガスと組み合わせて、
人口手段１５を通して￥１５に同時に導入し、該ガスの
流量を買置υｔｃ扉調μｍ）装置３１により調如する。

これらのガスは直父υ１ム方向で人口１９に尋人する。

丁なゎちガスは第一の一層手段３上に含まれる円面状基
板１５の軸に直角力量に几れる。ガスの尋人に先又って
、第一の′亀憾手反をモータにより回転させ、仄いで加
熱Ｗ８により４！ＩＥ射加熱安系２に電力を供ｍ６　Ｌ
　、この間に屯（１ｂ’ｔ　３７により第一の゛−憾子
段及び第二の対竜憾生膜に対して′−圧を惧佑する。一
般的に、ドラムｂを約１００°Ｃかも約３００″Ｃまで
にわたる温度において、好ましくは約２００℃から２５
０″Ｇまでの温度において維持するのに十分な電力を加
熱Ｗ８から供ｉ：目する。至゛１５の圧力は叙ワ弁２９
０位置により、デージ２５においても定される設足条件
に対応するように自動的に調整する。第一の颯極十坂３
と第二の対電極手段７との同に生ずる一界かグロー放゛
−によりシランガスを分解させ、それにより無定形ケイ
素をベースとする褐科が、第一の一他手段３上に宮まれ
る円筒＋段５の次面上に均一な厚さで析出する。このよ
うにして基板上に無定形ケイ系をペースとする俣が得ら
れる。

多層１１”ｑ造ば、遇轟蚕の時間にわたる逸話なガス混
合！１７２Ｉメ連続的な導入及び分解により形成される
。

反応量に尋人される別々のガスの流血は、連成すべきＨ
［望のドーピング水準のような多数の変数に関係する。

ず７よりち列えは無定形ケイ素中に言ｒ１１されるホウ
素の原子、！＋早の血は、気体のジボラン及びシランの
混合比から計算されるホウ素の閂よりも太さい、はぼ２
対４のファクターである。

その他の戊ルし、パラメータ及びプロセス５＋！件は前
記同時係掬特許出ｊ娘に硅ｉ湘に記載されている。

第１図にカくされる装置構造の製造に関しては、この装
置は下記の悪球において性別に製造することかできる。

第６図にボずようは装置を適当な真空ポンプにより減圧
排気し、心棒及びドラム基板を加熱する。

シランガス及びその他の過当なドーパントガス又は合雲
ガスを賀蚕流量ｔｖ、’ｉ頗器を通して導入する。

ガスの０１仁示か−たん屋常化したならば反応量の圧力
、すなわちドラム基板と対′成極との間の環状空間にお
り−る圧力を減圧排気導管における絞り弁によって調整
する。圧力が定ポ状態になった時、ドラム基板及び対′
ＩＩＬ毬を包含する心棒に電圧をかける。この−圧は反
応蔓内のガスの分解を生じさせるのに十分な・直を有１
−るものであり、この分解は通′ＫにはｏＪ視的な白熱
を伴う。グロー放゛嵯における操作によって発生するＨ
Ｎ３性の化羊り■をドラム基板及び対兎憾上に夕ｒ出さ
せる。夕「出縁作中に適当なフィードバック閉回路によ
り基板温度、ガス流量、全ガス圧力、及び加えられた電
圧又は電流を一定水堺に維持する。シランガス１Ｑ　Ｑ
　ｓｃｃｍ（標準立方センナメートル）及びＡ　遺業省
によりジボランガス１０００　ｐｐｍと予め混合された
シランガスｌＳＣＣｍを同時に導入することにより、例
えば１０　ｐｐｍのジボランによりドーピングした無定
形ケイ累層を製造する。次いで真空屋におけるガス混会
物の全圧力が２５０ミリトールとなるように真空ポンプ
を絞る。基板電極を具えた心棒に一１０００ボルトの直
流−圧を加え、対′重傷を大地電位に保つ。釘出操作中
、約１００ミリアンペアの生成電流を一是水準に保つ。

約６時間後に約２０マイクロメートルの厚さを有】−る
ドーピングした無定形ケイ素の腰がドラム基板上に析出
する。

仄いで゛電極から電圧を〜「ち、ガスの流れを、下記の
ようにしてホウ素の幼釆虚によりドーピングした無定形
ケイ系より成る薄いトラッピング層の析出のために変え
る。

シボランと予め混合したシランガスのθ１ｃれを５０ｓ
ｃｃｍに増加し、一方において純シランガスの０＋ｔ、
れを１００　ｓｅｃｍから５０　ＳＣＣｍＶＣ減少する
。

圧力を２５　Ｑ　ｓｃｃｍにおいて一定に保ち、成極１
１１にわたって市電圧を６０秒間加えて第１図に示すよ
うなトラッピングｊ−を１娃る。次いで電憾から電圧を
断ち、仄いてガスの流れを下記のように絶縁硬質上塗９
０り「出のために変える。ジボランと予め混合したシラ
ンガスのＭＬれを中止し、シランガスの残りのυ毘れ５
　Ｑ　ｓｃｃｍにアンモニアガス２５０ｓｃｃｎ＋を爾
加する。さて′電極に晶電圧を５分間にわたって丹び加
え、この時間の終りに′電極及び加熱器要素に対して゛
電圧を１９「っ。反応器へのシランガス及びアンモニア
ガスの流れを中止し、窒気を真空系に入れる。仄いで無
定形ケイ素の光受答体構造を市゛するドラムを真空冨装
置から取り出す。

ガスの相対０１ｃ垣及び析出時間を調整することにより
、同様な態体において区１−に対するその他の組成及び
厚さを得ることかでさる。ガス自体を変史することによ
り、異７よる上型９を宮めて異なる物置を得ることかで
きる。

窒化ケイ糸又は炭化ケイ素の上値９を有する感光装置は
一般的に、シラン及びアンモニア又はシラン及び窒素の
混合物と、シランと、メタンのような灰化水素との例え
ば第６図の装置を使用するグロー放電析出によって製造
し、これらの上塗りは無定形ケイ素のトラッピング層上
に析出させる。

ノ共定形炭素は、メタンのような炭化水系を、グロー放
電装置への尋人のために迅択する点を除いて同様す態４
永において上塗りとして析出させることかできる。

ここに本発明を９°ケ定の好ましい芙ＩＭ態様に関して
６＋細に記載するか、゛これらの実施例は単に説明のた
めであることを理解すべきである。本発明はココに引用
する材料、条件又はプロセスパラメータに限足されるも
のではｌよい。鄭及びパーセントは９咎に示されない眠
り厘λによる。

実施例■ 第６図にボず装置を使用し、がつ同時係鵬米国特訂出績
通蕾第４５６，９５５号明ＩＴ４１Ｉ書に示されるプロ
セス条件にしたかつて無定形ケイ素フォトリセプターを
製造した。すなわち、長さ１５，８インチ、外径６．６
インチのアルミニウム製ドラム基板を、第６図の共窒至
に内戚される心棒上に挿入し１０−４トール以下の圧力
における。Ｊｉｅ窒中で２２５℃に刀ＩＪ熱した。次い
で試ドラム及び心棒を毎分５回鴨の速度で回鴨させ、次
いでシボランガスｓ　ｐｐｍによりドーピングしたシラ
ンガス２００　ｓｃｃｍを真望室に導入した。次いで調
竪ｎ」能な叙り弁により圧力を２５０ミリトールに保っ
た。次いで゛電気的に接地した対電極に関して一１００
０ボルトの直流電圧を該アルミニウムドラムに加えた。

該対電極は４．８インチの内径、１＝ｏ、ｓインチの、
ガス尋人及びガス排出用のスロットを有し、かつ長さ１
６インチであった。

６時間経過後に、心棒への′４圧を防ち、ガスのυｉす
れな骨上させ、ドラム訊科を室温に冷却し、次いで具’
ＭＭかう取９出した。アルミニウム製ドラム上に存在す
る感光性の無定形ケイ糸の厚さはパーマスコープ（Ｐｅ
ｒｍａｓｃｏｐｅ　）により伸」厘して２０ミクロンと
測定された。次いでこの元伝得体をゼロックスコーポレ
ーション６ｉｏｏとして市販すれるゼログラフィー結憬
装置に組み込み、次いでドラムのキャビティーに組み込
まれているｄｔホ表面電圧ゾロープによる測冗値として
、１ミクロン自９２０ボルトの電界において画１ボを生
じさせた。

該Ｉ［ｉＩＩ球は、スチレン−ｎ−ゾテルメククリレー
ト共皇合体及びカーボンブラック粒子より成るトナー粒
子により現１ボし、次いでこの画像を紙に移転させた後
において、目視観察によって測定して多数の白点、欠失
、及び低下した解像力の領域により明示されるように貧
弱な品質のｌｌ１Ｉｌ像であった。

結１域サイクルの数と共にプリント欠陥の密度が増加し
た。画像解揮力の損失の程度は、例えば湿度、感光装置
の寿命、及びプリント試験中における摩擦４によること
が測定された。

上記のようにして製造した装置をトラツビング層及び絶
縁層により上塗すした場合に結像作用における顕著な改
良が得られた。これは、５００ｐｐｍのジボランにより
ドーピングしたシランガスを真空室に尋人することによ
りホウ系ドーピングしたトラッピング層を、上記無定形
ケイ系＋ｆｉｉｊ送増の析出に軌いて具空蚕中において
析出させることにより達成させる。１？出は２２５℃の
温度において６０秒間継続し、この間にアルミニウムド
ラム電圧を一１０００ボルトに保った。就いてシリカガ
ス５　Ｑ　ｓｃｃｍ及びアンモニアｉ　Ｑ　Ｑ　ｓｅｃ
ｍを含有する気体混合物を反応室に尋人した。２５０ミ
リトールの圧力を保ち一２５０ボルトの電圧をドラム基
板に加えて析出操作を５分間継続し、この時点において
ドラムへの電圧を丹び中貼した。

このようにして、既に析出しているホウ系でドーピング
した無定形ケイ素層上に厚さ０．５ミ（ロンの窒化ケイ
ＸＪ−を生じさせた。得られたドラムを真空室から取り
出した俵、心棒への電圧をｐ［も、該心棒を１ミクロイ
当ワ２０ボルトの′電界においてプリント試験に供した
。

５１００（開襟）と１−て市販されているゼロックスコ
ーポレーションのコピー装置における、得られた装置の
試捩において、ｌ＃電プローブによって測尾して２０ボ
ルトの充放−麦の／Ａ笛屯電圧り」示された。この残留
′電圧は２０，０００サイクルまでにわたる′−気的サ
イクリングと共に一厘のままで残った。その上、この上
塗９した装置の電気ｑザ性は、光放−後に頂部窒化ケイ
、Ａ層により生じた電荷アクセプタンス（約５００ボル
ト）及び残留−圧（Ｗ＞　６０ボルト）を含めて、１ミ
クロン当９６０ボルト以上の′電界において相対湿度約
２０％から約８０−までの成度に対して鋭敏でなかった
。

これは頂部表面を正のコロナ界曲気への路用の０．１秒
後にどいて測定する該装置のぼ荷保持率が、猿現試験至
内に】ｄげる゛−気装置の評価中、不変のままであった
という如笑によって明らかである。

訊試験呈に２いては相対湿度が２０％と８０％との間に
わたった。これらの試験中、充放′屯俊の残留低圧に治
し測定可能な影・欅は研祭されなかった。

ゼロックスコーポレーション３１　Ｄ　Ｏ装置において
元年した１、ｌ！１１塚は、ブラック粒子を含Ｍするス
チレン−ｎ−ブチルメタクリレート共里合体よりＪ＆る
トナー担子を開用して現稼俊にすぐれた品賀を刹し、し
かも少くとも１００．’０００　ｋｉ　１＊サイクルま
でのサイクリングにより劣化しなかった。この時点にお
いて試験を中止した。

対照的に、トラッピング層なしで、厚さ０．５　ミクロ
ンのイ（化ケイ累増で上塗すした、同体の感光装置葭は
、ゼロックスコーポレーション５１０［］ｉ置に組み入
れブこ場合に１回のコビーザイクルにより画１家のプレ
が妬まった。

その上、上記において製迫したトラッピング層を自する
感光装置を、ゼロックス社製の軽石研摩剤により１０分
間はげしく摩擦することにより摩損性試験に供し、その
精米の装置ば′屯１ｉアクセプタンス及び光放電俊の残
Ｗ電圧を含めて装置の電気ｔ１（注か不変であった点に
おいて影響を受けなかった。史に、」吐准研摩試験の前
後における装置のゼログジフイー印刷品賀にｆ６いて顕
著な変化は認められンよかった。

実施例■ 厚さ２０ミクロンの無定形ケイ系ｌｌ１ｌｊｂ送層を６
時間にわたって２５０ミリトールの圧力下に基板上に析
出させ、−１０００ボルトの電圧馨中央゛電極に〃目え
た点を除いて実施例Ｉの手ｊ−を反仮し、トラッピング
層を廂する不発明の装置を侍だ。本実流側において反応
蚕に尋人されるガスは純シランであるので見かけ上は未
ドーピングのケイ素層か生じた。更にその上、トラッピ
ング層のプラズマ＋Ｊｆ出中に１００　ｐｐｍ分子４度
の量のホスフィンガスをシランガスに麻加することによ
り該トラッピングｊ曽をリンによりドーピングした。

上記において製造した上塗りした多層装置を真空室から
取り出した後、得られたフォトリセプクーを結像試戚設
備においてプリント試験に供した。

この場合、岨フオトリセプクーを負に荷電し、得られた
画１ｇはスチレン−ｎ−ブチルメタクリレート共電合体
４８　Ｊｌｊｆ　１ｌａＬ成物、カーボンブラック、及
び荷′喝独化姫加剤のセチルピリジンクロリドを含有す
るトナー組成物により現１ボした。１００．’Ｏ［］０
鮎律サイクルに対し、相対湿度２０〜８０％にわたり、
ブレのｌよいすぐれたノ怖１ホカを勺するｕ！ｌ１１１
が得しれた。これはトラッピングノーを菊しない、同１
求ンよフォトリセス０クーを同一の１隊設巾−において
試験して１０結１埃サイクル俊の乏しいＪｌＪｆＩｌ像
力な１１するブレのある一球と比」紋される。

実施例■ １％のボスフィンによりドーピングしたシランガス５０
５ｃｃｎ＋及びアンモニアガス１００　ｓｃｃｍを真輩
厘に尋人することにより頂部硬質上塗９層を製造した点
を商いて実施列Ｉの手ｒ＝を反仮することにより、トラ
ッピング１−を有する本発明の感光装置を得た。具空至
にどける放電を５分間にわた’、ｌ、２５０ミリトール
の圧力及び０．０５ミリアンペア／　ｃｍ”の亀ｖ１ｃ
督度において継続した。

該装置を１ミクロン当り６０ボルトの電界において実施
例１の手ｊ―を反仮Ｊ−ることにより、静電プローブに
より０１１１足して＝＊奄圧か１０ボルトであった点に
おいて実施例Ｉと欠員的に同１求な、渭果が屈成された
。この電圧は２０，０００結１家サイクル佼に、しかも
相対湿度２０〜８０舜にわたる湿度条注下に一足のまま
で残留し１こ。

次いでプリント試験を、笑ｈ□出例Ｉの手順を成核する
ことにより１ミクロン幽９２５ボルトにおいてイ丁い、
現１駅仮にすぐγしたノ拝１敗力を徊する１１！Ｉ１１
床か得すγＬ、２５＋０００サイクル仮においてプリン
ト品質の劣化は全く目視１説＠されなかった。

仄いで上記にゴｄいて表作した感光装置を、央カｊ例■
の手順を戊俵することにより１１（ｌＪ摩損性及び１１
１１ｊひつかぎ性について試験し、実ＭＭしＩＩと欠員
的に同様な、頬釆か・けられた。

笑ゐ例１ｖ キャリヤー＋１補送）曽として機能する第一層の析出に
対して央カ山例Ｉの十ノーを反仮することにより第２図
に示１−感元装置を製作した。その汝のり「出を下ね己
のようにして何った： 上記輸送層上に析出するフォトゼ玲し−ション層を、１
２　Ｑ　ｓｃｃｍのシランと、１３　Ｑ　５ｃｃｃｎの
ケゞルマンと、ジボランＩ　Ｏ００ｐｐｍと予め混合し
たシラン２　ｓｃｃｍとの混合物から製造した。この混
合物を一１０００Ｖの円飾亀憾電圧及び２５０ミ！１ト
ールの反応器圧力において４０分間分ｍした。

基板温度は２５０　”０に１６いて一定に保った。

仄いでジポラン１０００　ｐｐｍと予めイ昆会したシラ
ン２００　ｓｃｃｍ乞−１［］０［ＪＶの゛＝＝間低圧
、２５０ミリトールの反応器圧力及び２３０　”Ｏの基
４Ｉ１．温反において６０秒間にわたって分１ｍするこ
とにより、上記フオトセ゛不し−ショ７）曽上に薄いト
ラッピング）曽を仙′出させた。

アンモニア対シランの５：１混合物を、全υｊＣ重５０
０　ｓｃｃｍで５分同にわたり、端板温度２６０°Ｃ１
電憾間屯圧−５００Ｖ、及び反応器圧力２５ＬＩ　ミリ
トールにおいて分解することにより、トラッピング層上
に窒化ケイ素の上皿９を析出させた。フォトリセプター
を真窒室より取り出してから、光源として固体レーずを
備えたゼログラフィー印刷截においてフ０リント、、Ａ
、験した。該レーずの波艮は７’７’０１］オングスト
ロームと８１００オングストロームの曲において′屯力
水堺に関係して変動させ一、、、ｒ喝、−ｙ、、＋−１
＋、；；”、ｌｆ＋４＝ｌｆｒ−ｋｙｌ−イーｄ−／−
→１子−解１床力とコントラストとを有するセ゛ログラ
フイーのプリントかＩ　Ｏ，０００サイクル以上にわた
って・１替りれ、この時点に１６いて試五沃を？１４了
した。

本兄制を贅疋の好ましい実施ノ訓体について記ｒｙ。

して米たけれど、それりに１奴疋されるものでは／よい
。むしろ当采省は本発明の要ｄ内にあり、かつ上記の！
１．Ｆ　１１’請求のＩＩ＋１四内にある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の感光装置の部分的ン゛よ概１晴萌面図
である。 第２図は本発明の更にもう一つの感光装置の部分的な概
略〜ｉ面図である。 第６図は無短形ケイ素組成物の製造装置及び上記胆）戊
物な内蔵する装置を示す。 代理人　浅　村　皓 第１頁の続き ＠発明者　マイクル　エイ、モー　アメガン　ング リカ合衆国ニューヨーク州ペンフィールド、プツチイブ
リーン　レーン　１５

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （＜−ＩＱ　支持基板と、無定形ケイ素電荷輸送層と、
   ドーピングした無定形ケイ素から成るトンラビング層と
   、頂部絶縁上塗り層とを包含することを特徴とする′［
   １子写具感光装置。 （２）　キャリヤー４Ｑｉｆｆ　ａ層が未ドーピングの
   無定形ケイ素から成る特許請求の範囲第（１１項記載の
   装置。 （３）　キャリヤー輔迭層が約２　ｐｐｍから約２５　
   ｐｐｍまでの量のリン又はホウ素によりドーピングされ
   た無定形ケイ素から成るを肝請求の範囲第（１）項記載
   の表置。　。 （４）トラツビ′ングノ・〜に含有される無定形ケイ素
   を約５０　ｐｐｎ＋かり約１０，０００ｐｐｍｉでの量
   のホウ素又はリンによりドーピングする特許請求の範囲
   第け）項記載の方法。 （５）上値りＡ＋か窒化ケイ系、炭化ケイ素又は無定形
   炭素から戟る特計紬氷の範囲第（１）項記載の装置。 （６）支持基板かアルミニウム、ステンレス鋼、電鋳ニ
   ッケル、又は尋′ｇ性Ｊ＆ｉで爪”ｒにコーティングし
   た杷縁尚分子組底物であるＱａ°計繭ポの範囲第（１１
   狽す己　載　の装置。 （７）電荷キャリヤー輸送層の厚さが９９ミクロンから
   約５０ミクロンまでであり、無定形ケイ素トラッピング
   層の厚さが約０．１ミクロンから約５ミクロンまでであ
   り、頂部上塗りノ曽の厚さか約０．１ミクロンから約１
   ミクロンまでである特許請求の範囲第（１）項記載の装
   置。 （８）炭（ｒケイ素又は窒化ケイ素から戟る頂部層を、
   弗化′＄：ｉＪｔ　ｉｎｋ的組成物５ＩＮｘ又は５ＩＣ
   ｙ（式中、Ｘは約１から約１．６までの数値であり、ｙ
   は約０．７から約１．６までの数値である）を使用する
   ことにより部分的に導′嵯性とする特許請求の範囲第（
   １）項占己載の装置。 （９）窒化ケイ素、炭化ケイ素又は無定形炭素の頂部上
   塗りノーを、約０．５血量裂かも絢５Ｍ量楚までのリン
   又はホウ素によりこの層をドーピングすることにより＃
   −１生とする仕誓肝ｄ青求の範囲第（１）項ｎ己載り装
   置。 ｕＯ））崎吐Ｂｌｖ氷の範囲第（１）項に記載の感元装
   置を提供し、この装置を画像的露出に供し、得られた幽
   １ｆをトナー粒子により現像し、次いで該画像を適当な
   丞板に移私し、かつ１ｉ１１１恩的には該１ＩｉＩ１株
   を該基板に水入げジに固定さぞ、この場合１［］Ｄｏ結
   像サイクす以上にわたってすぐれた品質と尚解像力とを
   刑する１１！１１像を得ることを特徴とする結像方法。 ０１）　電荷キャリヤー桶送層かリン又はホウ先約２ｐ
   ｐｍから、１９２５　ｐｐｌｎによりドーピングした無
   定形ケイ素から成るｌ特許請求の範囲第（ＬＯ）項記載
   の結像方法。 ロ　トラッピング層がリン又はホウ先約５０　ｐｐｍか
   らポリ１０．０００　ｐｐｍまでによりドーピングした
   無定形ケイ素から成る脣計幣ポの範囲第ｕＯ）項記載の
   結１床方法。 ｕ３　頂部上壁９層か窒化ケイ系、炭化ケイ素又は無定
   形尿素かも成る何許賄刀くの範囲第００１項記載の結１
   １方法。 α弔狽地コーティングか更にドーパントを包含する鞘■
   ｎ求の郵囲第ｕ３項記載の？ｌ后揖方法。 鳴　支持基板と、無定形ケイ素の亀イｂＪ榴送１胃と、
   無定形ケイ素の会雀かも成るキャリャーフオトゼイ、レ
   ーティングと、ドーピングした無定形ケイ素から成るト
   ラッピング層と、保映頂部絶縁上塗９層とを包含するこ
   とを特徴とする′延子写Ａ感光装置。 Ｈキャリヤー桶送層が未ドーピング無定形ケイ素から成
   る脣許謂９くの範囲第００項記載の装置。 αη　キャリヤー輸送増が、約２１）Ｉ）ｍから約２５
   　ｐｐｍまでの量のリン又はホウ素によりドーピングし
   た無定形ケイ素から成る％計開求の範囲第００項記載の
   装置。 曹　トラッピング層に含有される無定形ケイ素を約５　
   ［１ｐｐｍから約１０．０００　ｐｐｍまでの量のホウ
   系又はリンによりドーピングする特許請求の範囲第Ｏの
   項記載の装置。 ｏリ　上塗りノーか窒化ケイ素、炭化ケイ素又は無定形
   尿素から成るｌ特許請求の範囲第００項記載の装置。 四　支持基板かアルミニウム、ステンレス鋼、′亀　。 鋳ニッケル、又は導電性鳩により適当にコーティングし
   た杷縁尚分子組成物である特許請求の範囲第Ｏｆ９項ｍ
   ｌ載の装置。 Ｖυ　電荷キャリヤー桶送増の厚さか約５ミクロンから
   約５０ミクロンまでであり、無定形ケイ素トラッピング
   層の）早さが約０．１ミクロンから約５ミクロンまでで
   あり、かつ頂部上屋り層の厚さが約０．１ミクロンから
   約１ミクロンまでである特許請求の範囲第ＱＱ項記１１
   氏の装置。 （イ）　炭化ケイ素又は窒化ケイ素から成る頂部Ｉｆｆ
   を、非化学試論的組成物Ｓ　ＩＮｘ又は５ＩＣｙ（式中
   、Ｘは約１から約１．６までの数値であり、ｙは約０．
   ７から約１．６までの数値である）を使用するこ゛とに
   より部分的に導電性とする特許請求の範囲第００項記載
   の装置。 （ハ）窒化ケイ素、炭化ケイ素又はｓ足形炭素の上塗り
   〜を、約０．５厘量飴かし約５電量襲までのリン又は不
   つ素によりドーピングすることによｒ）４′屯性とする
   ９ゼト請求の範囲第００項記載の装置。